【課題】室温付近で電圧によりキュリー温度を変化させることができ、かつ大きな磁化、即ち大きな磁界を発生させることが可能な電圧駆動型電磁石を提供する。
【解決手段】鉄、コバルト、ニッケルのうちのいずれか、もしくはこれらのうち少なくとも一つを含む合金からなる強磁性金属薄膜層１２と、前記強磁性金属薄膜層１２の片側に積層された絶縁層２０と、前記絶縁層２０の、前記強磁性金属薄膜層１２とは反対側に設けられたゲート電極３０と、前記強磁性金属薄膜層１２と前記ゲート電極３０の間に電圧を印加する電圧印加部４０とを備える電圧駆動型電磁石を提供する。また、強磁性金属薄膜層１２内の磁化を特定の方向に配向させる下地層１３と、配向させた強磁性金属薄膜層１２内の磁化の方向を維持させるキャップ層１１を備える。 （もっと読む）

【課題】電池の磁気計測装置において、磁気雑音の強い環境においても磁気センサの出力を飽和させることなく、充放電時における電池内部の電流によって発生する磁気信号を正確に計測でき、リチウムイオン電池内部の電流分布を可視化する。
【解決手段】充放電前に、個々の磁気センサで測定される磁気と逆相の磁気を、個々の磁気センサの周囲に配置したキャンセルコイルに発生させ、その後、充放電時の磁気データから充放電前に記録した磁気データ（補正用磁気データ）を差し引くことによって磁気雑音を低減し、充放電時におけるリチウムイオン電池から生じる磁気信号を正確に計測することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気センサ等の半導体素子の特性検査から梱包までの一連の作業をトレイを使用することなく効率的に行う。
【解決手段】各半導体素子１０をダイシングテープ３１上でマトリクス状に並べられた状態に分離する工程と、各半導体素子１０をダイシングテープ３１毎載置して水平方向及び垂直方向に移動しながらプローブに接触させて検査するプローブ検査工程と、プローブ検査工程を経た後の各半導体素子１０をダイシングテープ３１上から少なくとも１個ずつピックアップして搬送テーブル３２上に搭載し、搬送テーブル３２により順次搬送される半導体素子１０の第１の主面１０ａを外観検査する第１の主面検査工程と、第１の主面検査工程を経た後の半導体素子１０を把持して反転し、半導体素子１０の第２の主面１０ｂを外観検査する第２の主面検査工程と、第２の主面検査工程を経た後の半導体素子１０を順次ピックアップして梱包する梱包工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】アセンブリ段階において外部磁場から磁気メモリチップを保護する。
【解決手段】主面に磁気メモリ素子および複数のワイヤボンドパッドが形成された磁気メモリチップを準備する。シリコンより高透磁率を有する第１の磁気シールド板を磁気メモリチップの主面に搭載する。磁気メモリチップをリードフレームのダイパッド上に搭載しダイアタッチフィルムにより接着する。磁気メモリチップのワイヤボンドパッドとリードフレームのリードとをワイヤで電気的に接続する。磁気メモリチップ、磁気シールド板、ワイヤ及びリードの一部を樹脂により封止する。複数の磁気メモリチップを有するシリコンウェハを準備し、シリコンウェハの裏面を研削することによりシリコンウェハを所定の厚さまで薄くしてダイアタッチフィルムを張り付けた後にシリコンウェハをダイシングして各々がダイアタッチフィルムをその裏面に有する複数の磁気メモリチップを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭの下層強誘電体層と上層強誘電体層がショートしているか否かを検査することができる。
【解決手段】ＴＥＧ素子１００は、テスト用下層強誘電体層１１２、テスト用トンネル絶縁膜１１４、及びテスト用上層強誘電体層１１６を有している。テスト用下層強誘電体層１１２は、下層強誘電体層４２と同一層に位置し、下層強誘電体層４２と同一材料により形成されており、第１テスト用パッド１２０に接続している。テスト用トンネル絶縁膜１１４は、トンネル絶縁膜４４と同一層に位置し、トンネル絶縁膜４４と同一材料により形成されている。テスト用上層強誘電体層１１６は、上層強誘電体層４６と同一層に位置し、上層強誘電体層４６と同一材料により形成されており、第２テスト用パッド１３０に接続している。 （もっと読む）

