【課題】励起光とショットキー接合部との相互作用の領域を拡大して、テラヘルツ波の発生効率またはテラヘルツ波の検出のＳＮを向上することができるテラヘルツ波素子を提供する。
【解決手段】テラヘルツ波発生素子は、テラヘルツ波発生層２と、テラヘルツ波発生層２に接して配置された電極３を備え、励起光４の照射と電極３への電圧印加によりテラヘルツ波５を発生する。テラヘルツ波発生層２の少なくとも一部は、励起光４が入射してくる側とその反対側とのテラヘルツ波発生層２の面と交わる面において電極３とショットキー接合部を形成し、ショットキー接合部に励起光４が照射される。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を向上させることができる放射線検出素子、及び放射線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る放射線検出素子１０は、放射線を検出可能な化合物半導体からなる半導体基板１００と、半導体基板１００の表面に設けられ、表面側から半導体基板１００の内部に向けて徐々に幅が狭まる溝１２０と、半導体基板１００の表面の平坦な領域と半導体基板１００の表面の反対側の面とのそれぞれに設けられる電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板と変換素子と間にスイッチ素子と導電線とを備える検出装置において、変換素子とスイッチ素子又は導電線との間で生じる寄生容量を低減する。
【解決手段】基板１０１と、複数の電極を有するスイッチ素子１０９と、スイッチ素子１０９の複数の電極のうちの第１の電極１０７と電気的に接合する導電線１０２と、スイッチ素子１０９及び導電線１０２の上方に成膜されて配置されており、２つの電極１１４、１１６の間に配置された半導体層１１５を有し、２つの電極１１４、１１６のうちの一方の電極１１４はスイッチ素子１０９の複数の電極のうちの第１の電極１０７とは異なる第２の電極１０６と電気的に接合する変換素子１１７と、を含む検出装置１００が提供され、変換素子１１７の一方の電極１１４と、スイッチ素子１０９の第１の電極１０７又は導電線１０２との間に空間１２０が存在する。 （もっと読む）

【課題】 表面プラズモンを伝送するための開口における表面プラズモンの透過光量の低下を招くことなく、高速応答性の向上をはかる。
【解決手段】 入射光を表面プラズモンに変換するための結合周期構造２２が表面に設けられ、該結合周期構造２２中に表裏面を貫通する開口２３が設けられた導電性薄膜２１と、開口２３の結合周期構造２２が設けられた面と反対面の端部に配置された受光部とを有した受光素子であって、開口２３の形状は、２つのスリットを直交交差させた十字形であり、各々のスリットの長辺方向が前記表面プラズモン波長の１／２より長く、短辺方向が前記表面プラズモン波長の１／２より短い。 （もっと読む）

装置は、光送信機；光ファイバから光学信号を受信する光検知器；第１のポートと、光ファイバにより光検知器に連結された第２のポートと、光送信機に連結された第３のポートとを有する光学スプリッタ；並びに光検知器の出力に接続された二段増幅器システムを備える。光検知器の入力表面の直径は、光ファイバの芯の直径に略等しい。このような光検知器の入力表面の直径により、静電容量及び信号歪が低減する。光学スプリッタは、第１のポートで第１の光学信号を受信する。この光学スプリッタは、第１の光学信号を第２のポートに送信し、第３のポートで受信した第２の光学信号を第１のポートに送信するように構成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を用いた放射線検出素子は小型軽量などの利点があるが、放射線を透過しやすいので放射線検出効率が低いという問題があった。
【解決手段】本願の放射線検出素子及び放射線検出装置は、放射線検出素子の放射線入射面にタングステンなどの金属からなる膜を形成し、放射線の入射エネルギーを減衰させることにした。入射エネルギーを減衰させることで放射線入射によるキャリア生成効率が向上し、金属膜の膜厚を最適化して、放射線検出効率向上が可能になった。 （もっと読む）

【課題】半導体検出器にバイアス電圧を印加する電源への悪影響を防止しながらもその半導体検出器におけるポーラリゼーションを解消できる放射線検出装置を提供すること。
【解決手段】ＰＥＴ装置１００は、電源ＨＶ１と、半導体検出器３に電圧を印加するコンデンサＣ１と、電源ＨＶ１とコンデンサＣ１との間に接続されるリレーＳＷ３と、コンデンサＣ１とリレーＳＷ３とを接続する配線に一端が接続され、他端が接地されるリレーＳＷ１と、抵抗を介してその配線を接地させるリレーＳＷ２とを備え、リレーＳＷ１及びリレーＳＷ２を開（遮断）状態とした上でリレーＳＷ３を閉（通電）状態としてコンデンサＣ１を充電させ、また、リレーＳＷ３を閉（通電）状態とした上でリレーＳＷ２を開（遮断）状態とし更にコンデンサＣ１の電圧が所定圧を下回ったときにリレーＳＷ１を開（遮断）状態としてコンデンサＣ１を放電させる。 （もっと読む）

