【課題】生産性を向上することができる磁気センサの製造方法及び磁気センサを提供すること。
【解決手段】一対のバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを搭載する搭載部ｅ１〜ｅ３を複数有するリードフレーム１０に対して、各搭載部ｅ１〜ｅ３に一対のバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを接着剤５０を介して配置して、リードフレーム１０とバイアス磁石２０ａ〜２０ｃ及び磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとを接着する接着工程と、一対のバイアス磁石２０ａ〜２０ｃと磁気検出素子３０ａ〜３０ｃとが搭載された搭載部ｅ１〜ｅ３毎にリードフレーム１０を分割する分割工程と、接着工程において、バイアス磁石２０ａ〜２０ｃとリードフレーム１０とを仮止部材４０にて仮止めする仮止工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを悪化させることなく、製造時間の短縮化を図ることができる磁気センサ、及び磁気センサの製造方法を提供する。
【解決手段】センサ実装工程において、センサリードフレーム２のセンサアイランド７にセンサチップ８を実装するとともに、該センサチップ８と各リード５とを電気的に接続する。また、マグネット実装工程において、マグネットフレーム３のマグネットアイランド１３にバイアスマグネット１４を実装する。そして、位置決め工程において、センサリードフレーム２をマグネットフレーム３に重合させることにより主枠体４と副枠体１１とを合致させ、マグネットアイランド１３をセンサアイランド７に位置決めする。その後、センサチップ８、センサアイランド７、各リード５の一部、バイアスマグネット１４、マグネットアイランド１３を絶縁モールド材料によって封止するパッケージ工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 放電モニタ要素を複数個配設したウェハ上に、部分的に厚さの異なる絶縁膜を堆積し、反応時刻を制限する放電モニタを提供する。
【解決手段】
本発明は、少なくとも２つ以上の電荷収集電極と両者をつなぐ低融点金属配線、および低融点金属配線を保護する第一の絶縁保護層から構成される放電モニタ要素が、複数並列に配置された放電モニタ基板において、放電モニタ要素を保護する第二の絶縁保護層を配置したことを特徴とする放電モニタに関する。 （もっと読む）

【課題】粗調整と微調整の２つの工程を要することなく、１つの工程によるトリミング作業により、高精度な抵抗値調整が可能なラダー抵抗の調整パターン構造及びこれを有する電子部品を提供する。
【解決手段】基板上に形成された第１及び第２の柱部と、第１及び第２の柱部の間に並列に形成された複数のラダー部と、を有し、第１の柱部の端部に設けられた第１の入出力部と、第２の柱部の端部と反対側の端部に設けられた第２の入出力部と、を有するラダー抵抗の調整パターン構造とする。 （もっと読む）

【課題】二進法データ「０」および「１」を表わす磁気トランジスタ回路を提供する。
【解決手段】経路選択線１３０と磁気トランジスタユニット１００とを備えた、「０」および「１」の二進数を表わす磁気トランジスタ回路を開示する。電流が経路選択線１３０を流れる方向については、第１の電流方向１３１ａまたは第２の電流方向１３２ａとすることができ、第１の電流方向１３１ａと第２の電流方向１３２ａとが逆向きとなるとともに、それぞれデータ「１」および「０」を表わしている。磁気トランジスタユニット１００の出力端１７０が経路選択線１３０に接続されており、磁気トランジスタユニット１００は経路選択線１３０における電流の向きを制御する。 （もっと読む）

【課題】磁気センサの検出精度の向上を図る。
【解決手段】第１の実装面と、この第１の実装面に対して相対的に傾斜した第２の実装面とを含むように成形された基板本体１１に、複数の回路パターン１５が形成された回路基板１０を備えている。この回路基板には、第１の実装面において、第１の検出軸方向における磁気成分を電気的に測定する第１の磁気検出素子２０が回路パターン１５を介して実装され、また、第２の実装面において、第２の検出軸方向における磁気成分を電気的に測定する第２の磁気検出素子２０が回路パターン１５を介して実装されている。 （もっと読む）

【課題】磁区壁移動を利用した記録装置を提供する。
【解決手段】磁区壁移動を利用したメモリ装置において、磁性物質からなり、磁壁を含み、第１方向に形成された書き込み用トラック６１と、第１トラック上に形成された中間層６２と、中間層上に第２方向に形成され、磁性物質からなり、磁壁を含む情報保存用トラック６３と、を備える磁区壁移動を利用したメモリ装置である。 （もっと読む）

