【課題】再生素子のセンシング能力を向上し、高記録密度で記録された情報の再生精度を向上する。
【解決手段】再生素子が有する多層膜が、非磁性層４００と、この非磁性層４００を間に挟む第１強磁性層４０１及び第２強磁性層４０２と、を有し、これらのうち、第１、第２強磁性層の少なくとも一方は、原子組成比がＣｏ：Ｆｅ：Ｂ＝２：１：１であり、かつＬ２_１規則化された結晶構造とされている。これにより、高い分極率を実現できるので、非磁性層の膜厚を一定以上に薄くするなどして素子抵抗を小さくしたとしても、高い磁気抵抗変化率が得られ、高いセンシング能力を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比のバイアス依存性を改善し、高い再生出力を有する磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】飽和磁化の異なる固定層１３と自由層１５を有し、かつホイスラー合金などの高スピン散乱材料を有する磁気抵抗効果素子において、固定層と自由層のうち飽和磁化が低い方の磁性層から高い磁性層の方に電子が流れるようにバイアス電圧を印加することで、高ＭＲ比と高バイアス耐性を両立し、高い再生出力を実現する。 （もっと読む）

【課題】磁気トラック、磁気トラックを備える情報保存装置及び該情報保存装置の動作方法を提供する。
【解決手段】開示された磁気トラックは相異なる長さの第１及び第２磁区領域を備える。該第１及び第２磁区領域で磁壁移動速度は相異なりうる。該第１及び第２磁区領域のうち長さの長い領域は、情報の記録／再生領域でありうる。第１磁区領域での磁壁移動速度は、第２磁区領域での磁壁移動速度より速い。第１磁区領域の長さｌ１、前記第２磁区領域の長さｌ２、第１磁区領域での磁壁移動速度Ｖ１及び第２磁区領域での磁壁移動速度Ｖ２は、Ｖ１＝（ｌ１／ｌ２）×Ｖ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報保存装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】多数の磁区Ｄ及びそれらの間に磁壁ＤＷを有する磁性トラック１００と、前記磁性トラックに連結された磁壁移動手段１５０と、１ビットに対応する磁区を複数個カバーする大きさを有する動作ユニット２００を含む情報保存装置である。磁壁移動手段１５０で磁性トラック１００に印加される電流により磁区領域Ｄに位置する磁区及び磁壁領域ＤＷに位置する磁壁が所定方向に移動しうる。 （もっと読む）

スピントルクランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）に適用可能な、磁気データ記憶セルが開示される。磁気セルは、第１および第２の固定磁気層と、固定磁気層間に配置されや自由磁気層とを含む。磁気セルは、スピン偏極電流を磁気層に供給するように構成された端子をさらに含む。第１の固定磁気層は、自由磁気層の容易軸と実質的に平行である磁化方向を有し、第２の固定磁気層は、自由磁気層の容易軸と実質的に直交する磁化方向を有する。二重固定磁気層は、自由磁気層への書込みにおけるスピントルクを強化し、それによって、必要とされる電流を低減するとともに磁気データ記憶セルのフィーチャーサイズを低減し、磁気スピントルクデータ記憶装置のデータ記憶密度を増加する。
（もっと読む）

【課題】 熱安定性にすぐれ、ＭＲ比の高い磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】 磁気抵抗素子は、マンガンを有する層で形成した反強磁性層と、反強磁性層側に位置し、強磁性体及び白金族系金属を有する層で形成した第一磁化固定層、強磁性体を有する層で形成した第二磁化固定層及び該第一磁化固定層と該第二磁化固定層との間に位置する第一非磁性中間層を有する積層磁化固定層と、強磁性体を有する層で形成した磁化自由層と、積層磁化固定層と前記磁化自由層との間に位置する第二非磁性中間層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】軟磁気特性に優れたフリー層を提供する。
【解決手段】フリー層１５は、トンネルバリア層と接する側から、第１の強磁性層２１、介在層２２、第２の強磁性層２３、介在層２４、第３の強磁性層２５が順に積層された積層構造を有する。第１の強磁性層２１は、例えばトンネルバリア層と接する側から、ＣｏＦｅからなる第１の層と、ＣｏＦｅＢからなる第２の層と、コバルト鉄合金からなる第３の層とが順に積層されたものである。第２の強磁性層２３は、ＣｏＦｅもしくはＮｉＦｅからなる単層構造、またはＣｏＦｅ＼ＮｉＦｅ＼ＣｏＦｅからなる多層構造を有する。第３の強磁性層は、ＣｏＦｅもしくはＮｉＦｅからなる単層構造、またはＣｏＦｅ＼ＮｉＦｅ＼ＣｏＦｅからなる多層構造を有する。 （もっと読む）

