【課題】半導体基板の温度を高精度かつ高い再現性で測定する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板温度測定装置を含む半導体デバイス製造装置であるＭＢＥ装置２０は、半導体基板の温度を測定する半導体基板温度測定装置において、基板２において散乱された散乱光のスペクトルに基づき、基板２の温度を算出する基板温度演算装置１１を備え、基板温度演算装置１１は、散乱光のスペクトル基づき算出した基板２の温度を、基板２のドーパント濃度に基づいて補正する。 （もっと読む）

約８００℃未満の温度でエピタキシャルＡｌＧａＮ層を調製するための方法が提供される。包括的には、基板が、エピタキシャルＡｌ_xＧａ_1-xＮ層を形成するのに適した温度と圧力で、Ａｌ源の存在下で、Ｈ₂ＧａＮ₃、Ｄ₂ＧａＮ_sまたはそれらの混合物と接触させる。さらに、基板の上方に形成された、複数の反復合金層を含むスタックを備え、複数の反復合金層は２つ以上の合金層の種類を有し、少なくとも１つの合金層の種類はＺｒ_zＨｆ_yＡｌ_1-z-yＢ₂合金層からなり、ｚとｙの合計は１以下であり、スタックの厚さは約５０ｎｍより大きい、半導体構造が提供される。 （もっと読む）

【課題】予め設定された大きさよりも小さい試料基板を装置内の試料基板保持部で保持することができる保持治具を提供する。
【解決手段】半導体処理装置内で予め設定された大きさの試料基板を保持する試料基板保持部に取り付けられる保持冶具１００であって、試料基板と略同じ大きさを有し、試料基板の大きさよりも小さい試料基板８００の一面を露出した状態で小さい試料基板８００の一面に対する裏面を支持する冶具本体２００を備え、冶具本体２００には、小さい試料基板の裏面を露出する穴２１０が設けられた。 （もっと読む）

【課題】 簡易な工程でありながらも、比較的安価なＳｉ基板上に高品質な半導体薄膜を形成する方法と、その方法によって得られる半導体薄膜構造物を提供すること。
【解決手段】 Ｓｉ基板上に半導体を結晶成長させて薄膜を形成する方法であって、対象の半導体を結晶成長させるＳｉ基板の上面を、微小角度傾斜させた状態で、結晶成長装置内にＳｉ基板をセッティングし、そのＳｉ基板の傾斜角度は、対象半導体結晶の底面に相応する結晶軸の格子定数のＳｉ基板上面に対する正射影が、Ｓｉ基板の上面に相応する結晶軸の格子定数と略一致する角度とする。 （もっと読む）

【課題】電界発光（ＥＬ）素子および、希土類元素がドープされたシリコン（Ｓｉ）／二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）格子構造の形成方法の提供。
【解決手段】基板を被うＳｉ層のＤＣスパッタリングする工程１００４と、該Ｓｉ層へドープするための希土類元素のＤＣスパッタリングする工程１００６と、希土類元素がドープされたＳｉ層を被うＳｉＯ_２層のＤＣスパッタリングする工程１０１０と、格子構造を形成する工程１０１２と、希土類元素がドープされたＳｉ層においてナノ結晶を形成するためのアニール工程１０１４とを含む。一形態において、希土類元素およびＳｉは、同時ＤＣスパッタされる。格子構造において、ＳｉＯ_２層と希土類元素がドープされたＳｉ層が交互に複数積層されるように、ＳｉのＤＣスパッタリング、希土類元素のＤＣスパッタリング、およびＳｉＯ_２のＤＣスパッタリングする工程は５〜６０回繰り返される。 （もっと読む）

ドープ酸化金属皮膜を作製する方法であり、ステップ：
（ａ）真空槽内に半導体基板を準備する；（ｂ）不活性キャリアガスの存在下で前記槽内に少なくとも金属（Ｍ）、酸素（Ｏ）およびドーパントイオンを含むプラズマを発生させる；（ｃ）前記プラズマから前記基板上にドープ酸化金属（ＭＯ）皮膜を形成する；および（ｄ）ステップ（ｃ）の間、前記基板上にｎ型ＭＯ皮膜およびｐ型ＭＯ皮膜の少なくとも１つを形成するために、前記プラズマ内の前記ドーパントイオンに対するＯイオンの量を制御する、を含む、前記方法。ドープ酸化金属皮膜を作製するシステムもまた開示する。
（もっと読む）

ＦｅドープＩｎＰ等の半導体基板上にＩｎＡｌＡｓ等の化合物半導体からなるエピタキシャル層を再現性よく成長させることのできる気相成長方法を提供する。
半導体基板上にエピタキシャル層を成長させる気相成長方法において、予め室温における半導体基板の抵抗率を測定し、該半導体基板の抵抗率に関わらず実際の基板の表面温度が所望の温度となるように、前記室温における抵抗率に応じて基板の設定温度を制御し、エピタキシャル層を成長させるようにした。 （もっと読む）

【課題】 バイアスされた基板支持体上に取りつけられたクランプされた基板の温度を制御する方法を提供する。
【解決手段】 基板支持体は、基板を加熱または冷却するための裏側ガスの流れを可能にする通路を有し、それによって、裏側ガスの圧力が少なくとも１５トルに維持される。高いガス圧が基板を横切って処理の厚さの均一性を改善する。スパッタされたシード層のプラズマ堆積のために、シード層の形状は、基板のエッジ近くで改善され、基板を横切る層の均一性も改善される。 （もっと読む）