【課題】平面に適用された磁場を測定する方法を提供する。
【解決手段】第１の交流ドライブ電流を第１のストラップに適用し、第１のストラップの少なくとも一部が、磁気抵抗センサの上に横たわり、第１のストラップが、第１の方向Ｘに延びる大きさを有することを特徴とし、第２の交流ドライブ電流を第２のストラップに同時に適用し、第２のストラップの少なくとも一部が第１のストラップの少なくとも一部の上に横たわり、第２のストラップが第２の方向Ｙに延びる大きさを有し、第２の方向が、第１の方向と並行ではなく、第２の交流ドライブ電流が、第１の交流ドライブ電流と位相が異なり、磁気抵抗センサが、磁気抵抗センサの平面で回転する周期的回転磁気ドライブ磁場に影響を受けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水分透過量が小さいＳｉ系絶縁膜が回路表面に形成されており、Ｓｉ系絶縁膜の密着性及び耐クラック性に優れた薄膜磁気センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の工程を備えた薄膜磁気センサの製造方法及びこの方法により得られる薄膜磁気センサ。（１）基板表面に薄膜ヨーク、ＧＭＲ膜、電極及び配線を備えた素子部を形成する素子部形成工程。（２）少なくとも電極の表面の全部又は一部を含む領域（薄膜ヨーク、ＧＭＲ膜及び配線の表面を除く）にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程。（３）基板の表面にＡｌ₂Ｏ₃膜を形成するＡｌ₂Ｏ₃膜形成工程。（４）Ａｌ₂Ｏ₃膜の表面に、Ｃａｔ−ＣＶＤ法を用いてＳｉ系絶縁膜を形成するＳｉ系絶縁膜形成工程。（５）フォトレジスト膜、並びに、フォトレジスト膜の上に形成された余分なＡｌ₂Ｏ₃膜及びＳｉ系絶縁膜を除去する除去工程。 （もっと読む）

【課題】 動作点の変動と抵抗値比のばらつきを抑制することができると共に、温度特性を改善した磁気センサを提供する。
【解決手段】 磁気センサ１は、センサ回路部２を備える。このセンサ回路部２は、第１および第３の磁気抵抗素子Ｒ1，Ｒ3を直列接続した第１の直列回路６と、第２および第４の磁気抵抗素子Ｒ2，Ｒ4を直列接続した第２の直列回路７とを備え、第１の直列回路６と第２の直列回路７とを並列接続したブリッジ回路５によって構成される。第１ないし第４の磁気抵抗素子Ｒ1〜Ｒ4の表面は絶縁膜１２によって覆われる。また、第３の磁気抵抗素子Ｒ3および第４の磁気抵抗素子Ｒ4の表面には、絶縁膜１２を挟んで磁性材料からなる磁束集磁膜１３が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小型化に優れると共に高精度な電気抵抗の調整が可能である磁気検出装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第一の短絡層４１と第二の短絡層４２とを、それぞれ第一の磁気抵抗効果素子層１１と第一の抵抗素子層２１とにのみ導通させ且つ一体に積層させて短絡することで、第一の磁気抵抗効果素子層１１と第一の抵抗素子層２１との電気抵抗を調整する。 （もっと読む）

