【課題】小さく軽量で厚みの薄い形状の入力デバイスには用いることができる磁気センサモジュール用加飾成形品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁気センサモジュール用加飾成形品１００は、上面中央部に入力媒体１０の入力パネルとしての役割をする透明基材７と、透明基材７の側面付近に位置し入力媒体１０に組み込まれた磁石１２の磁界の強さを検知する磁気センサ１６を設置するためのスペース２００とが形成される。そして入力媒体１０が接触される上面中央部は透明な窓部になっており、その上面外枠部に加飾層１１０が形成され、加飾層１１０は磁気センサ１６を覆い隠す。 （もっと読む）

【課題】複数の検出信号を用いて磁気検出を行う場合であってもギャップによる検出精度のバラツキを抑制できる磁気センサおよび磁気検出方法を実現する。
【解決手段】磁気検出部１０は、磁気抵抗素子ＭＲ１と抵抗素子Ｒ１とからなる第１直列回路１０１と、磁気抵抗素子ＭＲ２と抵抗素子Ｒ２とからなる第２直列回路１０２とを備える。第１直列回路１０１は、磁気抵抗素子ＭＲ１による通過磁束密度の変化に応じた第１磁気検出信号Ｖｏｕｔ１を出力し、第２直列回路１０２は、磁気抵抗素子ＭＲ２による通過磁束密度の変化に応じた第２磁気検出信号Ｖｏｕｔ２を出力する。Ａ／Ｄコンバータ２０は、第１、第２磁気検出信号Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２をＡ／Ｄ変換して、演算部３０へ出力する。演算部３０は、第１磁気検出信号Ｖｏｕｔ１を第２磁気検出信号Ｖｏｕｔ２で除算することで、センサ検出信号ＶｏｕｔＳを出力する。 （もっと読む）

【課題】小型の磁電変換素子に対する磁束の収束効率を向上させることができる磁気検出装置、及びこれを用いた地磁気センサを提供する。
【解決手段】平板状の基板と、前記基板の一方面からその厚み方向に形成された凹部と、前記凹部内表面に形成された第１の磁性膜と、前記基板の一方面に対向する対向面に形成された第２の磁性膜と、前記第１及び第２の磁性膜の間に形成された磁電変換素子とを有する磁気検出装置であって、前記凹部は、その周壁が前記基板の一方面に対し垂直に形成され、前記凹部の底面部は、前記対向面と対向する平坦部と、前記平坦部から前記周壁部に向かうに従って大径となる傾斜部分とを有し、前記磁電変換素子の感度領域は、前記底面部と前記第２の磁性膜との間に形成した。 （もっと読む）

【課題】オフセット電圧の補正を使用時の状況に応じて設定する必要が無く、且つ十分な電圧レベルの検出信号を得ることができる磁気センサを実現する。
【解決手段】磁界変化検出部１０は、磁気抵抗素子ＭＲ１と抵抗素子Ｒ１との直列回路からなり、被検出体の搬送による磁気抵抗素子ＭＲ１の通過磁束密度の変化に応じた磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψを出力する。積分部２０は、磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψを積分処理してなる積分信号ＶｏｕｔＩを生成する。ここで、磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψは定電圧となるオフセット成分と磁界の変化に応じた有効変動成分とからなり、有効変動成分は極短い期間で発生するので、積分信号ＶｏｕｔＩは、磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψのオフセット成分に相当する。差動増幅部３０は、磁界変化検出信号Ｖｏｕｔψと積分信号ＶｏｕｔＩとを差増増幅することで、オフセット成分の除去されたセンサ検出信号Ｖｏｕｔを出力する。 （もっと読む）