【課題】素子外部と電気的に接続される電極にワイヤーボンディング接合を行った場合でも、電極の剥離が容易に発生しないような半導体装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体１上に有機物電極２が、有機物電極２の上にはワイヤーボンディング用電極３が形成され、絶縁膜４からなる台座部が、前記ワイヤーボンディング用電極３の下側の領域で、かつ前記ＺｎＯ系半導体１上の一部の領域に配置されることで、前記ワイヤーボンディング用電極３の剥離を防止する。 （もっと読む）

【課題】簡便な構造で紫外光を選択的に検出できるようにし、装置コストの低減及び装置の小型化を可能にし、最も簡素化した場合には、携帯することもできる紫外検出装置を提供する。
【解決手段】紫外検出装置は、４００ｎｍを超える光波長域では受光感度が略０であり、４００ｎｍ以下の光波長域で受光感度を有する半導体光電変換層を有する光電変換素子を備えている。半導体光電変換層は、光を電流に変換する作用を持つ半導体層である。このように、半導体ベースの光電変換素子で紫外検出装置を構成できるので、軽量で携帯性に優れた検出装置とすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＣｄＴｅと代替可能であって環境負荷の小さい物質を特定し、それを用いた半導体放射線検出器を提供すること。
【解決手段】酸化亜鉛単結晶基板を利用して構成されるダイオードを備えた放射線検出器を用いる。厚さ２ｍｍのｎ型酸化亜鉛で構成される基板２１０上に、膜厚０．１μｍのＰｔ薄膜からなるショットキー電極２２０を形成する。続いて、基板２１０の下面に膜厚０．１μｍのＣｒ薄膜２３１を形成し、更に、Ｃｒ薄膜２３１の下面に膜厚０．１μｍのＡｕ薄膜２３２を形成する。Ｃｒ薄膜２３１及びＡｕ薄膜２３２はオーミック電極２３０として機能する。基板２１０に対して放射線が入射されるとショットキーダイオードに電流が流れるため、放射線を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】高純度シリコン結晶を用いたことによる利点を生かしつつ、長期信頼性が高い放射線検出素子３を提供する。
【解決手段】外部から入射する放射線を吸収し、その放射線により生成される電荷を、電界をかけることにより取り出す放射線検出素子３であって、軸線方向に延びる柱状部３１１及びその柱状部３１１の一端の外周に設けられた鍔部３１２からなり、高純度シリコンから形成された本体部３１と、高純度シリコンと異なる材料からなり、前記鍔部３１２における放射線入射側の端面の全部又は一部に設けられた突出部５と、前記突出部５を覆うように前記本体部３１の放射線入射側の端面に形成された第１電極と、前記本体部３１の反放射線入射側の端面に形成され、前記第１電極と極性の異なる第２電極と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】検出特性が劣化するのを好適に防止することができる半導体放射線検出器および放射線検出装置を提供する。
【解決手段】半導体放射線検出器１は、カソードＣおよびアノードＡの電極で挟まれる半導体結晶１１ａがＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＧａＡｓ、ＴｌＢｒのうち少なくとも一つの半導体結晶を用いてなり、電極のうち少なくとも一方の電極は、複数の金属からなる積層構造とされており、第１層がＰｔまたはＡｕで形成され、第２層が第１層のＰｔまたはＡｕよりも硬度の低い金属から形成されていることを特徴とする。第２層はＩｎからなり、無電解メッキ法によって形成される。また、第２層の上に金属がさらに積層されて形成される。 （もっと読む）

【課題】放射線検出性能が良好で、十分な強度を備えると共に大面積とすることが容易である半導体放射線検出器を安価に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】低抵抗のＮ型のＳｉ基板１１が高温還元雰囲気中に置かれた状態で、ＧａＡｓ粉末あるいはＧａＡｓ結晶を分解してＳｉ基板１１上に砒素を付着させ、砒素被覆層１２を形成する。砒素被覆層１２の形成されたＳｉ基板１１上に、ＭＯＶＰＥ法により高抵抗のＰ型のＣｄＴｅ成長層１３が積層形成される。ＣｄＴｅ成長層１３の表面には電極１６が、Ｓｉ基板１１の裏面には共通電極１７が形成される。 （もっと読む）

