【課題】スピン電界効果論理素子を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上でスピン分極された電子を選択的に通過させる磁性物質のチャンネルと、チャンネル上のソースと、ソースからの電子が出て行くドレイン並びに出力電極と具備するスピン電界効果論理素子である。該ゲート電極は、ソースからチャンネルに注入される電子を選択的に通過させるために、チャンネルの磁化状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】高周波受信チェーンで使用されるこのような発振器において要求される出力にできるだけ近い出力を得るために出力を大幅に増加しながら、精細性の点で高周波放出の品質を保持または改善さえすることである。
【解決手段】高周波発信器は、電流が流れることができる内蔵の磁気抵抗装置を有し、前記磁気抵抗装置が、“トラップ層”（２）として知られる第１の磁性層であって、その磁化が固定方向である第１の磁性層と、“自由層”（１）として知られる第２の磁性層と、“中間層”として知られ、前記第１及び第２の層の間に配置される非磁性層（３）と、を備える。前記発振器は、前記層を含む平面に垂直な方向において、上述の積層体を構成する前記層に電流が流れることを引き起こすことができる手段をさらに備える。前記磁気抵抗装置を構成する３つの層の１つは、それを通って電流が流れる少なくとも１つの収縮領域（８、１１）を備える。 （もっと読む）

【課題】スピン偏極電荷キャリア装置を提供すること。
【解決手段】電荷キャリアがスピン軌道結合を呈する非強磁性の半導体材料を含む電荷キャリア用のチャネル１５と、チャネルとは逆の導電型の半導体材料の領域であって、チャネルの一方の端部に、スピン偏極された電荷キャリアを注入するための、チャネルとの接合部２１を形成するように構成された領域１０と、チャネルの両端間の横方向電圧を測定するためにチャネルに接続された少なくとも１つのリード線１８_１、１８_２とを備えた装置。 （もっと読む）

【課題】ノイズ特性の向上可能なスピン高周波ミキサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】局部発振信号を入力してスピン流を生成するスピン流生成部３０と、高周波信号及びスピン流生成部３０によって生成されたスピン流を入力しミキシング信号を生成するＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子５０と、ＴＭＲ素子から生成されたミキシング信号を取り出す出力部６０と、を備え、局部発振信号の電流によるショットノイズをほとんど含まずパッシブミキサにおけるショットノイズの発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合構造を構成する自由磁性層を、磁気異方性の方向及び大きさが異なる少なくとも２つの磁性薄膜で構成することにより、再生信号値の増大及びスイッチングに必要な臨界電流値の低減効果を独立して最適化することのできる、二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造を提供する。
【解決手段】磁気トンネル接合構造は、固定された磁化方向を有する第１磁性層１０と、反転可能な磁化方向を有する第２磁性層３０と、第１磁性層１０と第２磁性層３０との間に形成される非磁性層２０と、第２磁性層３０との磁性結合により第２磁性層３０の磁化方向を第２磁性層３０の平面に対して傾斜させ、垂直磁気異方性エネルギーが水平磁気異方性エネルギーより大きい第３磁性層４０と、第２磁性層３０と第３磁性層４０との間に形成され、第２磁性層３０と第３磁性層４０が異なる結晶配向性を有するように分離する結晶構造分離層５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】低電流密度で安定して発振が可能であり、かつ、面内高周波磁界の強度の高いスピントルク発振子、磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置を提供する。
【解決手段】非晶質軟磁性層と、該非晶質軟磁性層上に設けられ、最密結晶構造を有する非磁性層と、該非磁性層上に設けられ、最密結晶構造を有し、垂直磁気異方性を有する硬磁性層と、を備えたことを特徴とするスピントルク発振子が提供される。 （もっと読む）

【課題】 回路面積をさらに小型化しつつ、付加機能として動的再構成性を持たせることができる再構成可能な論理回路を提供する。
【解決手段】 本発明の論理回路は、配線選択部１、配線選択部１にて選択された配線が接続された入力ノード７１、７２のうちの１つの入力ノードに入力された信号、及びその他の入力ノードに入力された信号を論理演算する論理演算部２、及び論理演算部２に接続され、ＯＲ、ＡＮＤとＮＯＲ、ＮＡＮＤ、ＮＯＴとを切り替える切替部３を有する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子のシャント抵抗として好適な可変抵抗素子であって、素子として加工された後の磁気抵抗効果素子の抵抗値（ＲＡ値）に対応させて、抵抗値の設定が可能な可変抵抗素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る可変抵抗素子１０は、第１の固定磁性層１３を含む多層膜からなり、その最上層が自由磁性層１５からなるＴＭＲ膜２もしくはＧＭＲ膜３を備え、前記ＴＭＲ膜２もしくはＧＭＲ膜３の上に、第１の強磁性層１７、もしくは非磁性層１６を下地層とする第１の強磁性層１７を備える。 （もっと読む）