【課題】小型の磁気センサをウエハ状態で検査するときに磁気センサとコイルとの相対的な位置合わせを容易にし、かつ高精度な検査を実現可能にする。
【解決手段】１つの基板１１の主面１１ａ上に、少なくとも１つの磁気センサ素子１２と、該磁気センサ素子１２の周辺に少なくとも１つのコイル素子１３とが形成され、それぞれの磁気センサ素子１２およびコイル素子１３には電極パッド１２ｂ，１３ｂが設けられてなる磁気センサウエハ１０における磁気センサ素子の検査方法であって、検査対象の磁気センサ素子１２Ｔの電極パッド１２ｂに測定用の針３を立てるとともに、検査対象の磁気センサ素子１２Ｔの周辺のコイル素子１３Ａ，１３Ｂの電極パッド１３ｂに通電用の針４Ａ，４Ｂを立てた後、通電用の針４Ａ，４Ｂからコイル素子１３Ａ，１３Ｂへ通電することによって、検査対象の磁気センサ素子１２Ｔに検査用の磁界Ｍ_Ｔを印加する。 （もっと読む）

磁気抵抗センサの二重変調は、前記センサに加えられた励起（例えば電圧または電流）と、前記センサに加えられたティックリング（tickling）磁界との両方の変調を含む。前記励起及び磁界は、各々、互いに異なる周波数ｆ_ｃ及びｆ_ｆに変調される。この二重変調の結果、センサ出力スペクトラルは、周波数ｆ_ｃのキャリアトーン（ＣＴ）と、周波数ｆ_ｃ±ｆ_ｆのサイドトーン（ＳＴ）とを含む。ＣＴ振幅とＳＴ振幅とのベースライン関係を求める（例えば、サンプルの非存在下におけるドリフト発生時のＣＴ振幅及びＳＴ振幅を測定することによって求める）。センサの作動中は、生のＳＴ測定値を、それに対応する生のＣＴ測定値を用いて修正し、修正されたＳＴ測定値をセンサ出力として提供する。 （もっと読む）

【課題】磁界検出に使用できる垂直交換バイアス・デバイスの提供。
【解決手段】垂直交換バイアス・デバイス１０が、基板１２の表面上のバッファ材料層１４と、バッファ材料層表面上の強磁性材料層１８と、強磁性材料層表面上の反強磁性材料層２２とを含み、前記強磁性材料層の磁化が強磁性材料層の面に対し垂直方向に向けられている。また垂直交換バイアス・デバイスを作製する方法は、基板表面上にバッファ材料層を形成する段階と、バッファ材料層表面上に強磁性材料層を形成する段階と、強磁性材料層表面上に反強磁性材料層を形成する段階とを含み、しかも強磁性材料層の磁化は強磁性材料層の面に対して垂直方向に向けられている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡素な工程を用い、且つ製造時の不良を低減することができる磁気センサの製造方法を提供する。
【解決手段】まず、樹脂ケース１０のピン端子挿入用貫通孔１６０に各ピン端子１３を装着する（Ｓ１０１）。次に、樹脂ケース１０の素子装着凹部１０１に磁気抵抗素子１１を設置し、リード端子１２が配列形成されたリードフレーム２０１を樹脂ケース１０の天面１１０側に配置する（Ｓ１０２→Ｓ１０３）。リード端子１２とピン端子１３とを熱圧着により接合する（Ｓ１０４）。樹脂ケース１０の切断用溝１２０に沿ってリード端子１２をリードフレーム２０１から切り離す（Ｓ１０５）。リード端子１２と磁気抵抗素子１１とを熱圧着により接合する（Ｓ１０６）。樹脂ケース１０にカバー１５を装着する（Ｓ１０７）。 （もっと読む）