磁気トンネル接合セルおよび磁気トンネル接合セルを製造する方法であって、セルの強磁性自由層（１１２）に少なくとも隣接して延在する円筒状の保護層（１２０）を含む。円筒状の保護層は、その厚さ、形成方法、材料組成および／またはセル層に沿った度合いが特定的に選択されて、実効飽和保磁力、実効磁気異方性、実効的な磁気モーメントの分布、または実効スピン偏極を含む、自由層の実効磁気特性を向上させる。
（もっと読む）

【課題】トンネルバリア層の膜厚を薄くすることなくトンネルバリア層の低抵抗化を図ることができ、所要のＭＲ比が得られるトンネル磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗デバイスを提供すること。
【解決手段】トンネルバリア層２７と、該トンネルバリア層２７を挟む配置に設けられた磁化固定層２６と磁化自由層２８とを備え、前記トンネルバリア層２７が、MgZnO層（Zn濃度が1at.%以上12.5at.%以下）からなり、該MgZnO層が岩塩型(001)方向に結晶配向して形成されている。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合構造を構成する自由磁性層を、磁気異方性の方向及び大きさが異なる少なくとも２つの磁性薄膜で構成することにより、再生信号値の増大及びスイッチングに必要な臨界電流値の低減効果を独立して最適化することのできる、二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造を提供する。
【解決手段】磁気トンネル接合構造は、固定された磁化方向を有する第１磁性層１０と、反転可能な磁化方向を有する第２磁性層３０と、第１磁性層１０と第２磁性層３０との間に形成される非磁性層２０と、第２磁性層３０との磁性結合により第２磁性層３０の磁化方向を第２磁性層３０の平面に対して傾斜させ、垂直磁気異方性エネルギーが水平磁気異方性エネルギーより大きい第３磁性層４０と、第２磁性層３０と第３磁性層４０との間に形成され、第２磁性層３０と第３磁性層４０が異なる結晶配向性を有するように分離する結晶構造分離層５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】安定した磁壁の移動を可能とし、確実に情報の書き込み、保持、読み出しを行い得る磁壁移動型の磁気メモリから成る情報記憶素子を提供する。
【解決手段】情報記憶素子１００は、帯状の強磁性材料層１１１を備えており、強磁性材料層の一端及び他端には第１電極１２１、第２電極１２２が設けられており、第１電極１２１と第２電極１２２との間に電流を流すことで電流誘起磁壁移動が生じ、強磁性材料層１１１において、磁化領域に磁化状態が情報として書き込まれ、若しくは、磁化状態が情報として読み出され、各磁化領域における磁化方向は、強磁性材料層１１１の厚さ方向に平行であり、情報の書込み若しくは情報の読出し時、強磁性材料層１１１の他端から一端に亙り単調に低下する温度分布を強磁性材料層１１１に生じさせる。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリア層の膜厚を薄くすることなく低抵抗化を図ることができ、所要のＭＲ比が得られるトンネル磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気抵抗デバイスを提供する。
【解決手段】トンネルバリア層２７と、該トンネルバリア層２７を挟む配置に設けられた磁化固定層２６と磁化自由層２８とを備え、前記トンネルバリア層２７が、二元系岩塩型酸化物からなる絶縁層によって形成され、該絶縁層の酸素濃度が、前記二元系岩塩型酸化物の化学量論組成よりも低く設定されている。 （もっと読む）