【課題】低抵抗キャップ構造を有する磁気読取りセンサを製造する方法を提供する。
【解決手段】センサのキャッピング層内での酸化物形成をなくすことによって、センサの面積抵抗を減少させ、ＭＲ比を減少させる磁気センサを製造する方法。本方法は、センサ積重体を覆って形成された多層キャッピング構造を有する、センサ積重体を形成することを含む。多層キャッピング構造は、第１、第２、第３、および第４の層を含みうる。第２の層は、容易に酸化されず、第１の層と異なる材料から構成される。センサは、炭素ハードマスクを含むマスクを使用して形成されうる。センサ積重体が、イオンミリングによって形成された後、ハードマスクは、反応性イオンエッチングによって除去されうる。その後、除去プロセスが、第２の層の存在を検出する２次イオン質量分析などの終点検出方法を使用して、キャッピング層構造の第２、第３、第４の層を除去するために実施される。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｏ−Ｆｅバッファ層を備える膜面垂直通電（ＣＰＰ）読出しセンサを提供する。
【解決手段】 ピン止めおよび磁気抵抗特性を改善するために、Ｃｏ−Ｆｅバッファ層を備える膜面垂直通電（ＣＰＰ）読出しセンサが、提案される。この読出しセンサは、それぞれキーパ層構造の下側部分と上側部分にある第１と第２のＣｏ−Ｆｅバッファ層と、それぞれ基準層構造の下側部分と上側部分にある第３と第４のＣｏ−Ｆｅバッファ層と、検知層構造の下側部分にある第５のＣｏ−Ｆｅバッファ層を含む。第１のバッファ層は、ピン止め層に隣接して、双方向異方性ピン止め特性を改善するための特定の組成を有する。第２と第３のバッファ層は、反平行結合層に隣接し、双方向異方性ピン止め特性を改善するための特別な組成を有する。第４と第５のバッファ層は、バリアおよびスペーサ層に隣接し、磁気抵抗特性を改善するための特定の組成を有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの表面に対して垂直方向の磁界を容易に発生させることができ、測定精度を高めることができる磁気抵抗評価装置を提供する。
【解決手段】磁場発生手段１３が、載置台１２に載置された磁気抵抗素子を有するウエハの両面側に、それぞれ２対の電磁石２４と、電磁石２４の各対毎に、それぞれの電磁石２４の芯から連続して伸びて１本に収束するよう設けられた１対の磁路延長部材２５とを有している。磁場発生手段１３は、各対のそれぞれの電磁石２４の中心軸が互いに垂直に交わるよう配置されている。磁場発生手段１３は、各磁路延長部材２５の先端２５ａが、ウエハの両面側でウエハの表面に対して所定の間隔をあけて配置されるとともに、ウエハの反対面側に配置された各磁路延長部材２５の先端２５ａと、ウエハを挟んで対向するよう配置されている。 （もっと読む）

磁界センサは、磁界センサの中で使用される磁界検知素子のセルフテストを含めて磁界センサの回路の大部分またはすべてのセルフテストを可能にする診断回路を含む。磁界センサは、磁界センサが応答する診断磁界を発生することができる。
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【課題】低コストで実現することができ、かつ生産性を向上させることができる、方向検出ホールＩＣの検査工程を含む方向検出ホールＩＣの製造方法を提供する。
【解決手段】ヘルムホルツ・コイル３０が生成する磁界のうち、磁束密度勾配を有する周辺領域（検査位置Ｐ１、Ｐ２）に、方向検出特性検査対象のホールＩＣ５ａ、５ｂが配置され、均一な磁束密度を有する中心領域（検査位置Ｐ３）に磁界検出特性検査対象のホールＩＣ５ｃが配置される。当該状態でヘルムホルツ・コイル３０に通電して磁界を発生させるとともに当該磁界による磁束密度を変動させて、ホールＩＣ５ａ、５ｂの方向検出特性とホールＩＣ５ｃの磁界検出特性が同時に測定される。測定完了後に搬送ライン６２を一方向に移動させ、各ホールＩＣを検査位置Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３のそれぞれで測定が行われる。 （もっと読む）

【課題】小型の磁気センサをウエハ状態で検査するときに磁気センサとコイルとの相対的な位置合わせを容易にし、かつ高精度な検査を実現可能にする。
【解決手段】１つの基板１１の主面１１ａ上に、少なくとも１つの磁気センサ素子１２と、該磁気センサ素子１２の周辺に少なくとも１つのコイル素子１３とが形成され、それぞれの磁気センサ素子１２およびコイル素子１３には電極パッド１２ｂ，１３ｂが設けられてなる磁気センサウエハ１０における磁気センサ素子の検査方法であって、検査対象の磁気センサ素子１２Ｔの電極パッド１２ｂに測定用の針３を立てるとともに、検査対象の磁気センサ素子１２Ｔの周辺のコイル素子１３Ａ，１３Ｂの電極パッド１３ｂに通電用の針４Ａ，４Ｂを立てた後、通電用の針４Ａ，４Ｂからコイル素子１３Ａ，１３Ｂへ通電することによって、検査対象の磁気センサ素子１２Ｔに検査用の磁界Ｍ_Ｔを印加する。 （もっと読む）

