本発明は、渦状態の平面磁気セル（４）のネットワークを含む磁気記憶装置（１）であって、各セルの渦コアが、反対方向でありかつセル（４）面に垂直な第１と第２の平衡位置のいずれかの磁化を有し、２つの位置のそれぞれが２進情報を表す、磁気記憶装置（１）に関する。装置（１）は、セルに格納される２進情報を書き込む手段（５、８ａ、８ｂ、３）であって、各セル（４）の近傍で前記セル（４）面にほぼ垂直な第１のバイアス静磁場と前記セル（４）にほぼ平行な直線偏波無線周波数磁場とを選択的に印加する手段を含む書き込み手段（５、８ａ、８ｂ、３）を含む。説明の装置はまた、点接触（７）により渦コアの周囲の領域を介し電流線を導くことにより、２つの交差する電極（６）と（９）間の選択的輸送測定を使用して、好ましくは共振的に極性を読み取る手段を含む。
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【課題】磁化自由層、磁化固定層、及びトンネル絶縁層の金属原子がチャンネル層へ拡散することを抑制し、良好な特性を有するスピン伝導デバイスを提供すること。
【解決手段】スピン伝導デバイス１００は、チャンネル層と、チャンネル層上に設けられ、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、及び酸化ベリリウムのうちのいずれか一つを含む金属酸化物層８と、金属酸化物層８上に設けられた酸化マグネシウム層９と、酸化マグネシウム層９の第一の部分上に設けられた磁化自由層１２Ｃと、酸化マグネシウム層９の第二の部分上に設けられた磁化固定層１２Ｂと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子と正孔の相互作用による、磁化方向が略平行なときの電流Ｉ_Ｄ^Ｐと、磁化方向が略反平行なときの電流Ｉ_Ｄ^ＡＰとの差の絶対値の減少を抑制することを可能にする。
【解決手段】表面にｎ型の半導体領域が設けられた半導体基板１０と、半導体領域上に離間して設けられたソース電極３０ａおよびドレイン電極３０ｂであって、ドレイン電極は半導体領域上に設けられ半導体領域の半導体よりもバンドギャップが大きくかつ価電子帯端が半導体領域の半導体の価電子帯端よりも低いエネルギーを有するｎ型の第１半導体層３１ｂと、第１半導体層上に設けられた第１強磁性層３４ｂとを有し、ソース電極は半導体領域上に設けられた第２強磁性層３４ａを有する、ソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間の半導体領域に設けられたゲート電極２４と、を備え、第１および第２強磁性層のうちの一方は磁化方向が不変であり、他方は磁化方向が可変である。 （もっと読む）

【課題】情報保存装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】情報保存装置及びその動作方法に係り、該情報保存装置は、バッファトラック及びこれに連結された複数の保存トラックを含む磁性構造体；磁性構造体に備わった書込み／読取りユニット；バッファトラック、複数の保存トラック及び書込み／読取りユニットにそれぞれ連結された複数のスイッチング素子を含む。該バッファトラックと複数の保存トラックとに連結されたスイッチング素子は、同じ信号ラインに連結されうる。該磁性構造体と書込み／読取りユニットとのうち、少なくとも一つに電流を印加するための回路部がさらに備わりうる。 （もっと読む）

【課題】ＭＴＪ素子のＭＲ比を向上させること。
【解決手段】ＭＴＪ素子（１）は、第１磁性層（１０）と、第２磁性層（２０）と、第１磁性層（１０）と第２磁性層（２０）との間に位置するトンネルバリア層（３０）と、ハーフメタル材料で形成された第１ハーフメタル層（４０）と、を備える。第１ハーフメタル層（４０）は、第１磁性層（１０）とトンネルバリア層（３０）との間に介在し、トンネルバリア層（３０）と接触し、第１磁性層（１０）と磁気的に結合する。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動型の磁気記憶装置に使用する磁気細線の製造時に、磁気細線のフリー層とバリア層の境界部に発生するラフネスを低減して読出し素子の出力を増大する。
【解決手段】強磁性材料からなるデータ記録用の磁気細線１に、データ読出部と、データ書込部を配置した磁気記憶デバイスを製造する際に、シード層１１、ホウ素を添加したフリー層１２、バリア層１３、及びピンド層１４をこの順に積層し、この状態で熱処理を行ってフリー層１２に添加されたホウ素を拡散除去することによって磁気細線１を形成し、形成した磁気細線１の上にデータ読出部とデータ書込部を形成して磁気記憶デバイスを製造する方法である。このデバイスを複数個並列に接続すれば磁気記憶装置となる。 （もっと読む）

