【課題】可撓性を有するとともに、ＴＦＴの性能安定性が高いトランジスタ基板及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の面にガスバリア層２０が設けられたプラスチック基材１２と、前記プラスチック基材上に設けられ、ゲート電極４２、ゲート絶縁層３０、酸化物半導体又は有機半導体を含む活性層４４、ソース電極４６、及びドレイン電極４８を有する電界効果型薄膜トランジスタ４０と、を含み、前記ガスバリア層が、少なくとも１つの有機層２４と少なくとも１つの無機層２２，２６とが積層した構造を有し、且つ、前記ゲート絶縁層が、少なくとも１つの有機層３４と少なくとも１つの無機層３２，３６とが積層した構造を有することを特徴とするトランジスタ基板１０。 （もっと読む）

【課題】 ＳＦ6等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、窒化シリコン膜、アモルファスシリコン膜等のシリコン化合物膜を良好にドライエッチングする。
【解決手段】 例えば、ゲート絶縁膜３の上面には真性アモルファスシリコン膜２１および窒化シリコン膜（チャネル保護膜形成用膜）２２が成膜され、その上にはレジスト膜２３が形成されている。そして、少なくともＣＯＦ_２ガスを含むエッチングガスを用いてドライエッチングすると、窒化シリコン膜２２を良好にドライエッチングすることができ、レジスト膜２３下にチャネル保護膜が形成される。この場合、下地の真性アモルファスシリコン膜２１が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜２１がある程度ドライエッチングされるが、その際の選択比は約７である。 （もっと読む）

【課題】直流スパッタリング法が使用できる程度にバルク抵抗値が低いスパッタリングターゲットを効果的に製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ及びＴｉから選択される１又は２以上の金属元素を含有し、金属元素の一部が、金属元素の価数よりも高い金属元素で置換固溶されている酸化物を含む原料粉末を、加圧下で直流パルス電流を通電して通電焼結させることを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板１上に、少なくとも、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、活性層４−１、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層４−１と前記ソース電極５−１及び前記ドレイン電極５−２の少なくとも一方との間に抵抗層４−２を有し、前記活性層がＩｎ，Ｚｎ及びＧａより成る群から選ばれる少なくとも１種を含む酸化物を含有し、前記抵抗層が少なくともＧａを含有する酸化物を含有し、前記抵抗層の酸化物のＧａ含有率が前記活性層の酸化物のＧａ含有率より高いことを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜上の電流チャネルにおけるスムーズなキャリアの移動を可能とし、高いキャリア移動度を実現する。
【解決手段】 絶縁性基板１０と、絶縁性基板上に形成されたゲート電極１１と、ゲート電極１１上に形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に積層され、ゲート絶縁膜１２に接する界面近傍に電流チャネル１６を有する有機電子材料膜１３と、有機電子材料膜の電流チャネル１６に電流を流すためのソース電極１５およびドレイン電極１４と、を備え、電流チャネル１６に流れる電流を制御するゲート電極１２が、アモルファス金属よりなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア移動度とノーマリーオフ特性とを有する電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電圧を印加するためのゲート電極２６と、電流を取り出すためのソース電極２３及びドレイン電極２４と、ソース電極２３及びドレイン電極２４に隣接して設けられ、マグネシウム（Ｍｇ）とインジウム（Ｉｎ）を主成分とする酸化物半導体からなる活性層２２と、ゲート電極２６と活性層２２との間に設けられたゲート絶縁層２５とを備えている。そして、活性層２２を形成する際に流す酸素ガスの流量は、酸素分圧が１．７×１０^−３Ｐａとなるように調整されており、活性層２２を構成する酸化物半導体は、体積抵抗率が１０Ωｃｍで、酸素が非化学量論組成であるＭｇＩｎ_２Ｏ_４系酸化物半導体となる。 （もっと読む）

【課題】薄膜センサの出力電流に混入するノイズ電流の影響を除去できる薄膜センサ装置を提供すること。
【解決手段】光センサ２０を構成するＴＦＴ２０ａの電流出力端子の配線とＣＯＭ配線１４ａとの間にシールド配線２１を設け、電流出力配線とＣＯＭ配線１４ａとの間の電位差が時間的に変動しないように、シールド配線２１の電位を所定電位に固定しておく。これにより、光センサ２０の出力電流へのノイズ電流の混入が防止される。 （もっと読む）

【課題】半導体層の段切れの発生を防止して製造歩留りを向上できる薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】ＴＦＴ素子２０は、基板１１と、基板１１上に形成された遮光層２２と、遮光層２２を覆う絶縁層２４と、絶縁層２４上に形成されており、チャネル領域２１ｃを有する半導体層２１と、を備え、遮光層２２は、半導体層２１と平面的に交差する方向に直線状に延在するとともに、チャネル領域２１ｃの少なくとも一部に平面的に重なるように配置された第１の部分２２ａと、第１の部分２２ａの延在方向に沿うとともに、半導体層２１に平面的に重なるように配置された第２の部分２２ｂと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】湿式塗布法により形成可能で、有機溶媒に対して耐性を有する有機半導体層を提供する。
【解決手段】有機顔料分散液は、有機溶媒と、この有機溶媒中に分散した有機顔料と、を含有し、有機トランジスタにおける有機半導体層を湿式塗布法によって形成する際の塗布液として用いられる。湿式塗布には、スピンコート法や、有機顔料分散液を微小液滴として吐出してドットまたは層を作製する液滴吐出法を採用できる。 （もっと読む）

