【課題】半導体光センサチップに温度センサを内蔵してレンズの温度をほぼ正確に測定可能とした半導体光センサデバイス、及びこのデバイスを用いた測距方法を実現する。
【解決手段】被写体からの光を集光するレンズと、このレンズを介して被写体が結像される半導体光センサチップと、前記レンズと前記光センサチップとの間に充填され、かつ熱伝導率が高い透明充填剤と、を備えた半導体光センサデバイスと、このデバイスを用いた測距方法に関する。光センサチップ７が半導体温度センサを備えており、この温度センサにより透明充填剤（シリコーンゲル９）を介してレンズ３ａの温度を測定可能とする。また、測定温度と基準温度との差を用いて光センサチップ上の受光位置を補正し、補正後の受光位置を、三角測量原理によるレンズから被写体までの距離の測定に用いる。 （もっと読む）

【課題】吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）を提供し、さらに、光電変換効率が高く耐久性にも優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子を提供する。
【解決手段】１対の電極間にｐ型半導体の層とｎ型半導体の層が積層構造を持つ光電変換膜を有する撮像素子において、ｐ型半導体及びｎ型半導体のうちの少なくとも１方に配向制御された有機化合物を含む撮像素子、又は、少なくとも一つの有機色素化合物を有する光電変換膜において、該有機色素化合物がＪ会合体を形成しているか、該有機色素化合物の分光吸収遷移双極子モーメントと光電変換素子の電極平面とのなす角が４０°以下である光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。 （もっと読む）

【課題】 放射線撮像装置において、半導体放射線検出器の電極間の寄生容量の影響を抑制し、放射線検出信号の波高値を正しく補正する。
【解決手段】 放射線検出部１０１は、４行×４列に配置された半導体検出器１を備える。半導体検出器１は、半導体母材４、および半導体母材４を挟んで互いに対峙するアノードの電極膜（第１電極膜）およびカソードの電極膜（第２電極膜）を備える。各第１電極膜には、第１導電部材が別々に設置される。行内の４個の半導体検出器１の各第２電極膜は１つの第２導電部材で接続される。列内の４個の半導体検出器１に設けられる各第１導電部材と配線１４で接続されるシェイピングアンプ１２Ｂは、第２導電部材に配線１３で接続されるシェイピングアンプ１２Ａのシェイピングタイムよりも短いシェイピングタイムで波形整形処理を行う。 （もっと読む）

【課題】
光ファイバの取付スペースを縮小すると共に光ファイバの取り付けを容易にすることができる光ファイバ伝送機を提供することにある。
【解決手段】
光ファイバ伝送機２２は、素子２８を有する光素子モジュール２４と、光ファイバ３６が取り付けられ且つ光素子モジュール２４に取り付けられるガイド部材２６と、を備えている。光素子モジュール２４は、回路基板３４上に表面実装されている。ガイド部材２６は、光素子モジュール２４に設けられた溝部３０に上方から組み込まれる。このように、光素子モジュール２４とガイド部材２６を設け、上方から組み付けることができるように構成しているので、光ファイバ３６の取り付けが容易になり、小さいスペース内でも容易に光ファイバを取り付けることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】その目的は、全体の低背化を達成しやすくて、光部品と他部品とを高い精度で光結合でき、しかも比較的簡単に製造できる光電変換モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明の光電変換モジュール４１は、積層基板接合体４０、光素子１７、光結合部材３１等を備える。積層基板接合体４０は、複数の絶縁層５２を積層してなる第１積層基板５１と、複数の絶縁層６２を積層してなる第２積層基板６１とを備える。第１積層基板５１及び第２積層基板６１は、絶縁層５２，６２の積層方向を直交させた状態で接合され、かつ電気的に接続される。光素子１７は第１積層基板５１に搭載されている。光結合部材３１は、第１積層基板５１に設けられる。光結合部材３１は、光素子１７と光素子１７に光結合されるべき他部品２１との光軸合わせの際の位置基準となる。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板中の複数の素子層間を有効に絶縁分離する。
【解決手段】 裏面照射型の固体撮像装置において、受光部側と回路側との素子分離層を所定のマスクパターンを介した酸素イオン注入と、その後の熱処理によって半導体基板中に酸化膜を形成することにより実現する。例えばＳＯＩ基板のような支持基板部（絶縁体層）の上にシリコン層を設けた半導体基板に対し、シリコン基板（表面）側から光電変換素子層、素子分離層としての酸素イオン注入層、画素トランジスタ等の回路層を順次形成し、その後、シリコン層上に配線層を形成する。そして、裏面側の絶縁体層を除去することにより、シリコン層の受光部を露出させ、薄型のシリコン基板よりなる固体撮像装置を形成できる。 （もっと読む）