電子デバイスは、第１の基板及び第２の基板を備える。第１の基板は、第１の基板の少なくとも一部を介して相互に少なくとも実質的に平行な複数の導電性トレースを含む回路を備える。複数のボンドパッドは、第１の基板の表面上に配置されるとともに、複数の導電性トレースの少なくとも２つの上に延在する幅を持つ。複数のビアは、少なくともいくつかの導電性トレースの隣接部から複数のボンドパッドまで延在する。第２の基板は、第１の基板に結合されるとともに、複数の導電性バンプを有する第１の基板上の複数のボンドパッドに接続される回路を備える。更に、メモリデバイスと、電子デバイス及びメモリデバイスを形成する関連方法とが開示され、同様に電子システムも開示されている。 （もっと読む）

【課題】高出力及び長寿命で、発振周波数が安定な磁性発振素子を提案する。
【解決手段】本発明の磁性発振素子は、磁化方向が可変の磁気フリー層１と、磁化方向が不変の磁気ピンド層３と、両者間に配置されるスペーサー層２と、磁気フリー層１に外部磁場を与える磁場発生部７とを備える。磁気フリー層１は、一軸磁気異方性を有し、それに発振閾値電流よりも大きな電流が流れることにより磁化振動を行う。磁場発生部７は、磁化振動による反磁場に起因する発振周波数のシフト量と磁気フリー層１の一軸磁気異方性による磁場に起因する発振周波数のシフト量とを相殺する方向に外部磁場の大きさ及び方向を制御する。磁気フリー層１の磁化振動の中心となる方向と磁気ピンド層３の磁化方向とのなす角度θは、０°≦θ≦７０°及び１１０°≦θ≦１８０°の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】複数の出力電圧のバラつきを低減可能なスピン流回路を提供する。
【解決手段】スピン流回路は、スピン流を発生する第1スピン注入素子ＳＩＥと、第1スピン注入素子ＳＩＥにおいて発生したスピン流が流れる非磁性のチャンネル層５Ａと、チャンネル層５Ａ上の異なる位置に設けられた複数の磁化自由層４，６と、チャンネル層５Ａとそれぞれの磁化自由層４，６との間に介在するトンネル障壁１９Ｂ，１９Ｃとを備えている。それぞれの磁化自由層４，６とチャンネル層５Ａの間の電圧が、それぞれ検出される。各フリー層４，６とチャンネル層５Ａとの間にトンネル障壁１９Ｂ，１９Ｃを介在させておくことで、各フリー層４，６とチャンネル層１９Ｂ，１９Ｃとの間の出力電圧のバラつきを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】効率的なスピン偏極電流の注入が可能で低抵抗な電極構造を有するスピントランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にソース及びドレイン電極並びにゲート電極を備え、ソース及びドレイン電極の少なくとも一方は以下の構成を有する。半導体領域１２にはｎ+型半導体領域１２Ａ，１２Ｂが形成されている。ｎ+型半導体領域１２Ａ，１２Ｂ上には、コバルト（Ｃｏ）あるいは鉄（Ｆｅ）の少なくとも一方を含む結晶質のホイスラー合金を含む磁性層３１が形成されている。ｎ+型半導体領域１２Ａ，１２Ｂ及び磁性層３１は同一の不純物元素を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 特に、フリー磁性層の磁歪λｓの増加を小さく抑えつつ、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 絶縁障壁層５は、Ｍｇ−Ｏで形成され、前記フリー磁性層６は、下からエンハンス層１２、第１軟磁性層１３、Ｃｏ−Ｔａ層１４及び第２軟磁性層１５の順に積層されている。このように軟磁性層１３，１５間にＣｏ−Ｔａ層１４を挿入した構成とすることで、フリー磁性層６の磁歪λｓの増加を小さく抑えつつ、従来に比べて抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 特に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１軟磁性層１３と第２軟磁性層１５との間に、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｉｒ−Ｍｎ、ＲｕあるいはＰｔのうち少なくともいずれか１種で形成された金属挿入層１４が挿入されている。前記第１軟磁性層１３と前記第２軟磁性層１５は、磁気的に結合されて同一方向に磁化されている。前記第１軟磁性層１３と絶縁障壁層５との間にはエンハンス層１２が形成されている。これにより、絶縁障壁層５がＭｇ−Ｏで形成されたトンネル型磁気抵抗効果素子において、従来に比べて、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 特に、フリー磁性層内にＴａ層を挿入した形態に比べて、上下シールド層間のギャップ長（ＧＬ）を小さくしつつ抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能なトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 フリー磁性層６は、例えば、Ｍｇ−Ｔｉ−Ｏから成る絶縁障壁層５上に、下から、エンハンス層１２、第１軟磁性層１３、非磁性金属層１４、第２軟磁性層１５の順に積層されている。前記エンハンス層１２は例えばＣｏ−Ｆｅで、第１軟磁性層１３及び第２軟磁性層１５は例えばＮｉ−Ｆｅで、非磁性金属層１４は例えばＴｉで形成される。前記エンハンス層１２の平均膜厚と前記第１軟磁性層１３の平均膜厚を足した総合膜厚Ｔ５は１９Å以上２８Å以下で形成される。これにより従来に比べて安定して高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子全体の電力消費を低減させる。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁気異方性を示し、その磁化が少なくとも第一及び第二の方向の間で反転できるように構成された強磁性層と、強磁性領域に容量性結合されたゲートとを含んでいる。磁気抵抗素子を動作させる方法は、第一及び第二の方向の間で磁化を反転させるために、強磁性領域の磁気異方性の方向を変化させるように、強磁性領域に電場パルスを印加するステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】磁性構造体、磁性構造体の形成方法、磁性構造体を含む情報記録装置、及びその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】基板に平行な第１方向に延びた第１部分と、第１部分の両端から第１方向に垂直な第２方向に延びた第２部分と、を備え、相互逆方向に磁化した二つの磁区及びそれらの間に磁壁を有する情報記録用磁性構造体である。情報記録用磁性構造体は、Ｕ字型または逆Ｕ字型である。磁壁は、第１部分内に位置する。情報記録用磁性構造体は、垂直磁気異方性を有する。 （もっと読む）

