【課題】放射線撮像パネルを構成する光導電体を、感度低下に起因する、ゴーストやコントラスト変化が実質上ないものとする。
【解決手段】放射線画像情報を記録する放射線撮像パネルを構成するＢｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、Ｍ はＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）からなる多結晶の光導電体を、基板６上にＢｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、Ｍ はＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）の多結晶体からなるシード層７を成膜し、水熱合成によりシード層上にＢｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、Ｍ はＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）の多結晶体を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 結晶成長方法及び結晶成長装置に関し、基板とエピタキシャル層との格子定数の差を、用いられる物質により一義的決定されることなく一定程度の範囲で任意に設定する。
【解決手段】 湾曲させた基板１上にエピタキシャル成長をさせる。 （もっと読む）

【課題】製造が容易な光電変換装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板２と、この透明基板２上に配置された複数の有機光電変換素子７とを有する光電変換装置２０を作製するにあたって、複数の有機光電変換素子それぞれの構成を、透明基板２上に配置された透明電極３と、この透明電極上にインクジェット方式により形成された有機光電変換部４と、この該有機光電変換部４上に配置された背面電極６とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体を備えた検出器を実現することができる光または放射線検出器の製造方法および光または放射線検出器を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体を形成する際に、ダミー基板Ｄに所定厚みの半導体を蒸着によって形成した後に、そのダミー基板Ｄから支持基板であるグラファイト基板Ｇに交換して、そのグラファイト基板Ｇに半導体を蒸着によって引き続き形成する。ダミー基板Ｇに所定厚みの半導体を蒸着によって形成する際は初期状態なので、本来であれば形成される不良膜がダミー基板Ｄに形成される。その後に、交換されたグラファイト基板Ｇには初期状態でない半導体が形成されるので、従来よりも高品質な半導体を備えた検出器を実現することができる。また、このようにして製造された半導体は、少なくとも厚み方向に連続的に形成されたものとなる。 （もっと読む）

【課題】製造プロセス時にはウエハの補強効果を発揮し、ハンドリング性に優れ、モジュール化工程では安定な実装特性を示し、なおかつ実使用時には高信頼性を示すモジュールからなる光電変換装置を提供する。
【解決手段】
少なくとも片面に、引張弾性率が４ＧＰａ以上、線膨張係数が２５ｐｐｍ以下のポリイミド層が直接形成されたウエハを加工して得られた太陽電池などの光電変換モジュールをパネル化して光電変換装置とする。 （もっと読む）

【課題】オプトエレクトロニックデバイスを作製する方法及びそのようなデバイスの提供。
【解決手段】基板上に蒸着された第１電極、少なくとも３０ｎｍの二乗平均粗さ及び少なくとも２００ｎｍの高さ変化量を有する第１電極の露出された表面を含み、第１電極は透明であるようなオプトエレクトロニックデバイス及びオプトエレクトロニックデバイスを作製する方法。第１有機半導体材料のコンフォーマル層は有機気相蒸着法により第１電極上部へ蒸着され、第１有機半導体材料は低分子材料である。第２有機半導体材料層は、コンフォーマル相を覆って蒸着される。第２有機半導体材料層の少なくともいくらかは前記コンフォーマル層と直接接触する。第２電極が第２有機半導体材料層を覆って蒸着される。第１有機半導体材料は、反対のタイプの材料である第２有機半導体材料に関連してドナータイプまたはアクセプタータイプである。 （もっと読む）

