【課題】窒化物半導体を用いた窒化物半導体装置における電極の信頼性を向上することができる窒化物半導体用電極およびそれを含む窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体上に形成される電極であって、窒化物半導体上に形成される金属窒化物層と、金属窒化物層上に形成される第１金属層と、第１金属層上に形成される第２金属層とを備え、第１金属層は、金属窒化物層に含まれる金属と同一の金属元素を含む窒化物半導体用電極とおよびそれを含む窒化物半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】高耐圧電子デバイスおよび耐環境電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明においては、ダイオードやトランジスタ等の電子デバイス中で電子が走行する領域に、高純度の酸化モリブデンであって、その禁制帯幅が３．４５ｅＶ以上であるような酸化モリブデンが用いられる。本発明によれば、高耐圧特性および高耐環境特性を有する電子デバイスが実現できる。 （もっと読む）

【課題】この発明は、製造工程の複雑化を回避しつつ、複数の半導体層にそれぞれ形成される半導体素子の位置関係を高い精度で把握しながら製造を行うことができる３次元構造の半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板であるＳｉＣ基板２を準備し、当該ＳｉＣ基板２上に、配線３０、３２、トランジスタ１０を形成後、その上にＧａＮ層６をエピタキシャル成長させる。続いて、ＧａＮ層６に配線１８、３２を形成する。配線１８、３２と電気的に接続するようにトランジスタ２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスが低く、かつゲートリーク電流が低い高出力窒化物半導体トランジスタを提供。
【解決手段】基板1上に、緩衝層２、ＧａＮチャネル層３、ＡｌＧａＮ電子供給層４が形成され、ＡｌＧａＮ電子供給層４の表面にソース電極５、ドレイン電極６およびゲート電極７が形成されたトランジスタにおいて、露出しているＡｌＧａＮ電子供給層４の表面は、フッ素を含むフッ素含有絶縁膜８、例えば、フッ素含有ＳｉＮ膜により被われる。 （もっと読む）

【課題】上述した課題を解決するために創案されたものであり、ＺｎＯ系半導体と有機物とを能動的な役割に用い、従来とは異なる全く新規な機能を有するＺｎＯ系半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体１上に有機物電極２が形成されており、有機物電極２の上にはＡｕ膜３が形成されている。ＺｎＯ系半導体１の裏面には有機物電極２に対向するように、Ｔｉ膜４とＡｕ膜５の多層金属膜で構成された電極が形成されている。有機物電極２とＺｎＯ系半導体１との接合界面は、ｐｎ接合のような状態となっており、これらの間で整流作用が発生する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体やＩＩ−ＶＩ族系半導体材料のエピタキシャル成長において、高品質化と安定化を実現する半導体基板及びその半導体基板を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】基板部材１１と、基板部材１１上に形成された酸化ハフニウム層２１、酸化ジルコニウム層２２、ＨｆＺｒＯ層５０から選ばれる１種又は２種を含む層から形成されるバッファ層（３ａ〜３ｎ）と、バッファ層（３ａ〜３ｎ）上に配置されるＩＩＩ族窒化物系半導体層３０若しくはＩＩ―ＶＩ族化合物半導体層４０とを備える半導体基板（２ａ〜２ｎ）及びその半導体基板（２ａ〜２ｎ）を備える半導体装置。
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【課題】 自然酸化膜を除去するためにＺｒＢ_２等の二硼化物単結晶からなる基板を熱処理する際に、硼素抜けによるＺｒ等元素の偏析を抑制して、基板表面の化学量論組成比を基板自体の化学量論組成比となるように安定に制御した表面処理方法を提供すこと。
【解決手段】 基板の表面処理方法は、熱処理装置内に設置した化学式ＸＢ_２（ただし、ＸはＴｉ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｈｆ及びＺｒのうち少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成る基板を加熱して基板の表面の自然酸化膜を除去する工程１と、次に熱処理装置内に硼素化合物を供給するとともに基板を加熱して基板の表面の硼素欠損部に硼素を補充する工程２とを具備する。 （もっと読む）

