【課題】シリコン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ＲＦ出力により発生したＸｅイオンをＳｉターゲットに衝突させ、当該ＳｉターゲットからＳｉパーティクルを発生させ、当該Ｓｉパーティクルを所定の基板上に堆積させる方法において、工程圧力を０．６７Ｐａ（５ｍＴｏｒｒ）以下、前記ＲＦ出力を２００Ｗ以上にするシリコン薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】壁厚さの調節と多層形成が容易な線状ナノ材料の製造方法、これによる線状ナノ材料、その線状ナノ材料を利用した薄膜トランジスタ基板を提供する。
【解決手段】本発明による線状ナノ材料の製造方法は、直径２００ｎｍ以下の孔隙が形成されている鋳型を設ける工程と；気相の有機物質を導入して、前記孔隙内に線状ナノ材料を形成する工程と；を含むことを特徴とする。また、本発明の線状ナノ材料は、直径が２００ｎｍ以下であり、内部が空いているチューブ形状のシェルと、前記シェルの内部に形成されているコアとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶表示素子を安価で、より短縮された工程時間内に製造できるようにするために、新たな方法によってパターンを形成する方法、およびそのパターン形成方法を用いて薄膜トランジスタおよび液晶表示素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る段差のあるパターン形成方法は、第１印刷ロールに所定の形状の第１パターンを形成する工程と、基板上で前記第１印刷ロールを回転させ、基板上に第１パターンを転写する工程と、第２印刷ロールに所定の形状の第２パターンを形成する工程と、第１パターンが転写された基板上で第２印刷ロールを回転させ、基板上に第２パターンを転写する工程とを含んでなる、第１パターンおよび第２パターンの組合せによって行われることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非晶質酸化物を利用した新規な画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アクティブマトリックス型の画像表示装置において、光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタの活性層１２として、非晶質酸化物を用いる。アクティブマトリックス型の画像表示装置であって、光制御素子と、光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、を備え、電界効果型トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満の非晶質酸化物である。 （もっと読む）

【課題】容易な有機半導体の精製方法について提供することを課題とする。また、良好な動作特性を示す半導体装置について提供する。
【解決手段】この有機半導体の精製方法の一は、有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理を含むことを特徴としている。半導体装置は、第１の有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理をして得られた第２の有機半導体を活性層として用いていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 高速な応答特性を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，ＢにＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置され、ゲート電極が形成された基板上に堆積し、該ゲート電極に対応するようにＺｎＯ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板にダメージを与えることなく酸化亜鉛等の膜を形成することができる膜形成方法等を提供する。
【解決手段】 成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，Ｂに、ＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置された基板上に堆積し、該基板表面にＺｎＯ膜を形成する。 （もっと読む）

有機材料を堆積する方法が提供される。有機材料が基板に堆積されるように、有機材料を搬送するキャリアガスは、そのキャリアガスの熱運動速度の少なくとも１０％である流速でノズルから噴出される。ある実施形態では、そのキャリアガスを囲う、ノズルと基板との間の領域における動態的圧力は、噴出中、少なくとも１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは１０Ｔｏｒｒである。ある実施形態では、保護流体がキャリアガスの周囲に供給される。ある実施形態では、バックグラウンド圧力は、少なくとも約１０^−２Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約０．１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１０Ｔｏｒｒであり、より好ましくは約１００Ｔｏｒｒであり、最も好ましくは約７６０Ｔｏｒｒである。
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ゲート電極と、ゲート誘電体と、ソースおよびドレイン電極と、半導体層とを含む薄膜トランジスタを提供する工程と、封止材料をアパーチャマスクのパターンを通して前記半導体層の少なくとも一部の上に蒸着する工程とを含む、薄膜トランジスタの封止方法。
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