【課題】目標とする抵抗率を有する結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の結晶性ホモロガス化合物層を含む積層体の製造方法は、Ｍ^１Ｍ^２Ｏ_３（Ｍ^３Ｏ）_ｍ（Ｍ^１＝Ｓｃ、Ｉｎ、Ｌｕ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ及びＹからなる群より選択される少なくとも１種類の元素、Ｍ^２＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｉｎ及びＡｌからなる群より選択される少なくとも１種類の元素、Ｍ^３＝Ｃｄ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選択される少なくとも１種類の元素、ｍ＝１以上の自然数）で表される結晶性ホモロガス化合物層を形成する工程と、酸素分圧が２×１０^−２Ｐａ以下、及び、温度が１５０℃以上の少なくとも一方の条件を満たす雰囲気下で、前記結晶性ホモロガス化合物層を覆う保護層を形成することにより前記結晶性ホモロガス化合物層の抵抗率を制御する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】アモルファス酸化物半導体を主成分とする活性層を有し、２００℃以下の比較的低温の熱処理でもＴＦＴ特性が効果的に向上し、駆動時の閾値シフトが小さく、信頼性の高い薄膜トランジスタを製造することができる方法を提供する。
【解決手段】アモルファス酸化物半導体を主成分とする活性層１６を有するボトムゲート構造の薄膜トランジスタ２０を製造する方法であって、前記活性層として、酸素含有雰囲気下で、スパッタリング法によって比抵抗値が１．５Ωｃｍ以上１５００Ωｃｍ以下になるように前記アモルファス酸化物半導体を主成分とする膜を形成する工程と、前記アモルファス酸化物半導体を主成分とする膜を形成した後、酸素含有雰囲気下で温度が１００℃以上２００℃以下の熱処理を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】透明な薄膜を堆積し、パターン構造を直接堆積する方法を提供する。
【解決手段】透明な薄膜を堆積し、パターン構造を直接堆積する方法であって、パルスレーザ源を提供し、前記パルスレーザ源が出射するレーザ１を透明な基板３を介してターゲット５上に集光させて、前記レーザのエネルギーを使用して前記ターゲットの部分を融除又は蒸発させ、前記基板を前記ターゲットに対して並進運動させる、前記融除又は蒸発された前記ターゲットの材料が前記基板上に堆積し、前記基板上にパターン構造を形成できるようにする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜の酸素量を精度良く制御する。
【解決手段】大気と遮断された酸化物半導体薄膜形成室２０内で、基板３６上に、酸化物半導体の薄膜、すなわち活性層１０６を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程の中で前記薄膜を加熱する加熱工程と、前記酸化物半導体薄膜形成室２０と接続され、前記大気と遮断された輸送室１４内で、前記基板３６上に形成した薄膜を、前記加熱工程により加熱された温度から急速冷却する冷却工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】組成式Ｉｎ_２−ｘＧａ_ｘＯ_３（ＺｎＯ）_ｍの中でもｍ＝１の結晶質ＩＧＺＯ系酸化物材料において、単相で且つ半導体のＩＧＺＯ系酸化物材料からなる活性層を備え、良好な電気特性を有する薄膜トランジスタ等を提供する。
【解決手段】組成式がＩｎ_２−ｘＧａ_ｘＺｎＯ_４−δで表され、ＹｂＦｅ_２Ｏ_４型結晶構造を有するＩＧＺＯ相の単相からなり、前記組成式中のｘが０．７５＜ｘ＜１．１であり、δが０＜δ≦１．２９１６１×ｅｘｐ（−ｘ÷０．１１８０２）＋０．００１５３であるＩＧＺＯ系酸化物材料を、構成材料とした活性層１４を備えるＴＦＴ１０を採用した。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ、Ｇａなどのレアメタルを含まず、Ｚｎを含む酸化物層を用いたトランジスタを提供し、Ｚｎを含む酸化物層を用いたトランジスタにおいて、オフ電流を低減し、電気特性を安定させることを課題の一とする。
【解決手段】Ｚｎを含む酸化物層を用いたトランジスタにおいて、酸化物層の上に絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を積層し、酸化物層とソース電極層又はドレイン電極層とが絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を介して接触するようにトランジスタを形成することによって、トランジスタのしきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体で形成したチャネル層と、塗布による容易に形成することができ高い耐電圧を示す有機ゲート絶縁膜とを組み合わせた高性能な薄膜トランジスタを、生産性や半導体性能の問題を生じることなく実現することを目的とする。
