半導体装置
【課題】層間絶縁膜を厚くしなくてもソース配線の外にドレイン配線を引き出せ、かつ、LOCOS酸化膜や層間絶縁膜などの絶縁膜の絶縁破壊を防止できるようにする。
【解決手段】素子部8から配線引出し部9に延設されるようにn-型ドリフト層4の裏面に裏面電極19を備え、この裏面電極19とソース配線18との間に電流が流れるような構造、つまりn-型ドリフト層4の表裏を貫通して縦方向に電流を流す構造にする。そして、裏面電極19を配線引出し部9まで延設し、n+型コンタクト領域21、配線引出し部9のn-型ドリフト層4、nウェル領域20およびn+型コンタクト領域21を通じてドレイン配線23と接続する。すなわち、裏面電極19を通じて電流が流れるようにすることにより、ドレイン配線23を素子部8の外に引き出した構造とする。
【解決手段】素子部8から配線引出し部9に延設されるようにn-型ドリフト層4の裏面に裏面電極19を備え、この裏面電極19とソース配線18との間に電流が流れるような構造、つまりn-型ドリフト層4の表裏を貫通して縦方向に電流を流す構造にする。そして、裏面電極19を配線引出し部9まで延設し、n+型コンタクト領域21、配線引出し部9のn-型ドリフト層4、nウェル領域20およびn+型コンタクト領域21を通じてドレイン配線23と接続する。すなわち、裏面電極19を通じて電流が流れるようにすることにより、ドレイン配線23を素子部8の外に引き出した構造とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、高耐圧トランジスタ、特にレベルシフト用の高耐圧MOSFETを備えた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来より、フォトカプラレスのレベルシフト(電力変換)回路部を実現するものとして、高耐圧LDMOSを備えたHVIC(High Voltage Integrated Circuit)がある。HVICに備えられるレベルシフト用の高耐圧LDMOSでは、特異点を無くして偏り無く電流が流れるようにして耐圧を確保するために、ドレインを中心に配置し、その外周にドレインと同心円構造となるようにソースを配置した構造とされる(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
図16は、このHVICに備えられるレベルシフト用の高耐圧LDMOSの断面構成を示した図である。この図に示すように、n-型ドリフト層J1内には、ドレイン領域を構成するnウェル領域J2およびn+型コンタクト領域J3を中心として、p型チャネル領域J4およびn+型ソース領域J5が形成されており、n+型コンタクト領域J3の表面にドレイン配線J6が形成され、n+型ソース領域J5の表面にソース配線J7が形成されている。そして、ドレイン領域がn+型ソース領域J5に囲まれた構造となっているため、ドレイン配線J6をソース配線J7の外に引き出すために、層間絶縁膜J8を介してソース配線J7の上部を横切るようにドレイン配線J6が配置される。
【特許文献1】特開2001−313828号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、上述したようにソース配線J7の上部を横切るようにドレイン配線J6を配置しているため、ドレイン配線J6とソース配線J7との間に挟まれる層間絶縁膜J8が絶縁破壊されてしまう可能性があり、それを防ぐために層間絶縁膜J8を相応の膜質・膜厚にする必要があった。すなわち、レベルシフト用の高耐圧LDMOSでは、一般的に、ソース配線J7が0Vとされ、ドレイン配線J6が600〜1200Vとされるが、この電位差に対応できるように層間絶縁膜J8を厚膜にしなければならない。このため、層間絶縁膜J8の形成工程の長時間化を招くことになる。
【0005】
また、ドレイン配線J6の下方において、ドレイン領域を構成するnウェル領域J2およびn+型コンタクト領域J3とp型チャネル領域J4の間のLOCOS酸化膜J9や層間絶縁膜J8が絶縁破壊されてしまうこともある。これについて、図17を参照して説明する。
【0006】
図17は、図16に示した高耐圧LDMOS内の電位分布を示した図である。この図に示すように、n-型ドリフト層J1内ではnウェル領域J2の周囲に偏り無く電位が分布しているが、ドレイン配線J6の下方において、LOCOS酸化膜J9や層間絶縁膜J8中の電位分布が崩れた状態となっている。これは、ドレイン配線J6の高電位が影響し、この場所に電界集中が生じていることを示している。このような電界集中により、電界集中が生じているLOCOS酸化膜J9や層間絶縁膜J8が絶縁破壊されてしまうのである。さらに、n-型ドリフト層J1内での電位分布が不均一になるため、素子の耐圧が低下してしまう。
【0007】
なお、ここでは高耐圧トランジスタの一例として、レベルシフト用の高耐圧MOSFETを例に挙げて説明したが、他の高耐圧トランジスタ、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(以下、IGBTという)やバイポーラトランジスタに関しても上記と同様の問題が発生する。また、レベルシフト用に限らず、高耐圧トランジスタに関して、上記と同様の問題が発生し得る。
【0008】
本発明は上記点に鑑みて、層間絶縁膜を厚くしなくても第1配線(例えばソース配線等)の外に第2配線(例えばドレイン配線等)を引き出せ、かつ、LOCOS酸化膜や層間絶縁膜などの絶縁膜の絶縁破壊を防止でき、電界集中による素子の耐圧低下を防止できる構造のレベルシフト用の高耐圧トランジスタを備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、低電圧回路島(1)と高電圧回路島(2)との間での電力変換を行うための高耐圧トランジスタ(3)を備えた半導体装置であって、高耐圧トランジスタ(3)は、第1導電型層(4)を有し、該第1導電型層(4)に互いにトレンチ分離部(6)にて絶縁分離された素子部(8)と配線引出し部(9)とを備えた構成とされ、素子部(8)は、第1導電型層(4)の表面側に第1配線(18)を備えていると共に、第1導電型層(4)の裏面側に裏面電極(19)を備え、第1導電型層(4)の表裏面を貫通するように電流を流す縦型のトランジスタにて構成され、配線引出し部(9)は、素子部(8)から延設された裏面電極(19)と、第1導電型層(4)の表面側に形成された第2配線(23)とを有し、裏面電極(19)および第2配線(23)を素子部(8)に流す電流の引出し配線としていることを特徴としている。
【0010】
このような半導体装置によれば、第2配線(23)が第1配線(18)の上部を横切るような配置にならないため、第2配線(23)と第1配線(18)の間に層間絶縁膜(17)が挟まれることはなく、第2配線(23)と第1配線(18)との電位差によって層間絶縁膜(17)が絶縁破壊されることもない。さらに、電界集中による絶縁破壊を防ぐことが可能となるため、電界集中による素子の耐圧低下を防止でき、より高耐圧な半導体装置とすることが可能となる。
【0011】
例えば、請求項2に記載したように、第1導電型層(4)と第2配線(23)とをボンディングワイヤ(60)を通じて電気的に接続することで、該ボンディングワイヤ(60)が配線引出し部(9)の一部を構成することができる。
【0012】
また、請求項3に記載したように、第1導電型層(4)にビアホール(71)を形成すると共に、該ビアホール(71)内に導体材料(70)を配置し、該導体材料(70)が裏面電極(19)および第2配線(23)と電気的に接続されるようにすることで、該導体材料(70)にて配線引出し部(9)の一部を構成することもできる。
【0013】
また、請求項4に記載したように、素子部(8)に備えられた第1導電型層(4)よりも不純物濃度が高濃度とされた高濃度層(80)を備え、該高濃度層(80)が裏面電極(19)および第2配線(23)と電気的に接続されるようにすることで、該高濃度層(80)にて配線引出し部(9)の一部を構成することもできる。
【0014】
さらに、請求項5に記載したように、第1導電型層(4)にビアホール(92)を形成すると共に、該ビアホール(92)内に絶縁膜(90)を介して導体材料(91)を配置し、該導体材料(91)が裏面電極(19)および第2配線(23)と電気的に接続されるようにすることで、該導体材料(91)にて配線引出し部(9)の一部を構成することもできる。
【0015】
なお、請求項6に記載したように、高耐圧トランジスタ(3)としては、低電圧回路島(1)と高電圧回路島(2)との間での電力変換を行うための高耐圧MOSFET、IGBTもしくはバイポーラトランジスタのいずれかを挙げることができる。