【課題】電界によって分極と磁化を誘起し、その強度と方向を制御できるメモリ素子を提供する。
【解決手段】メモリ素子において、マルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、上下の金属電極２，２′に電界を印加するように配置し、上下の金属電極２，２′間に誘起される電荷、磁化を利用する。データの書き込みは、特定の選択されたビット線４とワード線５の間に印加する電圧による電界で分極を発生させることにより実現する。データの読み出しは、保持されている電気分極に起因する電圧強度で０もしくは１を判定すればよい。データの消去は、そのメモリセル３へ印加する電圧の符号を先に印加した電圧と反転させ、一定の強度を与えればよい。一方、分極発生すると同時に磁化６が発生する。この磁化６は磁界７をメモリセル３の外部に及ぼす。このことからメモリセル３の情報に相応した磁界を発生し得るアクティブ型メモリ素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】高精度な測定値の取得が可能な磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果率の測定方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果率の測定方法は、固定磁性層の磁化方向を判定するステップと、自由磁性層の磁化方向を判定するステップと、自由磁性層の磁化方向に対して９０°より大きく１８０°より小さく、且つ固定磁性層の磁化方向に対して９０°より大きく１８０°より小さい角度の方向に、強度が０から徐々に増加する外部磁場を印加してρＨ曲線を得て抵抗最大値を得るステップと、自由磁性層の磁化方向に対して１８０°より大きく２７０°より小さく、且つ固定磁性層の磁化方向に対して０°より大きく９０°より小さい角度の方向に、強度が０から徐々に増加する外部磁場を印加してρＨ曲線を得て抵抗最小値を得るステップと、抵抗最大値と抵抗最小値とから磁気抵抗効果率を算出するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】情報保存装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】情報保存装置及びその動作方法について開示されている。該情報保存装置は、磁性トラック及び書込み／読取りユニットを含むメモリ領域と、メモリ領域に連結された制御回路部とを含むことができる。磁性トラックの両端にそれぞれ連結された第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子が備わり、書込み／読取りユニットに連結された第３スイッチング素子が備わりうる。制御回路部によって、第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子が制御され、磁性トラックと書込み／読取りユニットとのうち、少なくとも一つに動作電流が印加されうる。 （もっと読む）

【課題】 電子のスピン分極を利用したレーストラック・メモリ・デバイスを提供する。
【解決手段】 レーストラック・メモリ・ストレージ・デバイスは、磁壁をレーストラックに沿って一方向のみに移動させる。読み出し要素は、（レーストラックの中央部よりも）レーストラックの１つの端部に配置することができる。磁壁は、読み出し要素を横切って移動させると消滅するが、それらの対応する情報は、１つ又は複数のメモリ・デバイス（例えば、組み込みＣＭＯＳ回路）に読み込まれる。次いで、情報は、計算ニーズに対して回路内で処理され、読み出し要素と対向するレーストラックの端部に配置された書き込み要素を用いて、その元の形式（レーストラックから読みだされたときの）か、又は何らかの計算後の異なる形式のいずれかで、レーストラックに書き戻される。こうしたレーストラックは、より単純に構築することができ、従来のレーストラック・メモリ・デバイスよりも動作の信頼性が高い。 （もっと読む）

【課題】面積抵抗（ＲＡ）を増加させることなく、所定値以上の磁気抵抗効果率（ＭＲ比）を確保しつつ、固定磁化層と自由磁化層との間の層間結合磁界（Ｈｉｎ）の低減が可能な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果素子１は、絶縁材料を用いて形成される絶縁層１５と、磁性材料を用いて形成される第２の磁化層との間に、非磁性材料を用いて形成される非磁性層２０を備え、非磁性層２０は、絶縁層１５上に形成される。 （もっと読む）