【課題】発光素子からの光をできるだけ効率的に受光素子に伝える形状を有し、それにより発光素子の消費電力を抑制できるとともに、光結合素子の大きさを小型化できる光結合素子を提供する。
【解決手段】発光素子の周囲を囲むように、内側を凹状に湾曲させた第１の光反射体が形成され、受光素子の周囲を囲むように、内側を凹状に湾曲させた第２の光反射体が形成され、第１の光反射体に囲まれた発光素子と、第２の光反射体に囲まれた受光素子とが対向して配置され、発光素子と受光素子との間に光透過性絶縁材料が配置されてなる光結合素子。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ安価な構成であるにも拘わらず、スナバ回路及び制御回路のいずれの損傷に対しても、他の電子部品の焼損を適切に防止する。
【解決手段】入力端子の間に接続される発光素子８からの光を光電変換する受光素子９と、交流電源３と負荷４とが接続される出力端子６と、受光素子９の一端と出力端子６の一方とを結ぶ第１接続ライン１１と、受光素子９の他端と出力端子６の他方とを結ぶ第２接続ライン１２と、第１接続ライン１１と第２接続ライン１２の間に接続される、受光素子９からの出力に基づいて導通するスイッチング素子１２と、コンデンサと抵抗とを直列接続してなるスナバ回路１４とを備える。スナバ回路１４の抵抗は、第１接続ライン１１の、受光素子９の一端と、スイッチング素子１２の一端との間に接続し、抵抗とスイッチング素子１２の一端との間に過電流防護素子２１を接続する。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて小型で、素子機能部間で、高い周波数の信号を高精度に伝送することができる集積型半導体装置を提供する。
【解決手段】 サファイア単結晶基板１０と、サファイア単結晶基板１０の一方主面１０Ａに第１素子機能部２２を備え、他方主面１０Ｂに第２素子機能部３２を備え、第１素子機能部２２が光を発光し、第２素子機能部３２がサファイア単結晶基板１０を透過した光を受光することで、高い周波数の信号を精度良く伝送する。 （もっと読む）

【課題】ショートモードの故障による不具合を防止できるリレー素子を提供する。
【解決手段】 筐体１０と、それぞれ、制御信号により第１主電極と第２主電極との間の導通状態をスイッチングする２つのスイッチング素子６ａ，６ｂと、それぞれ、筐体１０の内側において第２主電極と電気的に接続され、一端が筐体１０の外側まで延伸する２つの出力端子３１ａ，３１ｂと、それぞれ、筐体１０の内側において第１主電極と電気的に接続され、一端が筐体１０の外側まで延伸する２つの補助端子３３ａ，３３ｂと、筐体１０の内側において２つの補助端子３３ａ，３３ｂの間を電気的に接続し、所定の電流値以上の電流が流れると断線する保護ワイヤ８とを備える。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、発光素子と受光素子との間に挿入される絶縁フィルムの位置ズレを抑制し、製造歩留りを向上できる半導体装置の製造方法および冶具を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、リードフレームに固着された半導体チップを樹脂で覆う工程と、冶具のベース部に設けられたポケットにフィルム状の部材を載置する工程と、前記冶具の可動部に前記リードフレームを固定し、前記可動部を前記ポケット側に移動させることにより、前記リードフレームの前記半導体チップが固着された部分を前記ポケットに被せ、前記樹脂と、前記部材と、を接触させる工程と、前記リードフレームを前記ポケットに被せた状態で、前記樹脂を硬化させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高温側で従来よりも大きな実効電流を流すことができる。
【解決手段】電力素子チップ１３が搭載された素子搭載パッド１７に、タイバーで接続された放熱部材１８を設け、放熱部材１８をタイバーで折り曲げて素子搭載パッド１７に重ね合わせる。こうして、放熱部材１８と素子搭載パッド１７とでなる放熱部の熱容量を増加し、放熱面積を拡張している。したがって、本光結合装置を基板に実装した際の実装基板への熱伝達性を高めることができ、従来よりも放熱効果を高めることができる。これにより、高温側で従来よりも大きな実効電流を流すことができる。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードの電流を増加させず、耐ノイズ性を確保したままでフォトカプラの長寿命化を図る。
【解決手段】入力端子１２４と直流電源高電位側との間に接続されて電流を吐き出すための第１の定電流回路（スイッチング素子ＭＰ１，ＭＰ２、電流源Ｉ１，Ｉ２）と、入力端子１２４と直流電源低電位側との間に接続されて電流を吸い込む第２の定電流回路（電流源Ｉ３）と、第１，第２の定電流回路を相補的に動作させるスイッチング素子ＮＭ１〜ＮＭ３と、を備え、スイッチング素子ＮＭ１〜ＮＭ３を、フォトカプラ２１のオン後に第２の定電流回路により電流を吸い込むように動作させると共に、フォトカプラ２１のオフ後に第１の定電流回路により電流を吐き出すように動作させ、電流吐き出し期間における吐き出し電流値を、吐き出し開始時から一定期間経過後に減少させる。 （もっと読む）