【0016】
請求項7に記載の発明は、高耐圧トランジスタ(3)を、第1導電型層(4)に互いにトレンチ分離部(6)にて絶縁分離された素子部(8)と配線引出し部(9)とを備えた構成とする。そして、素子部(8)には、第1導電型層(4)に形成された第2導電型のチャネル層(10)と、チャネル層(10)内に形成され、第1導電型層(4)よりも高濃度とされた第1導電型の半導体領域(11)と、チャネル層(10)のうち半導体領域(11)と第1導電型層(4)との間に挟まれた領域の表面に形成されたゲート絶縁膜(15)と、ゲート絶縁膜(15)の表面に形成されたゲート電極(16)と、半導体領域(11)およびチャネル層(10)のコンタクト領域(11)に電気的に接続された第1配線(18)と、第1導電型層(4)の裏面側に形成された第1導電型層(4)よりも高濃度とされた第1導電型のドレインコンタクト領域(13)とを備える。また、配線引出し部(9)には、第1導電型層(4)の表面側および裏面側に形成されたコンタクト領域(21、22)と、第1導電型層(4)の表面側のコンタクト領域(21)と電気的に接続された第2配線(23)とを備える。さらに、素子部(8)のドレインコンタクト領域(13)と配線引出し部(9)におけるドリフト領域(4)の裏面側のコンタクト領域(22)とを電気的に接続する裏面電極(19)を備えると共に、素子部(8)および配線引出し部(9)における第1導電型層(4)の上部に層間絶縁膜(17)を形成し、該層間絶縁膜(17)に形成されたコンタクトホールを通じて、第1配線(18)が半導体領域(11)およびチャネル層(10)のコンタクト領域(11)に電気的に接続され、第2配線(23)が第1導電型層(4)の表面側のコンタクト領域(21)と電気的に接続されるようにすることを特徴としている。
【0017】
このような半導体装置によれば、第2配線(23)が第1配線(18)の上部を横切るような配置にならないため、第2配線(23)と第1配線(18)の間に層間絶縁膜(17)が挟まれることはなく、第2配線(23)と第1配線(18)との電位差によって層間絶縁膜(17)が絶縁破壊されることもない。さらに、電界集中による絶縁破壊を防ぐことが可能となるため、電界集中による素子の耐圧低下を防止でき、より高耐圧な半導体装置とすることが可能となる。
【0018】
例えば、請求項8に示すように、第1配線(18)および第2配線(23)を層間絶縁膜(17)の上に形成し、互いに逆方向に引き出さすことができる。
【0019】
請求項9に記載の発明では、高電圧回路島(2)を囲むトレンチ分離部(6)と高電圧回路島(2)および低電圧回路島(1)の双方を囲むトレンチ分離部(5)が備えられていることを特徴としている。
【0020】
これにより、高電圧基準とされる高電圧回路島(2)を2つのトレンチ分離部(5、6)にて囲める構造にできる。
【0021】
請求項10に記載の発明では、高電圧回路島(2)を囲むトレンチ分離部(6)が多重トレンチにて構成されていることを特徴としている。
【0022】
このような多重トレンチによってトレンチ分離部(6)を構成することにより、より低電圧回路島(1)と高電圧回路島(2)との間の絶縁耐圧を高めることが可能となる。
【0023】
また、請求項11に示すように、素子部(8)と配線引出し部(9)は共にトレンチ分離部(7)にて囲み、該トレンチ分離部(7)内にのみ裏面電極(19)が形成されるようにすると好ましい。このようにすれば、低電圧回路島(1)内の他の部分と短絡してしまわないようにできる。
【0024】
請求項12に記載の発明では、素子部(8)と配線引出し部(9)において、第1導電型層(4)の裏面には絶縁膜(40)が形成され、該絶縁膜(40)には、素子部(8)におけるドレインコンタクト領域(13)に繋がるコンタクトホールと配線引出し部(9)における第1導電型層(4)の裏面側のコンタクト領域(22)に繋がるコンタクトホールが形成されており、裏面電極(19)は、絶縁膜(40)の裏面に形成されたコンタクトホールを通じて、素子部(8)におけるドレインコンタクト領域(13)と配線引出し部(9)における第1導電型層(4)の裏面側のコンタクト領域(22)とに電気的に接続されていることを特徴としている。
【0025】
このように、層間絶縁膜(40)を介して裏面電極(19)を形成すると、第1導電型層(4)の表面に直接裏面電極(19)を形成する場合のように、裏面電極(19)以外の部分におて電極層の残渣が残ることによる低電圧回路島(1)と高電圧回路島(2)との短絡などを防止することが可能となる。
【0026】
請求項13に記載の発明では、素子部(8)は、第1導電型層(4)の表面側に第1配線(18)を備えていると共に、第1導電型層(4)の裏面側に裏面電極となるリードフレーム(50)を有し、第1導電型層(4)の表裏面を貫通するように電流を流す縦型のトランジスタにて構成され、リードフレーム(50)は、第1導電型層(4)の端部よりも突き出すように配置され、該突き出した部分において、第1導電型層(4)の表面側に形成された高電圧回路島(2)に対して電圧印加を行う電源配線(52)とボンディングワイヤ(53)にて電気的に接続されていることを特徴としている。
【0027】
このような半導体装置によれば、ドレイン配線に相当する電源配線(52)およびボンディング(53)が第1配線(18)の上部を横切るような配置にならないため、ドレイン配線と第1配線(18)の間に層間絶縁膜(17)が挟まれることはなく、ドレイン配線と第1配線(18)との電位差によって層間絶縁膜(17)が絶縁破壊されることもない。さらに、電界集中による絶縁破壊を防ぐことが可能となるため、電界集中による素子の耐圧低下を防止でき、より高耐圧な半導体装置とすることが可能となる。
【0028】
請求項14に記載の発明では、素子部(8)には、第1導電型層(4)に形成された第2導電型のチャネル層(10)と、チャネル層(10)内に形成され、第1導電型層(4)よりも高濃度とされた第1導電型の半導体領域(11)と、チャネル層(10)のうち半導体領域(11)と第1導電型層(4)との間に挟まれた領域の表面に形成されたゲート絶縁膜(15)と、ゲート絶縁膜(15)の表面に形成されたゲート電極(16)と、半導体領域(11)およびチャネル層(10)のコンタクト領域(11)に電気的に接続された第1配線(18)と、第1導電型層(4)の裏面側に形成された第1導電型層(4)よりも高濃度とされた第1導電型のドレインコンタクト領域(13)と、第1導電型層(4)の裏面側にドレインコンタクト領域(13)に接続される裏面電極となるリードフレーム(50)が備えられし、第1導電型層(4)の表裏面を貫通するように電流を流す縦型のトランジスタにて構成され、リードフレーム(50)は、第1導電型層(4)の端部よりも突き出すように配置され、該突き出した部分において、第1導電型層(4)の表面側に形成された高電圧回路島(2)に対して電圧印加を行う電源配線(52)とボンディングワイヤ(53)にて電気的に接続されていることを特徴としている。
【0029】
このような半導体装置によれば、ドレイン配線に相当する電源配線(52)およびボンディング(53)が第1配線(18)の上部を横切るような配置にならないため、ドレイン配線と第1配線(18)の間に層間絶縁膜(17)が挟まれることはなく、ドレイン配線と第1配線(18)との電位差によって層間絶縁膜(17)が絶縁破壊されることもない。さらに、電界集中による絶縁破壊を防ぐことが可能となるため、電界集中による素子の耐圧低下を防止でき、より高耐圧な半導体装置とすることが可能となる。
【0030】
これらの場合、請求項15に示すように、素子部(8)を除く第1導電型層(4)の裏面側に絶縁膜(51)を形成し、該絶縁膜(51)にリードフレーム(50)が貼り付けられるようにすると好ましい。これにより、リードフレーム(50)を通じてドレインコンタクト領域(13)が第1導電型層(4)の他の部分と短絡することを防止できる。
【0031】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【0032】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【0033】
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態にかかる高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図であり、図2は、図1に示す半導体装置の上面レイアウトを示した模式図である。以下、これらの図を参照して、本実施形態の半導体装置について説明する。
【0034】