【課題】チャネル層の保護と、ＴＦＴ特性の回復の双方を同時に実現することが可能な保護膜を備えた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】チャネル層１３のうちチャネル領域１３Ａとなる部分（露出面１３Ｂ）が、チャネル層１３に接する酸素透過膜１４Ａと、酸素障害膜１４Ｂとをチャネル層１３側から順に含む保護膜１４によって覆われている。保護膜１４の長さＬは、ドレイン電極１５およびソース電極１６の幅Ｗ１に０．５５をかけた値と等しいか、またはそれよりも長くなっている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は高い電界効果移動度と高いＯＮ／ＯＦＦ比を有するアモルファス酸化物半導体を用いて、高精細化が容易で生産性にすぐれた薄膜電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたアモルファス酸化物半導体層と、前記アモルファス酸化物半導体層上に互いに電気的に離れてソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記ソース電極とドレイン電極との間にあってチャネル部を形成する前記アモルファス酸化物半導体上に、結晶性酸化物からなるエッチングストッパー層を備えた薄膜電界効果型トランジスタとその製造方法。 （もっと読む）

【課題】立体規則性の高いポリジアセチレンを半導体層とする電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】エネルギーを照射し重合して形成されたポリジアセチレン膜のエネルギー照射面に、絶縁膜を介して電極を具備したことにより、該ポリジアセチレン膜の電気伝導度を制御したことを特徴とした電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 厚膜銅のパタン加工した断面を順テーパ形状にエッチングすることができ、配線パタンの上に積層する絶縁膜などのカバレッジを良くし、層間短絡などの不良発生を大きく低減可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板やインジウムを主成分とする透明導電膜を形成した基板上に、第一層を下層とし、第二層を上層とする積層膜から構成され、第一層は純銅、第二層は銅よりもウェットエッチング加工における溶解度が大きい銅を主成分とする合金で形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板１上に、少なくとも、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、活性層４、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が酸化物半導体層であり、前記活性層と前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方との間に酸化物半導体層からなる抵抗層６を有し、前記活性層の電気伝導度が１０^−４Ｓｃｍ^−１以上１０^２Ｓｃｍ^−１未満であり、且つ、前記抵抗層の電気伝導度に対する前記活性層の電気伝導度の比率（活性層の電気伝導度／抵抗層の電気伝導度）が、１０^１以上１０^１０以下であり、前記ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の前記抵抗層と接する面側がＴｉ又はＴｉ合金層８−１，８−２である薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードのリーク電流を抑制することができる光電変換装置、及びその製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる光電変換装置は、基板１上に形成された薄膜トランジスタ１０１と、薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極７と接続し、上部電極１２と下部電極１０との間に光電変換層１１が設けられたフォトダイオード１００と、少なくとも上部電極１２を覆う第２パッシベーション膜１３と、第２パッシベーション膜１３の上層に設けられ、薄膜トランジスタ１０１及びフォトダイオード１００を被覆する第３パッシベーション膜１４と、第２パッシベーション膜１３及び第３パッシベーション膜１４に設けられたコンタクトホールＣＨ３を介して、上部電極１２に接続するバイアス配線１６と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層が酸化物半導体層であり、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に前記活性層より電気伝導度の低い抵抗層を有し、前記活性層と前記抵抗層との間に前記活性層の酸化物半導体よりも酸素との結合力の強い元素種を含む酸化物を含有する中間層を有する薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】活性層にアモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴであって、駆動耐久性及び駆動安定性に優れたＴＦＴを提供する。
【解決手段】少なくとも、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、活性層４、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２を有し、前記活性層が少なくともＩｎ及びＺｎを含有するアモルファス酸化物半導体を含有し、ゲート絶縁膜と活性層との間で少なくとも活性層と接するように積層されている第１界面層６１を有し、該第１界面層は活性層のアモルファス酸化物半導体よりＧａ又はＡｌを高い含有率で含有するアモルファス酸化物半導体を含有し、第１界面層とは反対側で活性層と接するように積層されている第２界面層６２を有し、該第２界面層は活性層のアモルファス酸化物半導体よりＧａ又はＡｌを高い含有率で含有するアモルファス酸化物半導体を含有する薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系薄膜と導電膜が直接接続する構造を備えたものであって、該Ａｌ系薄膜と導電膜の接触抵抗の安定的低減が可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にて、純ＡｌまたはＡｌ合金からなる薄膜（以下「Ａｌ系薄膜」という）と導電膜が直接接続する構造を有する表示装置の製造方法であって、前記Ａｌ系薄膜を形成する工程、該Ａｌ系薄膜上に絶縁膜を形成する工程、該絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程、および前記導電膜を形成する工程を含み、前記コンタクトホールを形成する工程の後であって前記導電膜を形成する工程の前に、または、前記導電膜を形成する工程において、前記Ａｌ系薄膜の急速加熱および／または急冷を行って該Ａｌ系薄膜上の自然酸化膜に亀裂を生じさせる工程を含むようにする。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの作製過程で成膜に使用可能な水性の有機半導体分散液を提供する。
【解決手段】少なくとも電荷輸送能力のある有機半導体粉体と、水を主成分とする溶媒と、を含有するとともに、有機半導体粉体が前記溶媒中に分散してなる電子デバイス作成用水性分散液が提供される。この電子デバイス作成用水性分散液は、有機トランジスタや感光体などの各種電子デバイスの製造にあたり、被処理体上に適用され、乾燥させることにより有機半導体膜を成膜する用途に用いられる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、ガラス基板との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、ガラス基板と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｇよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜１０．０原子％含有することを特徴とする。本発明は、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が薄膜トランジスタに用いられている点に特徴を有する表示装置も含むものである。該表示装置としては、該薄膜トランジスタがボトムゲート型構造を有するものであって、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が、該薄膜トランジスタのゲート電極および走査線に用いられ、ガラス基板に直接接触されている態様が好ましい。 （もっと読む）