本発明は、少なくともそれぞれ２つの磁性層から成る少なくとも２つの磁気抵抗素子と、少なくとも２つの信号端子に対する少なくとも１つの導体とを備えた再構築可能な磁気論理回路配列体に関し、該磁性層はそれぞれ中間層によって相互に分離されており、該磁性層のうち１つは基準層として、外部磁界に影響されても磁化を実質的に変化せず、他方の磁性層は自由層として、外部磁界に影響されると磁化を検出可能に変化し、該導体が通電されている状態では該導体によって、該磁気抵抗素子に作用して該自由層の磁化を切り換える第１の磁界が生成され、当該磁気論理回路配列体はさらに、該磁気抵抗素子に影響する第２の可変の磁界を必要に応じて生成するための第２磁界生成装置も備えている。このような回路配列体では、前記のような２つの磁気抵抗素子が相互に隣接して配置され、前記２つの基準層の磁化は、予め設定された一軸異方性によって相互に逆方向に配向され、前記第１の磁界および前記第２の磁界が前記磁気抵抗素子に作用して前記自由層の磁化の配向が変化し、ひいては該磁気抵抗素子の抵抗が変化することによって論理回路配列体においてすべての基本的な論理関数の切換動作が行われるように該磁気抵抗素子は相互に接続されており、とりわけＡＮＤ関数、ＯＲ関数、ＮＡＮＤ関数、ＮＯＲ関数、ＸＯＲ関数またはＸＮＯＲ関数の切換動作が行われるように該磁気抵抗素子は相互に接続されている構成によって発展される。
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【課題】高いＭＲ比を実現できる磁気抵抗効果素子などの磁性多層膜通電素子を提供する。
【解決手段】第１の開口部を有する第１の絶縁層、第２の開口部を有する第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の間に位置した導電体を含み、前記第２の絶縁層の、前記第２の開口部及び前記第１の絶縁層間の距離Ａが、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層間の最近接距離Ｂよりも大きくなっており、バレル形状を呈する少なくとも１つの薄膜構造体を、第１の磁性層、第２の磁性層、及び前記第１および第２の磁性層間に形成されたスペーサ層の少なくとも一部に配置する。 （もっと読む）

【課題】構成要素であるナノマグネットの形状を選択することで磁気特性を設計可能な磁性論理素子を提供すること。
【解決手段】 ３次又は５次の回転対称性を有するナノマグネットを有し、前記ナノマグネットが超常磁性となりかつ実質的に磁気ヒステリシスをなくし、その結果前記ナノマグネットの磁化は適用された磁場の現在値のみに依存し、前記磁場の履歴には依存しなくなるように前記回転対称性が選択されている。単純な材料に対して、単に構成要素であるナノマグネットの対称性を変化させることにより、新規で多様な特性を付与でき、桁外れに広い範囲を有する人工磁性材料をつくり出すことができる。 （もっと読む）

【課題】効果的・効率的な高周波アシスト磁気記録を可能とする磁気素子、磁気記録ヘッド及びこれを利用した磁気記録装置を提供する。
【解決手段】少なくとも１層の磁性体層を有する第１のスピン発振層と、少なくとも１層の磁性体層を有する第２のスピン発振層と、前記第１のスピン発振層と前記第２のスピン発振層との間に設けられた第１の非磁性体層と、磁化方向が固定された強磁性体を含むスピン偏極層と、前記第１及び第２のスピン発振層と、前記非磁性体層と、前記スピン偏極層と、を有する積層体に電流を通電可能とした一対の電極と、を備えたことを特徴とする磁気素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】スピンＦＥＴ／スピンメモリの低消費電力と高信頼性を実現する。
【解決手段】本発明の例に係るスピンＦＥＴは、第１ソース／ドレイン領域11a-1上に配置され、磁化方向が膜面に対して垂直方向となる上方向又は下方向に固定される第１強磁性膜12と、第２ソース／ドレイン領域11a-2上に配置され、磁化方向が上方向又は下方向に変化する第２強磁性膜13と、第２強磁性膜13上に配置される反強磁性強誘電膜15と、第１ソース／ドレイン領域11a-1と第１強磁性膜12との間及び第２ソース／ドレイン領域11a-2と第２強磁性膜13との間の少なくとも１つに配置されるトンネルバリア膜20,21とを備える。反強磁性強誘電膜15の抵抗は、第１及び第２ソース／ドレイン領域11a-1, 11a-2がチャネル領域11cを介して導通したときのオン抵抗よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】電流増幅率が可変であり、且つ、その電流増幅率を不揮発的に保持することができる電流増幅回路を提供すること。
【解決手段】電流増幅回路１は、入力電流Ｉｉｎが入力される入力端子ＩＮと、出力電流Ｉｏｕｔが出力される出力端子ＯＵＴと、入力端子ＩＮに一端が接続された第１抵抗素子１０と、入力端子ＩＮに一端が接続された第２抵抗素子２０と、第１抵抗素子１０の他端と出力端子ＯＵＴとの間に介在する第１カレントミラー回路４０と、第２抵抗素子２０の他端と出力端子ＯＵＴとの間に介在する第２カレントミラー回路５０とを備える。第１カレントミラー回路４０は、出力端子ＯＵＴに電流を流し込み、第２カレントミラー回路５０は、出力端子ＯＵＴから電流を引き込む。第１抵抗素子１０と第２抵抗素子２０の少なくとも１つは、磁気抵抗効果素子である。 （もっと読む）