【解決手段】ソース電極５、ドレイン電極６、ゲート電極２、チャネル層４、及びゲート絶縁層３を具備する薄膜トランジスタにおいて、前記チャネル層４が酸化物半導体で形成されていると共に、前記ゲート絶縁層３が有機絶縁膜からなり、かつ該チャネル層４とゲート絶縁層３との間に、前記チャネル層４と同一材料からなり、かつ該チャネル層４よりもキャリヤ密度が低い酸化物半導体層７を成形したことを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】無加熱のスパッタ成膜法で形成でき、かつ良好なアモルファス性を有する上、更に高い移動度を有する半導体膜を開発し、より高性能な薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極の３電極、チャネル層及びゲート絶縁膜の各要素を具備してなる薄膜トランジスタにおいて、前記チャネル層がタングステンと亜鉛及び／又は錫とをドープした酸化インジウム膜で形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】高移動度でしきい電位安定性を有し、且つコスト面や資源的制約、プロセス的制約の少ないＺＴＯ（亜鉛錫複合酸化物）系酸化物半導体材料の適正なＺｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）組成の酸化物半導体ターゲット及びそれを用いた酸化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）組成が０．６〜０．８である亜鉛錫複合酸化物焼結体をターゲットとする。また、ターゲット自体の抵抗率を１Ωｃｍ以上の高抵抗とする。更に、不純物の合計濃度を１００ｐｐｍ以下に制御する。 （もっと読む）

【課題】無加熱のスパッタ成膜法で形成でき、かつ高い移動度とアモルファス性を兼備するという特徴を維持したまま、比較的容易な制御により安定的な特性を有する含インジウム金属酸化物膜を得ることができ、安定的な特性を有するＴＦＴ素子を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１の加熱を行わずに上記スパッタを行って上記金属酸化膜３を形成し、上記チャネル層３、ソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極２の各要素を基板上に形成した後、熱処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、しきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることを課題の一とする。また、オフ電流を低減することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を積層し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とが絶縁性酸化物を含む酸化物半導体層を介して接触するように薄膜トランジスタを形成することによって、薄膜トランジスタのしきい値電圧のばらつきを低減し、電気特性を安定させることができる。また、オフ電流を低減することもできる。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで成膜でき、不純物散乱を低減して高い移動度を有する酸化物半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】銅元素（Ｃｕ）を含有する酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）又は酸化スズ（ＳｎＯ２）を含む酸化物半導体薄膜を、銅元素の原子比が下記式を満たすスパッタリングターゲットを用いて基板温度を５００℃以下で成膜し、５００℃以下でアニール処理する。０．００１≦Ｃｕ／（Ｃｕ＋Ｘ）≦０．１（式中、Ｘは、Ｉｎ又はＳｎ） （もっと読む）

【課題】電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物薄膜とそれを用いた薄膜トランジスタの提供。
【解決手段】気相成膜法で成膜され、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって、該酸化物の組成は、結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは６未満の自然数）であり、不純物イオンを添加することなしに、電子移動度が１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）超、かつ電子キャリヤ濃度が１０^１６／ｃｍ^３以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜。この透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜をチャネル層としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高性能なｐ型酸化物半導体膜を安価に得られ、また酸化物半導体を用いた相補型素子を作製する際には、ｎ型半導体とｐ型半導体を別々の工程で成膜しなくてもよくコスト低減可能なＳｎＯを含む膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ＳｎＯを含む膜を形成する第１の工程と、前記ＳｎＯを含む膜の上に酸化物又は窒化物からなる絶縁膜を形成する第２の工程と、前記ＳｎＯを含む膜と前記絶縁膜を含む積層膜を熱処理する第３の工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物薄膜の成膜方法の提供。