【課題】トンネル効果とは異なる原理による、直線性の良い負性抵抗２端子素子を提供する。
【解決手段】磁化自由層（３３）と、磁化自由層がもつ磁気モーメントよりも大きな磁気モーメントを有する磁化固定層（３１）と、磁化自由層と磁化固定層との間に設けられた中間層（３２）とを有する磁気抵抗素子を具備する負性抵抗素子である。磁化固定層側から電子が流れ込むように磁気抵抗素子に印加される電流の上昇につれて磁化自由層の磁化方向の変化が連続的に引き起こされることにより負性抵抗を示すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造上のコストが増大するのを可及的に抑制することができるとともに、スピン注入書き込みを行うことができかつ読み出しを行うことができるスピンＭＯＳＦＥＴを提供することを可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体領域３を有する基板２と、半導体領域上に離間して設けられた第１および第２強磁性積層膜１５ａ、１５ｂであって、第１および第２強磁性積層膜はそれぞれ、第１強磁性層、非磁性層、および第２強磁性層がこの順序で積層された積層構造を有し、第２強磁性積層膜は第１強磁性積層膜の膜面面積と異なる膜面面積を有する、第１および第２強磁性積層膜と、第１強磁性積層膜と前記第２強磁性積層膜との間の半導体領域上に設けられるゲート絶縁膜９とゲート絶縁膜上に設けられるゲート１０と、を備えている。 （もっと読む）

ホスト材料と量子スピン欠陥とを含むソリッドステートシステムであって、量子スピン欠陥が室温で約300μs以上のT2を有し、ホスト材料が、約20ppb以下の全窒素濃度を有する単結晶CVDダイヤモンドの層を含み、量子スピン欠陥が形成されている所に最も近い表面上の点に中心がある約5μmの半径の円によって定義される領域内の単結晶ダイヤモンドの表面粗さR_qが約10nm以下であるソリッドステートシステム、ソリッドステートシステムの調製方法及び約20ppb以下の全窒素濃度を有する単結晶ダイヤモンドのスピントロニクス用途での使用を開示する。 （もっと読む）

本発明は、量子力学トンネル効果に基づくトリプルゲート又はマルチゲート素子に関する。本素子は、電子がトンネリング可能なギャップによって隔てられた少なくとも二つのトンネル電極を基質上に有する。本発明による素子は、ギャップに電界を印加して、その電界による偏向によって、トンネル電極の間をトンネリングする電子の経路を延ばすための手段を有する。一般的に、トンネル電極の間のトンネル電流の方向に対して垂直で、かつ基質に対して平行に延びる電界成分を有する電界をギャップに印加するための手段を配備することができる。トンネル電極の間のトンネル電流は、電子がギャップ内を進む経路長に対して指数関数的に依存するので、そのような電界は、トンネリング確率に対して、、そのため制御すべきトンネル電流に対して大きな逆増幅率を有する。そのような素子は、例えば、大きな増幅率の非常に速いスイッチングトランジスタとして動作することができ、そのため半導体であってはならない。
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【課題】磁気素子本体に電流を流すことなく、磁性体電極の磁化反転が可能な磁気素子及び集積回路並びに磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】磁気素子１は、基板６上に第１の強磁性体電極３及び第２の強磁性体電極４を隔置し磁気素子本体２と、第１の強磁性体電極３に接触して高スピンホール効果を有する電極５を配設し、高スピンホール効果を有する電極５に電流を流して第１の強磁性体電極３へスピン注入して磁化反転する。磁気素子本体２へ電流を流すのではなく、高スピンホール効果を有する電極５に電流を流すことでスピンホール効果によるスピン分極を発生させ、第１の強磁性体電極３への移行により磁化反転できる。高インピーダンスの微小磁気メモリ素子及び磁気論理素子やスピン電界効果トランジスタを多段に接続した再構成可能微小磁気論理素子の磁化反転が可能となる。 （もっと読む）

