【課題】配線層を増加させること無く、階層ワード線や階層ブロック選択線方式を適用し、チップ面積を削減すると共にプロセスコストを低減する。
【解決手段】プレート線ＰＬ，／ＰＬに接続されるメモリセルＭＣにおける強誘電体キャパシタＦＣの下部電極ＢＥを、下部電極−拡散層間コンタクトを介して拡散層ＡＡに接続し、上記拡散層は、拡散層−金属配線間コンタクトｃＡＡ−Ｍ１を介して、金属配線層で形成されるプレート線に接続した。プレート線と、メモリセルブロックとの接続を、強誘電体キャパシタの下部電極−プレート線金属配線間のコンタクトｃＢＥ−Ｍ１を用いずに実現出来るため、上記コンタクト形成に起因するプロセスダメージによる強誘電体キャパシタの劣化を無くすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】ＦｅＲＡＭの強誘電体キャパシタにおけるキャパシタ保護膜の剥離を防止する。
【解決手段】下部電極膜、強誘電体膜、上部電極膜を順に積層し（Ｓ１）、エッチングにより上部電極膜から上部電極パターン、強誘電体膜から強誘電体パターンを順に形成し（Ｓ２、Ｓ３）、アンモニアと過酸化水素水と水の混合液による薬液処理を行い（Ｓ４）、薬液処理の後、キャパシタ保護膜を形成し（Ｓ５）、キャパシタ保護膜を形成した後に、エッチングにより下部電極膜から下部電極パターンを形成する（Ｓ６）。これにより、強誘電体パターン形成時、露出した下部電極膜を含めたウェハ表面に付着する揮発性のエッチング残留物が薬液処理により除去され、その後に形成するキャパシタ保護膜の剥離が防止される。 （もっと読む）

【課題】均質で絶縁性が高く、良好な特性を有する、導電性複合酸化物膜を得るための絶縁性ターゲット材料を提供する。
【解決手段】絶縁性ターゲット材料は、一般式ＡＢＯ_３で表される導電性複合酸化物膜を得るための絶縁性ターゲット材料であって、Ａ元素の酸化物と、Ｂ元素の酸化物と、Ｘ元素の酸化物と、Ｓｉ化合物およびＧｅ化合物の少なくとも一方と、を含み、前記Ａ元素は、Ｌａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｎ、ＢａおよびＲｅから選択される少なくとも一つであり、前記Ｂ元素は、Ｔｉ、Ｖ、Ｓｒ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｉｒ、ＰｂおよびＮｄから選択される少なくとも一つであり、前記Ｘ元素は、Ｎｂ、ＴａおよびＶから選択される少なくとも一つである。 （もっと読む）

【課題】メモリの集積度を向上させた半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】データを蓄積するための記憶素子に接続されたトランジスタを含むメモリセルが複数設けられ、複数のメモリセルから１つを特定するためのビット線およびワード線を有しており、上記トランジスタは活性領域をソース電極およびドレイン電極で挟む構造が基板面に対して垂直方向に形成され、所定の方向に隣接して形成された２つのメモリセルに同一のビット線が接続され、これら２つのメモリセルの一方を含み、所定の方向に隣接して形成された２つのメモリセルのトランジスタにゲート電極として同一のワード線が設けられた構成である。 （もっと読む）

【課題】分極反転特性に優れ、安定動作が可能な強誘電体キャパシタを提供する。
【解決手段】強誘電体キャパシタは、下部電極と、下部電極の上に形成された強誘電体膜と、強誘電体膜の上に形成された上部電極とよりなる強誘電体キャパシタであって、強誘電体膜を構成する元素の組成プロファイルのばらつきが、強誘電体膜の膜厚方向において５０％以下であるとき、強誘電体膜の分極反転時間として１μｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】高キャパシタンスの高周波薄膜キャパシタを提供することにある。
【解決手段】窒化シリコンバリア層１２をガリウム砒素基板１１上に堆積させて、後の加熱工程における基板の蒸発を防止する。二酸化シリコン応力緩和層１４を上記バリア層上に堆積させる。密着層１８と第２層２０とを含む第１電極１６を応力緩和層上に形成する。実質的に無水のアルコキシカルボキシレート液状先駆体を準備し、使用直前に溶媒交換工程を行った後に、先駆体を第1電極上にスピンオンし、４００℃で乾燥し、６００℃〜８５０℃でアニールしてＢＳＴキャパシタ強誘電体２２を形成する。第２電極２４を強誘電体上に堆積させ、アニールする。 （もっと読む）

【課題】低温で成膜できるセラミックス膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るセラミックス膜の製造方法は，基体の上方に材料層を形成する工程と、水蒸気および酸素ガスを含む原料ガスを酸化性ガス製造部３０に導入する工程と、酸化性ガス製造部３０内のガスを加熱して、酸化炉２０内に供給し、材料層を酸化させる工程と，を含む。 （もっと読む）

