【課題】ウエハの表面に対して垂直方向の磁界を容易に発生させることができ、測定精度を高めることができる磁気抵抗評価装置を提供する。
【解決手段】磁場発生手段１３が、載置台１２に載置された磁気抵抗素子を有するウエハの両面側に、それぞれ２対の電磁石２４と、電磁石２４の各対毎に、それぞれの電磁石２４の芯から連続して伸びて１本に収束するよう設けられた１対の磁路延長部材２５とを有している。磁場発生手段１３は、各対のそれぞれの電磁石２４の中心軸が互いに垂直に交わるよう配置されている。磁場発生手段１３は、各磁路延長部材２５の先端２５ａが、ウエハの両面側でウエハの表面に対して所定の間隔をあけて配置されるとともに、ウエハの反対面側に配置された各磁路延長部材２５の先端２５ａと、ウエハを挟んで対向するよう配置されている。 （もっと読む）

【課題】より良好な磁化特性を発現し、高記録密度化や高集積化に対応可能であると共に高い信頼性を有する磁気トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】本発明のＭＴＪ素子は、ＮｉＦｅからなり、かつ、平坦化された上面を有する基体としての下部磁気シールド層１１０と、Ｔａからなり、かつ、スパッタエッチング処理により表層がアモルファス化された被覆層１２５と、シード層１４０と、ピンニング層５０と、ピンド層６０と、Ａｌ膜が酸化処理されてなるトンネルバリア層７０と、磁化フリー層８０と、キャップ層９０と、ＮｉＦｅからなり、下部磁気シールド層１１０と共に積層面と直交する方向にセンス電流を流すための電流経路となる上部磁気シールド層１００とを順に備えたものである。 （もっと読む）

【課題】高い抵抗を有するＣＰＰ構造で、低電流で大きな出力信号を生成するスピンバルブ素子を提供すること。
【解決手段】少なくとも１つの強磁性層42aを含むピンド層構造、少なくとも１つの強磁性層41を含み、ピンド層よりも磁気的に軟らかいフリー層構造、フリー層とピンド層を隔てて、フリー層構造とピンド層構造の間の磁気結合を妨げ、電流がそこを通って流れることができるように構成された薄いスペーサー層構造43、導電性が著しく異なる少なくとも２つの部分を含む少なくとも２つの磁性又は非磁性の第１及び第２の電流狭窄（ＣＣ）層構造44,44’を含み、第１のＣＣ層44は、フリー層構造と隣接してまたはフリー層構造の内部に配置され、第２のＣＣ層44’は、ピンド層と隣接して、または、ピンド層の内部で中央部または中央部よりフリー層構造側に配置されるＣＰＰスピンバルブ素子。 （もっと読む）

磁気トンネル接合（ＭＴＪ）記憶素子およびＭＴＪを形成する方法が開示される。磁気トンネル接合（ＭＴＪ）記憶素子は、固定層、バリア層、自由層、および複合ハードマスクまたは上部電極を含む。複合ハードマスク／上部電極構造体はＭＴＪ記憶素子を通る不均一電流経路を提供するよう構成され、平行にカップリングされた様々な抵抗特性を有する電極から形成される。自由層と上部電極との間に組み込まれた任意の調整層が自由層の減衰定数を低減する助けとなる。
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直接接触を用いた磁気トンネル接合（ＭＴＪ）は、より低い抵抗、改善された生産量、及び、より単純な製造を有して製造される。より低い抵抗は、ＭＴＪの読み取り方法及び書き込み方法の両方を改善する。ＭＴＪ層（１２６）は、下部電極（１２４）上に堆積され、下部金属（１２２）に位置合わせされる。エッチング停止層（３０２）は、下部金属を囲う絶縁体のオーバーエッチングを防止するために下部金属に隣接して堆積され得る。下部電極は、実質的に平坦な表面を提供するためにＭＴＪ層の堆積前に平坦化される。さらに、下層（２０２）は、ＭＴＪの所望の特性を促進するためにＭＴＪ層の前に下部電極上に堆積され得る。
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【課題】電気的手段により磁気情報の書込みを行う磁気メモリセル及びそれを装備した大容量多値磁気メモリを提供する。
【解決手段】スピン蓄積層１上に配置した複数の磁気記録ビット３１〜３４と、１つの検出部によって磁気メモリセルを構成し、その磁気メモリセルを多数組み合わせて大容量磁気メモリを構成する。磁気記録ビットは、スピン蓄積層上に中間層、磁気記録層、障壁層、固定層、電極保護層を積層した構造を有し、検出部はスピン蓄積層上に中間層、固定層、電極保護層を積層した構造を有する。検出部は、各記録ビットを構成する磁気記録層の磁化方向の組合せを多値情報として電気的に検出する。 （もっと読む）