【課題】 特に、軟磁性体と磁気抵抗効果素子間でオフセットが生じても、外乱感度を小さくすることができる磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 軟磁性体３のＹ１側部側に位置し、感度軸方向Ｐ１がＹ２、Ｙ１からの水平磁界成分を受ける第１磁気抵抗効果素子Ｓ１と、軟磁性体のＹ２側部側に位置し、感度軸方向Ｐ２はＹ１、Ｙ２からの水平磁界成分を受ける第２の磁気抵抗効果素子Ｓ２と、軟磁性体のＹ２側部側に位置し、感度軸方向がＹ２、Ｙ２からの水平磁界成分を受ける第３磁気抵抗効果素子Ｓ３、軟磁性体のＹ１側部側に位置し、感度軸方向がＹ１、Ｙ１からの水平磁界成分を受ける第４磁気抵抗効果素子Ｓ４と備える。Ｓ１とＳ２とが直列接続されたＡ素子群と、Ｓ３とＳ４とが直列接続されたＢ素子群が構成される。Ａ素子群とＢ素子群とが直列接続されるとともに、Ａ素子群とＢ素子群の間に出力端子が設けられる。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ素子の消費電力を低減する。
【解決手段】ＭＲ素子１０は、基板１１と、基板１１上に設けられたＭＲ膜１２とを備えている。ＭＲ膜１２は、ジグザグ状に折れ曲がる直線１２ａが更に多重にジグザグ状に折れ曲がる形状１２ｂを有する。直線１２ａは、複数の形状部１２１，１２２，１２３を形成している。それぞれの形状部１２１，１２２，１２３は、互いに平行な複数の長方形１２ｃがジグザグ状に直列に接続された形状を有し、かつジグザグ状に互いに直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 強磁場耐性を向上させた磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 素子連設体１７，１８，５２，５３を備える。各素子連設体では、素子部へ供給されるバイアス磁界Ｂ１，Ｂ２の方向が、隣り合う素子部で逆向きとなるように各バイアス層が配置されるとともに、平面視にて前記軟磁性体と重なり面積の大きい前記バイアス層を両側に配置した前記素子部と、前記重なり面積がゼロの前記バイアス層を両側に配置した前記素子部とが並んでいる。Ｐ１，Ｐ２は感度軸方向である。第１の素子連設体１７と第２の素子連設体１８とが直列に接続された磁気抵抗効果素子と、第３の素子連設体５２と第４の素子連設体５３とが直列に接続された第２の磁気抵抗効果素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】マルチ軸センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】第１のアプリケーション・エレクトロニクスを備えた第１の活性化表面１１４を有する第１のダイ１０２を製作するステップと、第２のアプリケーション・エレクトロニクスを有する第２の活性化表面１１５、および、第２のアプリケーション・エレクトロニクスから第２の活性化表面と隣接している第２のダイ１０４の側面インタフェースまで伸びる少なくとも一つの電気的接続を有する第２のダイを製造するステップと、第１の活性化表面と同一平面上の側面インタフェースを整列配置するステップと、複数の電気的接続１１９と第１の活性化表面との間に少なくとも一つの電気的接続を形成するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体チップ（１）内に集積化される垂直ホールセンサおよびそれの製造のための方法に関する。
【解決手段】 垂直ホールセンサは、第２の導電型の導電性領域（３）内に埋め込まれる、第１の導電型の導電性ウェル（２）を有する。電気的接点（４）が、導電性ウェル（２）の平坦面（５）上で直線（６）に沿って配置される。導電性ウェル（２）は、それが導電性ウェル（２）の平坦面（５）から深さＴ_１に位置する最大値を有するか、または深さＴ_２まで本質的に一定であるかのどちらかのドーピング分布を有するように、高エネルギーイオン注入法およびその後の加熱によって生成される。 （もっと読む）

【課題】外部磁界に対する電子スピンの変化量を大きくして、外部磁界の検出感度を高めることができる磁性体部材を提供する。
【解決手段】所定の形状に形成された磁性体５の表面に、その磁性体５に固有の最小磁区よりも小さい多数の領域７に分割する多数の溝６が形成されており、前記磁性体５は、ワイヤ状に形成され、前記領域７は、ハニカム状に形成され、前記溝６には、反磁性体材料が埋められている。磁性体部材５の表面は磁壁が存在しない単磁区構造になり、外部磁界にする検出感度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 特に、同一チップ上に感度軸方向が異なり、ブリッジ回路を構成する複数の磁気抵抗効果素子を形成でき、測定精度に優れた磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 同一チップ２９上に磁気抵抗効果素子１３ａ〜１３ｄが複数個、備えられてブリッジ回路を構成している。各磁気抵抗効果素子の固定磁性層２１はセルフピン止め型であり、直列回路を構成する磁気抵抗効果素子１３ａ，１３ｄ（１３ｂ，１３ｃ）同士は、感度軸方向Ｐ１〜Ｐ４が反平行となっている。各磁気抵抗効果素子のフリー磁性層２３の上面には、フリー磁性層２３との間で磁場中でのアニール処理を行うことなく交換結合バイアスを生じさせ各フリー磁性層２３の磁化方向を磁化変動可能な状態で感度軸方向に対して直交方向に揃えることができる反強磁性層２４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】室温でのシリコンチャンネル層におけるスピンの注入を可能とするスピン注入電極構造、スピン伝導素子又はスピン伝導デバイスの提供。
【解決手段】スピン注入電極構造ＩＥは、シリコンチャンネル層１２と、シリコンチャンネル層１２の第一部分上に設けられた第一酸化マグネシウム膜１３Ａと、第一酸化マグネシウム膜１３Ａ上に設けられた第一強磁性層１４Ａと、を備える。第一酸化マグネシウム膜１３Ａには、シリコンチャンネル層１２及び第一強磁性層１４Ａの両方と格子整合している第一格子整合部分Ｐが部分的に存在している。 （もっと読む）

【課題】スピン偏極装置と他の素子の電気的な接続が、より容易に行えるようにする。
【解決手段】第１オーミック電極１０７の側の電界印加電極１０６の側面１０６ａと同一平面上で第２半導体層１０４に形成された第１側面１０４ａと、第２オーミック電極１０８の側の電界印加電極１０６の側面１０６ｂと同一平面上で第２半導体層１０４に形成された第２側面１０４ｂと、第１オーミック電極１０７の側の電界印加電極１０６の側面１０６ａと同一平面上で第３半導体層１０５に形成された第３側面１０５ａと、第２オーミック電極１０８の側の電界印加電極１０６の側面１０６ｂと同一平面上で第３半導体層１０５に形成された第４側面１０５ｂとを備える。 （もっと読む）