図1に示す半導体装置は、0V基準回路を構成する低電圧(以下、LV(Low Voltage)という)回路島1と、例えば600〜1200V基準回路を構成する高電圧(以下、HV(High Voltage)という)回路島2とを有した構成とされており、図示しないIGBTの駆動等に用いられる。
【0035】
半導体装置には、レベルシフト用の高耐圧MOSFET3が備えられており、この高耐圧MOSFET3がLV回路島1とHV回路島2の境界位置に配置され、LV回路島1やHV回路島2のうち高耐圧MOSFET3以外の領域に、図示しないが、IGBTの駆動を制御するためのパワーMOSFETやバイポーラトランジスタおよびCMOSなどが備えられた周知の駆動回路部が設けられている。
【0036】
図1に示すように、半導体装置が形成されたチップのうち紙面上方側の面を表面、紙面下方の面を裏面とすると、第1導電型層に相当するn-型ドリフト層4には、LV回路島1およびHV回路島2を囲むトレンチ分離部5とHV回路島2を囲むトレンチ分離部6がn-型ドリフト層4の表裏を貫通するように備えられ、これらによりLV回路島1とHV回路島2とが素子分離されている。また、LV回路島1の一部とHV回路島2の一部を囲むようにn-型ドリフト層4の表裏を貫通するトレンチ分離部7が備えられており、このトレンチ分離部7内に高耐圧MOSFET3が形成されている。各トレンチ分離部5〜7は、n-型ドリフト層4を貫通するように形成されたトレンチ内を熱酸化膜およびPoly−Siにて埋め込んだ周知の素子分離構造とされている。
【0037】
高耐圧MOSFET3は、トレンチ分離部7内に構成されている。トレンチ分離部7内のn-型ドリフト層4はLV回路島1とHV回路島2とを分離するトレンチ分離部6にて2つに分離されており、そのうちの一方が高耐圧MOSFETの素子部8とされ、他方が配線引出し部9とされている。
【0038】
高耐圧MOSFET3の素子部8には、n-型ドリフト層4の表層部にp型チャネル領域10が形成されていると共に、このp型チャネル領域10内にn-型ドリフト層4よりもn型不純物濃度が高濃度とされた第1導電型の半導体領域に相当するn+型ソース領域11およびp型チャネル領域10よりもp型不純物濃度が高濃度とされたp+型コンタクト領域12が形成されている。また、n-型ドリフト層4の裏面にはn-型ドリフト層4よりもn型不純物濃度が高濃度とされたn+型ドレインコンタクト領域13が形成されている。
【0039】
n-型ドリフト層4の表面には、p型チャネル領域10やn+型ソース領域11およびp+型コンタクト領域12を露出させる開口部が形成されたLOCOS酸化膜14が形成されてることで素子分離が為されている。また、露出したp型チャネル領域10の表面、つまりp型チャネル領域10のうちn-型ドリフト層4とn+型ソース領域11との間に挟まれた領域の表面にゲート絶縁膜15を介してゲート電極16が形成されている。さらに、n-型ドリフト層4の表面側において、ゲート電極16やゲート絶縁膜15およびLOCOS酸化膜14を覆うように層間絶縁膜17が形成されている。そして、この層間絶縁膜17に形成されたコンタクトホールを通じてn+型ソース領域11およびp+型コンタクト領域12にオーミック接触するようにアルミニウム等により構成されたソース配線18が形成されている。このソース配線18は、層間絶縁膜17の表面上においてLV回路島1側、つまりHV回路島2から離れる方向に向かって延設されている。
【0040】
さらに、n-型ドリフト層4の裏面側には、n+型ドレインコンタクト領域13とオーミック接触するように例えば1μm程度の厚みの裏面電極19が形成されている。この裏面電極19も例えばアルミニウムなどにより形成されており、トレンチ分離部7内に収まるように形成されており、LV回路島1内の他の部分と短絡してしまわないようにされている。
【0041】
一方、高耐圧MOSFET3の配線引出し部9には、n-型ドリフト層4の表層部に形成されたnウェル領域20およびnウェル領域20の表層部に形成されたn+型コンタクト領域21が形成されていると共に、n-型ドリフト層4の裏面側に形成されたn+型コンタクト領域22が形成されている。また、配線引出し部9にも層間絶縁膜17が成膜されており、この層間絶縁膜17に形成されたコンタクトホールを通じてn+型コンタクト領域21とオーミック接触するようにアルミニウム等により構成されたドレイン配線23が形成されている。このドレイン配線23は、層間絶縁膜17の表面上においてソース配線18と反対方向となるHV回路島2側、つまりLV回路島1から離れる方向に向かって延設されている。
【0042】
さらに、素子部8に形成された裏面電極19が配線引出し部9まで延設され、n+型コンタクト領域22とオーミック接触させられている。裏面電極19は、この配線引出し部9においてもトレンチ分離部7内に収まるように形成されており、HV回路島2内の他の部分と短絡してしまわないようにされている。
【0043】
そして、高耐圧MOSFET3を含めたLV回路島1およびHV回路島2など全域を覆うように、半導体装置の表面側に必要に応じて層間絶縁膜24や他の配線層(図示せず)等が成膜され、さらにこの上面および半導体装置の裏面が保護膜25、26で覆われている。このようにして、本実施形態にかかる半導体装置が構成されている。
【0044】
このように構成された本実施形態の半導体装置は、ゲート電極16に所望の電位が掛けられると、ゲート絶縁膜15の直下のp型チャネル領域10の表層部にチャネルが設定され、n+型ソース領域11、p型チャネル領域10のチャネル、素子部8のn-型ドリフト層4、n+型ドレインコンタクト領域13、裏面電極19、n+型コンタクト領域21、配線引出し部9のn-型ドリフト層4、nウェル領域20およびn+型コンタクト領域21を通じて、ソース配線18とドレイン配線23との間に電流が流される。このとき、IGBTの駆動状態に応じて各部の電位が変化するが、例えばソース配線18が0V、ドレイン配線23に600〜1200Vとされ、ソース配線18とドレイン配線23との間に大きな電位差が発生することになる。
【0045】
しかしながら、本実施形態の高耐圧MOSFET3では、素子部8から配線引出し部9に延設されるようにn-型ドリフト層4の裏面に裏面電極19を備え、この裏面電極19とソース配線18との間に電流が流れるような構造、つまりn-型ドリフト層4の表裏を貫通して縦方向に電流を流す構造にしている。そして、裏面電極19を配線引出し部9まで延設し、n+型コンタクト領域21、配線引出し部9のn-型ドリフト層4、nウェル領域20およびn+型コンタクト領域21を通じてドレイン配線23と接続している。すなわち、裏面電極19を通じて電流が流れるようにすることにより、ドレイン配線23を素子部8の外に引き出した構造とし、裏面電極19や配線引出し部9およびドレイン配線23にて引き出し配線を構成している。
【0046】
このため、ドレイン配線23がソース配線18の上部を横切るような配置にならない。このため、ドレイン配線23とソース配線18の間に層間絶縁膜17が挟まれることはなく、ドレイン配線23とソース配線18との電位差によって層間絶縁膜17が絶縁破壊されることもない。
【0047】
さらに、このようにソース配線18と裏面電極19との間に縦方向に電流が流れる構成とされていることから、電界集中によるLOCOS酸化膜14や層間絶縁膜17の絶縁破壊を防ぐことが可能となり、より高耐圧な半導体装置とすることが可能となる。すなわち、素子部8内での電位分布を示すと図3のように示され、電位分布がn-型ドリフト層4の表面とほぼ平行になり、偏りない分布になる。このため、電界集中が生じず、半導体装置をより高耐圧にすることが可能となる。
【0048】
続いて、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図4〜図6は、本実施形態の半導体装置の製造工程を示した図である。ただし、半導体装置のうち高耐圧MOSFET3以外の部分に関しては従来と同様であるため、ここでは高耐圧MOSFET3の製造工程についてのみ説明する。
【0049】
〔図4(a)に示す工程〕
まず、n-型ドリフト層4を構成するシリコン基板30を用意する。このとき、シリコン基板30として、上述したトレンチ分離部5〜7を構成するためのトレンチの深さよりも大きい厚みのものを用意している。
【0050】
〔図4(b)に示す工程〕
次に、フォトリソグラフィ・エッチングによりトレンチ分離部5〜7の形成予定領域にトレンチ31を形成したのち、熱酸化等によりトレンチ31の内壁面に酸化膜を形成し、さらにPoly−Si層を成膜することでトレンチ31内を酸化膜およびPoly−Si層からなる絶縁層32にて埋め込む。そして、シリコン基板30の表面に形成された酸化膜およびPoly−Si層を除去し、トレンチ31内にのみ絶縁層32を残す。
