【課題】トランジスタのリーク電流の低減。
【解決手段】半導体材料の表面に沿って互いに隣接する複数の電気素子要素と、複数の電気素子要素を覆う、シリコンを含まない下層保護絶縁膜と、下層保護絶縁膜の上に配置され、シリコンを含む上層保護絶縁膜と、を備える半導体装置が提供される。上記半導体装置において、複数の電気素子要素の少なくとも一つは、シリサイド化される金属を含有でき、下層保護絶縁膜は、電気素子要素に含有される金属と上層保護絶縁膜に含有されるシリコンとの接触を阻害できる。下層保護絶縁膜は、比誘電率が１０以上の高誘電体層を有してよい。上層保護絶縁膜は、シリコンおよび窒素を含有することができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の抵抗を低減しつつ、寄生容量やチップ面積の増大を抑制して、高周波特性を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、ソース拡散層１１０とドレイン拡散層１２０とゲート電極１００とにより構成された単位電界効果トランジスタを電気的に並列接続したマルチフィンガー構造の電界効果トランジスタと、この電界効果トランジスタの上部に電気的に接続した多層配線構造とを備え、ソース拡散層１１０の第２の配線（Ｍ１配線１５０）およびドレイン拡散層１２０の第３の配線（Ｍ１配線１５０）より上層にゲート電極１００の第１の配線（Ｍ２配線１６０）を設けるものである。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ型の接合ＦＥＴにおいて、耐圧の向上とオン抵抗の低減とを両立することができる技術を提供する。
【解決手段】炭化シリコンを基板材料として使用した接合ＦＥＴにおいて、ゲート領域ＧＲとチャネル形成領域との間のｐｎ接合近傍に、ゲート領域ＧＲに導入されている不純物とは逆導電型であり、チャネル形成領域に導入されている不純物と同じ導電型の不純物を導入する。これにより、ｐｎ接合の不純物プロファイルを急峻にするとともに、チャネル形成領域のうち、ゲート領域ＧＲとｐｎ接合を形成する接合領域の不純物濃度が、チャネル形成領域の中央領域の不純物濃度およびエピタキシャル層ＥＰＩの不純物濃度よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】熱抵抗の低減と寄生容量の低減を同時に実現できる半導体チップを提供する。
【解決手段】ドレインフィンガー３及びソースフィンガー２の下部の半導体領域のうち、ゲートフィンガー１の近傍のみに熱抵抗低減用のドーピング領域４を形成する。 （もっと読む）

【課題】１つの単位セルに含まれる第１のゲート電極と第２のゲート電極との間の配線抵抗の差が小さく、スイッチングロスを低減した双方向スイッチを実現できるようにする。
【解決手段】双方向スイッチは、第１のオーミック電極１５、第１のゲート電極１７、第２のゲート電極１８及び第２のオーミック電極１６を有する複数の単位セル１１を備えている。第１のゲート電極１５は、第１の引き出し配線３１を介して第１のゲート電極パッド４３と電気的に接続されている。第２のゲート電極１８は、第２の引き出し配線３２を介して第２のゲート電極パッド４４と電気的に接続されている。第１のゲート電極パッド４３との間の配線距離が最も短い第１のゲート電極１７を有する単位セル１１は、第２のゲート電極パッド４４との間の配線距離が最も短い第２のゲート電極１８を有する。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタ、特に、アンテナスイッチのスイッチング素子を構成する電界効果トランジスタで発生する高次高調波の発生を低減できる技術を提供する。
【解決手段】メアンダ構造をしているトランジスタＱ１において、ゲート入力側に最も近い部分トランジスタのゲート幅を大きくする。具体的には、図５に示すように、櫛歯状電極ＣＬ（１）をその他の櫛歯状電極ＣＬ（２）〜ＣＬ（ｎ）よりも長くするように構成している。言い換えれば、フィンガー長Ｌｗ１をその他のフィンガー長Ｌｗｊよりも長くしている。特に、櫛歯状電極ＣＬ（１）を櫛歯状電極ＣＬ（１）〜ＣＬ（ｎ）の中で最も長くする。 （もっと読む）

【課題】高周波高出力増幅に用いるＦＥＴを具えた半導体装置において、交差部に起因の寄生容量を防止し、かつチップ面積を拡大せずに発熱の集中を分散させる。
【解決手段】半導体装置は、ゲート幅方向１５に互いに平行にかつ離間して形成されている複数のゲート電極１３と、ゲート長方向１１に延在して形成されている基線部１７と、複数の主電極１９とが下地２１の上側に設けられている。ゲート電極は、基線部とそれぞれ交差し、かつこの基線部と一体的に形成されている。主電極は、基線部、及び隣り合うゲート電極の間に囲まれた領域に１つずつ配置形成されている （もっと読む）