略平坦な基板の上面と称される一表面上に蒸着される複数の多層磁気抵抗センサを備える集積磁力計であって、基板の前記上面は複数の傾斜面を備えた少なくとも１つの空洞または隆起を有することと、４つの前記傾斜面上には異なる、かつ対で互いに反対の方向性を有する少なくとも４つの前記磁気抵抗センサが配置され、各センサはそのセンサが配置される面に対して平行な外部磁場の一成分に感応することを特徴とする集積磁力計。このような磁力計の製造プロセス。 （もっと読む）

【課題】大きな出力信号強度を得られるEMRデバイスに、既存のスライダ形成技術を利用して磁気ヘッドスライダが形成できるような、デバイス構造とデバイス製造方法を提供すること
【解決手段】磁気抵抗デバイスは、基板（４；６４）と、第一方向（１４）に伸びた細長半導体チャネル（１１）素子と、チャネルへの接点の組（２７）を提供する少なくとも２つの導電性リード（２６）とを含んでいる。デバイスは、チャネルと接続したオプションの半導体シャント（８）を含んでいる。オプションのシャント、チャネル及び接点の組は、第一方向及び基板の表面に対して垂直な第二方向（１５）に向かって、基板に対して積重ねられる。デバイスは、チャネルに沿って伸びる側面（３０）を有している。デバイスは、側面に対して一般的に垂直な方向の磁場（３１）に対して反応する。 （もっと読む）

【課題】 電流−スピン流変換効率が高く、高強度のスピン流が得られるスピントロニクス装置を提供する。
【解決手段】 対向する第１端面及び第２端面を有し、正孔と電子とが同程度のキャリア密度と移動度を有し、ホール係数がゼロである非磁性の両極性伝導金属からなるスピン流生成領域３０と、第１端面に設けられ、スピン偏極された正孔をスピン流生成領域３０に注入する強磁性体からなる第１主電極２０と、第２端面に設けられ、電子をスピン流生成領域３０に注入する第２主電極４０とを備える。ローレンツ力により、正孔と電子とを同一方向に輸送されるようにして、正孔と電子の電荷を互いに相殺してスピン流を得る。 （もっと読む）

【課題】 従来、外付け抵抗の電圧降下から検出していたパワーＮ型ＭＯＳＦＥＴに流れる電流を、高感度のホール素子に発生するホール電圧ＶＨにより検出する。
【解決手段】 アースラインに向かって配線されたソース配線層８の一部をＮ型層１に形成したトレンチ２０内に配設する。これによりトレンチ２０内に配設されたソース配線層８ａ近傍のＮ型層１に発生する磁束密度Ｂを高める。この高い磁束密度Ｂが発生しているトレンチ２０内のソース配線層８ａ近傍のＮ型層１を横切るホール電流ＩＨ成分を増やし、ホール素子Ｈに発生するホール電圧ＶＨを高くする。このように、高い磁束密度Ｂの発生領域にホール素子Ｈを配置することにより、パワーＮ型ＭＯＳＦＥＴのソース電流Ｉが数Ａ程度でも大きなホール電圧ＶＨを発生する。 （もっと読む）

【課題】従来、外付け抵抗の電圧降下から検出していたパワーＮ型ＭＯＳＦＥＴに流れる電流を、ホール素子に発生するホール電圧Ｖ_Ｈにより検出する。
【解決手段】アースラインに向かって配線されたソース配線層８の直下の絶縁膜７ａを数１０ｎｍ程度の厚さとする。これにより、ソース電流Ｉにより、ソース配線層８の直下領域または該ソース配線層８の両側面部のＮ型層１に発生する磁束密度Ｂを高くする。この高い磁束密度Ｂの発生領域にホール素子Ｈを配置することにより、パワーＮ型ＭＯＳＦＥＴのソース電流Ｉが数Ａ程度でも大きなホール電圧Ｖ_Ｈを発生する。 （もっと読む）

【課題】重金属汚染の影響による、検出精度の低下が抑止された回転状態検出装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の厚さ方向に電流を流す少なくとも２つの電流端子と、厚さ方向に流れる電流と鎖交する磁束によって生じたホール電圧を検出する２つの電圧端子と、を有する縦型ホール素子と、該縦型ホール素子の出力信号に基づいて、回転体の回転状態を検出する検出部と、を備え、縦型ホール素子は、半導体基板に少なくとも３つ形成され、その内の２つの縦型ホール素子は、それぞれの縦型ホール素子における電圧端子間を結ぶ線分のなす角度θが０°より大きく１８０°より小さくなるように形成されており、検出部は、角度θを形成する２つの縦型ホール素子の出力信号を用いてアークタンジェント演算を行う演算部と、残りの縦型ホール素子の出力信号をパルス信号に変換する変換部と、を有する （もっと読む）

【課題】オフセットが可能な限り小さい垂直ホールセンサを提供する。
【解決手段】半導体チップ内に集積化される垂直ホールセンサが、半導体チップの表面上の直線に沿って配置される少なくとも６個の電気接点９を有する。電気接点９は、所定のルールに従って、接点９が２個の最外側の接点のうち１個９．１から始まる参照番号１、２、３および４によって連続的にかつ繰り返し番号をつけられるときに、同じ参照番号が割り当てられる接点９が、互いに電気的に接続されるように、配線される。 （もっと読む）