【課題】改質領域を形成することによるノイズの発生を抑制すると共に、クロストークの抑制効果を向上させることが可能な裏面入射型フォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１は、互いに対向する表面３ａ及び裏面３ｂを有するｎ型の半導体基板３と、半導体基板３の裏面３ｂ側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合１１によりフォトダイオード１３を構成する複数のｐ型半導体領域５と、裏面３ｂ側において、隣接するｐ型半導体領域５間に配置されていると共に、半導体基板３よりも不純物濃度が高く設定されているｎ型半導体領域７と、を備え、半導体基板３には、表面３ａとｎ型半導体領域７との間の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、表面３ａに達すると共に、ｎ型半導体領域７に達することなく改質領域５０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】改質領域を形成することによる半導体基板の機械強度の低下を抑制すると共に、クロストークの抑制効果を向上させることが可能なフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１は、半導体基板３と、半導体基板３の裏面３ｂ側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合１１によりフォトダイオード１３を構成する複数のｐ型半導体領域５と、を備え、半導体基板３の隣接するｐ型半導体領域５間の領域には、該領域の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、ｐ型半導体領域５の配置方向に離隔し且つｐ型半導体領域５の配置方向に交差する方向に延びる２つの改質領域５０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】紫外線センサにおいて、より高い感度を得られるとともに、より高い波長選択性を得られるようにする。
【解決手段】（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２の一方主面の一部を覆うように、スパッタリング法により形成されるたとえばＺｎＯを含む酸化物半導体からなる薄膜材料層４とを含む積層体５を備え、さらに、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と薄膜材料層４との接合部６の少なくとも一部を露出させた状態で積層体５の外表面上に形成され、かつ（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２に電気的に接続される、第１の端子電極７と、上記接合部６の少なくとも一部を露出させた状態で積層体５の外表面上に形成され、かつ（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２および薄膜材料層４の双方に電気的に接続される、第２の端子電極８と、第１の端子電極７に電気的に接続されながら、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２内に形成される、内部電極９とを備える。 （もっと読む）

【課題】電極材料／液晶性有機半導体（液晶物質）／電極材料の構成において、低電界で電荷注入を促進する。
【解決手段】２つの平板状電極１及び３と、液晶性有機半導体に強誘電性を付与した強誘電性液晶物質２とを備え、前記平板状電極は前記強誘電体液晶物質を挟み、前記平板状電極間に電圧を加えることにより前記強誘電性液晶物質を分極させ、電荷注入を促進させる液晶性有機半導体素子。 （もっと読む）

【課題】不純物の濃度分布の変化が急峻な検出素子を安定的に製造することができる検出素子の製造方法、及び遠赤外線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、共通の結晶母材からなるウェハーを一対形成する。一方のウェハーに所定の不純物を所定量ドープし、ブロッキング層用ウェハー5aを形成する。また、他方のウェハーにも、上記不純物と同じ不純物をブロッキング層用ウェハー5aよりも高濃度でドープし、吸収層用ウェハー4bを形成する。次いで、吸収層用ウェハー4b及びブロッキング層用ウェハー5aの貼り合わせ面の結晶方位を合わせた状態で、吸収層用ウェハー4b及びブロッキング層用ウェハー5aを貼り合わせて検出素子３を形成する。 （もっと読む）