【課題】垂直異方性をもつＭｇＯベースの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスを提供すること。垂直異方性をもつＭｇＯベースの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスは、ＭｇＯトンネル障壁によって分離された垂直磁化をもつ強磁性ピンおよび自由層を本質的に含む。金属Ｍｇ堆積とその後の酸化処理によってまたは反応性スパッタリングによって作製されるＭｇＯトンネル障壁の微細構造はアモルファスまたは不完全な（００１）面垂直方向組織をもつ微晶質である。
【解決手段】本発明では、少なくとも強磁性ピン層のみまたは強磁性ピンおよび自由層の両方が、トンネル障壁と強磁性ピン層のみとの間に、またはトンネル障壁とピンおよび自由層の両方との間に位置する結晶好適結晶粒成長促進（ＰＧＧＰ）シード層を有する構造とすることが提案される。この結晶ＰＧＧＰシード層は、堆積後アニーリングに際してＭｇＯトンネル障壁の結晶化および好適結晶粒成長を誘起する。 （もっと読む）

【課題】磁性細線でトラックを形成した磁気記録媒体を対象として、磁区の移動によるデータの消失を防ぐと共に、磁性細線の記録層を有効に記録、保存、再生に活用し、実質的に使用されていない空き容量を減少させることができる磁気記録媒体再生装置、これに用いる磁気記録媒体、および、磁気記録媒体再生方法を提供する。
【解決手段】パルス電流を、磁性細線５の一端から他端に向かう細線方向に供給する電流供給手段１０と、磁性細線５の書込領域にデータの記録を行うデータ記録手段２０と、読出領域に記録されているデータを再生するデータ再生手段３０と、あふれデータ検出領域に記録されているデータを検出するあふれデータ検出手段４０と、あふれデータ検出手段４０で検出されたデータを、再書込領域に再度記録するあふれデータ再記録手段５０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低消費電力でありながら、磁化方向の高速スイッチングが可能な磁気スイッチング素子を提供する。
【解決手段】この磁気スイッチング素子１００は、磁性酸化物層３０と、上記磁性酸化物層３０の一方面側に位置する非磁性電極層４０と、上記磁性酸化物層３０の他方面側に位置する磁性金属層２０と、上記非磁性電極層４０と上記磁性金属層２０との間に正逆電圧を印加するための電極と、を備える。 （もっと読む）

磁気トンネル接合デバイスを製造するおよび使用するシステムおよび方法が開示される。特定の実施形態において、磁気トンネル接合デバイスが、第１自由層と第２自由層とを含む。また、磁気トンネル接合が、スピントルク強化層を含む。磁気トンネル接合が、第１自由層と第２自由層との間にスペーサー層をさらに含み、前記スペーサー層が、１つの材料を含み、第１自由層と第２自由層との間の交換結合を実質的に抑制する厚さを有する。第１自由層と第２自由層とが、静磁的に結合される。
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電子デバイス製造プロセスは、下部電極層を堆積する段階を含む。次いで、電子デバイスが下部電極層上に製造される。下部電極層をパターニングする段階は電子デバイスを製造する段階後に、上部電極をパターニングする段階とは個別のプロセスで実施される。第１誘電体層は次いで、電子デバイスおよび下部電極層上に堆積され、上部電極層がそれに続く。上部電極は次いで、下部電極とは別のプロセスでパターン化される。上部および下部電極の別々のパターニングにより、電子デバイス間の誘電体材料におけるボイドが減少することによって収率が向上する。その製造プロセスが適切な１つの電子デバイスが、磁気トンネル接合（MTJ）である。
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磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイス及び製造方法が開示される。特定の実施形態では、底部電極（１１０、７０２）の上方に磁気トンネル接合構造（２０２）を形成することを含む方法が開示される。また、本方法は、磁気トンネル接合構造の上方及びこれに隣接する拡散障壁層（３０２、４０２）を形成することも含む。本方法は、拡散障壁層をエッチングバックして、磁気トンネル接合構造の上方の拡散障壁層を除去することを更に含む。また、本方法は、磁気トンネル接合構造の頂部 を導電層（６０４、７０４）に接続することも含む。
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【課題】厚膜の磁性多層膜に隣接する埋め込み膜にボイド・シームを発生させない磁気ヘッドの製造方法及びこれを用いた差動型再生ヘッドもしくはＭＡＭＲ素子を提供する。
【解決手段】磁性多層膜１４のパターン加工後の隣接する埋め戻し膜４２，４３の堆積を，第１段階の堆積工程と，続けて堆積した膜をエッチバックする工程と，第２段階の堆積工程からなる一連の製造プロセスによって形成する。ハードバイアスを加える硬磁性膜を埋め戻す場合には，第２段階の堆積工程の前に配向下地膜を堆積する工程を追加することで保磁力を増加できる。 （もっと読む）