【課題】安定した磁壁の移動を可能とし、確実に情報の書き込み、保持、読み出しを行い得る磁壁移動型の磁気メモリから成る情報記憶素子を提供する。
【解決手段】情報記憶素子は、帯状の強磁性材料層１１１を備えており、強磁性材料層１１１の一端には第１電極１２１、他端には第２電極１２２が設けられており、第１電極１２１と第２電極１２２との間に電流を流すことで電流誘起磁壁移動が生じ、強磁性材料層１１１において、磁化領域に磁化状態が情報として書き込まれ、若しくは、磁化状態が情報として読み出され、強磁性材料層１１１の少なくとも一部に接して、反強磁性材料から成る反強磁性領域１３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリア層の膜厚を薄くすることなく低抵抗化を図ることができ、所要のＭＲ比が得られるトンネル磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】トンネルバリア層２７と、該トンネルバリア層２７を挟む配置に設けられた磁化固定層２６と磁化自由層２８とを備え、前記トンネルバリア層２７が、MgO/Mg/MgZnOの三層構造からなる。前記トンネルバリア層２７におけるMg層の厚さは、0.5〜2.0Åである。 （もっと読む）

【課題】ＲＡ値を低く抑えつつ、ＭＲ比およびＢＤＶの向上と、Ｈｉｎの低減が可能な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１は、磁化固定層１４の上に絶縁層１５が積層され、絶縁層１５の上に自由磁性層１６が積層される構造を有する磁気抵抗効果素子であって、磁化固定層１４は、上面に酸素原子２原子分の厚さ以下の酸素結合層が形成される。 （もっと読む）

【課題】高いバリア品質と高いＭＲ比を両立させることを可能とする磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１は、絶縁層１７と非磁性層１９との間に、自由磁性層１８を備える磁気抵抗効果素子であって、絶縁層１７は、岩塩型結晶構造を有する金属酸化物を用いて形成され、自由磁性層１８は、構成元素の一つにホウ素を含む材料を用いて形成され、非磁性層１９は、タンタルと比較して、自由磁性層１８中のホウ素が相対的に拡散し易い材料を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】化学量論における構成比が最適で、かつ結晶性の高いトンネルバリア層を作成し、磁気抵抗素子のＭＲ比を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】磁化固定層（ＣｏＦｅＢ）を成膜する工程と、非磁性中間層（ＭｇＯ）を成膜する工程と、磁化自由層（ＣｏＦｅＢ）を成膜する工程とを有する。非磁性中間層（ＭｇＯ）を成膜する工程は、酸化マグネシウムターゲットを０．０４００Ｐａ以上２６．６６Ｐａ以下の処理ガス圧力下で高周波スパッタすることにより、化学論量の酸化マグネシウム膜を成膜する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比が高いトップピン型のトンネル磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、結晶性を有し磁化方向が変化可能な第１自由磁化層と、前記第１自由磁化層上に設けられ、磁化方向が変化可能であるとともに前記第１自由磁化層と強磁性交換結合する第２自由磁化層と、前記第２自由磁化層上に設けられ、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有するトンネルバリア層と、前記第１自由磁化層と前記第２自由磁化層との間に設けられ、前記第１自由磁化層が前記トンネルバリア層の結晶配向性に及ぼす影響を抑制する緩和層と、前記トンネルバリア層上に設けられ、磁化方向が固定可能な固定磁化層とを備えることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子。 （もっと読む）

コンピューティングシステムが少なくとも１つの機能的ユニット及び少なくとも１つの機能的ユニットに接続された磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)ブロックを含む。MRAMブロックは少なくとも１つの機能的ユニットのパワーダウン状態の間、少なくとも１つの機能的ユニットの機能的状態を格納するように構成される。
（もっと読む）

【課題】高周波スパッタリング装置の自己バイアスを制御する手法により高品質の磁気抵抗薄膜を提供する。
【解決手段】基板電位を調整することで基板に対する自己バイアスの制御を行うために、本発明に従った高周波スパッタリング装置は、チャンバと、チャンバの内部を排気する排気手段と、チャンバ内にガスを供給するガス導入手段と、基板載置台を備える基板ホルダと、基板ホルダを回転させることが可能な回転駆動手段と、ターゲット載置台を備えるスパッタリングカソードであって、基板載置台の表面とターゲット載置台の表面とが非平行となるように配置されることを特徴とするスパッタリングカソードと、基板ホルダ内部に設けられた電極と、電極と電気的に接続されており基板ホルダ上の基板電位を調整する可変インピーダンス機構と、を有する。 （もっと読む）