【課題】本発明は、磁気トンネル接合デバイスおよびその製造方法に関する。
【解決手段】磁気トンネル接合デバイスは、ｉ）（Ａ_{１００−ｘ}Ｂ_ｘ）_{１００−ｙ}Ｃ_ｙの化学式を有する化合物を含む第１磁性層と、ｉｉ）第１磁性層の上に位置する絶縁層と、ｉｉｉ）絶縁層の上に位置し、（Ａ_{１００−ｘ}Ｂ_ｘ）_{１００−ｙ}Ｃ_ｙの化学式を有する化合物を含む第２磁性層とを含む。第１磁性層および第２磁性層は垂直磁気異方性を有し、Ａおよび前記Ｂはそれぞれ金属元素であり、ＣはＢ（ホウ素）、Ｃ（炭素）、Ｔａ（タンタル）、およびＨｆ（ハフニウム）からなる群より選択された一つ以上の非晶質化元素である。 （もっと読む）

【課題】磁性層を備えたトラック及びそれを備える磁性素子を提供する。
【解決手段】複数の磁区及びそれらの間に磁壁を有するトラックと、前記トラックに連結された磁壁移動手段と、前記トラックについての情報の再生及び記録のための読み取り／書き込み手段と、を備え、前記トラックは、前記磁区及び磁壁を有する磁性層と、前記磁性層の第１面に備えられた第１非磁性層と、前記磁性層の第２面に前記第１非磁性層と異なる物質で形成され、原子番号が１４以上である金属及びマグネシウムのうち少なくとも一つを含む第２非磁性層と、を備える磁性素子である。かかる構造に起因して、磁性層は、高い非断熱係数（β）を有する。磁性素子は、例えば、情報保存素子（メモリ）である。 （もっと読む）

【課題】メモリ機能を有する電子回路またはメモリ素子と集積化可能な電子回路を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体からなるチャネルと、前記チャネルにスピン偏極した電子を注入し強磁性体を含むソース２０ａ、２０ｂと、前記チャネルから前記スピン偏極した電子を受け強磁性体を含むドレイン２２ａ、２２ｂと、前記チャネルの電界を共通に変化させるゲート２４ａ、２４ｂと、を各々備える複数のトランジスタ３０ａ、３０ｂを具備し、前記複数のトランジスタの各々チャネルにおける電子の走行方向は、スピン軌道相互作用に起因する有効磁場に交差する方向であり、かつ前記ゲートに共通に印加されるゲート電圧により前記複数のトランジスタの各チャネルにおける電子に加わる有効磁場の大きさが相対的に変化する方向である電子回路である。 （もっと読む）

【課題】
半導体上に強磁性体が形成された不揮発性光メモリ素子において、光により該強磁性体の磁化を読み出す場合に、該強磁性体の容積サイズが小さくなると磁気光学的応答が非常に小さくなるという問題があったので、不揮発性光メモリ素子の読み出しに有効なメモリ素子とメモリデバイス及び読み出し方法を提供する。
【解決手段】
光導波路に接続される半導体上に強磁性体が形成された構造の不揮発性光メモリ素子において、該強磁性体を経由して半導体に電子を注入することで、該強磁性体の磁化方向に応じてスピン偏極した電子が注入され、光磁気効果の効果的な領域を拡大することができる。該不揮発性光メモリ素子に電気パルスと光パルスを印加することにより、強磁性体に磁化方向により記録されているデータを効果的に読み出す。 （もっと読む）

【課題】エッチング損傷を減少させるべくドライエッチングを用いて磁気素子を製造する。
【解決手段】磁気素子の製造方法と装置を提供する。素子の磁性及び／又は非磁性層はＴａのような非有機材マスクを用いＮ_２のような不活性ガスと水素ガスの混合ガスによりエッチングされる。結果として、研究例ではＭＴＪテーパ角はほぼ垂直である。 （もっと読む）

【課題】磁性体層又は反磁性体層をエッチングする際のパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を提供する。
【解決手段】炭化水素類ガス、アルコール類ガス、エーテル類ガス、アルデヒド類ガス、カルボン酸類ガス、エステル類ガス及びジオン類ガスからなる化合物ガス群から選択された少なくとも一種の化合物ガス、及び酸素ガスを有する混合ガス中の全炭素原子数Ｃｎと全酸素原子数ＯｎとがＯｎ／Ｃｎ＞１の関係を満たし、該混合ガスを用いて形成したプラズマ雰囲気下で、磁性体層又は反磁性体層をエッチングする。 （もっと読む）

