【課題】抵抗値を効果的に低減することができる構造の窒化物半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体素子は、基板１と、基板１の一方側に形成された窒化物半導体積層構造部２とを備えている。窒化物半導体積層構造部２は、ｎ型層３と、ｎ型層３上に積層形成されたｐ型ＧａＮ層４と、ｐ型ＧａＮ層４上に積層形成されたｎ⁺型ＧａＮ層５とを備えている。ｎ⁺型ＧａＮ層５のｐ型不純物濃度は、１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下とされている。ｎ型層３、ｐ型ＧａＮ層４およびｎ⁺型ＧａＮ層５は、同一処理室内で、一度も大気中に取り出すことなく、結晶成長させられる。ただし、ｐ型ＧａＮ層４の成長後には、結晶成長を中断し、処理室の内部雰囲気中のｐ型不純物濃度の低下を待って、ｎ⁺型ＧａＮ層５の結晶成長が行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子とコンタクトプラグとが高精度で位置合わせされた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板のエッチング速度が絶縁層２のエッチング速度よりも速くなるように、裏面側から、半導体基板内の突起状領域に対応する位置の異方性エッチングを行い、第１構造体が露出するまで開口２を設ける。 （もっと読む）

カーボンナノチューブベースの電界効果トランジスタのための垂直装置構造は、トレンチ内に形成された、１つまたは複数のカーボンナノチューブを有する。
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【課題】インバータ回路など、電気接続された２つの半導体スイッチによるスイッチング動作を行なうための電気回路において、寄生インダクタンスおよびオン抵抗を抑制することができる構造の半導体素子を提供すること。
【解決手段】この半導体素子は、基板１と、基板１の一方側に形成される半導体積層構造部２とを備える。半導体積層構造部２は、ｎ型層５、このｎ型層５の一方側（下面側）に積層されたｐ型層４、およびこのｐ型層４に積層されたｎ型層３からなる縦型ｎｐｎ構造の第１半導体積層構造８と、ｎ型層５をこの第１半導体積層構造８と共有し、ｎ型層５、このｎ型層５の他方側（上面側）に積層されたｐ型層６、およびこのｐ型層６に積層されたｎ型層７からなる縦型ｎｐｎ構造の第２半導体積層構造９とを備える。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を厚くしなくてもソース配線の外にドレイン配線を引き出せ、かつ、ＬＯＣＯＳ酸化膜や層間絶縁膜などの絶縁膜の絶縁破壊を防止できるようにする。
【解決手段】素子部８から配線引出し部９に延設されるようにｎ^-型ドリフト層４の裏面に裏面電極１９を備え、この裏面電極１９とソース配線１８との間に電流が流れるような構造、つまりｎ^-型ドリフト層４の表裏を貫通して縦方向に電流を流す構造にする。そして、裏面電極１９を配線引出し部９まで延設し、ｎ⁺型コンタクト領域２１、配線引出し部９のｎ^-型ドリフト層４、ｎウェル領域２０およびｎ⁺型コンタクト領域２１を通じてドレイン配線２３と接続する。すなわち、裏面電極１９を通じて電流が流れるようにすることにより、ドレイン配線２３を素子部８の外に引き出した構造とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、かつ小型化が可能なＣＭＯＳ半導体装置を得る。
【解決手段】ＣＭＯＳ半導体装置であって、絶縁性の基板１と、基板１上に設けられる凸部形状のゲート電極２と、ゲート電極２の上面２ａ並びに第１の側面２ｂ及び第２の側面２ｃを覆う絶縁膜３と、絶縁膜３を介してゲート電極の上面２ａ上に設けられるドレイン電極４と、ゲート電極２の第１の側面２ａ側の基板１上に設けられ、第１の電源端子側に接続される第１のソース電極５と、ドレイン電極４と第１のソース電極５の間を覆い、Ｐチャネル領域を形成するため設けられる第１の半導体層７と、ゲート電極２の第２の側面２ｃ側の基板１上に設けられ、第２の電源端子側に接続される第２のソース電極６と、ドレイン電極４と第２のソース電極６の間を覆い、Ｎチャネル領域を形成するため設けられる第２の半導体層８とから構成されることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高密度に搭載可能な構造を有する電界効果トランジスタを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板と、この基板上に設けられた第１の絶縁層と、第１の絶縁層に埋め込まれた導電層と、この導電層に電気的に接続し直上に配置された下部拡散層、この下部拡散層上の半導体層、及びこの半導体層上の上部拡散層を有する柱状半導体部と、前記半導体層の周囲側面に設けられたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、このゲート電極および前記柱状半導体部を埋め込むように設けられた第２の絶縁層を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】移動度及びオン／オフ比が高い有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）を提供すること。
【解決手段】少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタを作製する方法であって、該絶縁体層の形成工程がフッ素ポリマーの気相成膜を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法及び該方法で製造されてなる有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を維持し且つ室温下での溶媒溶解性及び大気中での耐酸化性に優れる有機半導体材料を提供する。また、高い移動度を有する有機半導体薄膜、及び、電子特性の優れた有機半導体素子を提供する。
【解決手段】
ソース・ドレイン電極として金電極のパターンを形成したシリコン基板上に、大気中室温下において２−ヘキシルテトラセンのトルエン溶液をキャストあるいはスピンコートすることにより、２−ヘキシルテトラセン薄膜を形成し、トランジスタ構造とした。 （もっと読む）