【課題】室温で動作可能な有機磁性体を用いたスイッチング素子を提供する。
【解決手段】下記式（Ｉ）で示される鉄サレン錯体を含む磁性体膜を備えたスイッチング素子。
【化１】


（Ｉ） （もっと読む）

【課題】微細化に伴うパンチスルー耐性の低下を抑制しつつ高いＯＮ電流／ＯＦＦ電流比を有する電磁作用によるトランジスタを実現する。
【解決手段】本発明の電磁作用によるトランジスタは、磁化方向が第１の方向に固定された強磁性金属からなるゲート８１と、第１の方向と垂直な第２の方向に非磁性膜８２を挟んでゲート８１に対向して設けられ、非磁性膜８２を介してゲート８１との間に流れる電流によって第１の方向と平行に磁化方向が反転可能な強磁性金属からなるチャネル８３と、チャネル８３の反転可能な磁化方向の一方に間隙を挟んで設けられ、磁化方向が第１の方向に固定された強磁性金属からなるソース８４と、チャネル８３の反転可能な磁化方向の他方に間隙を挟んで設けられ、磁化方向が第１の方向と逆方向に固定された強磁性金属からなるドレイン８５を有する。 （もっと読む）

【課題】高出力、高品質の発振信号を出力できる発振デバイスを提供すること。
【解決手段】第１の方向に磁化の向きが固定された強磁性体で形成された第１のピン層と、当該第１のピン層に積層された非磁性体又は絶縁体で形成される第１のスペーサ層とを有する複数のスピン注入素子と、磁化の向きが前記第１方向とは異なる方向に変化可能な強磁性体により形成され、前記複数のスピン注入素子が前記スペーサ層で接合されたフリー層とを備える発振デバイスが提供される。 （もっと読む）

本発明は、非強磁性中間層によって分離された第一の強磁性層および第二の強磁性層を含む少なくとも一つの第一の磁気抵抗スタック（ＭＴＪ１）、そして第一（Ｎ３）および第二（Ｎ２）レベルのメタライゼーションに各々属する少なくとも一つの第一（１９）および一つの第二（１８）の電流ラインからなる磁気構造を含む「論理関数」実行のためのデバイス（９）に関する。二つのラインの各々は、電流がそれを通って流れると第一のスタックの近くに磁場を発生させる。なお、強磁性硬層は、基準として機能する固定磁束に留められる。第一および第二のライン（１９、１８）は、第二の強磁性層の種々の距離に配置されるが、それら種々の距離は「論理関数」によって決定される。 （もっと読む）

本発明は、磁気構造からなる、「論理関数」を実行するためのデバイス（９）に関する。磁気構造は、非強磁性中間層によって分離された第一の強磁性層および第二の強磁性層を含む少なくとも第一の磁気抵抗スタック（ＭＴＪ３）、そして前記第一の磁気抵抗スタック（ＭＴＪ３）の近くに位置して、電流が通過するときに第一のスタック（ＭＴＪ３）の近くに磁場を発生させる電流のための少なくとも一つの第一のライン（３２）からなる。第一のライン（３２）は、少なくとも二つの電流入力点を含むため、第一のライン（３２）で二つの電流が加算される。そして二つの電流の和が前記論理関数によって決定される。 （もっと読む）

【課題】集積密度が増加した磁気装置を提供する。
【解決手段】磁気装置は、装置非磁性材料の層によって互いに分離され、強磁性材料から作られる少なくとも２つの層を含む磁気抵抗積層体３；電子電流を前記磁気抵抗積層体３に注入するための少なくとも１つの集積されたナノコンタクトを有し、前記層の平面に対して垂直に前記電子電流が流れることを引き起こす手段２、４、７：を集積する。前記ナノコンタクトは、固体電解質に少なくとも部分的に溶解される、金属から構成される可溶性電極６が堆積される前記固体電解質５から構成される二重層４内に形成される。 （もっと読む）

【課題】低いローカルパワーで作動可能な混合器を提供することを主目的とする。
【解決手段】磁化固定層、磁化自由層、および磁化固定層と磁化自由層との間に配設された非磁性スペーサー層を備えた磁気抵抗効果素子２と、磁化自由層に磁場を印加する磁場印加部３とを備え、高周波の信号Ｓ１およびローカル信号Ｓ２を入力したときに磁気抵抗効果素子２によって両高周波信号Ｓ１，Ｓ２を乗算して乗算信号Ｓ３を生成する。この場合、磁場印加部２は、一例として、磁場の強さを変更可能に構成されている。 （もっと読む）