【課題】複数の磁気抵抗素子の温度を均一にできる構造の磁気センサを実現する。
【解決手段】基板１１上には、磁気抵抗素子ＭＲ１を構成する感磁部１２１〜１２４と、磁気抵抗素子ＭＲ２を構成する感磁部１３１〜１３４とが形成されている。感磁部１２１〜１２４，１３１〜１３４は長尺状の半導体膜により形成されており、さらに感磁部１２１〜１２４の半導体膜上には導電性材料からなる短絡電極が長尺方向に沿って所定間隔で形成されている。感磁部１２１〜１２４，１３１〜１３４は、それぞれの長尺方向が平行に並び且つ近接するように形成される。この際、感磁部１２１〜１２４，１３１〜１３４は、磁気抵抗素子ＭＲ２の感磁部１３１，１３２、磁気抵抗素子ＭＲ１の感磁部１２１，１２２、磁気抵抗素子ＭＲ２の感磁部１３３，１３４、磁気抵抗素子ＭＲ１の感磁部１２３，１２４の順に配列されるように、形成される。 （もっと読む）

【課題】被検出体に複数の帯磁部が配列して備えられても、それぞれの帯磁部に応じて単純な波形が出力されるようにし、各帯磁部を正確に検出できる磁気センサ装置を実現する。
【解決手段】磁気センサ装置１は、磁気検出部１０と差動増幅回路１００とを備える。磁気検出部１０は、磁気抵抗素子ＭＲ１，Ｒ１の直列回路と磁気抵抗素子Ｒ２，ＭＲ２の直列回路とが、並列接続されてなり、磁気抵抗素子ＭＲ１，Ｒ１によって出力電圧信号Ｖｏｕｔ−Ａを生成し、磁気抵抗素子Ｒ２，ＭＲ２によって出力電圧信号Ｖｏｕｔ−Ｂを生成する。出力電圧信号Ｖｏｕｔ−Ａと出力電圧信号Ｖｏｕｔ−Ｂとが差動増幅回路１００により差動増幅されることで、帯磁部の検出信号である出力電圧信号Ｖｏｕｔ−Ｃが得られる。ここで、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２，Ｒ１，Ｒ２を構成する複数の感磁部は、帯磁部を備える被検出体の搬送方向に垂直な方向へ配列して設置される。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積が小さな半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】このＭＲＡＭでは、選択された１本のディジット線ＤＬに磁化電流を流して８個（または２４８個）のメモリセルＭＣの磁気抵抗素子５を半選択状態にし、８個（または２４８個）のメモリセルＭＣの磁気抵抗素子５の全てにデータ信号ＤＩを並列に書込む。したがって、磁気抵抗素子５の記憶データが誤反転することがないので、ディジット線ＤＬに大きな磁化電流を流すことができ、磁気抵抗素子５およびトランジスタ６に流す電流を小さくすることができる。よって、トランジスタ６のチャネル幅を小さくしてメモリセルＭＣのレイアウト面積を縮小化できる。 （もっと読む）

【課題】電子移動度の低下を最小限に抑えつつ、抵抗の温度依存性を低減させ、さらに薄膜製作の再現性や制御性に優れた、ｎ型ドーパントとしてＳｎを含むＩｎＳｂ薄膜を用いた半導体薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に直接的にまたは有機物接着層もしくはバッファ層を介して間接的に積層されたＩｎＳｂを含む化合物半導体薄膜層からなる動作層中もしくは該動作層に隣接したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をＭＢＥ法により形成する際に、ドーパントとしてＳｎを、基板温度３８０℃〜４００℃の範囲、ＳｎのＫセル温度５００℃以上かつ１０００℃以下の範囲でドーピングする。 （もっと読む）

【課題】主磁極を従来よりも微細にすることができる磁性材料の加工方法を提供する。
【解決手段】基板１の上方に、磁性材料を有する磁性体層３１を形成し、磁性体層３１の上に、塩化された状態での沸点が磁性材料の塩化物の沸点に比べて高い金属を含むマスク３５を形成し、塩素系ガスとの化学反応を含むドライエッチング法によりマスク３５から露出している領域の磁性体層３１をエッチングする工程により、磁気ヘッドの磁極を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造によって、熱が外部に逃げることなく、処理すべき素子を効果的且つ速やかに加熱、冷却でき、磁場に対して選択的に所定の方向で正確に位置決めでき、素子を簡単に交換可能とする。
【解決手段】マグネット２と、マグネット２により発生する磁場内に置かれた真空槽３と、真空槽３内に設けられたラジエーションシールド４と、ラジエーションシールド４で囲まれた空間内に設けられたヒータ５と、ヒータ５の内側に設けられた冷却手段と、冷却手段で囲まれた空間に配置され、処理すべき素子１９を支持するサンプルホルダー７を載置する載置台２０とを備えており、ヒータ５で素子１９をキューリー点以上に加熱して素子１９の磁化を消滅させてから、磁場をかけながら冷却手段で素子１９を降温することにより素子１９の磁化方向を揃える。 （もっと読む）

