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Fターム[5F103AA06]の内容

半導体装置を構成する物質の物理的析出 (6,900) | 析出方法 (899) | 蒸着 (423) | イオンビーム (10)

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【課題】高移動度でしきい電位安定性を有し、且つコスト面や資源的制約、プロセス的制約の少ないZTO(亜鉛錫複合酸化物)系酸化物半導体材料の適正なZn/(Zn+Sn)組成の酸化物半導体ターゲット及びそれを用いた酸化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Zn/(Zn+Sn)組成が0.6〜0.8である亜鉛錫複合酸化物焼結体をターゲットとする。また、ターゲット自体の抵抗率を1Ωcm以上の高抵抗とする。更に、不純物の合計濃度を100ppm以下に制御する。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板の全表面にわたって均一な厚みを有しかつ品質の安定したSi34へテロエピタキシャルバッファ層を容易にかつ安価に作製する作成方法及び装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のRF(高周波)高輝度(HB)放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりSi34単結晶膜をエピタキシャル成長させること。 (もっと読む)


本発明のシリコーン薄膜の製造方法は、基板を提供する段階と;前記基板上にシリコーンソースを供給する段階と;前記シリコーンソースを供給してシリコーン薄膜を形成するとともに、電子ビームとイオンビームを照射したり、シリコーンソースを供給してシリコーン薄膜を形成した後後処理として前記基板上に電子ビームとイオンビームを照射する段階とを含む。本発明によって、前記供給されたシリコーンソースによって前記基板上にシリコーン薄膜が蒸着されながら前記照射された電子ビームが前記蒸着中のシリコーン薄膜にエネルギーを供給してこのシリコーン薄膜を蒸着工程中に(in−situ)結晶化させたり、非晶質シリコーン薄膜が形成された後後処理として電子ビームとイオンビームを照射することによって結晶化させることができる。また、電子ビームを照射するとともに、イオンビームをともに照射することによって、基板表面に蓄積される電子ビームの電荷がイオンビームの電荷によって中和されるようにして、電子ビームの電荷が基板表面に蓄積されて不必要な表面電流を形成することを防止し、效率的に非晶質シリコーン薄膜を結晶化させることができる。
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【課題】従来の方法では、良質な量子ドット結晶が得られない。
【解決手段】半導体微小突起構造体51の製造方法においては、微小突起21を形成し、その後加熱によって微小突起21を構成する材料を気化させて微小突起21を除去することにより穿孔41を形成している。そのため、穿孔41内の微小突起21などによる残留物が低減できる。そのため、穿孔41が形成された位置、すなわち微小突起21を形成した所望の位置に高品質な半導体微小突起構造体51を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】高品質な水素化アモルファスシリコン膜の製造技術を提供する。
【解決手段】電子銃4から出射される電子ビームを蒸着源3に照射・掃引し、蒸着源3を溶融する。これにより蒸着源3であるシリコンが蒸発し、基板10表面にシリコン膜を蒸着する。シリコン膜の堆積速度は、膜厚モニター7によって測定されており、膜厚モニター7から電子銃4への信号に基づいて、ほぼ一定の蒸着速度になるように電子銃4の出力を制御する。シリコン膜の堆積速度は、好ましくは0.02〜1nm/sであり、より好ましくは、0.05〜0.5nm/sである。さらに、基板10にシリコンを蒸着する際に、基板10上に水素化アモルファスシリコン膜を形成するために、シリコン膜の堆積と同時にイオンビームアシスト蒸着法によって水素イオンを含むイオンビームを照射する。 (もっと読む)


【課題】対象物を加熱したり、対象物表面へ下地層を形成したりすることなく、低コストで炭素系膜を形成することが可能な炭素系膜の形成装置および形成方法の提供。
【解決手段】炭素を含むガスと不活性ガスとの混合ガスをプラズマ生成部5によりプラズマ化し、このプラズマから引出電極7a,7bによりイオンビームを引き出して加速し、この引き出されたイオンビームを対象物X上へ照射することにより、対象物X表面の改質とこの対象物表面への炭素系膜の形成とを同時に行う。 (もっと読む)


【課題】 可動部を省略し、簡略な構成でサンプルデバイスを良好に製造できるコンビナトリアルデバイス製造装置を提供する。
【解決手段】 コンビナトリアルデバイス製造装置は、膜を組み合わせて基板上に複数種類のデバイスを製造するものであって、膜を形成するための材料をイオン化してイオンを放出するイオン源と、イオン源から放出されたイオンを基板上に蒸着するイオン輸送系と、イオン輸送系で輸送されるイオンの進行方向を電界及び磁界のうち少なくともいずれか一方を使って偏向し、基板上でのイオンの蒸着位置を制御する制御系とを備えている。 (もっと読む)


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