磁気論理装置は、電気回路用の一般的に平面的な第１基板と、前記第１基板上に積層された配置で形成される、磁気回路用の一般的に平面的な複数の第２基板とを有することができる。各々の第２基板は、その上に磁気回路が形成されており、各々の磁気回路は、複数の論理素子、データ書き込み素子及びデータ読み取り素子を有することができる。前記各々の磁気回路のデータ書き込み素子は、前記第１基板のそれぞれの磁気電気的書き込み素子の平面的な位置に相当することができ、前記各々の磁気回路のデータ読み取り素子は、前記第１基板のそれぞれの磁気電気的読み取り素子の平面的な位置に相当することができる。
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本発明は、抵抗が磁場パルスによって変化可能である磁性層システムを有する不揮発性に再構成可能なディジタル論理ユニットであって、直列に接続されたデータセルを有する第１の分岐線路と、直列に接続された構成セルを有する第２の分岐線路と、構成された状態についての評価手段とを含む論理ユニットに関する。評価手段は、分岐線路の差電圧を示す電圧信号を求める差動増幅器（１２）と、０ボルトとは異なる値へ電圧信号をシフトするための、好ましくは加算器または減算器として構成された手段と、電圧信号が有効範囲内にまたは禁止範囲内にあるかどうかを判別するコンパレータ（１４）またはウィンドウコンパレータ（１９，２１）と、有効な電圧信号を評価し論理ロー信号または論理ハイ信号を出力する手段とを含む。
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本発明は、ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタに関し、基板、エミッタ、ベース、コレクタ、第１トンネルバリア層および第２トンネルバリア層とを備え、第１トンネルバリア層が、エミッタとベースの間に設けられ、第２トンネルバリア層が、ベースとコレクターの間に設けられ、かつエミッタとベース間及びベースとコレクタ間に形成されたトンネル接合の接合面積が１〜１００００μｍ^２であり、前記ベースの厚さが当該層材料の電子平均自由行程に匹敵し、前記エミッタ、ベースおよびコレクタの中でただ１つの極(pole)の磁化方向が自由である。ダブルバリア構造を採用するため、ベースとコレクタの間に発生したショットキーバリアを克服している。ベース電流は変調信号であり、ベース又はコレクタの磁化方向を変えることによって、共鳴トンネリング効果を発生し、適当な条件において増幅信号が得られる。
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非酸化物材料又は既にドーピングされた酸化物材料である半導体材料であって、前記半導体材料は、マンガン（Ｍｎ）がドーピングされ、室温と５００Ｋとの間の範囲における少なくとも１つの温度で強磁性を示す。好適には、前記マンガンがドーピングされた材料は、５ａｔ％以下のマンガン濃度を持つ。
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本発明の対象は、チャネル領域と、チャネル領域の一方の側に接続され、チャネル領域に電子を注入するように適合されたソースと、チャネル領域の反対側に接続され、スピン偏極した電子を検出するように適合されたドレインと、４つの磁気要素を備える磁気二重対要素を少なくとも１つ備えるゲートとを備える磁気電気電界効果トランジスタであって、各磁気要素がチャネル領域に磁界を誘導するように適合され、各磁気二重対要素の誘導された磁界の合計がほぼゼロになるように制御することが可能であり、ゲートがチャネル領域に電界を誘導するようにさらに適合された磁気電気電界効果トランジスタである。 （もっと読む）