【課題】チャネル領域を縦方向に設けた電界効果トランジスタにおいて、チャネル領域の長さをさらに短くすることができ、ドレイン電流を増加させることができる電界効果トランジスタ及びその製造方法を得る。
【解決手段】絶縁性の基板１と、基板１上に設けられる凸部形状を有する第１の電極２と、第１の電極２の上面及び側面を覆う絶縁層３と、絶縁層３を介して少なくとも第１の電極の上面上に設けられる第２の電極６と、第１の電極２の側面上の絶縁層３に沿う領域が、第２の電極６との間で形成するチャネル領域となるように、基板上に設けられる第３の電極４，５と、第２の電極６と第３の電極４，５の間を覆い、チャネル領域を形成するように設けられる半導体層７とを備える電界効果トランジスタであって、第２の電極６が、第１の電極２の側面上の絶縁層３上まで延びるオーバーハング部６ａ，６ｂを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】二酸化ケイ素や窒化ケイ素など非常に薄い低応力誘電体材料と半導体層とで
形成された可とう性の膜で集積回路（２４、２６、２８、．．．３０）を製造する汎用手
法を提供する。
【解決手段】膜（３６）の半導体層中に半導体デバイス（２４、２６、２８．．．３
０）を形成する。最初に、標準厚さの基板（１８）から半導体膜層（３６）を形成し、次
いで、基板の薄い表面層をエッチングまたは研磨する。他のバージョンでは、ボンディン
グされた従来の集積回路ダイ用の支持および電気的相互接続として可とう性膜を使用し、
膜中の複数の層に相互接続部を形成する。１つのそのような膜に複数のダイを接続するこ
とができ、膜は次いでマルチチップ・モジュールとしてパッケージされる。 （もっと読む）

【課題】 有機半導体材料を用いたトランジスタ素子において、ｏｎ／ｏｆｆ比の高いトランジスタ素子を提供する。
【解決手段】 本発明のトランジスタ素子は、第１電極と第２電極の間に有機半導体層を配し、該有機半導体層に絶縁膜を介して接するよう設けられた第３電極の電位によって前記第１電極と前記第２電極の間に流れる電流を制御するトランジスタ素子であって、前記第３電極の電子親和力が前記有機半導体の電子親和力よりも大きいことを特徴とする。また、前記第３電極のイオン化ポテンシャルが前記有機半導体のイオン化ポテンシャルよりも小さくしてもよい。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域を縦方向に設けた電界効果トランジスタにおいて、チャネル領域の長さをさらに短くすることができ、ドレイン電流を増加させることができる電界効果トランジスタ及びその製造方法を得る。
【解決手段】絶縁性の基板１と、基板１上に設けられる凸部形状を有する第１の電極２と、第１の電極２の上面２ｃ及び側面２ａ，２ｂを覆う絶縁層３と、絶縁層３を介して少なくとも第１の電極２の上面上に設けられる第２の電極６と、第１の電極２の側面２ａ，２ｂ上の絶縁層３に沿う領域が、第２の電極６との間で形成するチャネル領域となるように、基板上に設けられる第３の電極４，５と、第２の電極６と第３の電極５，６の間を覆い、チャネル領域を形成するように設けられる半導体層７とを備える電界効果トランジスタであって、第３の電極４，５が、第１の電極２の側面２ａ，２ｂ上の絶縁層３上まで延長して形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ電界効果トランジスタのチャネル作製の歩留まりを向上させること。
【解決手段】基板のソース電極およびドレイン電極の形成予定部位に、ゾルゲル状態のアミノアルキルアルコキシシランの層を形成する。基板上にカーボンナノチューブの分散液を提供して、カーボンナノチューブを基板上に形成されたゾルゲル状態のアミノアルキルアルコキシシランの層に選択的に結合させる。窒素ガスを吹き付けてゾルゲル状態のアミノアルキルアルコキシシランの層を押し流し、ソース電極形成予定部位とドレイン電極形成予定部位との間にカーボンナノチューブを架橋させる。基板のソース電極形成予定部位にソース電極を形成し、基板のドレイン電極形成予定部位にドレイン電極を形成する。 （もっと読む）

ナノワイヤ回路構造物を提示する。この技術は、ナノワイヤトランジスタ（８、９）と、オープションのナノワイヤコンデンサ（１２）およびナノワイヤ抵抗体（１１）とを含み、２つの相互接続（１、２）だけの２レベルを使用して一体化されている。ナノワイヤ回路構造物中で、リング発振器、サンプル保持回路、比較器を実現することができる。各回路中のナノワイヤトランジスタ接続と回路入力と回路出力とは、２つの相互接続（１、２）の２レベルで提供される。
（もっと読む）

