【課題】磁区壁移動を利用した情報保存装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】ストレージノード、ストレージノードの第１領域に情報を記録するための書き込み手段、ストレージノードの第２領域に記録された情報を読み取るための読み取り手段を備える情報保存装置である。該読み取り手段によって読み取った情報を臨時に保存するための臨時保存手段を備えることが可能であり、臨時保存手段に連結されたものであり、書き込み手段に印加される電流を制御するための書き込み制御手段をさらに備えることができる。第２領域で読み取った情報は、臨時保存手段に保存されていて、第１領域に記録されうる。 （もっと読む）

【課題】エッチングにより離脱する窒化膜またはＣａｐ層の材質を、確実に検出可能な半導体記憶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体記憶装置は、（ａ）下地層１，２，３，４上にＴＭＲ膜５、キャップ層６を順に積層する工程と、（ｂ）ＴＭＲ膜５、キャップ層６をパターニングして、それらの正規積層構造パターン１３およびダミー積層構造パターン１６を形成する工程とを備える。そして、（ｃ）正規およびダミー積層構造パターン１３，１６を覆う窒化膜７を形成する工程と、窒化膜７上に酸化膜８を形成する工程と、（ｅ）酸化膜８および窒化膜７をエッチングして、キャップ層６の上部を露出させる工程とを備える。工程（ｅ）は、エッチングを行いながら、当該エッチングにより離脱した窒化膜７またはキャップ層６の材質を検出する。 （もっと読む）

【課題】 本件は、強磁性材料からなり、磁壁の有無による情報を記憶するとともに移動電流の供給を受けて磁壁を移動させるメモリ線を備えた磁壁移動型ストレージデバイスに関し、低コストの読出方式を採用する。
【解決手段】 メモリ線上の情報読出点でメモリ線と交差する読出線を形成し、メモリ線に形成されている磁壁が情報読出点を通過する際に生じる誘導起電力をピックアップすることにより、メモリ線の、磁壁の有無による情報を読み出す。 （もっと読む）

【課題】磁気ランダムアクセスメモリに集積化された磁気抵抗素子への外乱磁界を低減する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗素子が集積化された複数のＭＲＡＭアレイ３２と、ＭＲＡＭアレイ３２のそれぞれに対して設けられ、外乱磁界がＭＲＡＭアレイ３２に鎖交することを防ぐための複数の磁気シールド３３とを具備している。磁気シールド３３のそれぞれの平面形状は、円形であるか、ｎ角形（ｎ≧６）である。 （もっと読む）

【課題】予期できない磁化反転を防止すること。
【解決手段】磁壁移動型ストレージデバイスは、強磁性金属（例えば、ＮｉＦｅ）に不純物元素（例えば、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ；強磁性金属細線の保磁力を変調する元素）を添加することにより磁場に対する磁壁の動き易さを調整した強磁性金属細線（例えば、ＮｉＦｅＰｔ細線）を有し、かかる強磁性金属細線に電位パルスを印加することで情報を記録することで、予期できない磁化反転を防止する。 （もっと読む）

【課題】４００℃の熱処理プロセス後に、十分な反平行結合強度を有することで、高磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に適用可能な、強磁性体／非磁性体／強磁性体の反平行結合膜構造体、その反平行結合膜構造体を用いたトンネル磁気抵抗素子および磁気デバイスを提供する。
【解決手段】強磁性体の一方は、CoFeB合金またはCoFe合金であり、他方はTa／Ru下地層上に成長した面心立方構造のCoFe合金またはNiFe合金であり、非磁性体がRuである。 （もっと読む）

【課題】情報保存装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】複数の磁区領域及びそれらの間に磁区壁領域を有する磁性層と、複数の磁区領域のうち一つである第１領域に設けられ、第１領域に情報を記録するための第１ユニットと、第１ユニットに連結されたものであって、第１領域に情報を記録するための磁場を誘導する第２ユニットと、を備える情報保存装置である。 （もっと読む）

