本発明は、電離放射線を検出する検出器において、前記検出器からの信号の読出しと評価とを行う読出し装置に接続するように配置された少なくも１つの検出器を含み、前記少なくも１つの検出器はキャリア材料とキャリア材料に適用される活性検出器材料を含む１つの層（４）とを含み、前記活性検出器材料は、前記層（４）に入射する電離放射線（３）を受信する場合、前記層（４）内の前記活性検出器材料に電離を引起すように配置され、前記層（４）に電界を印加し、それにより前記電離は電流を生じ、前記読出し装置は、前記入射電離放射線（３）をこの方式で検出することができるように配置される検出器である。本発明の検出器は、前記層内の前記活性検出器材料には電離放射線が検出可能な電流を生ずる程度までＺｎＯを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 信号を光形態と電気形態との間およびその逆に変換するためのプラットホームを提供する。
【解決手段】 このプラットホームは、誘電マウントと、半導体光源と、光ファイバーとを有している。これらの部品のうちの幾つかは、別々に作成され、次いで収束レンズと共に一体化組立体に構成される。このプラットホームによれば、フリップチップ垂直空洞面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）列モジュールパッケージにおける光ファイバーの自己整合を許容する。光ファイバーの自己整合は、プラットホームの幾何寸法を設計することによって達成される。これらの技術は、大型の一体化光電子回路および切換え回路網を構成するのに使用され得る。
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装置は、ベース基板と、ベース基板上の導電層と、導電層上のソルダレジスト層とを含む基板と、光学領域を含み、基板にフリップチップボンディングされるダイと、光学領域と光学的に結合され、ダイとベース基板との間に少なくとも部分的に位置し、かつ、ソルダレジスト層および導電層内に形成されたトレンチ内に配置される光相互コネクタとを含む。プロセスは、ベース基板と、ベース基板上の導電層と、導電層上のソルダレジスト層とを含む基板を提供する段階と、導電層およびソルダレジスト層内にトレンチを形成する段階と、トレンチ内で導波路を位置決めする段階と、ダイを基板にフリップチップボンディングする段階とを含む。ダイは、光学領域を含み、光学領域は、導波路に光学的に結合される。 （もっと読む）

本発明は、第１基板の面上に位置する領域と第２基板の面上に位置する対応する領域との間の局所的な電気接続を可能にする組立方法に関し、前記面は互いに向かい合い、前記基板の少なくとも１つは表面トポグラフィーを有する。本方法は、前記基板を互いに前記基板の面の分子結合にトポグラフィックに適合するように、表面トポグラフィーを有する前記１つの基板または２つの基板の前記面に少なくとも１つの埋込層を含む中間層を形成する段階であって、前記局所的な電気接続を可能にするように前記中間層の抵抗率及び／又は厚さが選択される段階と、前記２つの表面を接触させる段階であって、前記第１基板上に位置する領域と前記第２基板上に位置する前記対応する領域との間の電気接続を保証することができる方式で前記基板を位置させる段階と、によって特徴付けられる。
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【課題】 発光素子又は受光素子についての耐湿性を向上することができる光伝送モジュール、光伝送モジュールの製造方法および電子機器を提供する。
【解決手段】 面発光レーザ素子を有してなる半導体チップ２０と、半導体チップ２０が接合される基板１０とを有してなる光伝送モジュール１であって、半導体チップ２０と基板１０とは、間隙をもって接合されており、半導体チップ２０の発光面と基板１０の一方面である配線面とが向き合うように接合されており、基板１０は、面発光レーザ素子の発光部２１から出射された光が透過可能な材質及び構造を有しており、半導体チップ２０と基板１０との間隙には、前記光が透過可能な樹脂である第１樹脂３１が配置されており、第１樹脂３１の露出面及び半導体チップ２０の露出面を覆うように配置された第２樹脂３２を有することを特徴とする。 （もっと読む）

光感知素子パッケージが提供される。パッケージは基板、基板に結合された一つ以上の光感知半導体台、及び基板の光収容表面上に形成されたパターニングされた層を含む。基板は、所定波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質から形成される。半導体台は基板背面の表面に衝突する光を収容するために基板の前面表面に対向する一つ以上の光感知領域を定義する。パターニングされた層は、背面の表面に衝突する光の少なくとも一部の通過を遮断するために基板のその背面の表面上に形成され、基板を通じる光学的疎通のために光感知領域の少なくとも一部と整列されたウィンドウ開口を有するように形成される。 （もっと読む）

センサＩＣが電気的に接続される第１のＱＦＮタイプのリードフレームを含む画像センサ装置。第２のリードフレームがレンズを保持するために設置されている。第３のリードフレームが、レンズからＩＣを適当に分離するために第１および第２のリードフレーム間に位置する。リードフレーム・パネルを使用することにより、複数のセンサ装置が同時に組み立てられる。
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半導体集積回路を実装可能な基板１の２以上の入力ポートに、外部から入力
された光信号を電気信号に変換して出力ポートに出力可能な受光素子２ａが実装され、かつ、それら２以上の受光素子２ａは高さが一定に揃えられており、上記基板１の出力ポートには実装されている半導体集積回路の電気信号入力ポートが接続可能である。 （もっと読む）

Ｘ線などの放射線を検出する放射線検出器である。放射線検出器は、複数のピクセルを具備した検出器を含んでおり、ピクセルのそれぞれを使用して放射線を検出する。放射線検出器は、第１面上に形成された複数のはんだボールと第２面上に形成された複数の接点を具備したボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージをも含んでいる。ＢＧＡパッケージは、空洞をも具備しており、この空洞内に、少なくとも１つの集積回路（ＩＣ）チップが取り付けられている。ＩＣチップは、複数の読み出しチャネルを具備しており、読み出しチャネルのそれぞれは、ピクセルの中の対応したものによって検出された放射線に対応した電気信号を受信するべく、対応するはんだボールを介して対応するピクセルに結合されている。
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【課題】 １０ＧＨｚ以上の超高速信号を劣化させることなく処理できる光／電子素子モジュールを生産性良く構成することができる高速配線回路を提供する。
【解決手段】 高速信号を伝送する２枚の高周波配線基板４１、４２の基本構造は、マイクロストリップライン構造とし、且つ両者の接続部４１ｂ、４２ｂはグランデッドコプレーナ構造とすることにより、両構造の特長を兼備するものとした。 （もっと読む）

【課題】 光素子を高速駆動する場合、光素子と電気素子を近接して実装する必要があるが、この配置をとると光素子と電気素子の間で熱干渉が生じ、光素子の正常動作を妨げていた。
【解決手段】 光素子３の電極のうち一部が、実装基板１に実装された電気素子２上の電極に、残りの一部が実装基板１上の電極にフリップチップバンプ４を用いて接続されている。 （もっと読む）

集積回路ダイ（３２２）を含む一体状にパッケージ実装された光電子工学的集積回路デバイス（３１０）であって、前記ダイは、放射エミッタと放射レシーバの少なくとも一方を含み、かつ、電気絶縁性の物理的保護材料で形成された上部表面と下部表面とを有し、この上部表面と下部表面との少なくとも一方（３１７）は放射に対して透過性であり、電気絶縁性の端縁表面（３１４）がパッドを有する。 （もっと読む）