【課題】チャネル間のクロストークを抑制し、絶縁耐圧を向上できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１の発光素子７ａと、第１の発光素子に電気的に接続されたリードの一部と、第１の発光素子が放射する光を検知する第１の受光素子１３ａと、第１の受光素子に電気的に接続されたリードの一部と、を第１の樹脂で覆った第１の成型体９ａを備える。同様、第２の発光素子７ｂと、第２の発光素子に電気的に接続されたリードの一部と、第２の受光素子１３ｂと、第２の受光素子に電気的に接続されたリードの一部とを、前記第１の樹脂で覆った第２の成型体９ｂを備える。そして、第１の成型体と第２の成型体とを一体に成型した第３の成型体３を備える。第１の成型体と第２の成型体とに跨って配置されたリードのうちの、第１の成型体と第２の成型体との間に延在する部分の表面が、前記第１の樹脂からなる薄膜９ｃに覆われている。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、光出力の駆動電流に対する線形性を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態は、ＧａＡｓ系化合物半導体を材料とし発光波長のピークが９５０ｎｍ〜９８０ｎｍの範囲にある発光素子であって、第１導電形の第１半導体層と、前記第１半導体層の上に設けられた第２導電形の第２半導体層と、を備える。さらに、前記第２半導体層の上に設けられた第１電極と、前記第１半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。そして、前記第２半導体層の平面視におけるチップ面積が、０．１５ｍｍ×０.１５ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】焦点位置の位置合わせの不要な光学情報伝達素子を提供する。
【解決手段】光学情報伝達素子１０１は光学情報を入力面から出力面に伝達する。光学情報伝達素子１０１は光学異方性を有する部材により形成される。入力面と出力面とを結ぶ少なくとも一つの直線が、光学異方性を有する部材の等周波曲面の原点を通る任意の断面による曲線において位相速度が最大となる方向に揃えられる。 （もっと読む）

【課題】コストの問題やアライメント問題を解消し、動作電圧の異なる発光素子と受光素子との間の絶縁性を維持できるフォトカプラ装置を提供する。
【解決手段】透明絶縁性基板１上に、ｎ型半導体層２、吸収層３、ｐ型半導体層４が積層され、ｎ型半導体層２〜ｐ型半導体層４までで、ＰＤを構成している。透明絶縁性基板１の裏面には、ｎ型半導体層５、活性層６、ｐ型半導体層７が下方向に向かって順に積層され、ｎ型半導体層５〜ｐ型半導体層７までで、ＬＥＤを構成している。低電圧側のＬＥＤと高電圧側のＰＤとの間に配置された透明絶縁性基板１は、発光素子側の動作電圧と受光素子側の動作電圧との電圧差よりも大きい耐圧を有するように構成される。 （もっと読む）

【課題】商用交流電源側と電池側との絶縁を確実に図り、待機時の電池の消耗を抑制できる保安灯を提供する。
【解決手段】保安灯は、商用交流電源Ｅの電源で第１のＬＥＤ素子26を点灯させる第１の点灯回路41と、電池12の電源で第２のＬＥＤ素子27を点灯させる第２の点灯回路42とを備える。第１の点灯回路41と第２の点灯回路42とはフォトカプラ43で接続する。第２の点灯回路41には、フォトカプラ43がオン状態で電池12から微小電流を放電させる微小放電回路62を設ける。フォトカプラ43がオンし、微小放電回路62で微小電流が放電している状態では、トランジスタQ7がオフし、第２のＬＥＤ素子27が消灯する。フォトカプラ43がオンからオフに切り換わり、微小放電回路62に微小電流が放電されなくなると、トランジスタQ7がオンし、第２のＬＥＤ素子27が点灯する。 （もっと読む）

【課題】Ａｕ層単独または最外層がＡｕ層である多層膜からなるめっき層を有するリードフレームと受発光素子封止用のエポキシ樹脂との密着性を向上させ、高温動作においても信頼性を確保できる光結合装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂５と接するリードフレーム３，４の面に、リードフレーム３，４のめっき層３２，４２を構成するＡｕ層よりもエポキシ樹脂との密着性が高い密着部を形成する。上記密着部には、研磨やレーザ照射等によりめっき表面のＡｕ層を除去して、その下層のめっき材料を表面に露出させた密着部３２ａ，４２ａが含まれる。 （もっと読む）