【課題】高出力を得やすい半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、基板１００と、基板１００上に形成された化合物半導体層１１０と、化合物半導体層１１０を用いて作製されたトランジスタ１２０と、基板１００の裏面から化合物半導体層１１０の厚さ方向の途中まで除去された除去領域１３０と、除去領域１３０に埋め込まれ、前記基板より高い熱伝導度を有する高熱伝導性絶縁体１３１とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、かつ高性能の大電力用の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に配置された窒化物系化合物半導体層１２と、窒化物系化合物半導体層１２上に配置され、アルミニウム窒化ガリウム層（Ａｌ_xＧａ_1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１４からなる活性領域ＡＡと、活性領域ＡＡを互いに素子分離する素子分離領域３４と、素子分離領域３４によって囲まれた活性領域ＡＡ上に配置されたゲート電極２４、ソース電極２０およびドレイン電極２２と、素子分離領域３４上に配置され、それぞれゲート電極２４，ソース電極２０およびドレイン電極２２に接続されたゲート端子電極２４０，ソース端子電極２００およびドレイン端子電極２２０と、ゲート電極２４とドレイン端子電極２２０との間に形成した溝部２８とを備える半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、かつ微細化可能な大電力用の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に配置された窒化物系化合物半導体層１２、窒化物系化合物半導体層１２に配置され、アルミニウム窒化ガリウム層（Ａｌ_xＧａ_1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）１４からなる活性領域と、活性領域を互いに素子分離する素子分離領域２４と、素子分離領域２４によって囲まれた活性領域上に配置されたゲート電極２０、ソース電極１８およびドレイン電極２６と、ゲート電極２０下の一部をエッチングした溝部２８ａ，２８ｂとを備える半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレイション耐性の高いエアブリッジ配線を具備した半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の配線と、第１の配線から空間によって隔てられた状態で、前記第１の配線の上を横切る第２の配線と、前記第１及び第２の配線に接続された半導体素子を具備し、前記第２の配線は、下から順に、タンタル層、タンタルナイトライド層、及び金層が積層されて形成されていること。 （もっと読む）

