【課題】 半導体装置に関し、従来のベアチップ実装に於ける半導体装置の耐湿性劣化の問題を簡単な構成に依って抑止して高耐湿性を確保し、製造コストが低い高周波高出力の半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】 複数の細線状ゲート１を結ぶゲート配線１０上を絶縁膜２１を介して覆う保護金属膜４１を備える。 （もっと読む）

接合電界効果トランジスタが記載される。このトランジスタは、広いバンドギャップの半導体から造られる。上記デバイスは、ソース、チャネル、ドリフトおよびドレインの半導体の層ならびにｐ型注入ゲート領域またはショットキーゲート領域を含む。上記ソース、チャネル、ドリフトおよびドレイン層は、エピタキシャルに成長され得る。上記ソース、ゲートおよびドレイン領域に対するオーム接触は、ウェーハと同じ側に形成され得る。上記デバイスは、垂直チャネル幅に依存する異なる閾電圧を有し得、同じチャネルドーピングに対し、デプレッション動作モードおよびエンハンス動作モードの両方に対して実施され得る。上記デバイスは、デジタル、アナログおよびモノリシックなマイクロ波集積回路のために使用され得る。上記デバイスを含むトランジスタおよび集積回路を製造する方法もまた、記載される。
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【課題】 融点が高くかつ高温にて熱処理してもリーク電流の小さい電極材料を用いることで、リーク電流特性を向上させることができる窒化物系半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の窒化物系半導体装置は、Ｓｉ基板１上に、ＡｌＮ／ＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＡｌＧａＮ活性層４が順次積層され、ｎ型ＡｌＧａＮ活性層４上に、Ｔｉ／Ａｌのオーム性接触のソース電極５、Ｔｉ／Ａｌのオーム性接触のドレイン電極６およびＲｈからなるショットキー接合のゲート電極７が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波ＦＥＴでは、内在するショットキー接合容量またはｐｎ接合容量が小さく、それらの接合が静電気に弱い。しかし、マイクロ波デバイスにおいては、保護ダイオードを接続することによる寄生容量の増加が、高周波特性の劣化を招き、その手法を取ることができなかったという問題があった。
【解決手段】被保護素子の端子とＧＮＤ端子間に第１ｎ＋型領域−絶縁領域−第２ｎ＋型領域からなる保護素子を接続する。第１ｎ＋型領域は基板深さ方向に柱状に設け、第２ｎ＋型領域は第１ｎ＋型領域の底部と対向配置する板状に形成する。これにより、第１電流経路、第２電流経路により非常に大きな静電気電流を接地電位に流すことができるので、寄生容量をほとんど増やすことなくＨＥＭＴの動作領域に至る静電エネルギーを大幅に減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】電流の状態に関する情報を提供する能力を有するように配置されたＩＩＩ族窒化物ベースの電力半導体装置を提供することである。
【解決手段】本発明の電力半導体装置は、ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合領域と、該ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合領域及び第１給電パッドに電気的に接続される第１電力電極と、前記ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合領域及び第２給電パッドに電気的に接続される前記第１電力電極に対向して離隔される第２電力電極と、前記ＩＩＩ族窒化物ヘテロ接合領域及び第３給電パッドに電気的に接続される前記第１電力電極に対向して離隔される第３電力電極と、を有する電力半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 発振することなく動作の安定した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板２１上に複数のトランジスタを隣接して配置し、前記複数のトランジスタのゲート２２をゲートバー２２ａで共通に接続するとともに、前記複数のトランジスタのソースフィンガー２４ｂを共通に接続するソース配線２４を前記複数のトランジスタ上に設け、前記ソース配線は前記ゲートバーの一部のみを跨ぐ互いに離間した複数のブリッジ部２４ａを有する。ゲートバー２２ａの一部のみをソース配線２４が跨ぐので、ゲートバー・ソース容量を減らせることができ、高周波でのインピーダンスが大きくなって、トランジスタに帰還経路が実質的に形成されない。 （もっと読む）

【課題】 電界効果トランジスタ特性の劣化を低減し、微細化を実現することが可能なガリウム砒素電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 基板３１と、メサ１１と、メサ１１上に形成されたソース電極１３、ドレイン電極１４及びゲート電極１２とを備え、メサ１１上面には、櫛形状のソース電極１３及びドレイン電極１４の指状部１３ａ、１４ａが互いに組み合わさるように対向して位置し、かつミアンダ形状のゲート電極１２がソース電極１３とドレイン電極１４との間に位置する形状の上面パターンが形成され、ソース電極１３及びドレイン電極１４の指状部１３ａ、１４ａの基部となる共通部１３ｂ、１４ｂは、メサ１１上面に形成され、ゲート電極１２における指状部１３ａ、１４ａと平行な直線部１２ａの下方に位置する部分は、ゲート電極１２における隣り合う直線部１２ａをつなぐ屈曲部１２ｂの下方に位置する部分と電気的に分離されている。 （もっと読む）

課題マイクロ波ＦＥＴでは、内在するショットキ接合容量またはＰＮ接合容量が小さく、それらの接合が静電気に弱い。しかし、マイクロ波デバイスにおいては、保護ダイオードを接続することによる寄生容量の増加が、高周波特性の劣化を招き、その手法を取ることができなかったという問題があった。解決手段ＰＮ接合、ショットキ接合、または容量を有する被保護素子の２端子間に第１Ｎ＋型領域−絶縁領域−第２Ｎ＋型領域からなる保護素子を並列に接続する。近接した第１、第２Ｎ＋領域間で放電できるので、寄生容量を増やすことなくＦＥＴの動作領域に至る静電エネルギーを減衰させることができる。
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【課題】電力用デバイスにおいて双方向に電圧をブロックできるようにする。
【解決手段】大電流を搬送するチャンネルを得るＡｌＧａＮ／ＧａＮインターフェースを備えたIII族窒化物双方向スイッチであり、この双方向スイッチは、この双方向スイッチのために、電流を搬送するチャンネルを形成するための二次元電子ガスの発生を阻止したり、または可能にする少なくとも１つのゲートにより作動する。 （もっと読む）

共通のダイ内で形成された少なくとも２つのＩＩＩ族−窒化物ベースの半導体デバイスを含む、ＩＩＩ族−窒化物をベースとする集積半導体デバイス。
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