【課題】高精度な測定値の取得が可能な磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果率の測定方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果率の測定方法は、固定磁性層の磁化方向を判定するステップと、自由磁性層の磁化方向を判定するステップと、自由磁性層の磁化方向に対して９０°より大きく１８０°より小さく、且つ固定磁性層の磁化方向に対して９０°より大きく１８０°より小さい角度の方向に、強度が０から徐々に増加する外部磁場を印加してρＨ曲線を得て抵抗最大値を得るステップと、自由磁性層の磁化方向に対して１８０°より大きく２７０°より小さく、且つ固定磁性層の磁化方向に対して０°より大きく９０°より小さい角度の方向に、強度が０から徐々に増加する外部磁場を印加してρＨ曲線を得て抵抗最小値を得るステップと、抵抗最大値と抵抗最小値とから磁気抵抗効果率を算出するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜磁気抵抗効果膜等の薄膜について、その膜面に垂直方向の抵抗を高精度に計測することを可能にする薄膜の抵抗測定方法及びこれを用いた磁気抵抗効果膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にアモルファス層２５と、第１の導体層１３と、抵抗を測定する対象である薄膜３２と、第２の導体層２０とをこの順に積層して形成した抵抗測定用のサンプルを形成する工程と、前記サンプルの、前記基板１１上の最上層２１の表面に、抵抗測定用のプローブ１０ａ〜１０ｄを接触させ、前記薄膜の膜面に垂直方向の抵抗を測定する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子について、本来の耐電圧を有するＴＭＲ素子を判別する判別手法を提供する。
【解決手段】ストレス電圧をＴＭＲ素子に印加した直後にＴＭＲ素子の抵抗値Ｒ１を測定する（Ｓ１）。ストレス電圧の所定の印加時間が経過すると、ストレス電圧印加により低下したＴＭＲ素子の抵抗値が元の抵抗値近くに戻ることができる時間、ＴＭＲ素子を放置する（Ｓ３）。その後、ストレス電圧をＴＭＲ素子に再度印加した直後にＴＭＲ素子の抵抗値Ｒ２を測定する（Ｓ４）。抵抗値Ｒ１、Ｒ２に基づいて、ＴＭＲ素子の抵抗値の戻り率を算出する（Ｓ５）。戻り率が１００％に近いと、良品と判定する（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子間のばらつきを低減する。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、少なくとも２つの方向に沿ってそれぞれ延びる延在部１Ａ，１Ｂを有し、その延在部の延在方向に沿ったそれぞれ異なる複数の磁化容易軸を有する磁化固定層１と、磁化固定層１上に設けられるトンネルバリア層２と、トンネルバリア層２上に設けられ、磁化方向が可変となる磁化自由層３とを備える。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の評価を従来よりも適切に行う。
【解決手段】ハード膜が第１の方向に着磁されている磁気抵抗効果素子に対して、第１の方向とは反対の第２の方向に外部磁場を印加し、磁場を初期磁界から測定最大印加磁界まで変化させたときの抵抗の最大値を求める工程（ステップＳ１６、Ｓ１８）を、測定最大印加磁界を段階的に変化させて行う（ステップＳ２６）ので、磁場がある値になった時点で、それよりも小さな磁場における特性（抵抗値）が変化するような現象が発生しても、その特性変化を認識することができる。これにより、磁気抵抗効果素子の適切な評価を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子のような微小な電流を流すだけで簡単に損傷してしまう微細な素子の抵抗特性等を評価する際に、素子を損傷させることなく、的確に特性を評価することができる微細素子の評価方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する微細素子１０に電流を印加して微細素子の特性を評価する方法において、前記微細素子１０をレジスト１４により被覆する工程と、前記レジスト１４が被覆された微細素子１０に電流を印加し微細素子の特性を評価する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】スクリーン層適用ＣＰＰ−ＧＭＲのヘッド抵抗を調整し歩留まりを向上する。
【解決手段】ヘッド抵抗が所望の抵抗範囲より高いヘッドに抵抗調整用の電流を流すことにより、磁気抵抗変化率は大きく劣化せずに、ヘッド抵抗を所望の範囲に調整する。 （もっと読む）

【課題】コストをかけずに作製してチップに加わった磁場を不揮発に記録することによって、チップに加わる磁場の大きさや向きを推定することが可能なスピントロニクスチップを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の一実施形態によるスピントロニクスチップ１は、スピントロニクスを用いた素子を含む回路部２と、フリー層５とピン層６をトンネル膜７を介して積層してなるＴＭＲ素子３とが同一チップ上に配置され、ＴＭＲ素子３によりチップに加わった磁場を不揮発に記録することが可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィッティング精度の向上が可能で、それにより高精度なＲＡ値の取得が可能な磁気抵抗効果素子の面積抵抗の測定方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果素子の面積抵抗の測定方法は、第１の面抵抗率を有するバリア上部層と、バリア層と、第２の面抵抗率を有するバリア下部層とを有する磁気抵抗効果素子について、ＣＩＰＴ法による四端子測定を行い、磁気抵抗効果素子の抵抗を測定する抵抗測定工程と、該抵抗と該測定の際の所定端子間の間隔を用いて磁気抵抗効果素子の面積抵抗をフィッティングする工程とを有する磁気抵抗効果素子の面積抵抗の測定方法であって、第１の面抵抗率および第２の面抵抗率を測定する面抵抗率測定工程を有し、前記抵抗と、前記所定端子間間隔と、前記第１の面抵抗率と、前記第２の面抵抗率とを用いて、磁気抵抗効果素子の面積抵抗をフィッティングする。 （もっと読む）