【課題】磁性構造体、磁性構造体の形成方法、磁性構造体を含む情報記録装置、及びその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】基板に平行な第１方向に延びた第１部分と、第１部分の両端から第１方向に垂直な第２方向に延びた第２部分と、を備え、相互逆方向に磁化した二つの磁区及びそれらの間に磁壁を有する情報記録用磁性構造体である。情報記録用磁性構造体は、Ｕ字型または逆Ｕ字型である。磁壁は、第１部分内に位置する。情報記録用磁性構造体は、垂直磁気異方性を有する。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗を低減するのに適し且つ大きなＭＲ比を得るのに適した磁気検出素子、および、そのような磁気検出素子を備える磁気再生装置を提供する。
【解決手段】本発明の磁気検出素子Ｘ１は、ハーフメタルよりなり且つ相互に離隔する一対の電極１Ａ，１Ｂと、強磁性ハーフメタルよりなり且つ磁化反転可能な低抵抗層２と、一対の電極１Ａ，１Ｂおよび低抵抗層２の間に位置し且つ導体よりなって低抵抗層２よりも高抵抗である高抵抗層３とを備える。本発明の磁気再生装置は、磁気記録媒体と、当該磁気記録媒体からの信号磁界を読み取るための磁気検出素子Ｘ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造および製造方法を用いて、中点電圧偏差を小さくするとともに中点電圧の温度特性を良好にできる磁気検出回路素子を実現する。
【解決手段】半絶縁性基板１１上には、半導体膜１３Ａを有する磁気抵抗素子ＭＲ１と半導体膜１３Ｂを有する磁気抵抗素子ＭＲ２とが長尺状に形成されるとともに、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６が形成される。グランド接続用電極１５は半導体膜１３Ｂと接続電極１７Ｂを介して接続され、出力電圧用電極１６は半導体膜１３Ａ，１３Ｂと接続電極１７Ｃを介して接続される。接続電極１７Ｂには補正用電極１８１が接続され、接続電極１７Ｃには補正用電極１８２が接続される。補正用電極１８１，１８２は、互いの先端間に生じるリーク抵抗Ｒｃ１が、グランド接続用電極１５と出力電圧用電極１６との間のリーク抵抗による中点電圧偏差を抑制する抵抗値となるように形成される。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造および製造方法を用いて、中点電圧偏差を小さくするとともに中点電圧の温度特性を良好にすることができる磁気検出回路素子を実現する。
【解決手段】半絶縁性基板１１上には、半導体膜１３Ａを有する磁気抵抗素子ＭＲ１と半導体膜１３Ｂを有する磁気抵抗素子ＭＲ２とが長尺状に形成されるとともに、入力電圧用電極１４、グランド接続用電極１５、出力電圧用電極１６が形成されている。隣接する入力電圧用電極１４とグランド接続用電極１５との間には、補正用電極１６’が形成されている。補正用電極１６’は、半絶縁性基板１１の磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２形成面上とは異なる領域で出力電圧用電極１６に接続する。この際、補正用電極１６’を、当該補正用電極１６’が形成されていない時に発生するリーク電流を、補正用電極１６’の形成により新たに発生するリーク電流で相殺するような設置位置および大きさに設定する。 （もっと読む）

【課題】真空用エンコーダセンサにおいて、ベーキングにより高い真空度を得ることができるようにする。
【解決手段】リード端子１４を接続された磁気抵抗効果素子１１と永久磁石１５とをセンサケース１７内に封止樹脂１６で固定された真空用エンコーダセンサにおいて、（１）センサケース１７と封止樹脂１６との境界部、（２）リード端子１４と封止樹脂１６との境界部のうちの少なくともいずれか一方に鉛筆硬度が３Ｈ以下の緩衝樹脂層１を備えるようにした。 （もっと読む）

【課題】光センサと磁気センサの両方を用いる場合の省スペース化。
【解決手段】集積回路内に、磁気検出素子と、印加された磁界に応じて前記磁気検出素子で得られる電圧信号を取り出して磁気検出信号を得る磁気検出信号処理部と、を備える磁気センサ部と、光検出素子と、照射された光量に応じて該光検出素子で得られる電流信号を取り出して光検出信号を得る光検出信号処理部と、を備える光センサ部と、を設け、磁気検出素子と、光検出素子とは、共通の半導体基板に形成し、光磁気一体型センサとする。半導体基板のｐ導電型領域の上にｎ導電型領域を形成し、ｎ導電型領域を磁気検出素子として用い、かつｐ導電型領域とｎ導電型領域とのｐｎ接合を光検出素子として用いれば、単一のセンサ素子を光検出素子、磁気検出素子として利用することもできる。 （もっと読む）

【課題】従来と同様のホール素子を使用しつつ、検出距離を増大させることができる磁気検出装置を提供すること。
【解決手段】磁気検出装置１は、ホール素子２０と、このホール素子２０における磁気検出側に配置された集磁体３０とを備える。集磁体３０においてホール素子２０に対向する第１面３１の面積を、集磁体３０において第１面３１と反対側に位置する第２面３２の面積に対して小さくした。 （もっと読む）

