【課題】発光ダイオードの電流を増加させず、耐ノイズ性を確保したままでフォトカプラの長寿命化を図る。
【解決手段】入力端子１２４と直流電源高電位側との間に接続されて電流を吐き出すための第１の定電流回路（スイッチング素子ＭＰ１，ＭＰ２、電流源Ｉ１，Ｉ２）と、入力端子１２４と直流電源低電位側との間に接続されて電流を吸い込む第２の定電流回路（電流源Ｉ３）と、第１，第２の定電流回路を相補的に動作させるスイッチング素子ＮＭ１〜ＮＭ３と、を備え、スイッチング素子ＮＭ１〜ＮＭ３を、フォトカプラ２１のオン後に第２の定電流回路により電流を吸い込むように動作させると共に、フォトカプラ２１のオフ後に第１の定電流回路により電流を吐き出すように動作させ、電流吐き出し期間における吐き出し電流値を、吐き出し開始時から一定期間経過後に減少させる。 （もっと読む）

【課題】発光素子と受光素子とのペアを備えて微細化が可能である。
【解決手段】対をなす発光素子１１と受光素子１２とは共に微細な棒状の素子であり、微細な棒状発光素子１１から放出された光を微細な棒状受光素子１２で受光することによって、微細な棒状受光素子１２の電気特性が変化する。こうして、微細な棒状発光素子１１と微細な棒状受光素子１２との対を非常に微細にして、電子デバイス１０を非常に微細化することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】耐電源ノイズ特性を維持しながら光結合装置に使用される半導体チップを縮小化する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、光結合装置は、第一のフォトダイオード、第一の反転増幅器、第二のフォトダイオード、第二の反転増幅器、及びコンパレータが設けられる。第一のフォトダイオードの第一の接合容量及び第一の反転増幅器の第一の帰還抵抗の積と、第二のフォトダイオードの第二の接合容量及び第二の反転増幅器の第二の帰還抵抗の積とが同一の値に設定され、第一の接合容量が第二の接合容量よりも大きく設定される。 （もっと読む）

【課題】単一の受光素子を用いた簡単な構成による小型かつ低コストな近接／方向センサとして、対象物体の近接／非近接状態の変化とそれに直交する移動方向を、同時に最も効率よく検出して人体の動作に十分に追随させるための光検出装置を提供する。
【解決手段】受光素子２００は、反射光１０３が直接入射する第１のウェル３０１と、第１のウェル３０１を挟んで対向し、かつ反射光１０３は遮光されて入射しない第２のウェル３０２及び第３のウェル３０３とを備えている。受光素子２００による受信信号は、第１のウェル３０１の出力と第２のウェル３０２の出力との和、及び、第１のウェル３０１の出力と第３のウェル３０３との出力の和を、時間軸上で交互に出力する。この受信信号に基づいて、光検出装置天面の法線方向である第１の軸方向に沿う対象物体の近接状態と、前記対象物体の近接状態が変化した際の移動方向とが判定される。 （もっと読む）

【課題】簡易な回路構造で、発光素子の無信号時の消費電力を削減する光結合装置を提供すること。
【解決手段】
光結合装置は、入力信号に応じて光信号を発生させる発光素子を有する発光部と、受光部を有する。受光部は、発光素子からの光信号を受光する受光素子と、ドレイン端子が定電圧源に接続され、ソース端子が出力端子に接続されたエンハンスメント型の第１ＭＯＳＦＥＴと、ソース端子が接地に接続され、ドレイン端子が出力端子に接続されたデプレッション型の第２ＭＯＳＦＥＴと、第１ＭＯＳＦＥＴのゲート端子と第２ＭＯＳＦＥＴのゲート端子に接続され、出力を制御する制御回路と、制御回路の動作を安定させる定電圧を供給する定電圧回路と、前記発光素子１１からの光信号に応じてオンオフを切り換える定電圧回路と、を有する。定電圧回路は、入力される光信号を受光するダイオード群を有する。 （もっと読む）

