【課題】本発明は、複数の受光素子と、受光素子の検出信号を増幅させる増幅回路素子と、受光素子と増幅回路素子とを電気的に接続するか否かの切り替えを行う切り替えスイッチ素子と、増幅回路素子と電気的に接続された受動素子とを備えた照度検出装置及びセンサモジュールに関し、小型化を図ることのできる照度検出装置及びセンサモジュールを提供することを課題とする。
【解決手段】配線基板１１の基板本体３１としてシリコン基板を用いると共に、配線基板１１に、外部から照射された光を受光した際に光の照度に応じた検出信号を出力する複数の受光素子１３と、受光素子１３が出力した検出信号を増幅させる増幅回路素子１４と、受光素子１３と増幅回路素子１４とを電気的に接続するか否かの切り替えを行う切り替えスイッチ素子１５と、増幅回路素子１４と電気的に接続された抵抗体１７及びキャパシタ１８とを設けた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、はんだを介したリードピンのショートを防止した光モジュールに関し、基板への実装に適した光モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子１４、半導体素子１４を搭載する接地金属部材１０、接地金属部材１０を実装するための基板１６、接地金属部材１０と絶縁固定され基板１６にはんだ付けされる、半導体素子１４に通電するためのリードピン１８を備える。接地金属部材１０が基板１６と相対する面に凸部を有し、その凸部が基板１６と接するように構成する。 （もっと読む）

【課題】誤動作のない光電変換装置を提供すること。
【解決手段】第１センサＴＦＴ１００−１のスリット１０４より出射されたバックライト光は透明な対向基板２２を透過して指で反射され、反射光として前記第１センサＴＦＴ１００−１で光電変換されて、該第１センサＴＦＴ１００−１は光電変換状態となるが、スリット１０４を持たない第２センサＴＦＴ１００−２では、センサ間領域１０２から出射されたバックライト光の反射光しか光電変換されないので、該第２センサＴＦＴ１００−２はほぼ非光電変換状態となる。輝度の高い外光が入射した時は、前記第１及び第２センサＴＦＴ１００−１，１００−２とも光電変換する。従って、前記第１センサＴＦＴ１００−１のみ光電変換状態となった場合、指が存在すると判別する。 （もっと読む）

【課題】本発明は光通信での利用に適した光送受信モジュールに関し、発光素子と受光素子が同一パッケージに入った光送受信モジュールにおいてクロストークを低減するとともに、省スペース化により実装を容易とする事を目的とする。
【解決手段】発光素子１２と受光素子１６、さらに受光素子１６を覆い受光素子１６に入射する受信光の光路が確保されるようにピンホールを有するシールド部材２６を備える。発光素子１２からの放出光と受光素子１６に向かう受信光とのなす角が９０°未満となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 漏れ電荷による残像の発生を低減する。
【解決手段】 放射線検出装置１は、放射線画像情報を担持した電磁波を透過する上部平面電極２１と、電磁波の照射により電荷を発生する電荷発生層２２と、電荷発生層２２において発生した電荷を収集する複数の分割電極２３とを有している。この分割電極２３は、上部平面電極２１に対して傾いている傾斜電極面２３ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】ノイズの増加を抑制することで、画素サイズの微細化に対する出力感度の低下を抑制する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１に形成され、光を信号電荷に変換する光電変換部１０２と、光電変換部１０２の上方に形成される第１の絶縁膜１１５と、第１の絶縁膜１１５上に形成され、第１の絶縁膜１１５を構成する材料と異なる屈折率の材料で構成され、下方向に凸型の第１の絶縁膜１１５に接するマイクロレンズ形状を有する第２の絶縁膜１１６とを備え、前記マイクロレンズ形状の頂部は平面形状であり、前記マイクロレンズ形状の頂部以外は曲面形状である。 （もっと読む）

【課題】電気部品や光部品などから出る電磁波ノイズの低減および放熱対策を図った電子デバイスを提供する。
【解決手段】基板２上に配線パターン３を形成し、その配線パターン３は信号線パターン３ｓを有し、その信号線パターン３ｓにＩＣ等の半導体素子４，５を実装した電子デバイス１において、半導体素子４，５が実装される素子実装部３ｘの信号線パターン３ｘに半導体素子４，５を実装し、素子実装部の信号線パターン３ｓと半導体素子４，５とを、半導体素子４，５の少なくとも表面が露出するように樹脂層８で覆い、その樹脂層８と半導体素子４，５の露出した表面とを導電性材料からなる放熱部材９で覆ったものである。 （もっと読む）