【課題】 ＴＭＲ比を大きくすることができるＴＭＲ素子およびそれを用いたセンサを実現する。
【解決手段】 ＴＭＲ素子５０を構成するセグメントＳＧ１は、少なくともピンド層４３、絶縁層４４およびフリー層２１を積層して成る第１の積層体２０と、少なくともピンド層４３、絶縁層４４およびフリー層３１を積層して成る第２の積層体３０とを備える。第１および第２の積層体２０，３０はピニング層４２上に配列されており、かつ、ピンド層４３およびピニング層４２によって電気的に直列接続されている。 （もっと読む）

【課題】 電流−スピン流変換効率が高く、高強度のスピン流が得られるスピントロニクス装置を提供する。
【解決手段】 対向する第１端面及び第２端面を有し、正孔と電子とが同程度のキャリア密度と移動度を有し、ホール係数がゼロである非磁性の両極性伝導金属からなるスピン流生成領域３０と、第１端面に設けられ、スピン偏極された正孔をスピン流生成領域３０に注入する強磁性体からなる第１主電極２０と、第２端面に設けられ、電子をスピン流生成領域３０に注入する第２主電極４０とを備える。ローレンツ力により、正孔と電子とを同一方向に輸送されるようにして、正孔と電子の電荷を互いに相殺してスピン流を得る。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの角度を調整可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、イオンを発生させるイオン源と、該イオン源が発射したイオンビームが照射されるターゲットと、該ターゲットを保持するターゲットホルダと、前記ターゲットからはじき出されたターゲット成分粒子が堆積する位置で基板を保持する基板ホルダと、前記ターゲットの前記イオンビームに対する角度を調整する角度調整部と、を有している。ターゲットホルダに保持されたターゲットの角度を角度調整部により調整し、イオン源が発射したイオンビームを前記ターゲットに照射させて前記ターゲットからはじき出されたターゲット成分を基板ホルダに保持された基板に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】フットプリントを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を保持する基板ホルダと、イオンを発生させるイオン源と、該イオン源から発生するイオンが照射されるターゲットと、前記基板ホルダが軸延長方向に位置するように配置される回転軸と、該回転軸に対して垂直方向であって異なる方向に複数延在する延在部と、該延在部それぞれに設けられ前記ターゲットを前記基板ホルダ側に近づくに従って前記回転軸と前記ターゲットとの距離が短くなるように保持するターゲットチャックと、前記回転軸を回転させる回転装置と、を有する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜を加工する際に生じるダメージを少なくし、前記のダメージを受けたことにより磁気特性に劣化が生じることを防止でき、高品質な磁気抵抗効果素子を製造することに適した磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜が形成された基板に対して反応性イオンエッチングにより多層磁性膜を加工する工程を含んでいる磁気抵抗効果素子の製造方法において、反応性イオンエッチングが行われた多層磁性膜に対してイオンビーム照射する工程を含む磁気抵抗効果素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】本発明の磁気メモリ素子は、基板上のトンネルバリア、トンネルバリアの一面と接する第１接合磁性層、第１接合磁性層によってトンネルバリアと離隔される第１垂直磁性層、トンネルバリアの他の面と接する第２接合磁性層、第２接合磁性層によってトンネルバリアと離隔される第２垂直磁性層、及び第１接合磁性層と第１垂直磁性層との間の非磁性層を含む。 （もっと読む）

【課題】フットプリント（占有床面積）を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板を保持する基板ホルダ１８が設置された処理室１２と、該処理室に隣接して配置されたターゲット室２３と、該ターゲット室に挿入された回転軸２９を回転させる回転装置２８と、前記ターゲット室に設置され、前記回転軸が回転軸線に連結された錐形状のターゲットホルダ３０であって、錐面において複数のターゲットを保持するターゲットホルダと、イオンを前記ターゲットホルダに保持された前記ターゲットに照射するイオン源４０と、を有している。 （もっと読む）