【課題】出力信号の電圧低下を招くことなく、十分なゲインを確保できる光センサを提供する。
【解決手段】アノードが接地されたフォトダイオードＰＤ１と、フォトダイオードＰＤ１のカソードに一端が接続されたダイオード群ＤＧ１と、ダイオード群ＤＧ１の他端に一端が接続された電流源Ｉ１と、電流源Ｉ１の他端に一定電圧を印加する電源部と、フォトダイオードＰＤ１のカソードにベースが接続され、電流源Ｉ１の一端にコレクタが接続されたエミッタ接地型のＮＰＮトランジスタＱ_ＯＵＴ１とを備える。上記ダイオード群ＤＧ１は、フォトダイオードＰＤ１側に順方向が向くように直列に接続されたｎ個(ｎは２以上の整数)のダイオードＤ_１,Ｄ_２,…,Ｄ_ｎであり、ダイオード群ＤＧ１と電流源Ｉ１との接続点から、フォトダイオードＰＤ１に流れる光電流が電圧に変換されて光電変換信号として出力される。 （もっと読む）

【課題】小型化と出力容量の低下を同時に図る。
【解決手段】従来の半導体装置では、ドレイン領域やソース領域の深さが活性層の厚みよりも浅く(薄く)なっていた。これに対して本実施形態の半導体装置１では、活性層３の厚みを薄くしてドレイン領域４Ａ，４Ｂやソース領域５Ａ，５Ｂの深さを活性層３の厚みと同じにしている。その結果、Ｎ型のドレイン領域４Ａ，４Ｂ及びソース領域５Ａ，５ＢとＰ型のベース領域７Ａ，７ＢとのＰＮ接合の接合面積が従来よりも減少するので、当該ＰＮ接合に生じる出力容量Cossの低下を図ることができる。しかも、特許文献１記載の従来例に比べて、２つのダイオードや配線パターンが不要であるから小型化を図ることもできる。 （もっと読む）

【課題】所望の角度・方向から入射してくる光のみを受光面に到達させて検出することを可能とした光センサ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】裏面（受光面）１６ｂに入射する光を検出して表面１６ａ側から信号を出力するＩＲ素子１０と、上面３０ａの少なくとも一部がＩＲ素子１０の表面１６ａと対向した状態で、ＩＲ素子１０と電気的に接続されためっき電極層３０と、ＩＲ素子１０とめっき電極層３０とを覆うモールド樹脂４９と、モールド樹脂４９に取り付けられた蓋体６０と、を備え、ＩＲ素子１０の受光面１６ｂ及びめっき電極層３０の下面３０ｂは、モールド樹脂４９の上面４９ａ及び下面４９ｂとそれぞれ同一平面に配置された状態でモールド樹脂４９から露出しており、蓋体６０には、ＩＲ素子１０の受光面１６ｂの視野角を制限する貫通した開口部６５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】従来技術では、回路規模の削減が難しかった。
【解決手段】反転増幅器の入出力間に帰還抵抗を接続した第１の増幅回路と、前記第１の増幅回路と実質的に同様な構成を備え、前記第１の増幅回路のバイアス電流を供給する第２の増幅回路と、アノードが前記第１の増幅回路の入力に接続され、カソードが前記第２の増幅回路の入力に接続されるフォトダイオードと、前記第２の増幅回路の出力と、前記第１の増幅回路の入力との間に接続される第１の抵抗と、を有する受光回路。 （もっと読む）

【課題】 既存のハードウェア構成を極力変更せず、ＯＮ抵抗の切替後の変動を迅速に収束させることが可能な信号処理回路を提供する。
【解決手段】 本発明の代表的な構成は、波形発生器または波形測定器に適用される信号処理回路１００であって、信号経路の切替を行う半導体リレー１２０ａ〜１２０ｌと、信号経路上の半導体リレー１２０ａ〜１２０ｌに、波形発生時または波形測定時に流れる電流よりも大きな電流をその直前に一時的に流す制御部１４２と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストであり、かつ狭スペースであっても搭載可能な光伝送モジュールを実現する。
【解決手段】本発明の光伝送モジュール１は、光配線４によって伝送される光信号を電気信号に変換する光受信処理部３と、電気信号を伝送する電気配線５を備えた受信側基板部３５と、光受信処理部３および受信側基板部３５に電気信号を供給する受信側コネクタ部３６とを備えている。そして、光受信処理部３及び受信側コネクタ部３６が、受信側基板部３５における同一の基板面に搭載されており、受信側基板部３５は、その法線方向において基板面が互いに背向するように折り曲げられた折り曲げ部３５Ｘを有している。 （もっと読む）