【課題】ゲート電極が形成される壁面が複数形成されている場合、各ゲート電極での電流特性が大きく変動しないようにしたＧａＮ系半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮドレイン層４、ｐ型ＧａＮチャネル層５が積層されており、ｐ型ＧａＮチャネル層５の上には、ｎ型ＧａＮソース層６が形成されている。リッジ部１１側面には、絶縁膜７、ゲート電極８が形成されている。リッジ部１１の形状によって、リッジ部１１が有する壁面の個数は変わるが、リッジ部１１の壁面がいくつであっても、少なくとも２つ以上の壁面が同一の面方位に形成される。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ及びその製造方法に関して、新たな構造のスピントランジスタ及びその製造方法を提案すること。
【解決手段】磁性体で形成された層を含んでいる第１のソースドレイン層と；前記第１のソースドレイン層上に形成されており、半導体で形成された層を含んでいる、チャネル層と、前記チャネル層上に形成されており、磁性体で形成された層を含んでいる、第２のソースドレイン層と、を含む突起構造と；前記チャネル層の側面に形成されたゲート絶縁膜と；前記ゲート絶縁膜の表面に形成されたゲート電極と；を具備することを特徴とする縦型スピントランジスタ。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスなどへの適用に適したIII族窒化物半導体を用いた窒化物半導体積層構造の形成方法、およびこの形成方法により形成される窒化物半導体積層構造部を有する窒化物半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】III族窒化物半導体からなる窒化物半導体積層構造の形成工程において、キャリヤガスをＨ_２とするＭＯＣＶＤ法によって、まず、ウエハの上にｎ型ＧａＮ層（第１層）およびＭｇを含むｐ型ＧａＮ層（第２層）が形成される。次いで、このｐ型ＧａＮ層（第２層）に対してｐ型化アニール処理をせずに、ｐ型ＧａＮ層（第２層）の上に、さらにｎ型ＧａＮ層（第３層）およびｐ型ＧａＮ層（第４層）が形成される。このように、ｎ型ＧａＮ層（第１層）およびｎ型ＧａＮ層（第３層）に挟まれたｐ型ＧａＮ層（第２層）に含まれるＭｇ濃度とＨ_２濃度とを比較すると、Ｍｇ濃度の方が大きい値となっている。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスなどへの適用に適したIII族窒化物半導体を用いた窒化物半導体積層構造およびその形成方法、ならびにこの形成方法により形成される窒化物半導体積層構造部を有する窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】III族窒化物半導体からなる窒化物半導体積層構造の形成工程において、ｎ型ＧａＮ層７の上には、開口部９を有する絶縁膜マスク８が形成される。そして、この絶縁膜マスク８の開口部９から露出するｎ型ＧａＮ層７から、III族窒化物半導体からなるｎ型ＧａＮ層３、ｐ型ＧａＮ層４およびｎ型ＧａＮ層５が、この順に成長させられてｎｐｎ構造からなるメサ状積層部１５が形成される。 （もっと読む）

【課題】ゲート−ドレイン間のブレークダウン電圧を向上させることができ、パワーデバイスへの適用に適した窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この電界効果トランジスタは、ｎ型ＧａＮ層２、ｐ型ＧａＮ層３およびｎ型ＧａＮ層４が、順に積層された窒化物半導体積層構造部１を備えている。窒化物半導体積層構造部１には、壁面７および引き出し部５が形成されている。壁面７および引き出し部５にはゲート絶縁膜８が形成され、このゲート絶縁膜８上にはゲート電極９が形成されている。また、引き出し部５にはドレイン電極６が形成され、ｎ型ＧａＮ層４にはソース電極１１が形成されている。そして、ゲート絶縁膜８は、ｎ型ＧａＮ層４の上面および引き出し部５の上面に形成された第２部分１４と、壁面７に形成された第１部分１５とに区別され、第２部分１４の厚みが第１部分１５の厚みより厚くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスなどへの適用に適したIII族窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この電界効果トランジスタにおける窒化物半導体積層構造部５には、ｎ型ＧａＮ層６、ｐ型ＧａＮ層７およびｎ型ＧａＮ層８に跨る壁面１６を側面とするメサ状積層部１５が形成されている。メサ状積層部１５の壁面１６には、ゲート絶縁膜９が形成され、このゲート絶縁膜９上にはゲート電極１０が形成されている。また、ｎ型ＧａＮ層６（引き出し部１９）にはドレイン電極１２が形成され、ｎ型ＧａＮ層８の上面にはソース電極１１が形成されている。そして、メサ状積層部１５は、窒化物半導体積層構造部５に形成された高転位領域１８および低転位領域１７のうち、低転位領域１７に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高耐圧性を確保するとともに、低いゲート閾値電圧を実現することができる窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この電界効果トランジスタは、ｎ型ＧａＮ層２、ｐ型ＧａＮ層３およびｎ型ＧａＮ層４が、順に積層された窒化物半導体積層構造部１を備えている。窒化物半導体積層構造部１には、断面台形（メサ形状）となるようにエッチングされることにより、壁面７が形成されている。この壁面７の形成によって露出したｐ型ＧａＮ層３の半導体表面部には、ｐ型ＧａＮ層３とは異なる伝導特性を有する領域１０が形成され、領域１０に接するようにゲート絶縁膜８が形成されている。さらにこのゲート絶縁膜８を挟んで領域１０に対向するようにゲート電極９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ｐ型のIII族窒化物半導体層（チャネル層）に対してコンタクト電極を良好にオーミック接触させることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】III族窒化物半導体からなる電界効果トランジスタの製造工程において、まず、基板１２の上にｎ型ＧａＮ層２およびｐ型ＧａＮ層３が形成される。次いで、このｐ型ＧａＮ層３の上に、コンタクト電極１５が形成される。コンタクト電極１５が形成された後には、ｐ型ＧａＮ層３からコンタクト電極１５上に至る領域にｎ型ＧａＮ層４が形成され、このｎ型ＧａＮ層４の表面からコンタクト電極１５に至るコンタクトホール１４が形成される。そして、このコンタクトホール１４にソース電極１１が埋め込まれる。 （もっと読む）