不揮発性メモリセルにアクセスするための半導体装置が提供される。いくつかの実施形態においては、半導体装置は、ソース、ドレインおよびウェルを含む半導体層の縦型スタックを有する。半導体装置へのドレイン−ソースバイアス電圧の印加は、ウェルにわたってパンチスルー機構を生成し、ソースとドレインとの間の電流の流れを発生させる。
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【課題】磁性膜又は反磁性膜をエッチングする際に発生するパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】炭化水素類、アルコール類、エーテル類、アルデヒド類、カルボン酸類、エステル類及びジオン類からなるガス化化合物群から選択された少なくとも一種のガス化化合物を０．５×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上、好ましくは２×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上の分子流速の条件下において形成したプラズマ雰囲気下で、磁性膜又は反磁性膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】室温で１０００％以上のTMR効果が得られる低抵抗の二重障壁強磁性トンネル接合と、この二重障壁強磁性トンネル接合を用いた磁気デバイスを提供する。
【解決手段】下地層／強磁性層１／絶縁層１／強磁性層２／絶縁層２／強磁性層３／上部層の構造が基板材料上に積層され、下地層により強磁性層１の磁化が、上部層により強磁性層３の磁化が固定され、強磁性層２が磁化自由層として機能する構造の二重障壁強磁性トンネル接合において、強磁性層２をCoFeB合金とし、かつ、その厚さを０．５〜１．４nmに薄膜化し、絶縁層１および２をMgOとし、２５０〜４００℃程度の熱処理プロセスを経ることで低抵抗、かつ、１０００％を超える巨大なTMR比が得られる。 （もっと読む）

【課題】 スピントルク・ベースの磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）を含む、スピントルク磁気抵抗構造体及びデバイスを提供する。
【解決手段】 磁気抵抗構造体、デバイス、メモリ、及びそれらを形成する方法が提示される。例えば、磁気抵抗構造体は、強磁性層と、強磁性層に結合されたフェリ磁性層と、固定層と、非磁性スペーサ層とを含む。磁気抵抗構造体のフリー側は、強磁性層及びフェリ磁性層を含む。非磁性スペーサ層は、少なくとも部分的にフリー側と固定層の間にある。強磁性層の飽和磁化は、フェリ磁性層の飽和磁化と対向する。非磁性スペーサ層は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなるもののようなトンネル障壁層又は非磁性金属層を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】 磁性体に対し、小さい電流密度のパルス電流を印加することで、発熱を抑えつつ確実に磁化反転を引き起こすことができる磁化状態制御方法を提供する。
【解決手段】 形状磁気異方性が生じている線状磁性体の長手方向に垂直な方向の成分の磁気異方性を与えて線状磁性体内部の異方性状態を変質させ、次いで、異方性状態が変質された線状磁性体の長手方向に沿って記憶させようとする正逆いずれかの向きの磁場を印加するとともにパルス電流を印加して磁化状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも小さい書込み電流を用いてフリー磁性層の磁気モーメントの方向を変えるように適合された構造体、デバイス、メモリ及びそれらを形成するための方法を提供することである。
【解決手段】 磁気抵抗構造体、デバイス、メモリ、及びそれらを形成するための方法が提示される。例えば、磁気抵抗構造体は、第１の強磁性層と、第１の強磁性層に近接した第１の非磁性スペーサ層と、第１の非磁性スペーサ層に近接した第２の強磁性層と、第２の強磁性層に近接した第１の反強磁性層とを含む。例えば、第１の強磁性層は第１の固定強磁性層を含むことができ、第２の強磁性層はフリー強磁性層を含むことができ、第１の反強磁性層はフリー反強磁性層を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】熱処理後の電気比抵抗の増加率が相対的に小さく、かつ、電気比抵抗の増加率が均一な金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料、及び、これを用いた薄膜磁気センサを提供すること。
【解決手段】（１）式で表される組成を有する強磁性粒子と、前記強磁性粒子の周囲に充填されたＭｇ−Ｆ系化合物からなる絶縁マトリックスとを備えた金属−絶縁体系ナノグラニュラー材料、及び、これを用いた薄膜磁気センサ。
(Ｆｅ_1-xＣｏ_x)_100-z(Ｂ_1-yＳｉ_y)_z ・・・（１）
但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｚ≦２０。 （もっと読む）

マルチフェロイック薄膜材料の製造方法。その方法は、マルチフェロイック前駆体溶液を提供する工程、その前駆体溶液をスピンキャスティングしてスピンキャスト膜を製造する工程、およびそのスピンキャスト膜を加熱する工程を有する。前駆体溶液は、ビスマスフェライト膜を製造するために、エチレングリコール中にＢｉ（ＮＯ３）３ｏ５Ｈ２ＯおよびＦｅ（ＮＯ３）３ｏ９Ｈ２Ｏを含有していてもよい。さらに、薄膜は、情報保存のための記憶デバイスを含む様々な技術分野において利用されうる。 （もっと読む）