【課題】誘電特性の面内均一性に優れた強誘電体層の製造方法の提供。
【解決手段】比較的平均一次粒子径の大きい、板状の結晶性微粒子を湿式で粉砕して、平均一次粒子径が２０〜１００ｎｍの結晶性微粒子が液状媒体中に分散した分散液を得る工程と、該分散液と、加熱により強誘電性酸化物を形成する可溶性金属化合物とを含む流動性組成物を基体上に塗布し、２００〜５００℃で加熱して第１の層４１を形成する工程と、前記可溶性金属化合物と、液状媒体とを含み、結晶性微粒子を実質的に含まない流動性組成物を第１の層４１上に塗布し、５００℃超で加熱して第２の層４２を形成する工程と、をこの順に行う。 （もっと読む）

【課題】より小型化（薄型化）および高速化を達成することが可能な異なる種類のメモリを含む半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】この半導体メモリ装置は、ビット線と、ビット線と交差するように配置されたワード線と、ビット線とワード線との間に配置された記憶手段とを有するメモリセルを含む第１メモリと、第１メモリとは種類の異なる第２メモリとを備え、第１メモリと第２メモリとは、同一の半導体基板上に積層して形成されており、ビット線は、主ビット線と、主ビット線に接続され、メモリセルアレイ毎に配置された補助ビット線とを含み、記憶手段は、補助ビット線とワード線との間に配置されており、主ビット線と、補助ビット線とは、同じ方向に延び、かつ、平面的に見て互いに重なるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】分極反転のヒステリシス特性を利用した従来のＦｅＲＡＭと全く異なる原理を用いた新規な記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶装置は、下部電極１０と、下部電極１０の上方に形成された強誘電体層１２と、強誘電体層１２の上方に形成され、強誘電体層と異なる組成の酸化物からなる電荷補償層１４と、電荷補償層１４の上方に形成された上部電極と、を含む。上部電極は、強誘電体層１２の所定領域に、所定の方向に飽和分極したドメインを形成するための飽和分極形成電極２２と、飽和分極形成電極２２と離れて配置される書込み電極２４と、書込み電極２４と離れて配置される読出し電極２６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】インクジェット印刷技術を用いて疎水性表面に導電性高分子を形成することが可能な、素子の製造方法及びインク、並びにかかる製造方法及びインクを用いて製造された電子素子を提供すること。
【解決手段】例えば、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳなどの導電性高分子などの電子機能物質と、表面張力低下剤とを有する水溶液又は水分散液を、例えば強誘電高分子層によって形成される疎水性表面上に印刷する工程を有する、素子の製造方法である。上記導電性高分子は強誘電体層の何れの面上にも導電性線路を形成することが可能であり、これによりメモリ素子を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 選択トランジスタと不揮発性記憶素子とを備えたプレート電圧固定型の不揮発性半導体記憶装置において、複雑な回路設計と、レイアウト面積の増大を招くことなく、妨害電圧の発生を防止する、または影響のないレベルまで妨害電圧の発生を低減すること。
【解決手段】 選択トランジスタと不揮発性記憶素子との接続ノードと、共通プレート線との間に、リセットトランジスタを備える。かつ、電源投入時、および電源遮断時の共通プレート線の電圧遷移が、電源電圧の遷移タイミングと同時であり、共通プレート線の電圧遷移期間に、リセットトランジスタのオン・オフにより、不揮発性記憶素子の第１の電極ノードの電圧がフローティングになる期間と、電圧が固定される期間とが、存在し、しかも、上記共通プレート線の電圧遷移期間内でリセットトランジスタＱｎ２がオンしている期間が長くなるよう共通プレート線ＣＰの電位を変化させるようにする。 （もっと読む）

【課題】電子機器内の電子回路、特に、超小型の高速動作メモリ回路や高周波領域で動作する集積回路等で用いられる、誘電体と導電多層膜の組み合わせを基本構成とする高性能メモリ・容量素子などにおいて、素子の性能の向上を可能とする導電多層膜を提供する。
【解決手段】第１導電体薄膜１０３は、第２導電体薄膜１０２の側に配置された第１傾斜機能領域１３１と、誘電体相１０４の側に配置された第１導電体相１３２とから構成されている。第１導電体薄膜１０３を構成してる第１傾斜機能領域１３１は、電極１０１の側から誘電体相１０４の側にかけて、化学結合的な状態，原子配列構造的な状態，及び電気特定的の状態の少なくとも１つの状態が徐々に変化し、バッファ作用による格子整合性の向上と、バリア作用による拡散制御性の向上を実現する傾斜機能を有している。 （もっと読む）

【課題】メモリセルから読み出される信号の強度を向上させることが可能なメモリを提供する。
【解決手段】このメモリは、第１電極膜と、第１電極膜上に形成され、記憶部と、記憶部の厚みよりも小さく、かつ、平均値で記憶部の厚みの１５％以上の厚みを有する薄膜部とを有する記憶材料膜と、記憶材料膜の記憶部上に形成された第２電極膜と、第１電極膜、記憶材料膜および第２電極膜を有する単純マトリックス型の複数のメモリセルを含むメモリセルアレイ領域と、平面的に見てメモリセルアレイ領域とは異なる領域に形成され、トランジスタを含む周辺回路領域と、メモリセルアレイ領域のメモリセルが形成される領域の実質的に全面を覆うように形成されるとともに、トランジスタを含む周辺回路領域には形成されない水素の拡散を抑制する絶縁膜とを備えている。 （もっと読む）