【0051】
〔図4(c)に示す工程〕
次に、シリコン基板30の表面にLOCOS酸化膜14を形成する。具体的には、シリコン基板30の表面に酸化膜や窒化膜(図示せず)を形成したのち、これらをパターニングしてLOCOS酸化膜14の形成予定領域を開口させ、LOCOS酸化を行う。これにより、酸化膜や窒化膜が開口させられた部分にLOCOS酸化膜14が形成され、素子分離が行われる。その後、酸化膜や窒化膜を除去する。
【0052】
〔図5(a)に示す工程〕
LOCOS酸化膜14を含むシリコン基板30の表面にp型チャネル領域10の形成予定位置が開口するマスクを配置したのち、p型不純物のイオン注入を行うことにより、p型チャネル領域10を形成する位置にp型不純物を注入する。また、マスクを除去した後、再びLOCOS酸化膜14を含むシリコン基板30の表面にnウェル領域20の形成予定位置が開口するマスクを配置し、n型不純物のイオン注入を行うことにより、nウェル領域20を形成する位置にn型不純物を注入する。そして、熱処理を行うことによりp型不純物やn型不純物を拡散させ、p型チャネル領域10やnウェル領域20を形成する。
【0053】
続いて、LOCOS酸化膜14を含むシリコン基板30の表面にn+型ソース領域11やn+型コンタクト領域21の形成予定領域が開口するマスクを配置した後、n型不純物のイオン注入を行うことにより、n+型ソース領域11やn+型コンタクト領域21を形成する位置にn型不純物を注入する。さらに、LOCOS酸化膜14を含むシリコン基板30の表面にp+型コンタクト領域12の形成予定領域が開口するマスクを配置した後、p型不純物のイオン注入を行うことにより、p+型コンタクト領域12を形成する位置にp型不純物を注入する。そして、そして、熱処理を行うことによりp型不純物やn型不純物を拡散させ、n+型ソース領域11やn+型コンタクト領域21およびp+型コンタクト領域12を形成する。
【0054】
〔図5(b)に示す工程〕
熱酸化等によりゲート絶縁膜15を形成したのち、このゲート絶縁膜15の表面に不純物がドーピングされたPoly−Si層を成膜する。そして、Poly−Si層をパターニングしてゲート電極16を形成する。
【0055】
〔図5(c)に示す工程〕
ゲート電極16上を含むシリコン基板30の上面全面を覆うように層間絶縁膜17を配置した後、これをパターニングし、n+型ソース領域11およびp+型コンタクト領域12に繋がるコンタクトホールやn+型コンタクト領域21に繋がるコンタクトホールを形成する。
【0056】
〔図6(a)に示す工程〕
コンタクトホール内を含め層間絶縁膜17を覆うようにAl等の配線層を成膜下のち、この配線層をパターニングしてソース配線18およびドレイン配線23を形成する。そして、必要に応じてさらに層間絶縁膜24を積んだり他の配線層等を成膜する。
【0057】
〔図6(b)に示す工程〕
シリコン基板30を裏面からCMPなどにより研磨し、所望の厚みにする。これにより、n-型ドリフト層4が構成されると共に、トレンチ分離部5〜7がn-型ドリフト層4を貫通した状態となり、完全な素子分離が為される。
【0058】
〔図6(c)に示す工程〕
n-型ドリフト層4の裏面にn+型ドレインコンタクト領域13およびn+型コンタクト領域22の形成予定領域が開口するマスクを配置したのち、n型不純物のイオン注入を行い、さらに熱処理を行って注入されたイオンを拡散させることでn+型ドレインコンタクト領域13およびn+型コンタクト領域22を形成する。その後、n+型ドレインコンタクト領域13およびn+型コンタクト領域22を含めたn-型ドリフト層4の裏面にアルミニウム等による電極層を成膜したのち、パターニングして裏面電極19を形成する。
【0059】
この後、層間絶縁膜17などの上面および裏面電極19を含めたn-型ドリフト層4の裏面に樹脂等で構成される保護膜25、26を成膜し、本実施形態の半導体装置が完成する。
【0060】
以上説明したように、本実施形態の半導体装置によれば、ドレイン配線23がソース配線18の上部を横切るような配置にならないため、ドレイン配線23とソース配線18の間に層間絶縁膜17が挟まれることはなく、ドレイン配線23とソース配線18との電位差によって層間絶縁膜17が絶縁破壊されることもない。さらに、電界集中によるLOCOS酸化膜14や層間絶縁膜17の絶縁破壊を防ぐことが可能となり、より高耐圧な半導体装置とすることが可能となる。
【0061】
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して裏面電極19の配置構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0062】
図7は、本実施形態にかかる高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。この図に示すように、n+型ドレインコンタクト領域13およびn+型コンタクト領域22と繋がるコンタクトホールが形成された層間絶縁膜40がn-型ドリフト層4の裏面に形成されており、この層間絶縁膜40のコンタクトホールを介して裏面電極19がn+型ドレインコンタクト領域13およびn+型コンタクト領域22と接続された構造とされている。
【0063】
このように、層間絶縁膜40を介して裏面電極19を形成すると、n-型ドリフト層4の表面に直接裏面電極19を形成する場合のように、裏面電極19以外の部分におて電極層の残渣が残ることによるLV回路島1とHV回路島2との短絡などを防止することが可能となる。
【0064】
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してトレンチ分離構造の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0065】
図8は、本実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFET3を有する半導体装置が形成されたチップの断面図であり、図9は、図8に示す半導体装置の上面レイアウトを示した模式図である。
【0066】
図8および図9に示すように、本実施形態の半導体装置では、HV回路島2を囲むトレンチ分離部6を複数本にして多重トレンチとしている。このような多重トレンチによってトレンチ分離部6を構成することにより、よりLV回路島1とHV回路島2との間の絶縁耐圧を高めることが可能となる。
【0067】
なお、このような構造の場合、多重とレンチによって構成されたトレンチ分離部6の各トレンチ間にも素子部8と配線引出し部9とを囲むトレンチ分離部7が形成されるようにしても良いが、図9に示すように特に形成する必要はない。
【0068】
(第4実施形態)
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してトレンチ分離構造の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0069】
図10は、本実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図であり、図11は、図10に示す半導体装置の上面レイアウトを示した模式図である。
【0070】
本実施形態では、上記各実施形態で使用していた裏面電極19の代わりにリードフレーム50を用いている。リードフレーム50は、n-型ドリフト層4の裏面側に配置されており、n+型ドレインコンタクト領域13やn-型ドリフト層4の裏面に備えられた絶縁膜51等に貼り付けられている。上記各実施形態のような配線引出し部9は備えられておらず、リードフレーム50をチップの端面(n-型ドリフト層4の端面)よりも突き出すように配置し、HV回路島2側の他の駆動回路に対して電圧印加を行う電源配線52の一部が層間絶縁膜24や保護膜25から露出させられてパッドとされており、このパッドとリードフレーム50のうちチップの端面から突き出された部分とがボンディングワイヤ53を介して電気的に接続してある。すなわち、リードフレーム50およびボンディングワイヤ53を引き出し配線としている。
【0071】
絶縁膜51は、リードフレーム50とLV回路島1やHV回路島2のn-型ドリフト層4との電気的接続を避けるべく設けられている。すなわち、n+型ドレインコンタクト領域13がリードフレーム50を通じてn-型ドリフト層4の他の部分と短絡することを防止できる。具体的には、LV回路島1やHV回路島2のn-型ドリフト層4の裏面を所定厚分除去したのち絶縁膜51を配置し、その後、絶縁膜51をCMPなどにより研磨することでn+型ドレインコンタクト領域13を露出させる。そして、リードフレーム50をチップ裏面に貼り付けることにより、n+型ドレインコンタクト領域13やn-型ドリフト層4の裏面に備えられた絶縁膜51等に貼り付けられる。