【課題】検出対象が動作していないシステムスタート時でも確実に故障診断を行なうことができる磁気センサデバイスを提供する。
【解決手段】印加される磁界の方向に応じて抵抗値が変化する複数のＭＲ素子をブリッジ状に接続し、抵抗値の変化に応じた検出信号を出力する検出回路１０と、検出信号を増幅して出力する増幅回路２０と、増幅回路２０の入力端子に外部から所定の電圧を印加し、増幅回路２０の出力を検出することにより正常に動作していることを診断するダイアグ端子を備えたダイアグ回路とを有する構成とする。ダイアグ端子（ＤＩＡＧ１、ＤＩＡＧ２）へ所定の電圧印加を行なうことで、磁気センサデバイス１の出力信号Ｖout1、Ｖout２に基づいて故障しているかどうかの判断を行なう。 （もっと読む）

【課題】研磨加工時に基板の表面に研磨くず等の残渣が残留することを抑え、シールド層を的確に形成する。
【解決手段】磁気抵抗効果膜層１３ａをエッチングし、リード素子１３を形成するとともにハードバイアス膜１５を形成するための凹部を形成する工程と、基板の表面に磁性層１５ａを成膜する工程と、該磁性層のリード素子１３の表面と前記凹部に被着した領域をレジスト２０により被覆する工程と、該レジスト２０をマスクとして不要な磁性層１５ａを除去した後、研磨加工を施してリード素子１３およびハードバイアス膜１５を形成する工程とを備え、前記磁性層１５ａをレジスト２０により被覆する工程においては、該レジスト２０をマスクとして前記磁性層１５ａを除去することにより、前記凹部の内縁に沿って溝２２を形成し、前記研磨加工の際に研磨くず等の残渣Ｅを該溝２２内に堆積させて研磨加工する。 （もっと読む）

本発明の３層磁気素子は、基板上に、水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第１の層Ｏを含み、その上に金属磁気層Ｍが設けられ、金属磁気層Ｍの上に水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第２の層Ｏ’、あるいは非強磁性体金属層Ｍ’が設けられる。層Ｍは連続しており、１〜５ｎｍの厚さを有し、その磁化は、層ＯおよびＯ’が無い状態で層面に平行である。室温以上のある温度範囲で、層Ｍの実際の消磁磁界を低減できる、あるいは層Ｍの磁化を層面に対しほぼ垂直に向けることができる、界面Ｏ／ＭおよびＭ／Ｏ’の層面に垂直な界面磁気等方性がある。
（もっと読む）

【課題】磁場センサまたはハードディスク内の読取ヘッドとして使用する磁気抵抗素子を得る。
【解決手段】磁気抵抗素子は第１および第２の端間を第１の方向に延び、シリコン等の非強磁性半導電性材料を含むチャネル（８）と、チャネルに接続されそれに沿って間隔がとられている複数のリード（１２_１、１２_２、１２_３、１２_４）と、チャネル内に反転層（２５）を形成するように第１の方向に実質的に直角な第２の方向へ電場をチャネルに印加するゲート構造（１３）と、チャネルの縁が面に沿って走るように構成された第１および第２の方向に実質的に直角である面（５）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】磁気検出素子を回路基板に実装に要するコストが削減され、しかも同磁気検出素子による検出精度が向上する複合スイッチレバー装置を提供すること。
【解決手段】互いに交差する２つの傾動方向Ｘ，Ｙ及び軸線ａｘ周りの回転方向Ｒａに操作されるとともに、２つの傾動方向Ｘ，Ｙに各々沿う操作位置を検出させる第１磁石２１と、回転方向Ｒａに沿う操作位置を検出させる第２磁石２２とを複合スイッチレバー装置の操作レバー１に設けた。複合スイッチレバー装置は、２つの傾動方向Ｘ，Ｙ及び回転方向に沿う操作位置を、それぞれ第１磁石２１及び第２磁石２２から発生する磁界に基づいて検出する４つのＧＭＲセンサｇ１〜ｇ４及びＭＲＥセンサｍが配設された回路基板１７を有する磁気検出部１ａを具備する。４つのＧＭＲセンサｇ１〜ｇ４とＭＲＥセンサｍとは、回路基板１７にスタック型半導体パッケージ１０の形態で実装されている。 （もっと読む）

【課題】磁場センサまたはハードディスク内の読取ヘッドとして使用する磁気抵抗素子を得る。
【解決手段】異常磁気抵抗（ＥＭＲ）効果を示すことができる素子はシリコンにより形成された細長チャネル（２）を含んでいる。高濃度ドープ・シリコンにより構成される導体（６）が分流器を提供するようにチャネルの一方側（５）に沿ってチャネルに接続されている。ゲート電極（１３）を含むゲート構成（１２）がチャネル上に設けられる。適切な極性と十分な大きさのバイアスをゲート電極に与えるとチャネル内に反転層が形成される。 （もっと読む）