スピン・トランスファ・トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）技術を用いるソフトウェア・プログラマブル・論理のためのシステム，回路および方法が開示される。磁気トンネル接合（ＭＴＪ）記憶素子は、入力プレーンおよび出力プレーンで構成することが出来る。入力プレーンおよび出力プレーンは、論理関数の実現を可能にする複雑なアレイを構成するために相互につなぐことが出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、ナノメートル世代の半導体集積回路装置の製造上で生じるトランジスタの特性ばらつきによる動作不良や性能劣化を製造後に検出し、その部分、又は回路全体の動作を良品レベルに引き上げ、歩留り及び性能を向上させようとするものである。
【解決手段】製造後のトランジスタの特性を補正できる回路素子を付加したトランジスタを含む半導体集積回路装置及びトランジスタの特性を補正できる回路素子をトランジスタに付加し、トランジスタの製造後、トランジスタの特性を補正できるようにしたことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光と磁気とを個別に検出可能な光磁気検出デバイスを提供すること。
【解決手段】ナノグラニュラ膜においては、磁界強度に応じて抵抗変化を起こす（磁気抵抗変化：特性曲線Ｍ）と共に、光照射の有無により抵抗変化を起こす（光抵抗変化：特性曲線Ｏ）。このような特性を用いることにより、例えば、抵抗値のレベルにより、光を検出したのか、あるいは磁気を検出したのかを判定することが可能である。すなわち、このナノグラニュラ膜を用いることにより、光と磁気とを個別に検出することができる。 （もっと読む）

本発明は、スピントランスファトルク構造を電圧振動を発生するように動作させる方法に関する。前記構造は、固定磁化ベクトルを有する磁性材料の第１の層と、非磁性材料のスペーサと、自由磁化ベクトルを有する磁性材料の第２の層とを備える。本方法は、前記構造に電流（ｊ_ｏｐ）を供給し、前記第２の層の面内に磁界（Ｈexp）を供給するステップを含む。本方法では、電圧振動を起動及び停止させるために双安定領域とヒステリシス挙動を利用する。
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【課題】メモリセルをプログラムするための所要電力を低減すると共に、メモリセルをプログラムするために用いられる回路の寸法、コストおよび動作コストの低減をはかったスピングラスメモリセルを提供する。
【解決手段】スピングラスメモリセル２００ａは、第１電極２０２、第２電極２０６、および、スピングラス材料２０４を含み、上記スピングラス材料は、上記第１電極と上記第２電極との間に結合されている。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗効果素子の磁化の向きの共振現象を工業的に利用した磁気デバイス及び周波数アナライザを提供する。
【解決手段】 交流電流ｉの極性は時間と共に変化するので、磁化の向きＦは、交流電流ｉの大きさと周波数に影響を受けて振動する。磁気抵抗効果素子１Ａのフリー層１Ａ_Ｆの磁化の向きＦの振動数ｆ_Ｆと、磁気抵抗効果素子１Ａを流れる交流電流ｉの周波数ｆが一致した場合、磁化の向きＦの振動が共振し、出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２の間の電圧Ｖが増加する。磁気ヨーク１Ｂは共振が生じるような磁場Ｈをフリー層１Ａ_Ｆに与えている。電流制御回路１Ｄから出力される電流Ｉを直流とし、この直流電流Ｉを掃引すると、特定の共振周波数毎の電圧Ｖがモニタ回路２によって検出される。 （もっと読む）