【0072】
このように、チップ裏面側にリードフレーム50を配置し、このリードフレーム50およびボンディングワイヤ53をドレイン配線としてチップ表面側にドレイン配線を引き回すようにしている。このようにしても、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。ただし、本実施形態の場合、リードフレーム50やボンディングワイヤ53などチップ以外の構成部品が必要になる。
【0073】
(第5実施形態)
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して配線引出し部9の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0074】
図12は、本実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【0075】
この図に示されるように、本実施形態では、配線引出し部9の一部をボンディングワイヤ60にて構成している。ボンディングワイヤ60は、裏面電極19やn-型ドリフト層4まで達するように形成された貫通穴61a、61b内を通じて、裏面電極19やn-型ドリフト層4と電気的に接続されている。
【0076】
このように、チップに貫通穴61a、61bを開け、ボンディングワイヤ60にて配線引出し部9の一部を構成しても構わない。
【0077】
(第6実施形態)
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態も、第1実施形態に対して配線引出し部9の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0078】
図13は、本実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【0079】
この図に示されるように、配線引出し部9の一部をn-型ドリフト層4の表面から裏面まで達するように配置された伝導材料70にて構成している。伝導材料70は、n-型ドリフト層4の表面側においてドレイン配線23と電気的に接続されると共にn-型ドリフト層4の裏面側において裏面電極19と電気的に接続された構造とされている。このような伝導材料70は、n-型ドリフト層4内にビアホール71を開けたのち、そのビアホール71内を埋め込むように配置される。伝導材料70は、低抵抗材料であればどのような材料で構成されていても良いが、例えば不純物が高濃度に注入されたドープトPoly−Siや金属等で構成される。
【0080】
このように、n-型ドリフト層4の表面から裏面に至るように伝導材料70を配置することにより配線引出し部9の一部を構成しても構わない。
【0081】
(第7実施形態)
本発明の第7実施形態について説明する。本実施形態も、第1実施形態に対して配線引出し部9の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0082】
図14は、本実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【0083】
この図に示されるように、配線引出し部9の一部をn-型ドリフト層4にn型不純物(もしくはp型不純物)を高濃度にドーピングした高濃度シリコン層80によって構成している。この高濃度シリコン層80を介して、裏面電極19とドレイン配線23とが電気的に接続されている。
【0084】
このように、n-型ドリフト層4に不純物を高濃度にドーピングした高濃度シリコン層80を配置することにより配線引出し部9の一部を構成しても構わない。
【0085】
(第8実施形態)
本発明の第8実施形態について説明する。本実施形態も、第1実施形態に対して配線引出し部9の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0086】
図15は、本実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【0087】
この図に示されるように、配線引出し部9の一部をn-型ドリフト層4を貫通するように備えられた絶縁膜90内に配置した伝導材料91によって構成している。伝導材料91は、n-型ドリフト層4の表面側においてドレイン配線23と電気的に接続されると共にn-型ドリフト層4の裏面側において裏面電極19と電気的に接続された構造とされている。このような構造は、n-型ドリフト層4内にビアホール92を開けたのち、そのビアホール92の内壁を例えば熱酸化することで絶縁膜90を形成し、その後、絶縁膜90内を埋め込むように導体材料91を配置することにより構成される。伝導材料91は、低抵抗材料であればどのような材料で構成されていても良いが、例えば不純物が高濃度に注入されたドープトPoly−Siや金属等で構成される。
【0088】
このように、n-型ドリフト層4に備えた絶縁膜90内に伝導材料91を配置することにより、配線引出し部9の一部を構成しても構わない。
【0089】
(他の実施形態)
上記各実施形態では、LV回路島1とHV回路島2とをトレンチ分離部5で囲むと共に、HV回路島2をトレンチ分離部6にて囲む構造としている。これにより、高電圧基準とされるHV回路島2を2つのトレンチ分離部5、6にて囲める構造にできるが、単に、LV回路島1とHV回路島2を1つずつ異なるトレンチ分離部にて囲むようにしても良い。
【0090】
また、HV回路島2を多重トレンチにした場合において、上記第3実施形態ではトレンチ数を4つ(図9参照)、第4実施形態では3つ(図11参照)としているが、これも単なる一例であり、要求される耐圧に応じてトレンチ数を変更しても構わない。
【0091】
また、上記第1〜第3実施形態では、n-型ドリフト層4の表層部にnウェル層20を形成したが、n-型ドリフト層4内の内部抵抗を減少させるためであり、nウェル層20を設けなくても構わない。
【0092】
また、上記各実施形態では第1導電型をn型、第2導電型をp型とするnチャネルタイプの高耐圧MOSFET3を例に挙げて説明しているが、第1導電型をp型、第2導電型をn型とするpチャネルタイプの高耐圧MOSFETとしても構わない。
【0093】
また、上記各実施形態では、レベルシフト用のトランジスタとして高耐圧MOSFET3を例に挙げたが、電流が縦方向に、つまりn-型ドリフト層の表裏面を貫通するように流れる縦型MOSFETであれば何でも良く、プレーナ型MOSFET(例えば、特開平11−238742号公報参照)、トレンチゲート構造のMOSFET(例えば、特開2004−266140号公報参照)、コンケーブ構造のMOSFET(例えば、特開平09−293861号公報参照)であっても構わない。勿論、これらの場合にも、nチャネルタイプとpチャネルタイプいずれであっても構わない。
【0094】
さらに、ここでは高耐圧トランジスタの一例として、レベルシフト用の高耐圧MOSFETを例に挙げて説明したが、他の高耐圧トランジスタ、例えばIGBTやバイポーラトランジスタに関しても上記と同様の構造を採用することができる。また、レベルシフト用に限らず、高耐圧トランジスタに関しても、上記と同様の構造を採用することができる。なお、上記各実施形態では、第1配線がソース配線、第2配線がドレイン配線となるような場合について説明したが、IGBTやバイポーラトランジスタの場合には、第1配線がエミッタ配線、第2配線がコレクタ配線となる。
【図面の簡単な説明】
【0095】
【図1】本発明の第1実施形態にかかる高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【図2】図1に示す半導体装置の上面レイアウトを示した模式図である。
【図3】素子部8内での電位分布を示した図である。
【図4】図1に示す半導体装置の高耐圧MOSFET部分の製造工程を示した図である。
【図5】図4に続く半導体装置の高耐圧MOSFET部分の製造工程を示した図である。
【図6】図5に続く半導体装置の高耐圧MOSFET部分の製造工程を示した図である。
【図7】本発明の第2実施形態にかかる高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【図8】本発明の第3実施形態にかかる高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【図9】図8に示す半導体装置の上面レイアウトを示した模式図である。