【課題】広帯域に亘って紫外線を検知できる感度領域の広い紫外線センサを提供すること。
【解決手段】本発明の紫外線センサは、紫外線感知部を備えた紫外線センサであって、前記紫外線感知部は、酸化亜鉛と、前記酸化亜鉛のバンドギャップよりも広いバンドギャップを持つ感知波長域拡張材料と、を含有する混合物で構成されていることを特徴とする。これにより、広帯域に亘って紫外線を検知できる感度領域の広い紫外線センサを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜からなる高性能な光検出器、および、それに用いる安定性かつ信頼性のある半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ナノ粒子埋め込み絶縁膜を用いる光検出器１００であって、底部電極１０２と、底部電極１０２の上に重なり、ＮおよびＣからなる群から選択された元素を含む半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜１０４と、半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜１０４の上に重なる上部電極１０６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】塗布液の主成分と基板との接触角が大きい場合でも、塗布膜を均一に形成する。
【解決手段】被塗布物Ｗの被塗布面ＷＡに対して塗布液を供給する際に、被塗布面ＷＡに対して補助溶媒の供給を開始した後に、既に被塗布物Ｗの被塗布面ＷＡに供給されている補助溶媒の上に重なるように塗布液を供給する。これにより、塗布液及び塗布液の主成分である溶媒を被塗布面ＷＡに供給する構成に比して、被塗布物Ｗの被塗布面ＷＡにおいて塗布液が広がりやすくなり、被塗布物Ｗの表面状態や塗布液の粘度等に関わらず塗布液を被塗布面ＷＡに均一に広げることができる。その結果、被塗布面ＷＡに塗布膜を均一に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】暗電流の増加を抑制しながら、高解像度化を図ることが可能であり、かつ、特性のばらつきを低減することが可能な光電変換デバイスを提供する。
【解決手段】この光電変換デバイス１００は、ガラス基板１上に、光電変換膜１１を含む光電変換部１０とスイッチング素子として機能するトランジスタ部２０とを備えた画素がアレイ状に配置された画素アレイにおいて、トランジスタ部２０が有機半導体層２５を含む有機ＴＦＴ２０から構成されており、光電変換部１０とトランジスタ部２０との間の領域には、光電変換部１０の光電変換膜１１と有機ＴＦＴ２０の有機半導体層２５とを分離する絶縁性の障壁部３５ａ（バンク３５）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】重畳塗布によっても膜厚ムラを低減するようにしたインクジェットヘッド、塗布装置および塗布方法、ならびに放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】インクジェットヘッド６０４は、前記溶液を吐出するノズル６０９を副走査方向に並んで複数有し、前記複数のノズル６０９は、副走査方向の両端部６０４ａ、６０４ｃで粗、中央部６０４ｂで密に配設されている。このインクジェットヘッド６０４を、これらのノズル６０９から溶液を吐出させながら、基材６０１に対して主走査方向に相対移動させる主走査工程と、前記インクジェットヘッドを前記基材に対して副走査方向に相対移動させる副走査工程と、を交互に繰り返して基材表面に溶液を塗布する。そして、主走査工程において、副走査工程を挟んだ直前の主走査工程でインクジェットヘッド６０４の一方の端部６０４ｃにより溶液が塗布された基材表面の領域にインクジェットヘッド６０４の他方の端部６０４ａの少なくとも一部を重ねて溶液を塗布する。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性の向上を図ることができる有機半導体膜の電界処理方法、及び有機半導体デバイスの製造方法、並びに薄膜センサーを提供する。
【解決手段】 第１電極１０上に有機半導体膜２０を形成し、この有機半導体膜２０に第２電極３０を形成した後、第１電極１０及び第２電極３０に電圧を印加して有機半導体膜２０に電界を与えることにより、有機半導体膜２０の周縁部に向かって有機半導体膜２０中のイオン化した混入物を移動させるようにし、有機半導体膜２０の電気的特性の向上を図るようにした。 （もっと読む）

【課題】紫外／可視光ブラインド比を向上させたダイヤモンド紫外線センサー素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド単結晶を受光部とし、この受光部に照射される光によって生じる電気抵抗の変化で光を検出するダイヤモンド紫外線センサー素子の製造方法であって、（１）ダイヤモンド単結晶の表面を実質的に水素を含む雰囲気中で水素化する工程と、（２）前記水素化したダイヤモンド単結晶の表面をオゾンまたは活性酸素を含む雰囲気中に曝露することにより受光部を形成する工程と、を含むこととする。 （もっと読む）

【課題】電磁放射線及びイオン化放射線、特にＸ−線及び／又はγ線を検出するデバイスに関する。
【解決手段】電磁放射線、特にＸ−線又はγ線を検出するデバイスであって、検出される前記電磁放射線と相互作用することが可能な少なくとも１つの材料から構成され、可動電荷キャリアを解放するためのものであり、前記可動電荷キャリアの移動が電流を発生する検出層（２１）；前記解放された電荷キャリアの複数の基本コレクター（２３，２９）を備えて提供され、前記基本コレクターが、離散的に分配された基板（２２）；前記検出層によって解放された前記電荷キャリアを、前記基本コレクターに移動させるのに適しており、前記検出層（２１）に接続されている移動層（２５）；前記複数の基本コレクター（２３，２９）及び前記移動層（２５）を接合させるための、絶縁性の接着性接合層（２６）；を含む。 （もっと読む）

【課題】ホトダイオードアレイを備える放射線検出器の製造方法において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる半導体基板３に、該半導体基板の両側表面を貫通する貫通配線８を形成する第１工程と、半導体基板の片側表面について、所定の領域に不純物を添加して複数の第２導電型の不純物拡散層を形成し、複数のホトダイオード４をアレイ状に配列して設ける第２工程と、半導体基板の片側表面側に、少なくともホトダイオード４が形成された領域を保護する膜厚１〜５０μｍの透明樹脂膜６を設ける第３工程とにより、ホトダイオードアレイを製造した後、ホトダイオードアレイを実装配線基板に実装する工程と、透明樹脂膜６上に、シンチレータパネル３１を、シンチレータパネルから出射された光を透過する光学樹脂３５を介して取り付ける工程とによって製造する。 （もっと読む）