磁気ランダムアクセスメモリを製造するためのシステム及び方法が、開示される。特に、堆積の間に磁性膜のアライニング方法が、開示される。上記方法は、基板上への第１の磁性材料の堆積の間に存在する基板の領域の第１の方向に沿って第１の磁場を印加することを含む。上記方法は、基板上への前記第１の磁性材料の堆積の間に、領域に第２の方向に沿って第２の磁場を印加することをさらに含む。
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本発明の３層磁気素子は、基板上に、水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第１の層Ｏを含み、その上に金属磁気層Ｍが設けられ、金属磁気層Ｍの上に水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第２の層Ｏ’、あるいは非強磁性体金属層Ｍ’が設けられる。層Ｍは連続しており、１〜５ｎｍの厚さを有し、その磁化は、層ＯおよびＯ’が無い状態で層面に平行である。室温以上のある温度範囲で、層Ｍの実際の消磁磁界を低減できる、あるいは層Ｍの磁化を層面に対しほぼ垂直に向けることができる、界面Ｏ／ＭおよびＭ／Ｏ’の層面に垂直な界面磁気等方性がある。
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磁気ランダム・アクセス・メモリを製造するシステムおよび方法が開示される。この方法は磁気トンネル接合（ＭＴＪ）構造上にキャップ層（１１２）を堆積させることと、キャップ層上に第１のスピンオン材料層（５３０）を堆積させることと、第１のスピンオン材料層およびキャップ層の少なくとも一部をエッチングすることとを備える。スピンオン材料を堆積させてエッチングするステップは数回繰り返すことができる。スピンオン材料はＭＴＪを囲む層間絶縁膜層を保護する。
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【課題】磁壁移動を利用した情報保存装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】複数の磁区と、磁区間の境界領域に形成されたピニングサイトとを具備した磁性ナノワイヤでの磁壁移動を利用した情報保存装置において、磁性ナノワイヤに第１パルス電流密度を印加し、磁壁を第１ピニングサイトからデピニングする段階と、磁性ナノワイヤに第２パルス電流密度を印加し、磁壁を第２ピニングサイトに移動させる段階とを含み、第１パルス電流密度が第２パルス電流密度より大きい情報保存装置の駆動方法である。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリア層の膜厚を薄くすることなく低抵抗化を図ることができ、所要のＭＲ比が得られるトンネル磁気抵抗効果素子およびこれを用いた磁気抵抗デバイスを提供する。
【解決手段】トンネルバリア層２７を挟む配置に磁化固定層２６と自由磁化層２８とが配置され、前記トンネルバリア層２７が、MgO層を下地層として、MgO層とZnO層の積層膜として形成され、前記MgO層および前記ZnO層は、岩塩型(001)方向に結晶配向して形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダメージ層を持った多層磁性膜の磁気特性劣化を防止でき、高品質な磁気抵抗効果素子を製造することが可能な磁気抵抗効果素子の製造装置の提供。
【解決手段】反応性イオンエッチング室と、ラジカル処理室と、前記反応性イオンエッチング室及び前記ラジカル処理室の間で基板を搬送可能な搬送手段を有する真空搬送室と、を備える磁気抵抗効果素子の製造装置において、真空搬送室では、搬送手段により、磁性膜及び基板を有する磁気抵抗効果素子を前記反応性イオンエッチング室に搬入する第１工程が実行され、反応性イオンエッチング室では、前記磁性膜の所定領域を、反応性イオンエッチング法により、プラズマにより活性化された水素原子及び酸素原子の存在下でエッチングする第２工程１０１，１０２が実行され、ラジカル処理室では、前記第２工程後の磁性膜をイオン電流密度４×１０^−７Ａ／ｃｍ^２以下のプラズマに曝する第３工程１０３が実行される。 （もっと読む）