【図10】本発明の第4実施形態にかかる高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【図11】図10に示す半導体装置の上面レイアウトを示した模式図である。
【図12】本発明の第5実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【図13】本発明の第6実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【図14】本発明の第7実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【図15】本発明の第8実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【図16】従来のHVICに備えられるレベルシフト用の高耐圧LDMOSの断面構成を示した図である。
【図17】図16に示した高耐圧LDMOS内の電位分布を示した図である。
【符号の説明】
【0096】
1…LV回路島、2…HV回路島、3…高耐圧MOSFET、4…n-型ドリフト層、5〜7…トレンチ分離部、8…素子部、9…配線引出し部、10…p型チャネル領域、11…n+型ソース領域、12…p+型コンタクト領域、13…n+型ドレインコンタクト領域、14…LOCOS酸化膜、15…ゲート絶縁膜、16…ゲート電極、17…層間絶縁膜、18…ソース配線、19…裏面電極、20…nウェル領域、21、22…n+型コンタクト領域、23…ドレイン配線、24…層間絶縁膜、25、26…保護膜、30…シリコン基板、31…トレンチ、32…絶縁層、40…層間絶縁膜、50…リードフレーム、51…絶縁膜、52…電源配線、53…ボンディングワイヤ
【技術分野】
【0001】
本発明は、高耐圧トランジスタ、特にレベルシフト用の高耐圧MOSFETを備えた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来より、フォトカプラレスのレベルシフト(電力変換)回路部を実現するものとして、高耐圧LDMOSを備えたHVIC(High Voltage Integrated Circuit)がある。HVICに備えられるレベルシフト用の高耐圧LDMOSでは、特異点を無くして偏り無く電流が流れるようにして耐圧を確保するために、ドレインを中心に配置し、その外周にドレインと同心円構造となるようにソースを配置した構造とされる(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
図16は、このHVICに備えられるレベルシフト用の高耐圧LDMOSの断面構成を示した図である。この図に示すように、n-型ドリフト層J1内には、ドレイン領域を構成するnウェル領域J2およびn+型コンタクト領域J3を中心として、p型チャネル領域J4およびn+型ソース領域J5が形成されており、n+型コンタクト領域J3の表面にドレイン配線J6が形成され、n+型ソース領域J5の表面にソース配線J7が形成されている。そして、ドレイン領域がn+型ソース領域J5に囲まれた構造となっているため、ドレイン配線J6をソース配線J7の外に引き出すために、層間絶縁膜J8を介してソース配線J7の上部を横切るようにドレイン配線J6が配置される。
【特許文献1】特開2001−313828号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、上述したようにソース配線J7の上部を横切るようにドレイン配線J6を配置しているため、ドレイン配線J6とソース配線J7との間に挟まれる層間絶縁膜J8が絶縁破壊されてしまう可能性があり、それを防ぐために層間絶縁膜J8を相応の膜質・膜厚にする必要があった。すなわち、レベルシフト用の高耐圧LDMOSでは、一般的に、ソース配線J7が0Vとされ、ドレイン配線J6が600〜1200Vとされるが、この電位差に対応できるように層間絶縁膜J8を厚膜にしなければならない。このため、層間絶縁膜J8の形成工程の長時間化を招くことになる。
【0005】
また、ドレイン配線J6の下方において、ドレイン領域を構成するnウェル領域J2およびn+型コンタクト領域J3とp型チャネル領域J4の間のLOCOS酸化膜J9や層間絶縁膜J8が絶縁破壊されてしまうこともある。これについて、図17を参照して説明する。
【0006】
図17は、図16に示した高耐圧LDMOS内の電位分布を示した図である。この図に示すように、n-型ドリフト層J1内ではnウェル領域J2の周囲に偏り無く電位が分布しているが、ドレイン配線J6の下方において、LOCOS酸化膜J9や層間絶縁膜J8中の電位分布が崩れた状態となっている。これは、ドレイン配線J6の高電位が影響し、この場所に電界集中が生じていることを示している。このような電界集中により、電界集中が生じているLOCOS酸化膜J9や層間絶縁膜J8が絶縁破壊されてしまうのである。さらに、n-型ドリフト層J1内での電位分布が不均一になるため、素子の耐圧が低下してしまう。
【0007】
なお、ここでは高耐圧トランジスタの一例として、レベルシフト用の高耐圧MOSFETを例に挙げて説明したが、他の高耐圧トランジスタ、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(以下、IGBTという)やバイポーラトランジスタに関しても上記と同様の問題が発生する。また、レベルシフト用に限らず、高耐圧トランジスタに関して、上記と同様の問題が発生し得る。
【0008】
本発明は上記点に鑑みて、層間絶縁膜を厚くしなくても第1配線(例えばソース配線等)の外に第2配線(例えばドレイン配線等)を引き出せ、かつ、LOCOS酸化膜や層間絶縁膜などの絶縁膜の絶縁破壊を防止でき、電界集中による素子の耐圧低下を防止できる構造のレベルシフト用の高耐圧トランジスタを備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、低電圧回路島(1)と高電圧回路島(2)との間での電力変換を行うための高耐圧トランジスタ(3)を備えた半導体装置であって、高耐圧トランジスタ(3)は、第1導電型層(4)を有し、該第1導電型層(4)に互いにトレンチ分離部(6)にて絶縁分離された素子部(8)と配線引出し部(9)とを備えた構成とされ、素子部(8)は、第1導電型層(4)の表面側に第1配線(18)を備えていると共に、第1導電型層(4)の裏面側に裏面電極(19)を備え、第1導電型層(4)の表裏面を貫通するように電流を流す縦型のトランジスタにて構成され、配線引出し部(9)は、素子部(8)から延設された裏面電極(19)と、第1導電型層(4)の表面側に形成された第2配線(23)とを有し、裏面電極(19)および第2配線(23)を素子部(8)に流す電流の引出し配線としていることを特徴としている。
【0010】
このような半導体装置によれば、第2配線(23)が第1配線(18)の上部を横切るような配置にならないため、第2配線(23)と第1配線(18)の間に層間絶縁膜(17)が挟まれることはなく、第2配線(23)と第1配線(18)との電位差によって層間絶縁膜(17)が絶縁破壊されることもない。さらに、電界集中による絶縁破壊を防ぐことが可能となるため、電界集中による素子の耐圧低下を防止でき、より高耐圧な半導体装置とすることが可能となる。
【0011】
例えば、請求項2に記載したように、第1導電型層(4)と第2配線(23)とをボンディングワイヤ(60)を通じて電気的に接続することで、該ボンディングワイヤ(60)が配線引出し部(9)の一部を構成することができる。
【0012】
また、請求項3に記載したように、第1導電型層(4)にビアホール(71)を形成すると共に、該ビアホール(71)内に導体材料(70)を配置し、該導体材料(70)が裏面電極(19)および第2配線(23)と電気的に接続されるようにすることで、該導体材料(70)にて配線引出し部(9)の一部を構成することもできる。
【0013】
また、請求項4に記載したように、素子部(8)に備えられた第1導電型層(4)よりも不純物濃度が高濃度とされた高濃度層(80)を備え、該高濃度層(80)が裏面電極(19)および第2配線(23)と電気的に接続されるようにすることで、該高濃度層(80)にて配線引出し部(9)の一部を構成することもできる。
【0014】
さらに、請求項5に記載したように、第1導電型層(4)にビアホール(92)を形成すると共に、該ビアホール(92)内に絶縁膜(90)を介して導体材料(91)を配置し、該導体材料(91)が裏面電極(19)および第2配線(23)と電気的に接続されるようにすることで、該導体材料(91)にて配線引出し部(9)の一部を構成することもできる。
【0015】
