磁気データを有する磁気作用シート製品から磁気データを読み取る方法。製品は一対の薄層状外部シート（131、132）と、これらの間で結合母材内に磁気作用可能な粒子を含む磁気層（130）を備える。データを読み取るために、薄膜の磁気抵抗センサを用いるが、センサの長軸に対して横切る方向にセンサの形状異方性を高める。
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本発明は、配向されたカーボンナノチューブアレイから形成される層を利用するスピントロニックデバイスと、該デバイスを含むエレクトロニックデバイス（スピンバルブやスピントンネルジャンクション、スピントランジスタ等）とに関する。スピントロニックデバイスは、底部電極と、第一の強磁性層と、ＣＮＴアレイと、第二の強磁性層と、上部電極とを含む。 （もっと読む）

強磁性体の磁化反転に必要な外部磁場をなくし、消費電力の省力化を図ることができる電流注入磁壁移動素子を提供する。
電流注入磁壁移動素子であって、反平行の磁化方向を持つ二つの磁性体（第１の磁性体１と第２の磁性体２）と、それらに挟まれた第３の磁性体３の微小接合を有し、この微小接合界面を横切るパルス電流（電流密度が、１０⁴−１０⁷Ａ／ｃｍ²）を流すことにより、このパルス電流と磁壁との相互作用により電流方向もしくは逆方向に磁壁を移動させ、素子の磁化方向を制御する。 （もっと読む）

希釈磁性半導体（ＤＭＳ）ナノワイヤを製作する方法について示した。この方法は、触媒がコーティングされた基板を提供するステップと、前記基板の少なくとも一部を、塩化物系蒸気搬送体を介して、半導体およびドーパントに暴露するステップと、を有し、ナノワイヤが合成される。この新しい塩化物系化学気相搬送処理方法を用いて、単結晶希釈磁性半導体ナノワイヤＧａ_１−ｘＭｎ_ｘＮ（ｘ＝０．０７）が合成される。ナノワイヤは、直径が〜１０ｎｍ乃至１００ｎｍであり、全長は最大数十μｍであり、キューリー点が室温を超える強磁性体であり、２５０Ｋ（ケルビン）まで磁気抵抗を示す。
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磁気記憶素子と磁界発生部とを具備する半導体記憶装置を用いる。磁気記憶素子は、自発磁化の磁化方向に対応させてデータを記憶する。磁界発生部は、磁気記憶素子へのデータ書き込み動作において、磁気記憶素子の近傍に、第１方向の第１磁界を発生した後、記憶されるデータに対応する磁化方向にその自発磁化を向かせるようにその第１方向とは異なる第２方向の第２磁界を発生する。 （もっと読む）