複数のエピタキシャル層を有し、動作時（Ｅ）界がかかっている半導体デバイスであり、具体的には、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）である。エピタキシャル層の中には、動作時（Ｅ）界を打ち消すための負イオン領域がある。半導体デバイスを製造するための１つの方法は、基板を設けるステップと、基板の上にエピタキシャルを成長させるステップとを備える。半導体デバイスの中の動作時電（Ｅ）界を打ち消すために、負イオンがエピタキシャル層の中に導入され、負イオン領域を形成する。コンタクトは、負イオン領域形成の前か後に、エピタキシャル層の上に堆積させることができる。
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高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）などの新規のエンハンスメントモード電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は、Ｎ極表面を有し、分極界を使用してＮ極方向におけるゲート下の電子群を減少させ、向上した分散抑制および低ゲート漏れを有する。本発明は、Ｎ極表面を有する窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）層および窒化ガリウム（ＧａＮ）層から構成されるエンハンスメントモード高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）デバイスを提供し、該デバイスは、ＧａＮ（２）層上に成長するＡｌＧａＮ（２）層上に成長する、ＧａＮ（１）層上に成長するＡｌＧａＮ（１）層を備えるデバイスのためのゲート下のエピ層構造を備え、該ゲート下の該ＡｌＧａＮ（１）層は、該ＡｌＧａＮ（１）層内の分極界が、ゼロゲートバイアス下で該ＡｌＧａＮ（２）層とＧａＮ（１）層との間の界面において電子ガスを激減させるために十分な厚さに成長する。
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【課題】電流コラプスを悪化させることなくバッファ層を高抵抗化し、バッファ層中に発生するリーク電流を低減させること。
【解決手段】ＨＥＭＴ１は、基板２上に、それぞれＧａＮ系化合物半導体からなる低温バッファ層３、バッファ層４、電子走行層５および電子供給層６を、この順に積層して備える。バッファ層４は、炭素が添加され、この添加される炭素濃度は、この炭素濃度に対して電流コラプスが急激に変化する濃度以下であり、かつこの炭素濃度に対してＨＥＭＴ１の耐圧が急激に変化する濃度以上とされる。また、電子走行層５の層厚は、この層厚に対して電流コラプスが急激に変化する厚さ以上であり、かつこの層厚に対してＨＥＭＴ１の耐圧が急激に変化する厚さ以下とされる。 （もっと読む）

【課題】チャネル内へのキャリアの閉じ込めを改善すること。
【解決手段】へテロ接合トランジスタは、ＩＩＩ族窒化物を含むチャネル層と、チャネル層の上のＩＩＩ族窒化物を含む障壁層と、チャネル層が障壁層とエネルギー障壁との間にあるようにした、チャネル層の上のインジウムを有するＩＩＩ族窒化物の層を含むエネルギー障壁とを備えることができる。障壁層は、チャネル層よりも大きなバンドギャップを有することができ、エネルギー障壁のインジウム（Ｉｎ）の濃度はチャネル層のインジウム（Ｉｎ）の濃度よりも高い可能性がある。関連した方法も検討されている。 （もっと読む）

【課題】裏面に極めて低抵抗なオーミック・コンタクトを有する炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の主表面（表面）の酸化速度が表面に対向する第２の主表面（裏面）の酸化速度より速い炭化珪素基板１と、表面側に配置された主要素子要素群（２、３、５、７、８）と、裏面にオーミック接触しているオーミック電極９とを備え、裏面は、製造工程において形成される、オーミック電極９との接触抵抗を増大させる抵抗増大層を含まない結晶面を形成していることである。抵抗増大層には、寄生エピ膜、結晶不整層、寄生固相反応層、及び汚染層が含まれる。 （もっと読む）