なお、請求項6に記載したように、高耐圧トランジスタ(3)としては、低電圧回路島(1)と高電圧回路島(2)との間での電力変換を行うための高耐圧MOSFET、IGBTもしくはバイポーラトランジスタのいずれかを挙げることができる。
【0016】
請求項7に記載の発明は、高耐圧トランジスタ(3)を、第1導電型層(4)に互いにトレンチ分離部(6)にて絶縁分離された素子部(8)と配線引出し部(9)とを備えた構成とする。そして、素子部(8)には、第1導電型層(4)に形成された第2導電型のチャネル層(10)と、チャネル層(10)内に形成され、第1導電型層(4)よりも高濃度とされた第1導電型の半導体領域(11)と、チャネル層(10)のうち半導体領域(11)と第1導電型層(4)との間に挟まれた領域の表面に形成されたゲート絶縁膜(15)と、ゲート絶縁膜(15)の表面に形成されたゲート電極(16)と、半導体領域(11)およびチャネル層(10)のコンタクト領域(11)に電気的に接続された第1配線(18)と、第1導電型層(4)の裏面側に形成された第1導電型層(4)よりも高濃度とされた第1導電型のドレインコンタクト領域(13)とを備える。また、配線引出し部(9)には、第1導電型層(4)の表面側および裏面側に形成されたコンタクト領域(21、22)と、第1導電型層(4)の表面側のコンタクト領域(21)と電気的に接続された第2配線(23)とを備える。さらに、素子部(8)のドレインコンタクト領域(13)と配線引出し部(9)におけるドリフト領域(4)の裏面側のコンタクト領域(22)とを電気的に接続する裏面電極(19)を備えると共に、素子部(8)および配線引出し部(9)における第1導電型層(4)の上部に層間絶縁膜(17)を形成し、該層間絶縁膜(17)に形成されたコンタクトホールを通じて、第1配線(18)が半導体領域(11)およびチャネル層(10)のコンタクト領域(11)に電気的に接続され、第2配線(23)が第1導電型層(4)の表面側のコンタクト領域(21)と電気的に接続されるようにすることを特徴としている。
【0017】
このような半導体装置によれば、第2配線(23)が第1配線(18)の上部を横切るような配置にならないため、第2配線(23)と第1配線(18)の間に層間絶縁膜(17)が挟まれることはなく、第2配線(23)と第1配線(18)との電位差によって層間絶縁膜(17)が絶縁破壊されることもない。さらに、電界集中による絶縁破壊を防ぐことが可能となるため、電界集中による素子の耐圧低下を防止でき、より高耐圧な半導体装置とすることが可能となる。
【0018】
例えば、請求項8に示すように、第1配線(18)および第2配線(23)を層間絶縁膜(17)の上に形成し、互いに逆方向に引き出さすことができる。
【0019】
請求項9に記載の発明では、高電圧回路島(2)を囲むトレンチ分離部(6)と高電圧回路島(2)および低電圧回路島(1)の双方を囲むトレンチ分離部(5)が備えられていることを特徴としている。
【0020】
これにより、高電圧基準とされる高電圧回路島(2)を2つのトレンチ分離部(5、6)にて囲める構造にできる。
【0021】
請求項10に記載の発明では、高電圧回路島(2)を囲むトレンチ分離部(6)が多重トレンチにて構成されていることを特徴としている。
【0022】
このような多重トレンチによってトレンチ分離部(6)を構成することにより、より低電圧回路島(1)と高電圧回路島(2)との間の絶縁耐圧を高めることが可能となる。
【0023】
また、請求項11に示すように、素子部(8)と配線引出し部(9)は共にトレンチ分離部(7)にて囲み、該トレンチ分離部(7)内にのみ裏面電極(19)が形成されるようにすると好ましい。このようにすれば、低電圧回路島(1)内の他の部分と短絡してしまわないようにできる。
【0024】
請求項12に記載の発明では、素子部(8)と配線引出し部(9)において、第1導電型層(4)の裏面には絶縁膜(40)が形成され、該絶縁膜(40)には、素子部(8)におけるドレインコンタクト領域(13)に繋がるコンタクトホールと配線引出し部(9)における第1導電型層(4)の裏面側のコンタクト領域(22)に繋がるコンタクトホールが形成されており、裏面電極(19)は、絶縁膜(40)の裏面に形成されたコンタクトホールを通じて、素子部(8)におけるドレインコンタクト領域(13)と配線引出し部(9)における第1導電型層(4)の裏面側のコンタクト領域(22)とに電気的に接続されていることを特徴としている。
【0025】
このように、層間絶縁膜(40)を介して裏面電極(19)を形成すると、第1導電型層(4)の表面に直接裏面電極(19)を形成する場合のように、裏面電極(19)以外の部分におて電極層の残渣が残ることによる低電圧回路島(1)と高電圧回路島(2)との短絡などを防止することが可能となる。
【0026】
請求項13に記載の発明では、素子部(8)は、第1導電型層(4)の表面側に第1配線(18)を備えていると共に、第1導電型層(4)の裏面側に裏面電極となるリードフレーム(50)を有し、第1導電型層(4)の表裏面を貫通するように電流を流す縦型のトランジスタにて構成され、リードフレーム(50)は、第1導電型層(4)の端部よりも突き出すように配置され、該突き出した部分において、第1導電型層(4)の表面側に形成された高電圧回路島(2)に対して電圧印加を行う電源配線(52)とボンディングワイヤ(53)にて電気的に接続されていることを特徴としている。
【0027】
このような半導体装置によれば、ドレイン配線に相当する電源配線(52)およびボンディング(53)が第1配線(18)の上部を横切るような配置にならないため、ドレイン配線と第1配線(18)の間に層間絶縁膜(17)が挟まれることはなく、ドレイン配線と第1配線(18)との電位差によって層間絶縁膜(17)が絶縁破壊されることもない。さらに、電界集中による絶縁破壊を防ぐことが可能となるため、電界集中による素子の耐圧低下を防止でき、より高耐圧な半導体装置とすることが可能となる。
【0028】
請求項14に記載の発明では、素子部(8)には、第1導電型層(4)に形成された第2導電型のチャネル層(10)と、チャネル層(10)内に形成され、第1導電型層(4)よりも高濃度とされた第1導電型の半導体領域(11)と、チャネル層(10)のうち半導体領域(11)と第1導電型層(4)との間に挟まれた領域の表面に形成されたゲート絶縁膜(15)と、ゲート絶縁膜(15)の表面に形成されたゲート電極(16)と、半導体領域(11)およびチャネル層(10)のコンタクト領域(11)に電気的に接続された第1配線(18)と、第1導電型層(4)の裏面側に形成された第1導電型層(4)よりも高濃度とされた第1導電型のドレインコンタクト領域(13)と、第1導電型層(4)の裏面側にドレインコンタクト領域(13)に接続される裏面電極となるリードフレーム(50)が備えられし、第1導電型層(4)の表裏面を貫通するように電流を流す縦型のトランジスタにて構成され、リードフレーム(50)は、第1導電型層(4)の端部よりも突き出すように配置され、該突き出した部分において、第1導電型層(4)の表面側に形成された高電圧回路島(2)に対して電圧印加を行う電源配線(52)とボンディングワイヤ(53)にて電気的に接続されていることを特徴としている。
【0029】
このような半導体装置によれば、ドレイン配線に相当する電源配線(52)およびボンディング(53)が第1配線(18)の上部を横切るような配置にならないため、ドレイン配線と第1配線(18)の間に層間絶縁膜(17)が挟まれることはなく、ドレイン配線と第1配線(18)との電位差によって層間絶縁膜(17)が絶縁破壊されることもない。さらに、電界集中による絶縁破壊を防ぐことが可能となるため、電界集中による素子の耐圧低下を防止でき、より高耐圧な半導体装置とすることが可能となる。
【0030】
これらの場合、請求項15に示すように、素子部(8)を除く第1導電型層(4)の裏面側に絶縁膜(51)を形成し、該絶縁膜(51)にリードフレーム(50)が貼り付けられるようにすると好ましい。これにより、リードフレーム(50)を通じてドレインコンタクト領域(13)が第1導電型層(4)の他の部分と短絡することを防止できる。
【0031】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【0032】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【0033】
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態にかかる高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図であり、図2は、図1に示す半導体装置の上面レイアウトを示した模式図である。以下、これらの図を参照して、本実施形態の半導体装置について説明する。