【課題】光通信に用いる光ファイバと光反射面と搭載すべき光素子との位置合わせを精度良く確実に行える光素子用基板を提供する。
【解決手段】光素子２４が搭載される表面２（２ａ）、および裏面３を有する樹脂製の成形体ｓからなり、かかる成形体ｓの表面２（２ｂ）に形成した複数の光ファイバ２０用の挿入溝１０と、かかる複数の挿入溝１０の一端ごとに位置し、且つ挿入される光ファイバ２０の端面に接触する垂直なファイバ停止面１２と、少なくとも上記光ファイバ用の挿入溝１０の上記ファイバ停止面１２に隣接すると共に、上記成形体ｓの表面２（２ａ）側に向かって広がるように傾斜する光反射面８と、を含む、光素子用基板１。 （もっと読む）

【課題】本発明は発熱量の大きい半導体素子などの光部品周辺で放熱特性を向上させ、かつ材料コストを低減した光モジュールを得る。
【解決手段】本発明における光モジュール１００は、光信号と電気信号とを変換処理する信号変換手段と、電気信号の信号処理を行う信号処理手段と、信号変換手段と信号処理手段を一体に封止成型するモールド樹脂パッケージ１０とを備え、モールド樹脂パッケージ１０は、信号変換手段を封止成型する第１のモールド樹脂７と、信号処理手段を封止成型する第２のモールド樹脂８とを備え、第１のモールド樹脂７は第２のモールド樹脂８よりも熱伝導率が高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】室温での動作が可能であり、電磁ノイズや熱ゆらぎの影響も受けにくい超小型の、赤外線センサＩＣを提供すること。
【解決手段】素子抵抗が小さく、電子移動度の大きな化合物半導体をセンサ部３２に用いて、該化合物半導体センサ部３２と、化合物半導体センサ部３２からの電気信号を処理して演算を行う集積回路部３３とをバンプ３７により電気的に接続し、樹脂パッケージにより、同一パッケージ３５内に配設することにより、これまでにない小型で、簡易なパッケージで室温動作可能な赤外線センサＩＣを実現できる。 （もっと読む）

【課題】装置をより低背化できるとともに、製造工数の簡略化や部品点数の削減もできる光電気変換装置を提供する。
【解決手段】電気信号を光信号にまたは光信号を電気信号に変換する光素子４Ａと、光素子４Ａに電気信号を送信するまたは光素子４Ａから電気信号を受信するためのＩＣ回路５０Ａと、光素子４Ａが実装されるマウント基板３と、外部コネクタ７と着脱可能な電気コネクタ６と、光素子４Ａと光学的に結合する導波路９とを備え、電気コネクタ６は、マウント基板３の光素子４Ａが実装される一方面３ａまたはその反対側の他方面３ｃに設けられ、導波路９は、マウント基板３の一方面３ａまたは他方面３ｃに沿うようにマウント基板３に設けられた光電気変換装置１Ｂであって、マウント基板３に電気コネクタ６のハウジングが一体化されている。 （もっと読む）

【課題】マウント基板の配線パターンの自由度を向上させることができるとともに、装置を低背化することができる光電気変換装置を提供する。
【解決手段】光電気変換装置１Ｂは、発光素子４Ａが一方面３ａに実装されるマウント基板３を備えている。マウント基板３には、一方面３ａに沿うように、発光素子４Ａと光学的に結合する内部導波路３１が設けられている。この光電気変換装置１Ｂに対して、マウント基板３の一方面３ａに、外部コネクタ７と着脱可能な電気コネクタ部８ａと、この電気コネクタ部８ａとマウント基板３との間で電極パターンを変更する配線基板部８ｂとを一体に有する立体回路基板８を設けた。 （もっと読む）

【課題】検出特性が劣化するのを好適に防止することができる半導体放射線検出器および放射線検出装置を提供する。
【解決手段】半導体放射線検出器１は、カソードＣおよびアノードＡの電極で挟まれる半導体結晶１１ａがＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＧａＡｓ、ＴｌＢｒのうち少なくとも一つの半導体結晶を用いてなり、電極のうち少なくとも一方の電極は、複数の金属からなる積層構造とされており、第１層がＰｔまたはＡｕで形成され、第２層が第１層のＰｔまたはＡｕよりも硬度の低い金属から形成されていることを特徴とする。第２層はＩｎからなり、無電解メッキ法によって形成される。また、第２層の上に金属がさらに積層されて形成される。 （もっと読む）