【課題】ソース電極やドレイン電極のアニール処理を行っても、ゲート領域の半導体層界面が劣化しないＧａＮ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 サファイア基板１上にアンドープＧａＮ層２、ｎ型ＡｌＧａＮドレイン層３、ｎ型ＧａＮ層４、ｐ型ＧａＮチャネル層５、ｎ型ＧａＮソース層６が形成されている。ｎ型ＡｌＧａＮドレイン層３〜ｎ型ＧａＮソース層６に至る積層構造を、断面がほぼ矩形となるようにｎ型ＧａＮ層ソース層６からｎ型ＡｌＧａＮドレイン層３が露出する深さまでエッチングして、ドレイン電極８とソース電極７とを作製し、電極アニール処理を行う。その後、ゲートを形成するためのエッチングを行い、ゲート絶縁膜９、ゲート電極１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】表面準位が形成されている素子であっても、表面準位を安定化させて、表面リークを抑制し、高周波動作の応答性も向上させたＧａＮ系半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮドレイン層４、ｐ型ＧａＮチャネル層５が積層されており、ｐ型ＧａＮチャネル層５の上には、ｎ型ＧａＮソース層６が形成されている。リッジ部Ａ側面の傾斜面にゲート絶縁膜７が形成され、ゲート絶縁膜７上に積層されている。ドレイン電極１０とソース電極９が形成された半導体表面及びゲート絶縁膜７で被覆されている半導体表面とを除く露出した半導体表面に、その露出した半導体表面がすべて覆われるように絶縁膜１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】高耐圧、低リークのＧａＮ系半導体積層構造を有するＧａＮ系半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１の上に第３ｎ型ＧａＮ系半導体層３、第１ｎ型ＧａＮ系半導体層４、ｉ型ＧａＮ系半導体層５、ｐ型ＧａＮ系半導体層６、第２ｎ型ＧａＮ系半導体層７が積層された積層構造で表される。ｐ型ＧａＮ系半導体層６の不純物濃度は、１×１０^２０ ｃｍ^−３以下であり、第１ｎ型ＧａＮ系半導体層４の不純物濃度は１×１０^１８ｃｍ^−３以下に構成される。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極への配線における断線等を生じることなく、ゲート電極の厚みを厚くすることができる有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた集積回路を得る。
【解決手段】基板と、基板上に設けられるゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極上を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に設けられ、ソース電極とドレイン電極の間でチャネル領域を形成するための有機半導体層と、ゲート電極に信号を与えるための信号線とを備える有機薄膜トランジスタであって、ゲート電極より厚みの薄い接続層が基板上に設けられており、ゲート電極の一部が接続層の上に形成されることにより、ゲート電極が接続層に電気的に接続されており、信号線が接続層と電気的に接続されることにより、接続層を介してゲート電極と電気的に接続されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

カーボンナノチューブ表面を官能化する方法において、ナノチューブ表面を非共有結合でナノチューブ表面と結合する少なくとも１つの官能化種を含む１以上の蒸気に曝すと同時に、ナノチューブ表面に化学官能基を提供して官能化したナノチューブ表面を生成する。官能化したナノチューブ表面を、官能化層と反応してナノチューブ表面からの脱離に対して官能化層を安定化する安定化層を形成する少なくとも１つの蒸気安定化種に曝すと同時に、ナノチューブ表面に化学官能基を提供して安定化したナノチューブ表面を生成してもよい。安定化したナノチューブ表面を、安定化したナノチューブ表面上に材料層を堆積する少なくとも１つの材料層前駆体種に曝してもよい。 （もっと読む）

【課題】応答速度が高速で、しかもオン／オフ比が大きい有機薄膜トランジスタ及びそれを利用した有機薄膜発光トランジスタを提供する。
【解決手段】少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、中心にポルフィリン類の残基又はフタロシアニン類の残基を有する特定の有機化合物を含む有機薄膜トランジスタ、並びに有機薄膜トランジスタにおいて、ソース−ドレイン間を流れる電流を利用して発光を得、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタである。 （もっと読む）