【課題】 論理回路への応用が可能なスピントランジスタを提供する。
【解決手段】 逆スピン注入部Ｒを介して、ソースＳから注入された電子ｅｓ１のスピンとは逆向きのスピンの電子ｅｓ２を半導体ＳＭ内に注入すると、この逆向きスピンは、半導体ＳＭとドレインＤとの間のトンネル障壁によってドレインＤ内へは流れない。しかしながら、半導体ＳＭ内への注入された逆向きスピンの電子ｅｓ２は、電荷を有しているので、半導体ＳＭの電位が低下し、ソースＳと半導体ＳＭとの間のショットキ接触ＳＪによって形成されたポテンシャル障壁ＰＢの厚みが増加し、ソースＳから半導体ＳＭ内に電子が流れ込みにくくなる。すなわち、ゲート電極ＧＥへの印加電位と、逆スピン注入部Ｒから注入される逆向きスピン量の双方の入力によって、ドレインＤから出力される電子量が変化する。したがって、このスピントランジスタ１は、多入力の論理回路に利用することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体と強磁性体の接合面を通過させることなく、電荷にスピン情報を伝達することができ、スピン伝達効果が非常に高いトランジスタを提供する。
【解決手段】 本発明は、チャネル層を有する半導体基板部と、上記基板部上に上記チャネルの長さ方向に沿って所定の間隔に離隔配置された第１電極及び第２電極と、上記第１電極と第２電極との間に上記チャネルの長さ方向に沿って所定の間隔に離隔配置され磁化された強磁性体からなるソース及びドレインと、上記ソースとドレインとの間の上記基板部上に形成され上記チャネルを通過する電子のスピン方向を調節するゲートとを含み、上記チャネル層を通る電子のスピンは上記ソース下部で上記ソースの漏れ磁場により整列され、上記ドレイン下部で上記ドレインの漏れ磁場によりフィルタリングされる。 （もっと読む）

【課題】磁性細線中に現れる磁壁の磁気モーメント（磁化）を利用した強磁性細線素子を提供する。
【解決手段】磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向いた磁壁を内部に有する強磁性細線を用いる。反強磁性体などの磁壁固定手段を用いることにより磁壁が細線内を移動しないように該磁壁を固定しつつ直流電流を供給すると、磁壁は移動することなくその磁気モーメントが回転する。これにより、磁気モーメントの回転をTMR素子などで検出することが可能となる。この強磁性細線素子の構成を用いてマイクロ波発振器や磁気メモリを直ちに得ることも可能である。 （もっと読む）

【課題】従来のセンサとは別の動作原理に基づくMEMS技術を応用した新たな高感度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】磁性膜センサは、磁気歪を発生する磁性膜を有し、磁性膜に磁気歪を発生させる磁気歪構造を有している。磁気歪構造は、例えば磁性膜を湾曲させて磁気歪を発生させるように構成されている。また、磁気歪構造は、例えば表面に凹部が形成された凹部付絶縁層を設け、その凹部を跨ぐようにして磁性膜を形成することによって得られる。 （もっと読む）

本磁気デバイスが、非磁気材料から形成された少なくとも１つの中間層によって分離された磁気材料から形成された少なくとも２つの層を備える。磁気材料から形成された前記層のそれぞれが、前記層の平面に実質的に垂直に配向された磁化を有する。非磁気材料の前記層が、磁気材料から形成された前記層の間に反強磁性結合磁場を生じることが可能であり、この磁場の方向及び大きさにより、前記磁気層の間に生じる静磁気源の強磁性結合磁場の効果を弱めることが可能である。
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【課題】二進法データ「０」および「１」を表わす磁気トランジスタ回路を提供する。
【解決手段】経路選択線１３０と磁気トランジスタユニット１００とを備えた、「０」および「１」の二進数を表わす磁気トランジスタ回路を開示する。電流が経路選択線１３０を流れる方向については、第１の電流方向１３１ａまたは第２の電流方向１３２ａとすることができ、第１の電流方向１３１ａと第２の電流方向１３２ａとが逆向きとなるとともに、それぞれデータ「１」および「０」を表わしている。磁気トランジスタユニット１００の出力端１７０が経路選択線１３０に接続されており、磁気トランジスタユニット１００は経路選択線１３０における電流の向きを制御する。 （もっと読む）

【課題】磁気トランジスタにより実現されるＥＸＯＲ（排他的論理和）機能を有するトランジスタ回路装置を提供する。
【解決手段】ＥＸＯＲ機能を有する磁気トランジスタ回路は、高電圧端子２２０に接続された第１の磁性セクション２１３と、出力端子２７０に接続された第２の磁性セクション２１６とを有する第１の磁気トランジスタ２００と、低電圧端子２４０に接続された第３の磁性セクション２３３と、第２の磁性セクション２１６および出力端子２７０に接続された第４の磁性セクション２３６とを有する第２の磁気トランジスタ２３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】磁区壁移動を利用した記録装置を提供する。
【解決手段】磁区壁移動を利用したメモリ装置において、磁性物質からなり、磁壁を含み、第１方向に形成された書き込み用トラック６１と、第１トラック上に形成された中間層６２と、中間層上に第２方向に形成され、磁性物質からなり、磁壁を含む情報保存用トラック６３と、を備える磁区壁移動を利用したメモリ装置である。 （もっと読む）