【課題】高ＭＲ変化率が得られ、高密度化への対応が期待できる磁気抵抗効果素子、ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気ランダムアクセスメモリーを提供する。
【解決手段】磁化方向が固着された第１の磁性層と、磁化方向が固着された第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられた中間層と、前記第１の磁性層、前記中間層および前記第２の磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極とを有し、前記中間層が絶縁体領域とFe,Co,Ni,Crの少なくともひとつを含む金属領域からなり、前記金属領域は前記第１および第２の磁性層と接触するようにして磁気抵抗効果素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機材料のみを用いて室温において高い磁気抵抗率を示す磁気抵抗素子およびその製造方法、並びにその利用を提供する。
【解決手段】本発明にかかる磁気抵抗素子は、酸化還元が可能で電子スピンを有する分子が、基板上に配置されている。上記分子は、酸化還元が可能であるため、該磁気抵抗素子に電流が印加されると、上記分子間で電子伝達が起こる。また、上記分子は電子スピンを有するため、常磁性を有する。したがって、上記構成により、室温において高い磁気抵抗率を示す磁気抵抗素子を実現できる。 （もっと読む）

【課題】一様な外部磁界を除去すると共に、大電流の測定が可能な、小型かつ設置が容易である電流センサを提供する。
【解決手段】第１および第４の磁気抵抗効果素子と、第２および第３の磁気抵抗効果素子とを特定配置となして接続電流線で接続したブリッジ回路を具備したセンサ基板１２が形成されており、一方では一次導体９に少なくとも１つの開口部を形成し、該開口部を挟んで対向する一対の一次導体９箇所のそれぞれを分流導体１０ａ。１０ｂとなし、これら一対の分流導体１０ａ、１０ｂは、一方の分流導体１０ａの下面と、他方の分流導体１０ｂの上面とが空隙部１１をもって点対称的に配置された形態となされており、該空隙部１１にセンサ基板１２が配置されている構成となす。 （もっと読む）

本発明は、磁界生成素子１０１と、磁界生成素子１０１を通る電流の大きさを制限するリミッタ１０３と、を有する磁界生成装置に関する。
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【課題】ホール素子の素子オフセット電圧による影響を低減し、且つ、増幅器において生じる入力オフセット電圧による影響をも低減し得る磁気センサ回路の提供を目的とする。
【解決手段】本発明に係る磁気センサ回路は、ホール素子１０Ｘ、１０Ｙと、切替スイッチ回路２０Ｘ、２０Ｙと、増幅ユニット３０Ｘ、３０Ｙと、比較ユニット６０と、キャパシタ４１Ｘ、４２Ｘ、４１Ｙ、４２Ｙと、スイッチ回路５１、５２と、を有して成り、切替スイッチ２０Ｘ、２０Ｙを用いて、ホール素子１０Ｘ、１０Ｙで各々得られるホール電圧を第１状態、第２状態で切り替えて出力し、増幅ユニット３０Ｘ、３０Ｙをそれぞれ差動状態で動作させ、かつ、両者の出力差が設定されたヒステリシス幅よりも大きければ、検出信号Ｓｄｅｔの出力論理を変遷する構成とされている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造プロセスをシミュレーションすることで、デバイス製造のための最適のパラメータを決定するデバイス製造支援装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
製造プロセスを模擬するプロセスシミュレータで形状ばらつきを持った形状モデルを作成し、その結果をデバイスシミュレータに入力する。そして、デバイスの特性ばらつきを評価し、パラメータの最適値と許容範囲を推定し、そのパラメータで再度シミュレータを行なう。これを繰り返してパラメータの最適値と許容範囲を決定するデバイス製造支援装置である。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れ、かつ小型化、ローコスト化も容易な磁気デバイスを提供する。
【解決手段】磁気デバイス１０は、弾性体からなる第一基材１１と、この第一基材１１を挟むように配される磁場検出手段１２および磁場印加手段１３とを備えている。第一基材１１は、圧力変化によって伸縮可能な弾性体によって構成され、例えば一面１１ａ側に磁場検出手段１２が、他面１１ｂ側に磁場印加手段１３が配される。磁場検出手段１２は、磁場の変動によって抵抗値などが変化する磁気素子であればよい。また、磁場印加手段１３は、第一基材１１を介して磁場検出手段１２に対して磁場を印加する。 （もっと読む）