【課題】１つのセンサエレメントの故障に対する冗長性及び入力操作位置の検出信頼性を確保しつつ小型化が可能な操作位置検出装置を提供する。
【解決手段】操作位置検出装置は、それらから出力される二値化信号の組み合わせが、ハミング符号に準拠したものとなるように設けられた複数の磁気抵抗素子３１〜３７を備えている。操作位置検出装置は、複数の磁気抵抗素子３１〜３７の検知面に作用する磁界の方向に応じて出力される二値化信号の組み合わせに基づいて、該二値化信号の組み合わせの誤り信号位置を特定し、この特定された信号位置の二値化信号を訂正する。 （もっと読む）

【課題】熱圧着及び超音波ボンディングいずれの接合手法を採用した場合であっても、磁気抵抗素子の外部電極と外部端子の接合端部との間における充分な接合強度を確保することができる接合構造とされた磁気センサを提供する。
【解決手段】本発明にかかる磁気センサは、磁気抵抗素子１と、該磁気抵抗素子１の外部電極６に接合される接合端部７を有する外部端子２とからなるものであり、前記接合端部７は、スリット１１を介して複数の接合片１２に分岐させられたうえで前記外部電極６と接合されている。また、この際、スリット１１を介して複数の接合片１２に分岐させられた構造に代え、外部端子２の接合端部７を、複数の開口部１３が形成されたものとしてもよい。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子のような微小な電流を流すだけで簡単に損傷してしまう微細な素子の抵抗特性等を評価する際に、素子を損傷させることなく、的確に特性を評価することができる微細素子の評価方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する微細素子１０に電流を印加して微細素子の特性を評価する方法において、前記微細素子１０をレジスト１４により被覆する工程と、前記レジスト１４が被覆された微細素子１０に電流を印加し微細素子の特性を評価する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来の巨大磁気抵抗効果とは異なる非可逆性をもつ磁気抵抗特性を利用して従来の半導体および磁気デバイスに代わって利用可能な材料を作製することを目的とする。
【解決手段】
非可逆性をもつ磁気抵抗特性を利用するため、Ｃｏ／Ｃｕ／ＮｂＴｉ／Ｃｕ磁性多層膜を作成し、この多層膜に外部磁界を印加する。これによってシリコン基盤と酸化膜を使用せず図７のような非可逆的な磁気抵抗特性を得ることが出来るため、０と１に依らないビットの検出が可能になる。 （もっと読む）

【課題】静電気等による帯電から回路素子を保護し、回路素子の特性不良を防止できると共に、安価に製造することのできるセンサチップを提供する。
【解決手段】センサ素子３１と該センサ素子３１の制御回路３２とが同じ半導体基板１０に形成されてなるセンサチップ１００であって、制御回路３２が、半導体基板１０においてＰＮ接合分離された複数の回路素子３２ａ，３２ｂを有してなり、複数の回路素子３２ａ，３２ｂのうち、少なくとも１個の回路素子上に、該回路素子を取り囲む導電膜２１，２２が形成され、該導電膜２１，２２が、所定の電位Ｖ１，Ｖ２に固定されてなるセンサチップ１００とする。 （もっと読む）

【課題】３００℃以上の高温域において従来のものよりも良好に動作する磁気センサを提供する。
【解決手段】ＧａＮからなり室温での電子濃度が１×１０¹⁶／ｃｍ³以下である第１層２ａと、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦０．３）からなる第２層２ｂとを積層することで、ヘテロ接合界面を有する動作層２を形成する。これにより、二次元電子ガス領域２ｇにおけるキャリア移動度はより高められるとともに、キャリア濃度がより低減される。その結果、室温においては定電流駆動および定電圧駆動の双方で高い測定感度を有するとともに、高温でも定電流駆動によって室温と同程度の測定感度で使用できるホール素子が実現される。 （もっと読む）

【課題】温度特性が良好でかつ高感度で動作する磁気センサを提供する。
【解決手段】所定の基板の上にＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とのヘテロ接合構造を有する動作層を備える磁気センサにおいて、基板を、表面がｍ面もしくはａ面であるＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＺｎＯ、α−ＳｉＣから選ばれる六方晶材料の単結晶基板、表面がａ面であるγ-ＬｉＡｌＯ₂単結晶基板、あるいは表面がｒ面であるサファイア単結晶基板のいずれかから選択し、動作層を、結晶構造がウルツ鉱型構造であるとともにｃ軸が基板の表面に対して略平行であるように形成する。ＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とのヘテロ接合界面近傍に蓄えられる二次元電子ガスの濃度が好適に抑制されることによって、室温から高温まで略同一の高い測定感度で動作する磁気センサが実現される。 （もっと読む）

【課題】 外部からの水の浸入を防ぐことができ、さらに外部の温度変化に起因するセンサユニット内部の熱歪みによるセンサおよび周辺回路への水の浸入を防止し、製品の信頼性が高く、かつ製作コストの低減を図ることができるセンサユニットを提供する。
【解決手段】 表面張力を小さくする被膜ｆｍを、センサアッシ２の各部に形成しておき、絶縁性を有する液体ＬＱを被膜ｆｍを介して隙間等に含浸させてなる。 （もっと読む）