【解決手段】組成が、式［Ｓｎ_１−ｘＭ４_ｘＯ_２］ａ・［（Ｉｎ_１−ｙＭ３_ｙ）_２Ｏ_３］ｂ・［Ｚｎ_１−ｚＭ２_ｚＯ］ｃ(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、かつｘ、ｙ、ｚは同時に１ではなく、０≦ａ≦１、０＜ｂ≦１、０≦ｃ≦１、かつａ＋ｂ＋ｃ＝１）、で示される酸化物の多結晶をターゲットとして、基板の温度は意図的に加温しない状態で、酸素ガスを含む雰囲気中の酸素分圧を制御して、基板上に薄膜を堆積させることによって、室温での電子移動度が０．１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）以上、かつ電子キャリヤ濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である半絶縁性である透明アモルファス酸化物薄膜を気相成膜する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのチャネルに用いられる酸化物材料に工夫を加え、上記ヒステリシスの低減を図ることを目的とする。
【解決手段】電界効果型トランジスタのチャネル層に用いるＧａとＩｎとＺｎ、ＳｎとＩｎとＺｎ、ＩｎとＺｎとＧａとＭｇ、ＩｎとＳｎ、ＩｎとＧａ、又はＩｎとＺｎを含むアモルファス酸化物膜の製造方法であって、基板を成膜装置内に配置する工程と、水素ガスと酸素ガスとを前記成膜装置内に各々０．００１Ｐａ以上０．０１Ｐａ以下、０．００８Ｐａ以上０．５Ｐａ以下の分圧で導入しながら、スパッタリング成膜法により前記基板上にアモルファス酸化物膜を成膜する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な特性の多結晶シリコン膜を短時間に形成できる多結晶シリコン膜の形成方法、形成装置及びそれにより形成された多結晶シリコン膜が形成された基板を提供する。
【解決手段】シリコン蒸発源１５の加熱によりシリコン微粒子を生成し、次に、シリコン微粒子を移送し、超音速フリージェットＪの気流に乗せて真空チャンバー３０中に噴出して、真空チャンバー３０中に配置された基板３３上に物理蒸着させ、シリコン微粒子からなる多結晶シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐ＰＡＮ性を有し、ノーマリーオフで、高移動度、低オフ電流値、低閾値電圧、またＳ値が低く高い動作安定性を示す高性能な薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及び錫元素（Ｓｎ）の合計（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）に対する、各元素の原子比が下記の関係を満たす酸化物半導体からなる酸化物焼結体。
０．１８＜Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．７９
０．０００１０＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．２７
０．０６０＜Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．４９
０．１２＜Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．４０ （もっと読む）

【課題】 スパッタリングガスに酸素を含有させ酸素流量を大きくしたとしても、バイアスを印加しない場合と同等又はそれ以上の結晶子サイズを有する酸化亜鉛薄膜を得ることができる酸化亜鉛薄膜の成膜方法、該成膜方法により得られた酸化亜鉛薄膜、該酸化亜鉛薄膜を用いた半導体素子、該酸化亜鉛薄膜を成膜するための成膜装置を提供する。
【解決手段】 酸素と不活性ガスからなるスパッタリングガスを含む雰囲気下で酸化亜鉛ターゲットを用いてスパッタリングすることにより、酸化亜鉛薄膜を基板上に成膜する成膜方法であって、前記基板にパルスバイアスを印加しつつ成膜することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いて高階調な電界発光装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が、室温から温度の低下と伴に電子キャリア濃度が減少する傾向を有し、その活性化エネルギーが０．０４ｅＶ以上０．１０ｅＶ以下である非晶質酸化物を含有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ、およびそれを用いた電界発光装置。 （もっと読む）