【課題】電子受容性有機物層及び／又は電子供与性有機物層を製造する方法を提供する。
【解決手段】電子受容性有機物層用インク及び／又は電子供与性有機物層用インクを被印刷基板上に転写し固定化することによって光センサー用光起電力素子を構成する電子受容性有機物層及び／又は電子供与性有機物層を製造する方法であって、下記式（１）及び／又は式（２）で表される繰り返し単位からなり、両末端基が水酸基であり、かつ平均分子量が３００〜５０，０００であるポリカーボネートジオールから製造されるポリマー（ａ）を含有する樹脂組成物を硬化して得られるフレキソ印刷版を用いてインクを転写する製造方法。


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【課題】画像特性に優れ、且つ、低コストで生産可能な光学デバイスを提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１１の主面上に形成された撮像領域１２と、電極部１４ｂを有する周辺回路領域１４ａと、撮像領域１２上に形成された複数のマイクロレンズ１３とを有する固体撮像素子１０と、電極部１４ｂの各々に接続する複数の貫通電極１７と、複数の貫通電極１７の各々に接続する複数の金属配線１８と、固体撮像素子１０の表面に形成された接着部材１５と、接着部材１５を介して固体撮像素子１０に接続された透明基板１６とを備える。透明基板１６の平面形状の大きさは、固体撮像素子１０の平面形状の大きさよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】小型・簡便な固体素子型の火炎センサーとして利用可能な紫外線センサーなどに応用される（Ｇａ_1‐xＩｎ_x）₂Ｏ₃（ただし、０＜ｘ＜１）混晶であって、ｘ値を任意に設定することが可能な（Ｇａ_1‐xＩｎ_x）₂Ｏ₃混晶を低コストで製造する。
【解決手段】２‐メトキシエタノールとモノエタノールアミンの混合溶液にガリウムイソプロポキシドとインジウムイソプロポキシドを溶解させたゾルを基板上に塗布し、空気中６００〜１２００℃で３０〜９０分焼成することにより薄膜を得る。ガリウムイソプロポキシドとインジウムイソプロポキシドとは任意の比率で混合される。これにより、（Ｇａ_1‐xＩｎ_x）₂Ｏ₃混晶のｘ値を任意に設定でき、ｘ値に応じて２５０〜２８０ｎｍの紫外光が検出できる。 （もっと読む）

【課題】多層化しても直径が均一な量子ドットを有する半導体量子ドット素子、およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】III族元素を含む窒化物半導体層１０、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅと、前記窒化物半導体層上に形成されたＳｉがドープされたIII族元素を含む窒化物半導体からなる複数の量子ドットを有する量子ドット層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅとが交互に積層された多層構造を備え、前記Ｓｉのドープ量が前記量子ドット層毎で異なっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法で製造された半導体装置１は、量子ドット２０が積層する構造を有した半導体装置であり、半導体層１１上に成長させた量子ドット２０と、量子ドット２０を被覆し巨大な量子ドットを被覆しない、半導体層１１上に形成させた半導体層１２と、半導体層１２上、及び巨大な量子ドットを除去して半導体層１２に発生した除去部分２２に形成させた半導体層１３と、を備えている。これにより、量子ドット２０の密度、形状が均一に形成された半導体装置１が実現される。その結果、量子ドット２０の欠陥に起因した半導体装置１の特性不良が低減し、且つ積層構造による特性向上によって、半導体装置１の性能がより向上する。 （もっと読む）

【課題】高純度シリコン結晶を用いたことによる利点を生かしつつ、長期信頼性が高い放射線検出素子３を提供する。
【解決手段】外部から入射する放射線を吸収し、その放射線により生成される電荷を、電界をかけることにより取り出す放射線検出素子３であって、軸線方向に延びる柱状部３１１及びその柱状部３１１の一端の外周に設けられた鍔部３１２からなり、高純度シリコンから形成された本体部３１と、高純度シリコンと異なる材料からなり、前記鍔部３１２における放射線入射側の端面の全部又は一部に設けられた突出部５と、前記突出部５を覆うように前記本体部３１の放射線入射側の端面に形成された第１電極と、前記本体部３１の反放射線入射側の端面に形成され、前記第１電極と極性の異なる第２電極と、を具備している。 （もっと読む）