第１導電型の半導体からなる半導体基板３を備え、当該半導体基板３における被検出光Ｌの入射面の反対面側に複数のホトダイオードが形成された裏面入射型ホトダイオードアレイ１であって、半導体基板３の反対面側には、複数の凹部４がアレイ状に配列して形成されており、複数の凹部４の底部４ａに第２導電型の半導体からなる第２導電型の半導体層５が形成されることにより、ホトダイオードがアレイ状に配列している。
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【課題】 高効率な光電変換素子、及び前記光電変換素子を用いた高画質のデジタル放射線画像が得られる放射線画像検出器を提供する。
【解決手段】 透明電極と、前記透明電極を透過した光を吸収し電荷分離を行う光電変換層と、前記光電変換層を挟んで前記透明電極と反対側に設けられた対電極を有する光電変換素子において、光電変換層は、電子受容体および電子供与体を混合した複数の層を有し、前記複数の層は、それぞれ電子受容体と電子供与体の混合比が異なることを特徴とする光電変換素子。また、入射した放射線の強度に応じた発光を行う第１層と、第１層から出力された光エネルギーを電気エネルギーに変換する第２層と、第２層で得られた電気エネルギーの蓄積および蓄積された電気エネルギーに基づく信号を出力する第３層と、支持体である第４層を有する放射線画像検出器において、第２層に前記光電変換素子を用いる。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで大きな電流出力の得られるセンサを実現する。
【解決手段】誘電体による光起電力材料の多結晶焼成体、単結晶のバルク薄片又は薄膜若しくは厚膜による膜構造体２６を用いた光起電力部と、この光起電力部を挟んで設けられた一対の電極とを設ける。一対の電極は、チタン（Ｔｉ）膜２４と白金（Ｐｔ）膜２５からなる下部電極、錫添加酸化インジウム（ＩＴＯ）膜から成る上部電極２７である。このような構成により、光起電力部である膜構造体２６に照射される光のエネルギーに応じた電力を導出する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体が接合された半導体放射線検出器において、半導体同士の接合界面の接合状態を改善して適正な動作を可能とする。
【解決手段】異なる伝導型または異なる不純物濃度を有する複数の半導体を組み合わせて構成され、放射線を直接受けて電荷に変換する放射線吸収部１と、その放射線吸収部によって生成された電荷を検出する検出部２とを備えた半導体放射線検出器において、複数の半導体を組み合わせるのに際し、少なくとも２つの接合される半導体１ｃ、２ａの接合面を真空中において不活性ガスを用いてスパッタエッチングして互いに密着させた後に熱処理を行って接合界面の状態を改善する。 （もっと読む）

光活性ファイバならびにこのようなファイバを製作する方法を提供する。ファイバは、第1電極を含む導電性コアを有する。有機層が第1電極を取り囲み、第1電極に電気的に接続されている。透明な第2電極が有機層を取り囲み、有機層に電気的に接続されている。遮断層またはスムージング層などのその他の層もファイバの中に組み込まれてもよい。ファイバを布地に織ってもよい。
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【課題】 センサーの素子部の傷、汚染を防止する。
【解決手段】 放射線により発光する蛍光板１０６と、蛍光板からの光を電気信号に変換する光電変換素子と光電変換素子の保護層１０４が蛍光板配置側の一主面上に設けられた基板１０３と、蛍光板と基板とを接着する接着層と、を備えた光電変換装置の製造方法において、保護層１０４が形成された基板１０３を所望のサイズに切断する工程と、切断された基板の保護層上に接着層１０５を介して蛍光板１０６を基板に貼り合せる工程と、を有する。 （もっと読む）

赤外線エミッタはフォトニック結晶（ＰＣ）構造を利用して、狭帯域の波長を有する電磁放射を生成する。ＰＣ構造は、電磁波の伝搬がバンド構造類似散乱によって制御される、人工的に設計された周期的な誘電体アレイである。この構造は、電子エネルギー・バンドの許容伝搬、及び禁制伝搬を示す。この構造の内面の電磁波の許容伝搬の欠如は、フォトニック・バンド・ギャップと呼ばれる波長の範囲で、自然放射の抑制、高反射率の全方向性ミラー、低損失導波管、等のような別個の光学現象を引き起こす。
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【課題】 ＣｓＩの結晶性を向上させるとともに、デバイス特性を安定化させる。
【解決手段】 光電変換素子とスイッチ素子とからなる画素が複数配置されたセンサー基板上と、複数の画素を被覆してセンサー基板上に配置された保護層１４と、複数の前記画素上において保護層の表面に配置された表面が平坦な平坦化層１５と、平坦化層の表面上に蒸着により配置された、入射した放射線を光電変換素子が検知可能な光に変換する柱状結晶からなるシンチレーター層１６と、少なくともシンチレーター層と平坦化層とを被覆してセンサー基板及びシンチレーター層上に配置された光反射膜１７と、を有する。 （もっと読む）

例えばガラスまたは石英製の透明な機械的支持体（１０）と、単結晶半導体材料の膜または薄層（１４）と、当該薄層または半導体膜と当該支持体との間に位置する反射防止中間層（１２）とを有する複合基板。当該反射防止中間層の組成は、屈折率が変化するように、当該支持体（１０）と当該半導体膜（１４）との間において変化する。 （もっと読む）

レーザー技術を用いて検知器または光ガイドを作製する方法。この方法によると、マイクロボイドの戦略的な形成により光波を内部で操作してシンチレーション光の制御及び収集能力を高めることにより衝突する放射線の正確な復号を可能にするシンチレータ、光ガイドまたは光センサーのような検知器コンポーネントが得られる。この方法は、レーザー技術を用いてターゲット媒体内にマイクロボイドを形成することにより媒体を光学的に分断する。マイクロボイドは、シンチレータ内に仮想解像要素を形成する光分断部分の光学的境界を画定するように配置される。各マイクロボイドはレーザーソースを用いて所定の場所に形成される。レーザーソースは光ビームを発生させ、そのビームをターゲット媒体に次々に集束してマイクロボイドを形成する。レーザービームは焦点にある媒体を消耗させてマイクロボイドを形成する。
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【課題】 基板全体における光導電層の膜厚および組成の均一性に優れた二次元画像検出器、並びに、該二次元画像検出器を生産性良く（効率的に）かつ安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】 二次元画像検出器は、複数の画素電極１０…を有するアクティブマトリクス基板１と、上記画素電極１０…に積層された光導電層２とを少なくとも備えており、上記光導電層２が、転写基板上で所定の膜厚に形成された後、上記アクティブマトリクス基板１上に転写されることにより構成されている。つまり、二次元画像検出器の製造方法は、転写基板上で所定の膜厚に光導電層２を形成した後、該光導電層２を上記アクティブマトリクス基板１上に転写する方法である。光導電層２は、粒子状の光導電体と、バインダとの混合物を含んでなっている。上記バインダは、アクティブマトリクス基板１の耐熱温度以下の軟化点を有することがより好ましい。 （もっと読む）