【課題】多層配線に挟まれたある層の層間絶縁膜が厚薄各部分を有し、容易に製造することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第１領域と第２領域を有する半導体基板と、第１領域の半導体基板上方に配置されたＭＴＪと、ＭＴＪを覆うように配置され、第２領域上方よりも第１領域上方の膜厚が薄い絶縁膜と、絶縁膜中に配置され、ＭＴＪと電気的に接続された導電膜と、第１領域上方の絶縁膜上方に形成され、導電膜と電気的に接続されたビット線と、第２領域上方の絶縁膜上方に形成された配線と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ソース及びドレインに強磁性体によるショットキー接合を用いた金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）を提供すること。
【解決手段】強磁性体であって、一方のスピンに対しては金属的なバンド構造（以下、「金属的スピンバンド」と称する。）を、他方のスピンに対しては半導体的又は絶縁体的なバンド構造（以下、「半導体的スピンバンド」と称する。）をとるハーフメタルからなり、スピン偏極した伝導キャリアを注入する強磁性ソースと、該強磁性ソースから注入されたスピン偏極した前記伝導キャリアを受けるハーフメタルからなる強磁性ドレインと、前記強磁性ソースと前記強磁性ドレインとの間に設けられ、前記強磁性ソース及び前記強磁性ドレインのそれぞれと接合した半導体層と、前記半導体層に対して形成されるゲート電極とを有することを特徴とするトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】微細化に伴うパンチスルー耐性の低下を抑制しつつ高いＯＮ電流／ＯＦＦ電流比を有する電磁作用によるトランジスタを実現する。
【解決手段】本発明の電磁作用によるトランジスタは、磁化方向が第１の方向に固定された強磁性金属からなるゲート８１と、第１の方向と垂直な第２の方向に非磁性膜８２を挟んでゲート８１に対向して設けられ、非磁性膜８２を介してゲート８１との間に流れる電流によって第１の方向と平行に磁化方向が反転可能な強磁性金属からなるチャネル８３と、チャネル８３の反転可能な磁化方向の一方に間隙を挟んで設けられ、磁化方向が第１の方向に固定された強磁性金属からなるソース８４と、チャネル８３の反転可能な磁化方向の他方に間隙を挟んで設けられ、磁化方向が第１の方向と逆方向に固定された強磁性金属からなるドレイン８５を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＴＭＲ値が高く、ＲＡが低いＭＴＪデバイスを得ること。
【解決手段】 磁気抵抗素子の製造方法は、金属層を第１の厚さに形成する金属層形成ステップと、金属層を不活性ガスのプラズマに晒し、前記第１の厚さよりも小さい第２の厚さにエッチングするプラズマトリートメントを実行するプラズマ処理ステップと、前記プラズマトリートメントを施した金属層を酸化し、トンネルバリアを構成する金属酸化物を形成する酸化ステップと、を有するトンネルバリア形成ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】一対の強磁性層及び該一対の強磁性層の間に位置する中間層を有する磁気抵抗効果素子において、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の強磁性層は、マグネトロンＤＣスパッタにより成膜したアモルファス状態の強磁性体とし、前記中間層は、マグネトロンＲＦスパッタにより成膜した、膜厚方向において単結晶構造を有する酸化マグネシウムとする。 （もっと読む）

【課題】集積密度が増加した磁気装置を提供する。
【解決手段】磁気装置は、装置非磁性材料の層によって互いに分離され、強磁性材料から作られる少なくとも２つの層を含む磁気抵抗積層体３；電子電流を前記磁気抵抗積層体３に注入するための少なくとも１つの集積されたナノコンタクトを有し、前記層の平面に対して垂直に前記電子電流が流れることを引き起こす手段２、４、７：を集積する。前記ナノコンタクトは、固体電解質に少なくとも部分的に溶解される、金属から構成される可溶性電極６が堆積される前記固体電解質５から構成される二重層４内に形成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＴＭＲ素子の製造方法に関し、より詳細にはＴＭＲ素子の形成過程において２回のイオンミリングを行いＴＭＲ素子のバリア層に付着した導電物質を除去して品質の高いＴＭＲ素子を製造する方法に関するものである。
【解決手段】 本発明のＴＭＲ素子製造方法は、生成したＴＭＲ膜上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターンをマスクとしてＴＭＲ膜をイオンミリングする第１イオンミリング工程と、レジストパターンのスリミングを行うスリミング工程と、スリミングされたレジストパターンをマスクとしてＴＭＲ膜を再びイオンミリングする第２イオンミリング工程と、を備えるよう構成する。 （もっと読む）