【課題】 寿命が長い有機トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】有機トランジスタ１００は、ソース電極１０２と、ドレイン電極１０５と、ソース電極１０２とドレイン電極１０５との間に設けられた有機層１００ａとを有し、有機層１００ａは、平面構造を含む共役系炭化水素分子であるＰ型分子と、Ｐ型分子の共役系を構成するＣＨ（炭素−水素）部位の少なくとも１つを窒素に置換された分子であるＮ型分子とが直接または間接に共有結合を介して結合された共役系分子鎖を含み、Ｐ型分子およびＮ型分子が有する平面構造が、ソース電極あるいはドレイン電極に平行な面に対して略垂直に配向している。 （もっと読む）

本発明は、ハロゲン化フタロシアニン類を、電荷輸送材料及び／又は吸収体材料として用いる使用に関する。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能な高信頼性のアクティブマトリクス方式の表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１０１上に成膜したＳｉ窒化膜１０２、Ｓｉ酸化膜１０３の上に非晶質Ｓｉ膜１０４を成膜する。非晶質Ｓｉ膜１０４は脱水素処理される（図１の（ａ)）。この非晶質Ｓｉ膜１０４に炭酸ガスレーザーによるアニールと同時にＵＶ光を照射することで結晶化率が９０％以上、表面の凹凸差が１０ｎｍ以下の結晶化Ｓｉ膜が得られる（図１の（ｃ)）。この結晶化Ｓｉ膜を用いて表示装置のための薄膜トランジスタ等の半導体素子を形成する。炭酸ガスレーザーのみでのアニールでは結晶化率が９０％以上の結晶化Ｓｉ膜を得るためには３５０℃以上の基板加熱が必要である（図１の（ｂ））。 （もっと読む）

【課題】完全空乏化型のトランジスタ特性を維持しつつ、良好なＳ値と大きなドレイン電流が得られる縦型ＳＧＴ構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、完全空乏化が可能な太さに形成された複数の半導体の基柱５と、複数の基柱５の各々の外周面に設けられたゲート絶縁膜１０と、複数の基柱５の隙間を埋めて複数の基柱５の各々の外周面を覆うゲート電極１１と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

ナノチューブ電界効果トランジスタおよび製造方法を開示する。本方法は、開口部によって画定される導電層の領域と接触するようにするナノチューブの電気泳動堆積を含む。
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【課題】塗工や印刷等の簡便なプロセスで製造できる有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層１を具備する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層が、下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する重合体を主成分とするものであることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。；


（Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_３、Ａｒ_４は芳香族炭化水素もしくは芳香族複素環の二価基を表わす。） （もっと読む）

【課題】ゲート電極中のドーパント不純物がゲート絶縁物を貫通する。
【解決手段】中心部分と２つの端部を備えた、歪みＳｉベース単結晶ストリップであって、中心部分がマルチファセット・チャンネル領域５１１、５１２を備え、端部がソースとドレイン５４０を備えるものである歪みＳｉベース単結晶ストリップ５１０と、チャンネル領域を覆うゲート絶縁物５２０、５３０と、チャンネル領域の少なくとも２つのファセットの上に重なりかつゲート絶縁物に接続するゲート５００と、付着手段によって歪みＳｉベース単結晶ストリップと係合する支持台５９０、５９５とを備え、ゲートが、ゲート絶縁物の上面に配置された第１の層５００を含み、第１の層がＳｉ：ＣまたはＳｉＧｅ：Ｃである、マルチファセット・ゲートＭＯＳＦＥＴデバイスである。 （もっと読む）

【課題】ゲート誘起ドレインリーク電流が少ない電界効果トランジスタ、および、ゲート電極とソース／ドレイン領域との間に薄い絶縁体構造物を含む集積回路を提供する。
【解決手段】トランジスタ５４２のゲート電極は、ゲート電極とチャネル領域５１２との間の第１のフラットバンド電圧を決定する主部５３２と第１の側部５３５とを含む。この第１の側部は、上記主部に接触すると共に、上記ゲート電極と第１のソース／ドレイン領域５１４，５１６との間の第２のフラットバンド電圧を決定する。上記第１のフラットバンド電圧および上記第２のフラットバンド電圧は、少なくとも０．１ｅＶだけ異なる。 （もっと読む）

【課題】大気中に暴露した状態でも電界効果移動度の安定性に優れる有機化合物並びにそれを利用した有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタを提供する。
【解決手段】中心に芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を有するベンゾジチオフェン誘導体、少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、中心に芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を有する特定のベンゾジチオフェンを含む有機薄膜トランジスタ、並びに該有機薄膜トランジスタにおいて、ソース−ドレイン間を流れる電流を利用して発光を得、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】大気中の安定性に優れ、かつ動作速度が大きい有機薄膜トランジスタが望まれている。
【解決手段】この有機薄膜トランジスタは、基板上に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子と、ソース電極及びドレイン電極とゲート電極との間を絶縁する絶縁体層と、有機半導体層とが設けられていて、ゲート電極に印加された電圧によりソース−ドレイン間電流を制御する有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層の結晶性を制御する結晶性化合物から成膜される結晶性制御層を備え、該結晶性制御層上に、複素環基を有する化合物またはキノン構造を有する化合物を含んでなる有機半導体層が成膜されていることを特徴とするものである。また、前記有機薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極のうち、いずれか一方を正孔注入性電極で構成し、残りの電極を電子注入性電極で構成したことを特徴とする有機薄膜発光トランジスタを提供するものである。 （もっと読む）

【課題】HEMTの漏れ電流を低減すること及び集積度を高めることが困難であった。
【解決手段】HEMT又はこれに類似の電界効果半導体装置は、第１の半導体層（３）と、第１の半導体層（３）に２次元電子ガス層を生じさせるために第１の半導体層（３）の一部上に配置された第２の半導体層（４）と、第１の半導体層（３）の主面（１４）上に配置された第３の半導体層（５）と、第３の半導体層（５）の上に配置され且つ第３の半導体層（５）よりも低い抵抗率を有している第４の半導体層（６）と、第２の半導体層（４）の上に配置された第１の主電極（７）と、第４の半導体層（６）の上に配置された第２の主電極（８）と、第３の半導体層（５）の側面を被覆している絶縁膜（９）と、絶縁膜（９）を介して第３の半導体層（５）に対向配置されたゲート電極（１０）とを備えている。 （もっと読む）