【課題】スピンＦＥＴ／スピンメモリの低消費電力と高信頼性を実現する。
【解決手段】本発明の例に関わるスピンＦＥＴは、磁化方向が固定される磁気固着層１２と、磁化方向が変化する磁気フリー層１３と、磁気固着層１２と磁気フリー層１３との間のチャネルと、チャネル上にゲート絶縁層１８を介して配置されるゲート電極１９と、磁気フリー層１３上に配置され、電場により磁化方向が変化する磁性層１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】通常の気体または液体センサの動作環境に耐えることができる半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の半導体デバイスは、基板１２上に、第１の半導体酸化物材料層１４と、前記第１の半導体酸化物材料層上に形成された第２の半導体酸化物材料層１６であって、二次元電子ガスが前記第１および第２の材料間の界面に生成されるように形成された第２の半導体酸化物材料層１６と、外面上の保護層１８と、を含む構造を有し、さらに、ソース接点２０とドレイン接点２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板としてＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ≦０.５）のような酸化亜鉛系化合物を用いながら、その上部に成長される窒化物半導体の結晶性をよくするとともに、膜剥れやクラックの発生を防止し、漏れ電流が少なく高特性の窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１がＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ≦０.５）のような酸化亜鉛系化合物からなっており、その基板１に接して第１の窒化物半導体層２が設けられ、その第１の窒化物半導体層２上に、開口部を有するマスク層４、開口部から横方向に選択成長される第２の窒化物半導体層５と、その第２の窒化物半導体層５上に半導体素子を形成するように、窒化物半導体層６〜８が積層されている。 （もっと読む）

【課題】基板としてＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ≦０.５）のような酸化亜鉛系化合物を用いながら、その上部に成長される窒化物半導体の結晶性をよくするとともに、膜はがれやクラックの発生を防止し、漏れ電流が少なく高効率の窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基板1上に窒化物半導体層が積層されて窒化物半導体素子を形成する場合に、基板１がＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ≦０.５）のような酸化亜鉛系化合物からなっており、その基板１に接してＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０.０５≦ｙ≦０.２）からなる第１の窒化物半導体層２が設けられ、その第１の窒化物半導体層２上に半導体素子を形成するように、窒化物半導体層３〜５が積層されている。 （もっと読む）

ＩＩＩ窒化物電界効果トランジスタ、具体的にＨＥＭＴは、チャネル層、チャネル層上にバリア層、キャップ層上にエッチストップ層、エッチストップ層上に誘電体層、バリア層まで広がるゲートリセス、およびゲートリセス内にゲート接点を備える。エッチストップ層は、バリア層を乾式エッチングに曝さないことによって、リセスゲートの形成に関連する損傷を低減することができる。リセス内のエッチストップ層は除去され、残りのエッチストップ層は、パッシベーション層として働く。
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スイッチモード電力増幅器及びスイッチモード電力増幅器で使用するのに特に適した電界効果トランジスタが開示される。トランジスタは、ソース端子とドレイン端子とを有し、ゲート端子がそれらの端子の間の誘電体材料の上に位置付けされている化合物高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であることが好ましい。フィールドプレートは、少なくとも２つの層の誘電体材料上でゲート端子からドレインの方に延びている。誘電体層は、好ましくは、シリコン酸化物及びシリコン窒化物を含んでいる。シリコン酸化物の第３の層が設けられ、シリコン窒化物の層がシリコン酸化物の層の間に位置付けされてもよい。ゲート端子の凹部をエッチングする際に、エッチング選択性が使用される。
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多層半導体装置は、ウェハーボンディングを介して移行させた単結晶膜の電気的特性を有する多結晶基板の良好な熱的及び電気的特性を利用している。装置構造は、研磨された多結晶、例えば炭化シリコン基板を含む。シリコンの平坦化層が表面に形成され、続いて化学的機械研磨される。次いで、基板は、バルクリシコンウェハー又はsilicon-on-insulator（ＳＯＩ）ウェハーに結合される。シリコン（ＳＯＩ)ウェハーは所望厚さに薄肉化される。 （もっと読む）

高速シリコンＣＭＯＳ回路及び高電力ＡｌＧａＮ／ＧａＮ増幅器が、同じウェハー上に集積される。高抵抗シリコンの薄層が、基板上に結合される。ボンディングに続いて、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ構造を結合したシリコン層上に成長させる。次いで、窒化シリコン又は酸化シリコン層をＡｌＧａＮ／ＧａＮ構造上に堆積させる。これに続いて、シリコンの薄層を窒化シリコン／酸化シリコン層に結合させる。ＡｌＧａＮ／ＧａＮ装置の形成領域が規定され、シリコンがこれらの領域から離れてエッチングされる。これに続いて、ＣＭＯＳ装置がシリコン層上に形成され、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ装置がＡｌＧａＮ／ＧａＮ表面上に形成される。 （もっと読む）