【課題】 光学素子を安価に、また容易に精度良く製造することのできる光学素子の製造方法、およびそれに用いるエッチング方法を提供する。
【解決手段】 受光基板１１を準備し、受光基板１１の受光面１２および、受光基板１１の一表面のうちで受光面１２以外の部分の少なくとも一部分を覆うように透光部１３を形成する。透光部１３のうちで受光基板１１の受光面１２以外の部分を覆う部分、たとえば電極被覆部１３ａにレーザ光を照射し、孔部２４に孔を形成する。この孔部２４の孔にエッチング液を充填して透光部１３をエッチングする。これによって、ドライエッチング法を用いることなく透光部１３を精度良くエッチングすることができるので、光学素子を安価に、また容易に精度良く製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 量子ドット光半導体素子に関し、光吸収用量子ドットのサイズを変更することなく、キャリアの捕獲効率を高める。
【解決手段】 第１の量子ドット１による層から中間層３を隔てて、第１の量子ドット１より横幅が大きく第１の量子ドット１のキャリアに対するエネルギーポテンシャルよりも高いエネルギーポテンシャルを持つ第２の量子ドット２による層を配置し、第１の量子ドット１による層と第２の量子ドット２による層の間隔が第１の量子ドット１の歪みの影響により中間層３の格子間隔が変化している範囲以内とする。 （もっと読む）

【課題】マイクロレンズ同士が接触しない固体撮像素子の製造方法を提供し、マイクロレンズの集光効率の向上を図る。
【解決手段】基板１上に形成された複数の受光部と、これら受光部のそれぞれに入射光を集光させる複数のマイクロレンズ１３とを備える固体撮像素子の製造方法であって、基板１上の受光部の各位置にガラス系材料からなるピラー１３ａを立設し、ピラー１３ａの基板１側とは反対側の先端部を局所的に加熱溶融処理により凸曲面形状に加工することでマイクロレンズ１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】安定性の高い化合物半導体からなる放射線検出器を短時間のうちに簡便に選別する方法を提供する。
【解決手段】第１の測定部２０および第２の測定部３０は、異なる印加電圧である第１の印加電圧Ｖ１と第２の印加電圧Ｖ２により電極に電圧を印加して暗電流を測定し、選別部１２は、第１の印加電圧における測定電流を第１の暗電流値とし、第２の印加電圧における測定電流を第２の暗電流値とすると、第２の暗電流値を第１の暗電流値で除算した比率値を演算し、比率値が、所定の値の範囲内であるか否かにより選別するので、短時間のうちに安定性の高い放射線検出器を容易に選別することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣｄＴｅ材料の放射線感応膜で構成される二次元放射線検出器において、基板に接する側と膜露出側の膜質を均一化し、電荷収集効率を上げ感度向上を図る。
【解決手段】第一の基板２上に放射線感応膜として機能する積層膜を成膜したあと、前記積層膜が露出している膜面に導電性接着層として機能するカーボン厚膜４を介して第二の基板５を貼り付けた後、前記第一の基板２と前記積層膜の内膜質が思わしくない積層膜３１を研磨除去して、良好な膜質の積層膜３２の膜面を露出させ、該膜面にアクティブマトリクス基板を貼り付けた構造とする。したがって、基板に接する側と膜露出側の膜質を良好で均一なものとすることが可能であり、電荷収集効率を上げ感度向上が期待できる。 （もっと読む）

【課題】所定以上の大きな排気能力による排気を必要とする高真空チャンバを含む複数の真空チャンバを備えた真空装置を低コストに構成する。
【解決手段】高真空チャンバ２を備えた真空装置１において、高真空チャンバ２に開閉自在のバルブ３、４を介してそれぞれ接続された少なくとも２つのバッファチャンバ５、６と、該バッファチャンバ５、６のそれぞれに、開閉自在のバルブ７、８を介して接続された真空チャンバ９、１０と、バッファチャンバ５、６のそれぞれに接続された、該バッファチャンバ５、６内を排気する真空ポンプ１１、１２とを備え、適宜バルブ３、４、７、８を開閉させ、高真空チャンバ２を同時に２つの真空ポンプ１１、１２により排気を可能とするとともに、高真空チャンバを含む複数の真空チャンバを少数の真空ポンプにより適宜排気可能とする。 （もっと読む）

【課題】量子ドット赤外線検知器に関し、電流ブロック層を成す結晶の成長が容易であること、及び、同じく暗電流に対する電位障壁高さが高いことを両立させ、特性良好な量子ドット型赤外線検知器を実現しようとする。
【解決手段】ＧａＡｓからなる埋め込み層１の上に形成され且つＧａＡｓに比較して禁制帯幅が小さいＩｎＧａＡｓからなる電流捕獲層２と、電流捕獲層２の上に形成された量子ドット５と、量子ドット５が形成された面内に於ける量子ドット５が存在しない領域に形成され且つ少なくともＧａＡｓに比較して禁制帯幅が大きいＡｌＧａＡｓからなる電流ブロック層３とを備えること、及び、量子ドット５を作製するには、ストランスキー・クラスタノフ成長モードに依ることが基本になっている。 （もっと読む）