【課題】従来のヒューズ制御回路よりも回路規模が低減されたヒューズ制御回路、照度センサ、近接センサ、携帯電話、デジタルスチルカメラ、および電源回路を提供する。
【解決手段】ヒューズ制御回路１は、ヒューズ溶断回路２がヒューズ素子Ｆ１に電流を流すとき、ノードＢとヒューズ溶断検知回路３とを切断するとともに、ヒューズ溶断回路２がヒューズ素子Ｆ１に電流を流さないとき、ノードＢとヒューズ溶断検知回路３とを接続する分離用素子４を備える。 （もっと読む）

【課題】同軸型パッケージの内部空間に温度測定素子を配置する余裕がなく、また、パッ
ケージのリードピン本数が制限される状況下においても、ＬＤ及びＡＰＤの近傍の温度を
検出することが可能な光送受信器を提供する。
【解決手段】光送受信器１は、送信光を発するＬＤ１８、送信光のモニタ光を受光する送
信光モニタ用ＰＤ１２、及び受信光を受光する受信用ＡＰＤ２０をＣＡＮパッケージ１０
に搭載する光送受信モジュール２と、ＬＤ１８の光出力を制御し、受信用ＡＰＤ２０へバ
イアス電圧を印加する制御回路４とを備える。制御回路４は、定電流源５が生成する定電
流を送信光モニタ用ＰＤ１２に供給するとともに送信光モニタ用ＰＤ１２における電圧降
下を検出し、該電圧降下に基づいて得られるパッケージ内温度を基にして、ＬＤ１８に供
給する駆動電流、および受信用ＡＰＤ２０に印加するバイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】 インサーションロスの低減が可能な半導体リレーを提供する。
【解決手段】 入力端子部５１間に所定の電力が入力されて発光素子２が点灯すると、発光素子２の光を受けた受光駆動素子４が各ＭＯＳＦＥＴ３ｂをそれぞれオン駆動することで、出力端子部６１間の電気的接続がオンされる。出力端子部６１が設けられた各出力導電板６において、それぞれ、ＭＯＳＦＥＴ３ｂが実装された実装部６２の厚さ方向を、各端子部５１，６１がそれぞれ実装されるプリント配線板Ｐの厚さ方向に直交させた。各実装部６２の厚さ方向がプリント配線板Ｐの厚さ方向に平行とされる場合に比べ、プリント配線板Ｐに設けられた導電パターンＰ３と各実装部６２との間の寄生容量が低下することで、インサーションロスが低減される。 （もっと読む）

【課題】温度変化に伴う暗電流の影響を軽減して、安定した検出動作を行うことができるようにする。
【解決手段】センサ素子３３は、行列状に複数、マトリクス配置されている。センサ素子３３において、受光量に応じた電荷が光電変換素子ＰＤ１で発生する。光電変換素子ＰＤ１によって変換された電荷は蓄積ノードＰ１（容量素子Ｃ１）に蓄積され、蓄積ノードＰ１（容量素子Ｃ１）の蓄積電荷に応じた電圧値がセンサ検出信号として出力される。蓄積ノードＰ１の電圧値は、リセット用トランジスタＴｒ１によって所定のリセット電圧Ｖｒｓｔ１にリセットされる。この際、センサ素子３３が複数行に亘って同時にリセットされるようにリセット用トランジスタＴｒ１を制御する。その後、所定の露光期間経過後に、各行に配置されたセンサ素子３３から順次、センサ検出信号が出力されるような読み出し制御を行う。 （もっと読む）