【課題】強誘電体薄膜の反りを抑えることができ、また量産性および生産効率を高めることのできる強誘電体薄膜の製造方法、強誘電体薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】強誘電体薄膜１０に、ストレスバランス層１４を設けることで、電極層１２やＰＺＴ層１３自体に内在する応力、基板１１と電極層１２との間、電極層１２とＰＺＴ層１３の間に生じる応力を打ち消して緩和し、強誘電体薄膜１０の反りを抑制する。これによって、ＰＺＴ層１３の割れや剥離等を防止し、強誘電体薄膜１０、ひいては強誘電体薄膜１０を用いたマイクロセンサやマイクロアクチュエータの信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好な導電性複合酸化物層が得られる導電性複合酸化物層の製造方法を提供すること。
【解決手段】導電性複合酸化物層の製造方法は、基体の上方に、第１酸素濃度で行われる第１スパッタリングによって、一般式ＡＢＯ_３で表される第１導電性複合酸化物層を形成する工程と、
前記第１導電性複合酸化物層の上方に、少なくとも第１酸素濃度よりも酸素濃度が低い第２酸素濃度で行われる第２スパッタリングによって、一般式ＡＢＯ_３で表される第２導電性複合酸化物層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体記憶装置及びその製造方法に関し、特に、電源を切っても記憶情報を保持しうる不揮発性を有し、情報の保持能力や耐久性などの信頼性が高く、集積度が高くビット単価が安い半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 ゲートＧがワード線ＷＬに接続され、一方のソース／ドレインＳ／Ｄがビット線ＢＬに接続された転送トランジスタＴｒと、転送トランジスタＴｒの他方のソース／ドレインＳ／Ｄに一方の電極が接続され、常誘電体を誘電体膜とする常誘電体キャパシタＣ１と、転送トランジスタＴｒの他方のソース／ドレインＳ／Ｄに一方の電極が接続され、強誘電体を誘電体膜とする強誘電体キャパシタＣ２とにより半導体記憶装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法により、１００ｎｍ以下の膜厚においても高い残留分極密度を有するタンタル酸ストロンチウムビスマス膜を備えた強誘電体キャパシタ、特に立体的な構造を有する強誘電体キャパシタを実現できるようにする。
【解決手段】強誘電体キャパシタは、基板１０の上に形成された強誘電体膜１２と、強誘電体膜１２の下に形成された下部電極１１と、強誘電体膜１０の上に形成された上部電極１３とを備えている。強誘電体膜１２は、少なくともストロンチウムと、ビスマスと、タンタルと、酸素とを含み、一般式がＳｒ_xＢｉ_yＴａ₂Ｏ₉（但し、０．６９≦ｘ≦０．８１であり、２．０９≦ｙ≦２．３１である。）で表される化合物である。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有するセラミックス膜の製造方法、およびこの製造方法により得られるセラミックス膜を提供する。セラミックス膜と電極との間の界面を改善し、疲労特性を向上させることができる強誘電体キャパシタの製造方法、およびこの製造方法により得られる強誘電体キャパシタを提供する。このセラミックス膜または強誘電体キャパシタが適用された半導体装置を提供する。
【解決手段】基体１０上に下部電極２０を形成し、複合酸化物を含む原材料体３０を、２気圧以上に加圧され、かつ体積比１０％以下の酸素を含む雰囲気中および１００℃／分以下の昇温速度の条件で熱処理することにより、下部電極２０の上に複合酸化物を構成する第１金属と該下部電極２０を構成する第２金属との化合物からなる下部合金膜２４を形成するとともに、下部合金膜２４の上に原材料体３０が結晶化されたセラミックス膜４０を形成し、セラミックス膜４０の上に上部電極５０を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉ単結晶基板上に強誘電体薄膜を形成するに際し、膜内の応力を制御して自発分極値の低下を防ぐことを目的とする。
【解決手段】 Ｓｉ単結晶基板上に形成された強誘電体材料からなるエピタキシャル強誘電体薄膜であり、この強誘電体薄膜の結晶面のうち、前記Ｓｉ単結晶基板表面の結晶面に平行な結晶面をＺ_Ｆ面とし、Ｚ_Ｆ面間の距離をｚ_Ｆとし、強誘電体薄膜構成材料のバルク状態でのＺ_Ｆ面間の距離をｚ_Ｆ０としたとき、０．９８０≦ｚ_Ｆ／ｚ_Ｆ０≦１．０１０であり、前記強誘電体材料が、ペロブスカイト型結晶構造を有する、化学式ＡＢＯ_３（ＡはＣａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、ＬａおよびＣｄから選ばれた１種以上であり、ＢはＴｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＮｂから選ばれた１種以上である）で表される化合物又は希土類元素含有チタン酸鉛であり、厚さが２〜１００ｎｍである強誘電体薄膜。 （もっと読む）