【課題】光エネルギー変換装置における窒化物半導体を用いた半導体光電極の劣化防止を図る。
【解決手段】互いに電気的に接続された半導体光電極１５と対向電極１６を有し、半導体光電極１５が表面に酸化チタン膜１９を成膜した窒化物半導体１８で形成され、対向電極１６及び半導体光電極１５が溶液１３中に配置されて成る。 （もっと読む）

【課題】例えば光エネルギーを電気エネルギーに変換出来るエネルギー伝達性に優れた微細構造体とその製造方法の提供。
【解決手段】配列の規則化度が５０％以上のマイクロポアを有する微細構造体であって、少なくとも
（Ａ）可視光吸光性エネルギー供与体
（Ｂ）エネルギー受容体
を有する微細構造体。 （もっと読む）

【課題】安価な手法によりアクティブマトリクス基板３の表面の平坦化を実現し、Ｘ線光導電層４の特性を向上できるＸ線検出器１を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板３の画素電極９が設けられた表面に、エッチングによる除去性がアクティブマトリクス基板３の表面の材質より高い材質の平坦化層21を形成する。エッチングにより画素電極９の表面までの平坦化層21を除去し、アクティブマトリクス基板３の表面より窪む凹部20に平坦化層21を残し、アクティブマトリクス基板３の表面を平坦化する。安価な手法によりアクティブマトリクス基板３の表面の平坦化を実現し、Ｘ線光導電層４の特性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 液相法により、粒子径の小さなＢｉ₁₂ＭＯ₂₀粉体（ただし、ＭはＳｉまたはＧｅである。）を製造する。
【解決手段】 アルカリ可溶性ケイ素化合物またはアルカリ可溶性ゲルマニウム化合物のアルカリ性溶液と、水溶解性ビスマス化合物溶液とをヒドロキシエチルセルロースおよび／またはヒドロキシプロピルセルロースの存在下で攪拌混合して反応させる。 （もっと読む）

【課題】 有機光電変換膜を含む光電変換素子、撮像素子を有機光電変換膜にダメージを与えることなく製造すること。
【解決手段】 半導体基板１内に無機光電変換膜３−１，３−２を有し、該無機光電変換膜の上方に有機光電変換膜２１を積層してなる光電変換素子において、該有機光電変換膜２１をシャドーマスク法により作製する。対向電極接続電極１１を設けることによりシャドーマスク法により有機光電変換膜等２１〜２３を積層することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、経時的に増加する漏れ電流を低減でき長時間の使用に耐えうる高Ｓ／Ｎ比の有機光電変換センサを提供することを目的とし、スキャナ、コピー機などにおいて物体の形状や画像等の各種情報を電気信号として取り出す情報読取装置への利用が可能で、長時間の使用にも耐えられる情報読取装置が得られる有機光電変換センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の有機光電変換センサ１は、基板２上に形成された少なくとも２つの電極４，６と、電極４，６間に形成された有機光電変換層５と、を備えた有機光電変換センサ１であって、電極４，６が、実質的にアルカリ金属元素及び／又はアルカリ士類金属元素を含有していないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換率が高い光電変換素子、放射線画像検出器及び放射線画像撮影システムを提供すること。
【解決手段】
光電変換素子１０ａは、入射した電磁波により励起されて電荷を発生する有機化合物を含有する電荷発生層３０ａと、電荷発生層３０ａで発生した電荷のうち、一方のキャリアを集める透明電極２０と、他方のキャリアを集める対電極４０とを備え、有機化合物に、ハロゲン化ペンタセンを含有させるとともに、この光電変換素子１０ａを適用した放射線画像検出器５０及び、放射線画像撮影システム９０とする。 （もっと読む）