【課題】従来の出力回路は、電源立ち上がり時に不安定な出力を出す可能性があった。
【解決手段】電源電圧が所定の電圧以上で動作するバイアス回路と、前記バイアス回路の動作時に生成するバイアス電流もしくはバイアス電圧が供給されると、入力差動信号に応じた信号を出力する差動増幅回路と、前記差動増幅回路からの出力に応じた差動信号を入力し、その差動信号に応じて出力信号を出力し、前記バイアス回路よりも直列接続された素子の段数が少なく構成される出力段回路と、前記バイアス回路の生成するバイアス電流もしくはバイアス電圧が供給されない場合、強制的に前記出力段回路が入力する差動信号の一方のレベルを接地電圧とすることで、前記出力段回路が出力する出力信号のレベルを固定するプルダウン回路と、を有する出力回路。 （もっと読む）

【課題】発光素子と受光素子の出力特性が経年変化した場合においても、出力特性を調整することができる光学センサ装置を提供する。
【解決手段】光学センサ１の発光素子１ａに発光制御信号を出力して発光素子から発せられる光の光量を決定する光量制御部２と、光量制御部に制御信号を出力して光量制御部から発光素子に出力される発光制御信号を制御するとともに、受光素子１ｂの出力電圧としきい値電圧とを比較して発光素子と受光素子との間に被検出物が存在するか否かを判定するコントローラ１０と、ＲＯＭ２１と、ＲＡＭ２２とを備えた光学センサ装置であって、基準係数値がＲＯＭに記憶され、コントローラが、式（１）にしたがって発光素子から発せられる光の光量を制御するように構成された光学センサ装置。目標制御信号値＝基準制御信号値＋｜第一の制御信号値−第二の制御信号値｜×基準係数値・・・・・（１） （もっと読む）

【課題】 本発明は、ドライバ回路及び増幅器回路を用いることなく、電気相互連結及び光相互連結を実現する光電子基板の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明による基板は、ポリマー導波路が中に形成されている第１の層と、ポリマー導波路が中に形成されている第２の層と、第１の層内に形成され、第１の層内の第１の導波路と光学的に結合された第１の縦型光カップラーと、第２の層内に形成され、第２の層内の第２の導波路と光学的に結合された第２の縦型光カップラーとを含み、第１の導波路と第２の導波路の間で光が結合されるように、第１の縦型光カップラーは第２の縦型光カップラーの隣に配置されている。 （もっと読む）

【課題】広いダイナミックレンジおよび高い分解能で周囲光の照度を検知できるとともに、近接物体の有無を検知可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る照度／近接センサ１は、発光ダイオードＬＥＤ１と、フォトダイオードＰＤ１・ＰＤ２と、ＬＥＤ駆動回路４および光電流Ｉｉｎ１・Ｉｉｎ２を処理する光電流処理回路３を備える制御回路２と、を備える。光電流処理回路３は、光電流Ｉｉｎ２からパルス電流を除去する低域通過フィルタ回路３２と、光電流Ｉｉｎ１から低域通過フィルタ回路３２からの出力電流Ｉｉｎ２＿ｆｉｌを減算する減算回路３３と、減算回路３３からの出力電流Ｉｉｎ１−Ｉｉｎ２＿ｆｉｌをデジタル信号ＤＯＵＴに変換する積分型のアナログ−デジタル変換回路３１と、照度／近接センサ１の検知モードを切り替える検知モード切替回路３４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微弱な非弾性散乱光を効率よく受光可能な光学センサ及び当該光学センサの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本願発明の光学センサは、光を出射する発光素子１６と、発光素子１６からの光が被検体１００で散乱された非弾性散乱光と弾性散乱光の干渉光を受光する受光素子１７と、が電気配線パターンの形成されている同一の基板１１面に配置されている光学センサであって、受光素子１７を囲むように基板１１面に設けられ、干渉散乱光を受光素子１７の受光面に入射させる入射窓を有する遮光壁１８を備え、発光素子１６、遮光壁１８及び受光素子１７は、順に隣接して配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）