【課題】安定した磁壁の移動を可能とし、確実に情報の書き込み、保持、読み出しを行い得る磁壁移動型の磁気メモリから成る情報記憶素子を提供する。
【解決手段】情報記憶素子は、帯状の強磁性材料層１１１を備えており、強磁性材料層１１１の一端には第１電極１２１、他端には第２電極１２２が設けられており、第１電極１２１と第２電極１２２との間に電流を流すことで電流誘起磁壁移動が生じ、強磁性材料層１１１において、磁化領域に磁化状態が情報として書き込まれ、若しくは、磁化状態が情報として読み出され、強磁性材料層１１１の少なくとも一部に接して、反強磁性材料から成る反強磁性領域１３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】特性劣化が小さい半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子は、基板上に形成されたメサ構造を有する化合物半導体膜１と、化合物半導体膜１上に形成された短絡電極２と、外部との電気的接続を行うための取り出し電極３とを備える。短絡電極２および取り出し電極３は、化合物半導体膜１のメサ部分に接合する。取り出し電極３と化合物半導体膜１のメサ構造の長辺端部との接合面は、（１１１）面、（１−１−１）面、（−１１−１）面、および（−１−１１）面に平行な面のうち、少なくとも１つの面に対して−１５°〜＋１５°の範囲であり、（１１−１）面、（１−１１）面、（−１１１）面、および（−１−１−１）面に平行な面に対して−１５°〜＋１５°の範囲では、接合部が無いように形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果に基づくハードディスクドライブのための読み取り／書き込みヘッドにおける現行の読み取り要素におけるスピントルクおよび熱誘導磁気ノイズに起因する問題を解消すること。
【解決手段】電界を検出するためのデバイスは、第１、第２および第３のリード線と、これらリード線の間に接合部とを備え、接合部とリード線とは１つの平面内に配置されており、接合部は平面に垂直な方向に量子閉じ込めを行うようになっており、第１のリード線は接合部の一方の側に配置され、第２および第３のリード線は接合部の反対側に配置されており、第１のリード線は接合部に進入する電荷キャリアの回転角方向の分布を制限するようになっており、よって電荷キャリアが第１のリード線から接合部に流入するときに、電荷キャリアは実質的に非発散ビームとして前記第１のリード線から現れる。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積が小さな半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】このＭＲＡＭでは、メモリブロックＭＢ１用のＤＬドライバ１０をトランジスタ２０，２１で構成し、メモリブロックＭＢ２内のアクセストランジスタ１９のサイズを適正化し、空いた領域にドライバトランジスタ２１を配置する。また、メモリブロックＭＢ２用のＤＬドライバ１４をトランジスタ２２，２３で構成し、メモリブロックＭＢ１内のアクセストランジスタ１９のサイズを適正化し、空いた領域にドライバトランジスタ２３を配置する。したがって、レイアウト面積が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 フッ化物からなる絶縁マトリックスに分散したｎｍサイズの磁性グラニュール合金と、不可避的不純物とからなり、室温で５％以上の磁気抵抗比を示し、且つ１×１０⁴μΩcm以上の電気抵抗率を有する磁気抵抗膜の耐熱性を高める。
【解決手段】 組成が一般式Ｆｅ_aＣｏ_bＮｉ_cＳｉ_xＭ_yＦ_zで表わされ、ＭはＭｇ，Ａｌ,Ｃａ,Ｓｒ,Ｂａ及びＧｄのうちから選択される１種又は２種以上の元素であり、かつ組成比ａ,ｂ,ｃ,ｘ,ｙ,ｚは原子比率で、０≦ａ≦６０，０≦ｂ≦６０，０≦ｃ≦６０，２０≦ａ+ｂ+ｃ≦６０,０＜ｘ＜１０,９≦ｙ≦４０，１５≦ｚ≦５０，３０≦ｙ+ｚ≦７０で表わされる磁気抵抗膜。 （もっと読む）