本発明の具体例にかかる方法は、磁性層（４１）と、下部導電性電極（４３）と、その反対側で磁性層サブスタックを電気的に接続する上部導電性電極（４４）とを含む磁性層サブスタックを含む磁気スタックを形成する工程と、磁気スタックの上に犠牲柱（４６）を形成する工程であって、犠牲柱（４６）は上に横たわる第２の犠牲材料（４５）に対するアンダーカットと、磁気スタックに向かって断面寸法が大きくなる傾斜フットを有する工程と、犠牲柱を磁気スタックのパターニングのために使用する工程と、犠牲柱（４６）の周囲に絶縁層（７０）を堆積する工程と、犠牲柱を選択的に除去し、これによりパターニングされた磁気スタックに向かってコンタクトホール（８０）を形成する工程と、コンタクトホールを電気的な導電性材料（８１）で埋める工程とを含む。
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本発明による磁気電気素子は、強磁性材料から成る少なくとも一つの縦長の動作構造であって、それに沿って磁壁が移動できる動作構造と、この動作構造に電流を印加する手段と、動作構造から出る磁場のための少なくとも一つの磁場センサーとを有する。本発明では、動作構造は、その中心での磁壁の横磁化方向が磁壁の移動方向に対して垂直な面内に有利な方向を持たない磁壁及び／又は質量を持たない磁壁を作り出せるように構成される。そのような移動する磁壁の運動エネルギーが消滅することを発見した。従って、この磁壁は、ウォーカー限界にも、本質的なピニングにも支配されない。そのため、本素子は、情報を速く読み出し、記録し、或いは処理し、最終的に出力できる。本発明は、強磁性材料の非断熱スピントランスファーパラメータβの測定方法にも関する。本方法は、この発見した現象の詳細な研究に基づき開発された。
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磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスおよび製作方法が、開示される。特定の実施形態では、底部キャップ層および垂直軸を有する底部金属充填トレンチを含む構造体上に磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスを形成するステップを含む方法が、開示され、磁気トンネル接合デバイスは、底部電極、磁気トンネル接合層、磁気トンネル接合シール層、上部電極、およびロジックキャップ層を含み、磁気トンネル接合デバイスは、垂直軸からオフセットしているＭＴＪ軸を有する。
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【課題】デバイスの縁部に沿って相対的な電流量を増大させた磁気トンネル接合デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】磁気トンネル接合デバイスは、パターニング配線層４０２の上に、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）積層物を形成する。その上に低伝導率層４１６および導電ハード・マスク４１８を形成する。低伝導率層４１６とは異なる電気伝導率を含むスペーサ材料４２０を堆積する。スペーサ材料４２０をエッチングして、ハード・マスク４１８およびスタッドの側壁上のみにスペーサ材料が残るようにする。エッチング・プロセスを実行して、低伝導率層４１６の周りに、自由磁性層４１２と導電ハード・マスク４１８との間の導電リンクとして、側壁スペーサ材料４１６を残す。スタッドとスペーサ材料４２０との間の電気伝導率の差によって、自由層４１２の縁部に沿った、側壁上に形成されたスペーサ材料４２０を通る電流が増大する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成部と成膜処理部の間に隔壁を配することによって被成膜基板にプラズマ生成部で発生する高エネルギー粒子が入射するのを抑制する構成を有する装置において、成膜分布を改善することを課題とする。
【解決手段】基板処理装置を、プラズマが生成される第一の空間、基板を載置する為の基板ホルダを有する第二の空間、第一の空間と第二の空間を分離する、内部に第三の空間を有する隔壁、第一の空間と第二の空間を繋ぐ前記隔壁に形成された複数の第一の孔、第二の空間と第三の空間を結ぶ前記隔壁の第二の空間に接する面に形成された複数の第二の孔、第一の空間に第一のガスを導入する第一のガス導入手段及び第三の空間に第二のガスを導入する第二のガス導入手段を有し、第一の孔に係わる単位面積当たりの開口率は、中心部より周辺部で大きい構成とする。 （もっと読む）

本発明は、渦状態の平面磁気セル（４）のネットワークを含む磁気記憶装置（１）であって、各セルの渦コアが、反対方向でありかつセル（４）面に垂直な第１と第２の平衡位置のいずれかの磁化を有し、２つの位置のそれぞれが２進情報を表す、磁気記憶装置（１）に関する。装置（１）は、セルに格納される２進情報を書き込む手段（５、８ａ、８ｂ、３）であって、各セル（４）の近傍で前記セル（４）面にほぼ垂直な第１のバイアス静磁場と前記セル（４）にほぼ平行な直線偏波無線周波数磁場とを選択的に印加する手段を含む書き込み手段（５、８ａ、８ｂ、３）を含む。説明の装置はまた、点接触（７）により渦コアの周囲の領域を介し電流線を導くことにより、２つの交差する電極（６）と（９）間の選択的輸送測定を使用して、好ましくは共振的に極性を読み取る手段を含む。
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