【課題】発振が抑制できるとともに、直流動作測定を正確に行うことができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１１上に形成された複数のドレイン電極１５、及び複数のソース電極１４と、これらのドレイン電極１５とソース電極１４との間にそれぞれ形成された複数のゲート電極１３と、これらのゲート電極１３に接続された複数のゲートバスライン１８と、これらのゲートバスライン１８にそれぞれ接続された複数のゲートパッド２０と、これらのゲートパッド２０と複数のゲートバスライン１８との間に形成され、複数のソース電極１４を接続するソースパッド１６と、このソースパッド１６に対向する位置に形成され、複数のドレイン電極１５を接続する複数のドレインパッド１７と、ＧａＡｓ基板１１に埋め込み形成され、複数のゲートパッド２０をそれぞれ接続する抵抗２１と、複数のドレインパッド１７をそれぞれ接続するマイクロストリップライン２２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時の水圧を受け流し、エアブリッジ配線部の断線を防ぐ半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ上の半絶縁性基板と、半絶縁性基板の表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極と、半絶縁性基板の表面に配置され,ゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極、ソース端子電極およびドレイン端子電極と、ソース端子電極に、所定本数のソースフィンガー電極を接続するエアブリッジ配線部とを備え、エアブリッジ配線部は、ダイシング方向に対して例えば、約３０度以上斜めに配置されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】シングルゲート型の双方向スイッチ素子において、閾値電圧を低く抑え、低オン抵抗を実現すると共に、形状の制約を緩和する。
【解決手段】交流電源及び負荷に対してそれぞれ直列に接続され、基板表面上に形成された第１電極Ｄ１及び第２電極Ｄ２と、少なくともその一部分が基板２の表面２ｄ上に形成され、第１電極Ｄ１の電位及び第２電極Ｄ２の電位に対して中間電位となる中間電位部Ｓと、少なくともその一部分が中間電位部Ｓに接続され、中間電位部Ｓに対して制御を行うための制御電極Ｇを備えた横型のトランジスタ構造を有し、中間電位部Ｓ及び制御電極Ｇが、第１電極Ｄ１及び第２電極Ｄ２に対して所定の耐電圧を維持しうる位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】簡便に形成でき、特性の良好な電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる電界効果型トランジスタは、アクティブ領域４０に形成されたソース電極２０と、アクティブ領域４０に形成されたドレイン電極３０を有する。また、アクティブ領域４０に形成され、ソース電極２０とドレイン電極３０に挟まれたゲート電極１０と、ゲート電極１０とソース電極２０によって挟まれた領域より外側において、ゲート電極１０近傍に形成されたＦＰ電極５０と、ＦＰ電極５０に含まれ、アクティブ領域４０の外側に形成され、接地されたＦＰパッド５２とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】ＶＩＡホール側壁の金属層が半導体層に拡散することを防止する。
【解決手段】半絶縁性基板１１の第１表面に配置されたゲートフィンガー電極２、ソースフィンガー電極３およびドレインフィンガー電極４と、第１表面と反対側の第２表面に配置された接地導体２６と、ゲートフィンガー電極２、ソースフィンガー電極３およびドレインフィンガー電極４ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極１４、ソース端子電極１８およびドレイン端子電極１２と、ゲートフィンガー電極２、ソースフィンガー電極３およびドレインフィンガー電極４の下部の半絶縁性基板１１上に形成された動作層と、動作層近傍のＶＩＡホール３０の内壁面上に配置された絶縁膜４４と、絶縁膜４４および半絶縁性基板１１の第２表面に形成され、ソース端子電極１８に対して第２表面側から接続された接地電極４６とを備える半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】電極パッド間に形成された抵抗の焼損を抑制するとともに、ＦＥＴチップの直流動作測定を容易に行うことができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１１上に形成された複数のドレイン電極１５、及び複数のソース電極１４と、これらのドレイン電極１５とソース電極１４との間にそれぞれ形成された複数のゲート電極１３と、これらのゲート電極１３に接続された複数のゲートバスライン１８と、これらのゲートバスライン１８にそれぞれ接続された複数のゲートパッド２０と、これらのゲートパッド２０と複数のゲートバスライン１８との間に形成され、複数のソース電極１４を接続するソースパッド１６と、このソースパッド１６に対向する位置に形成され、複数のドレイン電極１５を接続するドレインパッド１７と具備するＦＥＴチップにおいて、複数のゲートバスライン１８及び複数のゲートパッド２０は、それぞれＧａＡｓ基板１１に埋め込み形成された高抵抗層２２で接続されている。 （もっと読む）

【課題】ビアホールに起因し基板に生じる亀裂を抑制し、かつチップ面積を削減することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、長方形の基板１０と、楕円形状または直線部分をその長軸方向に有するトラック形状からなり、その長軸が基板１０の長辺方向に沿って配置されてなるビアホール１２と、を具備することを特徴とするである。本発明によれば、ビアホールに起因した基板に生じる亀裂を抑制し、かつチップ面積を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置表面に堆積された犠牲層を短時間に除去することができ、製造歩留りの向上する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成されたゲート電極１、ドレイン電極２およびソース電極３を有する電界効果トランジスタ４と、ゲート電極１、ドレイン電極２およびソース電極３を被覆し、半導体基板４Ａ上に設けられた中空保護膜５とを備え、中空保護膜５は、第１のキャップ層７と、第１のキャップ層７上に配置された第２のキャップ層１０と、ドレイン電極２およびソース電極３の上方の第１のキャップ層７の位置に形成された複数の開口部１２と、開口部１２を第２のキャップ層１０により封止する封止部１２Ａとを有し、開口部１２を介して酸素プラズマを供給して犠牲層６をアッシング除去する半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の剥がれを防止することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に形成されたＧａＮ系の材料からなるバッファ層上にアンドープＡｌＧａＮ層１３が形成され、このアンドープＡｌＧａＮ層１３上に、アンドープＡｌＧａＮ層１３とオーミック接合されたドレイン電極１５及びソース電極１６が、互いに離間して形成されている。また、アンドープＡｌＧａＮ層１３上におけるこれらの電極１５、１６の間には、Ｎｉ、Ａｕをこの順で積層した金属からなるゲート電極１７が形成されている。このゲート電極１７は、その端部１７−２がアンドープＡｌＧａＮ層１３の周囲のＧａＮバッファ層１２上に絶縁膜１４を介してＴｉを含む金属で形成された下地金属１８上に形成されている。 （もっと読む）