【課題】磁壁の移動を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】磁壁を移動させうる磁性物質膜を備える半導体装置であって、磁性物質膜は、ダンピング定数が０.０１５〜０.１であることを特徴とする半導体装置である。前記磁性物質膜は、磁性物質内に非磁性物質が含まれた合金である。前記非磁性物質は、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｂ、Ｚｎ及びＡｇからなる群から選択される少なくとも何れか一つである。 （もっと読む）

【課題】面内方向の磁場に対して等方性の高い応答を示し、かつスイッチ素子として利用可能な薄膜磁気抵抗素子を提供する。また、この素子を用いた実用的な薄膜磁気センサを提供する。
【解決手段】薄膜磁気抵抗素子については、絶縁基板１上に形成された内側軟磁性膜２、外側軟磁性膜３、薄膜磁気抵抗素子４及び必要な配線５を有し、内側軟磁性膜２の外縁部と外側軟磁性膜３の内縁部との間に形成された一定間隔の間隙６内に磁気抵抗効果膜４を形成するという構成にする。薄膜磁気センサについては、この薄膜磁気抵抗素子を可変抵抗とするブリッジ回路を組むという構成にする。外側軟磁性膜３には、半径方向に延びるスリット状の切欠部８を形成することもできる。 （もっと読む）

【課題】小型で、化学的、熱的、機械的に頑丈な磁気抵抗装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗装置（１）は、シリコンからなる細長いチャネル（２）を有している。チタンシリサイドを含む導体（６）は、チャネルの一側に沿ってチャネルに接続され、そしてリード（８_１、８_２、８_３、８_４、８_５、８_６）は、チャネルの対向側で前記チャネルに沿って接続され離隔されている。 （もっと読む）

【課題】温度オフセットが生じても正確な検出精度を維持することができる磁気検出装置を得ることを目的とする。
【解決手段】磁電変換素子を、磁性移動体の回転方向に、磁石の中心線に対し所定のピッチで対称的に配置された少なくとも６個のセグメントで構成し、このうち前記磁石中心に対し、前記磁性移動体の回転に伴う出力を発生する第１および第２のブリッジ回路を構成すると共に、前記磁性移動体の回転に伴う出力を発生する第３のブリッジ回路を構成した磁気検出装置において、前記第１および第２ブリッジ回路差動出力信号を波形整形する比較回路の比較レベルを、前記第３ブリッジ回路出力信号により調整することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】応力バランスを維持しつつ、各磁気抵抗素子における電気抵抗値の変化のばらつきを低減することのできるセンサ装置を提供すること。
【解決手段】基板１０上に、絶縁膜２０を介して磁気抵抗素子３１〜３８を２つのブリッジ回路を構成するかたちで形成した。この磁気抵抗素子３１〜３８を、さらにその各々が中心点ＣＰを中心にして点対称になるかたちで配置する。各磁気抵抗素子３１〜３８に接続される第１〜第３ボンディングパッドＰ１〜Ｐ３（開口部Ｈ１〜Ｈ３）を、左右方向及び上下方向の中心線Ｃ１，Ｃ２及び対角線Ｃ３，Ｃ４（全ての中心線）を対称軸として線対称に形成した。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、実装容積が小さく、かつ、直交する２軸方向の磁界成分を検出可能な磁界センサの提供である。
【解決手段】本発明は、互いに直交する第１座標軸及び第２座標軸方向に関し、磁極のつくる磁界の第１および第２座標軸の交点である原点における強さおよび向きの成分の少なくともいずれかを検知し、その検知結果を検知出力として電気的に出力する磁界センサであって、第１、第２及び第３のホール素子と、第１の磁気抵抗素子とを含む信号変換部を備え、第１、第２及び第３のホール素子は、磁界の強さおよび向きの第１座標軸方向成分を検知可能であり、第１の磁気抵抗素子は、磁界の強さの第２座標軸方向成分を検知可能であり、第１、第２及び第３のホール素子は、それらの主面が同一の平面に含まれるよう配置された磁界センサである。 （もっと読む）