【課題】外乱光によるノイズの発生を招くことない光結合装置を提供すること。
【解決手段】
光結合装置３０は、電気信号を光に変換する発光素子３４とこの発光素子からの光を電気信号に変換する受光素子３３とを有する樹脂から形成される封止体３１と、前記封止体３１を酸化することにより形成される酸化膜３２とを少なくとも有する。酸化膜３２は、２００度で８０時間の条件で加熱することにより形成される。あるいは、酸化膜３２は、１８０度で１６８時間の条件で加熱することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつフォトカプラの耐用寿命を延ばすことができるデータ処理装置を提供すること。
【解決手段】フォトカプラの入出力データを処理するデータ処理装置は、フォトカプラの入力側と出力側の間で伝送されるデータを構成する所定ビットのパケットデータ群の過半数が「１」のビットか「０」のビットかを判断する過半数ビット判断部と、「１」のビットが過半数を占めると判断されたパケットデータ群を構成する各ビットの値を反転する入力信号処理部と、過半数ビット判断部が判断した結果に応じた制御情報を、過半数を「０」のビットが占めるパケットデータ群又は各ビットの値が反転されたパケットデータ群に付加して、フォトカプラに出力する制御情報付加部と、フォトカプラの受光部で得られた制御情報に応じて、受光部が受信したパケットデータ群を構成する各ビットの値を反転し、制御情報を除くデータを出力する出力信号処理部とを備える。 （もっと読む）

【課題】放出光のピーク波長範囲の外側の発光スペクトル強度が低減された半導体発光装置およびそれを用いた光結合装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、発光層と、第１の層と、第２の層と、分布ブラッグ反射層と、を有する。発光層は、第１の面および第２の面を有し、７４０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長範囲にピーク波長を有する放出光を放出可能である。第１の層は、前記発光層の前記第１の面の側に設けられ、第１導電形を有し、前記発光層の反対の側に設けられた光取り出し面を有する。第２の層は、前記発光層の前記第２の面の側に設けられ、第２導電形を有する。分布ブラッグ反射層は、前記第２の層の前記発光層とは反対の側に設けられ、第２導電形を有する分布ブラッグ反射層であって、前記光取り出し面に向けて前記放出光を反射可能である。また、第３および第４の層は、前記ピーク波長よりも短いバンドギャップ波長をそれぞれ有する。 （もっと読む）

【課題】光の伝達効率を向上させたフォトカプラを提供する。
【解決手段】図１に示すように、フォトカプラ１００は、第１のリードフレーム１１０と、第１のリードフレーム１１０と対向するように設けられた第２のリードフレーム１２０と、第２のリードフレーム１２０と対向するように第１のリードフレーム１１０に搭載された発光素子１３０と、発光素子１３０と対向するように第２のリードフレーム１２０に搭載された受光素子１４０と、発光素子１３０と受光素子１４０を結んだ線を軸として、当該軸を囲うように配置した光反射用部材１５０と、を含む。本実施形態において、発光素子１３０と受光素子１４０に挟まれる空間の少なくとも一部は、光反射用部材１５０によって囲まれている。 （もっと読む）

【課題】被測定物の有無の誤検知を防ぐことができると共に遠赤外線光源の温度を下げることができるフォトインタラプタを提供する。
【解決手段】近赤外線測定光路Ｌ１と遠赤外線測定光路Ｌ２とは、平行に配置されている。判断部５は、近赤外線受光素子３の出力と遠赤外線受光素子４の出力との論理積に基づいて、被測定物が近赤外線測定光路Ｌ１と遠赤外線測定光路Ｌ２とを同時に遮断しているか否かを判断して、被測定物の有無を判断する。 （もっと読む）

【課題】受光素子を有するレーザ光源モジュールであって、小型化が可能な構成を備えるレーザ光源モジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】レーザ光源モジュールは、レーザ光源と、レーザ光源から出射されたレーザ光をモニタするための受光素子と、レーザ光源を収納するケース部と、レーザ光を受光素子に導く光学素子と、を備え、ケース部には、光学素子によって導かれたレーザ光が照射される位置に開口が設けられており、受光素子は、開口の位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】容易にスイッチング特性を制御可能な半導体リレーを提供する。
【解決手段】入力信号によって点灯・消灯する発光素子１００と、発光素子１００と光路を介して光結合せしめられ、起電力を発生する光電変換素子２００からなる受光素子と、この受光素子で生起された電力によってスイッチングするスイッチング用半導体素子からなる出力素子３００とを具備した半導体リレーであって、前記光路の少なくとも一部に蛍光体粒子Ｌｍを含む。 （もっと読む）