【課題】構成部品の接続・組立てが容易な、波長分割多重機能を有する光トランシーバを提供する。
【解決手段】光トランシーバ１は、互いに波長の異なる複数の信号光と当該複数の信号光に対応した複数の電気信号との間で光電変換を行う。光トランシーバ１は、複数の信号光を合波または分波する波長選択フィルタと当該波長選択フィルタに対向して配置され複数の信号光にそれぞれ対応する複数の光アセンブリを含む光ユニット１１，１２と、上記複数の光アセンブリと電気信号の授受を行う電子回路を搭載した回路基板１４を備える。上記複数の光アセンブリと回路基板１４とは、その複数の光アセンブリそれぞれに接続する枝部と回路基板１４に接続する集合部とを一体に形成したフレキシブル回路基板１５，１６により接続されている。 （もっと読む）

【課題】光検出装置の各画素回路にオーバーフローキャパシタを備えると、面積が大きくなってしまう。
【解決手段】光検出装置において、カソード容量Ｃｐｄは、フォトダイオードＰＤに備わり、そのフォトダイオードＰＤに流れる電流によって充放電される。オーバーフローキャパシタＣｏｖは、フォトダイオードＰＤと並列に接続され、カソード容量Ｃｐｄから溢れた電荷を充放電する。オーバーフローキャパシタＣｏｖは、カソード容量Ｃｐｄから溢れた電荷が流入する側の端子と反対側の端子に負電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】 光検出器の上部層をエッチングする際に、ポリマーが形成されるためエッチング速度が低下する。
【解決手段】 受光部を有する基板上に上部層を形成し、上部層の受光部に対応する領域を開口する集積回路製造方法であって、上部層を複数回のエッチング条件でエッチングを行い、少なくとも１つのエッチング条件の終了後に酸素プラズマ処理を行う。これにより、エッチングを行った際に形成されるポリマーを除去することができ。エッチング処理の処理時間を低減できる。 （もっと読む）

【課題】製造効率を高めるとともに、小型化を図ることが可能な受光モジュールを提供すること。
【解決手段】受光素子２と、受光素子２を制御するための集積回路素子３と、受光素子２および集積回路素子３を封止する樹脂パッケージ４と、グランド端子１２ａを含む端子群１２と、を備える受光モジュールＡであって、受光素子２をまたぎ、グランド端子１２ａに導通し、かつ樹脂パッケージ４に封止された１以上の第１シールドワイヤ５１と、集積回路素子３をまたぎ、グランド端子１２ａに導通し、かつ樹脂パッケージ４に封止された１以上の第２シールドワイヤ５２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】クロストークを低減する多チャンネル光受信モジュールを提供する。
【解決手段】パッケージ１のほぼ中心に複数の受光素子３からなる受光素子アレイ４を搭載し、その受光素子アレイ４の外周に各受光素子３の出力を増幅するアンプＩＣチップ５を搭載し、各アンプＩＣチップ５の外周にそれぞれの配線中継用サブマウント６を搭載し、各ＩＣチップ５から各配線中継用サブマウント６まで差動信号用の２本のワイヤ８を平行に配線し、各配線中継用サブマウント６からパッケージ１の出力ピン７までワイヤ９を配線した。 （もっと読む）

【課題】残像が少なく良好な画質のカラー画像を撮像できるハイブリッド型の光電変換膜積層型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換膜４３で緑色入射光量を検出し、フォトダイオード３７で青色、フォトダイオード３６で赤色の各入射光量を検出するハイブリッド型の光電変換膜積層型固体撮像素子において、光電変換膜４３の検出信号を読み出す信号読出回路５０をリセットトランジスタ１３と行選択トランジスタ１２と出力トランジスタ１１の３トランジスタで構成される信号読出回路５０とし、フォトダイオード３７，３６の検出信号を読み出す信号読出回路を読出トランジスタ１４Ｂ（または１４Ｒ）とリセットトランジスタ１３と行選択トランジスタ１２と出力トランジスタ１１の４トランジスタで構成される信号読出回路５１とする。 （もっと読む）

【課題】光信号を処理あるいは出力する複数のチャンネルを有する光モジュールにおいて、クロストークを十分に低減する。
【解決手段】光素子１４、集積回路１６、および該集積回路１６と前記光素子１４とを接続する配線１８からなるチャンネルが複数基板上に形成されてなる光モジュールにおいて、複数の光素子１４を一列に並べて配設し、相隣接する光素子１４に接続する各配線１８どうしを、光素子１４の列を挟んで互いに反対側に延びる状態に配置する。 （もっと読む）