【課題】紫外領域に受光領域を有し、機能層の転位が低減されてなるとともに、受光効率に優れた受光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】サファイア単結晶基材１ａの上にＡｌＮ層１ｂを有するテンプレート基板１上に、III族窒化物によって下地層２と機能層３とをＭＯＣＶＤにて形成することで受光素子１０を得る。上端層２ｃと機能層３とは３００ｎｍ以下の波長の光を透過させるＡｌＧａＮにて形成する。下端層２ａは、これよりもＡｌリッチなＡｌＧａＮにて形成する。傾斜組成層２ｂは、傾斜組成を有し、上下端の組成が上端層２ｃと下端層２ａとに一致するように形成する。下端層２ａは、９００℃〜１１００℃の第１形成温度にて形成し、残りの層は、これに連続して、第１形成温度よりも高い１１００℃〜１２８０℃の第２形成温度にて形成する。Ａｌ混晶比が高い機能層３ほど、優れた転位低減効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体検出素子が高精度に配置された放射線検出ユニット、およびこれを用いた放射線検査装置を提供する。
【解決手段】配線基板２４と、該配線基板２４の上面に固着された放射線を検出する半導体検出素子２５と、該配線基板２４の上面に固着されたスペーサ２８とを有する検出基板２２を複数積層して固定される。各々の検出基板２２は、半導体検出素子２５とスペーサ２８とが所定の位置関係となるように配置されている。さらに検出基板２２同士は、各々のスペーサ２８同士がＸ−Ｙ平面で互いに揃って積層され固定部材２３ａ，２３ｂにより固定される。スペーサ２８には、配線基板２４の下面が、その下のスペーサ２８と接触しないように段差部２８ｅが設けられ、上下方向はスペーサ２８同士が互いに接触して位置決めされている。 （もっと読む）

【課題】ＣｄＴｅ系材料を用いた放射線検出器の安定性および信頼性を向上させる。
【解決手段】Ｂｅが添加されたＣｄＴｅ系結晶を検出層に有する構造とする。或いは、Ｂｅが添加されたＣｄＴｅ系結晶、またはＢｅを含むII−VI族材料でＣｄＴｅ系結晶からなるＸ線検出層表面が保護された構造とする。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出用の変換装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線を光に変換する蛍光体６０３０と、光を電荷に変換する光電変換素子と電荷に基づく電気信号を転送するスイッチ素子とを有する画素が絶縁基板上に二次元に複数配置されたセンサ基板６０１１と、スイッチ素子を駆動するためのシフトレジスタＳＲ１が実装され、センサ基板に接続された第１フレキシブル回路基板と、画素からの信号を検出するための集積回路（ＩＣ群）が実装され、センサ基板に接続された第２フレキシブル回路基板と、を有する。 （もっと読む）

電気的−光学的結合及び検出装置。本発明の実施態様に従った装置は、半導体材料内に定められる反射表面を有する。反射表面は入射ビームを光学目的地に向けて反射する。光検出器が半導体材料の反射表面内に一体的に統合される。半導体材料の反射表面内に配置される光検出器は、入射光ビームを検出する。
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【課題】
高純度シリコン結晶を用いたことによる利点を生かしつつ、さらに、漏れ電流を抑制するとともに、放射線検出素子のコンパクト化を図ることをその所期課題とする。
【解決手段】
外部から入射する放射線を吸収し、当該放射線により生成される電荷を、電界をかけることにより取り出す放射線検出素子であって、軸線方向に延びる柱状部及び当該柱状部の一端の外周に設けられた鍔部からなる高純度シリコン部材と、前記高純度シリコン部材の両端面にそれぞれ形成した互いに極性の異なる電極と、を備え、前記鍔部における電極が形成されていない端面に、径方向に内向きの面方向成分を有する、電界が発生しない無電界面を形成している。 （もっと読む）

【課題】 撮影対象の輝度が低い場合でも視覚的な色解像度の低下を抑えつつ画素信号のＳ／Ｎを高め、各色相の光電変換部の感度バランスを向上して高画質化、高感度化を図る。また、撮影条件等に応じて色解像度を重視するかＳ／Ｎを重視するかを自由に選定可能にする。
【解決手段】 緑色の波長域の光を吸収して信号電荷を発生するＧ感光層１７と、緑色の波長域とは異なる波長域の光を主に吸収して信号電荷を発生するＢ感光層１９，Ｒ感光層２１と、Ｇ感光層１７とＢ感光層１９，Ｒ感光層２１からの信号電荷に応じて画素信号を生成するときに、Ｇ感光層１７の１画素に対して、この１画素に対応する位置のＢ感光層１９，Ｒ感光層２１の対応画素及び該対応画素に隣接する周辺画素の各信号電荷の処理（合算）に応じた値と、Ｇ感光層１７の１画素の信号電荷に応じた値とに基づいて、上記１画素の位置に対する画素信号を生成するようにした。 （もっと読む）