【課題】
光ファイバの取付スペースを縮小すると共に光ファイバの取り付けを容易にすることができる光ファイバ伝送機を提供することにある。
【解決手段】
光素子モジュール２４は、回路基板３４に対して略垂直方向に発光又は受光するように設定されている。ハウジング２６は、光素子モジュール２４に適合する凹部２６ｂを有し、この凹部２６ｂを光素子モジュール２４に被せるように光素子モジュールの上方から光素子モジュール２４に取り付けられる。ハウジング２６には、凹部２６ｂと光ファイバの取付孔２６ｃとの間の導光を行う導光部２６ｅが設けられている。光素子モジュール２４とハウジング２６とを分けると共に導光部２６ｅを設けているので、光ファイバ３６の取り付けが容易になり、また光素子モジュール２４の発光又は受光方向と光ファイバの取付方向とを一致させなくても光通信が可能であり、設計の自由度が高まり、高さ方向の寸法削減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】照度センサにおいて、簡単な構成によりリーク電流の低減を図る。
【解決手段】照度センサ１は、可視光及び可視光領域外の長波長側の光に感度を有する光検出領域３と、光検出領域３の光入射面側に形成された長波長側の光を遮光するための光学フィルタ４と、光検出領域３に発生する光検出信号を出力する信号処理回路６と、信号処理回路６からの信号を外部に出力するためのボンディングパッド７とを備えたセンサ領域が複数形成された基板２をセンサ領域毎にダイシングして形成される。また、照度センサ１は、光検出領域３以外への入射光を遮光する金属製遮光膜５と、金属製遮光膜５及びボンディングパッド７を保護し絶縁する絶縁膜８と、基板２上におけるセンサ領域の境界に金属製遮光膜５及び絶縁膜８を形成していないダイシングするための領域であるスクライブライン９とを備える。光学フィルタ４は、スクライブライン９上には形成されていない。 （もっと読む）

【課題】 本発明は光伝搬部材の上部に光素子や配線が配設される光モジュールの製造方法および光伝搬部材の製造方法に関し、ビアを用いることなく光導波路上の光素子と主基板とを簡単に電気的に接続することを課題とする。
【解決手段】 支持体３１と接着剤３３との間に金属箔３２が形成されてなる配線形成用基板３０Ａに光通過孔３４，３５を形成する工程と、主基板４２Ａに対し上記配線形成用基板３０Ａを固定する工程と、主基板４２Ａに光導波路４３を固定した後に光通過孔３４，３５と光導入ミラー５９Ａ，５９Ｂとを位置決めし接着剤３３を用いて配線形成用基板３０Ａを光導波路４３に固定する工程と、配線形成用基板３０Ａから支持体３１を除去すると共に配線６０を形成する工程と、配線６０上に素子４４から４７を搭載する工程と、配線６０と主基板４２Ａとをワイヤ６５で接続する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 有機材料層のパターン精度の向上をはかるとともに、有機材料層の劣化を防止し、信頼性の高い有機材料層のパターンを提供する。また、有機材料層のパターン精度の向上をはかり、小型でかつ高感度の電子デバイスを提供する。
【解決手段】 本発明の有機材料層のパターニング方法は、前記有機材料層上に少なくとも２層の異なる無機材料層を形成する工程と、前記無機材料層の上層にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを行い前記無機材料層のパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、前記無機材料層のパターンをマスクとしてエッチングを行い前記有機材料層のパターンを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ホルダーなどの他部品と受光素子との相対位置精度を向上させる。
【解決手段】 プリント基板１上に固定された封止枠３の一隅（被認識部）３ａ画像認識することにより、封止枠３の位置を検知し、これを基準に封止枠３の内側の所定の搭載位置を決定し、そこに受光素子２を搭載する。そして、封止枠３の内側に封止剤４を注入・固化し、受光素子２を封止する。これをホルダーなどの他部品に取り付ける際には、封止枠３に形成された取付手段６ａ，６ｂに他部品のピンを挿通させ固定する。受光素子２の搭載も他部品への取付もいずれも封止枠３を基準としているので、受光素子２は他部品に対し相対位置精度よく取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】
従来、増幅素子を備えた光センサを作製するには、薄膜トランジスタの形成を待って、光電変換層を形成しなければならならず、スループットが悪かった。そこで、本発明では、薄膜トランジスタを形成する工程と光電変換層を形成する工程を平行して行うことにより短時間で作製した半導体装置及びその作製プロセスを提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、第１の基板上に薄膜トランジスタを形成し、第２の基板上に光電変換素子を形成し、薄膜トランジスタと光電変換素子とが内側になるように相対した第１の基板と第２の基板との間に導電膜を狭持させることで、薄膜トランジスタと光電変換素子を電気的に接続させて半導体装置を作製する。これにより、工程数の増加を抑え、スループットの高い半導体装置の作製方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 発熱量の大きい特定の部品からの放熱性能を向上させ、また、発熱量の大きい特定の部品から光素子モジュールへの伝熱を低減し、光素子モジュールの温度上昇を抑えた光通信用の電子機器を得る。
【解決手段】 光素子モジュールの取付けられた電子機器において、ケースに収納された基板に、可撓性を有した放熱シートの一方を接触させ、ケースに被さるカバーに、この放熱シートの他方を接触させるとともに、ケースとカバー間の熱抵抗を大きくして断熱性を高めることにより、光素子モジュールの表面温度を光電子機器のカバーの表面温度よりも低くする。 （もっと読む）

【課題】 光受信機の光−電気変換部分での放熱特性、高周波特性を向上させる。
【解決手段】 プリアンプＩＣ１４より発生する熱は、本体樹脂基板１７に設けたサーマルビアホール（スルーホール）２１４を介して背面の放熱板２１６に拡散される。また、光ファイバ被覆部１１０を有し先端部が被覆除去されている光ファイバ１０については、光ファイバ素線１１とセラミックキャリア基板１６とを光ファイバ素線固定用接着剤１３によって接着固定するとともに、光ファイバ被覆部を本体樹脂基板上に接着固定する光ファイバ保持構造により、本体樹脂基板の変形による応力が光ファイバ素線剥き出し部１１ａによって緩和される。さらに、セラミックキャリア基板の裏面に形成された電極を本体樹脂基板の表面に形成されたランド上にＬＧＡ又はＢＧＡで半田付けする。 （もっと読む）