【0034】
図1に示す半導体装置は、0V基準回路を構成する低電圧(以下、LV(Low Voltage)という)回路島1と、例えば600〜1200V基準回路を構成する高電圧(以下、HV(High Voltage)という)回路島2とを有した構成とされており、図示しないIGBTの駆動等に用いられる。
【0035】
半導体装置には、レベルシフト用の高耐圧MOSFET3が備えられており、この高耐圧MOSFET3がLV回路島1とHV回路島2の境界位置に配置され、LV回路島1やHV回路島2のうち高耐圧MOSFET3以外の領域に、図示しないが、IGBTの駆動を制御するためのパワーMOSFETやバイポーラトランジスタおよびCMOSなどが備えられた周知の駆動回路部が設けられている。
【0036】
図1に示すように、半導体装置が形成されたチップのうち紙面上方側の面を表面、紙面下方の面を裏面とすると、第1導電型層に相当するn-型ドリフト層4には、LV回路島1およびHV回路島2を囲むトレンチ分離部5とHV回路島2を囲むトレンチ分離部6がn-型ドリフト層4の表裏を貫通するように備えられ、これらによりLV回路島1とHV回路島2とが素子分離されている。また、LV回路島1の一部とHV回路島2の一部を囲むようにn-型ドリフト層4の表裏を貫通するトレンチ分離部7が備えられており、このトレンチ分離部7内に高耐圧MOSFET3が形成されている。各トレンチ分離部5〜7は、n-型ドリフト層4を貫通するように形成されたトレンチ内を熱酸化膜およびPoly−Siにて埋め込んだ周知の素子分離構造とされている。
【0037】
高耐圧MOSFET3は、トレンチ分離部7内に構成されている。トレンチ分離部7内のn-型ドリフト層4はLV回路島1とHV回路島2とを分離するトレンチ分離部6にて2つに分離されており、そのうちの一方が高耐圧MOSFETの素子部8とされ、他方が配線引出し部9とされている。
【0038】
高耐圧MOSFET3の素子部8には、n-型ドリフト層4の表層部にp型チャネル領域10が形成されていると共に、このp型チャネル領域10内にn-型ドリフト層4よりもn型不純物濃度が高濃度とされた第1導電型の半導体領域に相当するn+型ソース領域11およびp型チャネル領域10よりもp型不純物濃度が高濃度とされたp+型コンタクト領域12が形成されている。また、n-型ドリフト層4の裏面にはn-型ドリフト層4よりもn型不純物濃度が高濃度とされたn+型ドレインコンタクト領域13が形成されている。
【0039】
n-型ドリフト層4の表面には、p型チャネル領域10やn+型ソース領域11およびp+型コンタクト領域12を露出させる開口部が形成されたLOCOS酸化膜14が形成されてることで素子分離が為されている。また、露出したp型チャネル領域10の表面、つまりp型チャネル領域10のうちn-型ドリフト層4とn+型ソース領域11との間に挟まれた領域の表面にゲート絶縁膜15を介してゲート電極16が形成されている。さらに、n-型ドリフト層4の表面側において、ゲート電極16やゲート絶縁膜15およびLOCOS酸化膜14を覆うように層間絶縁膜17が形成されている。そして、この層間絶縁膜17に形成されたコンタクトホールを通じてn+型ソース領域11およびp+型コンタクト領域12にオーミック接触するようにアルミニウム等により構成されたソース配線18が形成されている。このソース配線18は、層間絶縁膜17の表面上においてLV回路島1側、つまりHV回路島2から離れる方向に向かって延設されている。
【0040】
さらに、n-型ドリフト層4の裏面側には、n+型ドレインコンタクト領域13とオーミック接触するように例えば1μm程度の厚みの裏面電極19が形成されている。この裏面電極19も例えばアルミニウムなどにより形成されており、トレンチ分離部7内に収まるように形成されており、LV回路島1内の他の部分と短絡してしまわないようにされている。
【0041】
一方、高耐圧MOSFET3の配線引出し部9には、n-型ドリフト層4の表層部に形成されたnウェル領域20およびnウェル領域20の表層部に形成されたn+型コンタクト領域21が形成されていると共に、n-型ドリフト層4の裏面側に形成されたn+型コンタクト領域22が形成されている。また、配線引出し部9にも層間絶縁膜17が成膜されており、この層間絶縁膜17に形成されたコンタクトホールを通じてn+型コンタクト領域21とオーミック接触するようにアルミニウム等により構成されたドレイン配線23が形成されている。このドレイン配線23は、層間絶縁膜17の表面上においてソース配線18と反対方向となるHV回路島2側、つまりLV回路島1から離れる方向に向かって延設されている。
【0042】
さらに、素子部8に形成された裏面電極19が配線引出し部9まで延設され、n+型コンタクト領域22とオーミック接触させられている。裏面電極19は、この配線引出し部9においてもトレンチ分離部7内に収まるように形成されており、HV回路島2内の他の部分と短絡してしまわないようにされている。
【0043】
そして、高耐圧MOSFET3を含めたLV回路島1およびHV回路島2など全域を覆うように、半導体装置の表面側に必要に応じて層間絶縁膜24や他の配線層(図示せず)等が成膜され、さらにこの上面および半導体装置の裏面が保護膜25、26で覆われている。このようにして、本実施形態にかかる半導体装置が構成されている。
【0044】
このように構成された本実施形態の半導体装置は、ゲート電極16に所望の電位が掛けられると、ゲート絶縁膜15の直下のp型チャネル領域10の表層部にチャネルが設定され、n+型ソース領域11、p型チャネル領域10のチャネル、素子部8のn-型ドリフト層4、n+型ドレインコンタクト領域13、裏面電極19、n+型コンタクト領域21、配線引出し部9のn-型ドリフト層4、nウェル領域20およびn+型コンタクト領域21を通じて、ソース配線18とドレイン配線23との間に電流が流される。このとき、IGBTの駆動状態に応じて各部の電位が変化するが、例えばソース配線18が0V、ドレイン配線23に600〜1200Vとされ、ソース配線18とドレイン配線23との間に大きな電位差が発生することになる。
【0045】
しかしながら、本実施形態の高耐圧MOSFET3では、素子部8から配線引出し部9に延設されるようにn-型ドリフト層4の裏面に裏面電極19を備え、この裏面電極19とソース配線18との間に電流が流れるような構造、つまりn-型ドリフト層4の表裏を貫通して縦方向に電流を流す構造にしている。そして、裏面電極19を配線引出し部9まで延設し、n+型コンタクト領域21、配線引出し部9のn-型ドリフト層4、nウェル領域20およびn+型コンタクト領域21を通じてドレイン配線23と接続している。すなわち、裏面電極19を通じて電流が流れるようにすることにより、ドレイン配線23を素子部8の外に引き出した構造とし、裏面電極19や配線引出し部9およびドレイン配線23にて引き出し配線を構成している。
【0046】
このため、ドレイン配線23がソース配線18の上部を横切るような配置にならない。このため、ドレイン配線23とソース配線18の間に層間絶縁膜17が挟まれることはなく、ドレイン配線23とソース配線18との電位差によって層間絶縁膜17が絶縁破壊されることもない。
【0047】
さらに、このようにソース配線18と裏面電極19との間に縦方向に電流が流れる構成とされていることから、電界集中によるLOCOS酸化膜14や層間絶縁膜17の絶縁破壊を防ぐことが可能となり、より高耐圧な半導体装置とすることが可能となる。すなわち、素子部8内での電位分布を示すと図3のように示され、電位分布がn-型ドリフト層4の表面とほぼ平行になり、偏りない分布になる。このため、電界集中が生じず、半導体装置をより高耐圧にすることが可能となる。
【0048】
続いて、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図4〜図6は、本実施形態の半導体装置の製造工程を示した図である。ただし、半導体装置のうち高耐圧MOSFET3以外の部分に関しては従来と同様であるため、ここでは高耐圧MOSFET3の製造工程についてのみ説明する。
【0049】
〔図4(a)に示す工程〕
まず、n-型ドリフト層4を構成するシリコン基板30を用意する。このとき、シリコン基板30として、上述したトレンチ分離部5〜7を構成するためのトレンチの深さよりも大きい厚みのものを用意している。
【0050】
〔図4(b)に示す工程〕
次に、フォトリソグラフィ・エッチングによりトレンチ分離部5〜7の形成予定領域にトレンチ31を形成したのち、熱酸化等によりトレンチ31の内壁面に酸化膜を形成し、さらにPoly−Si層を成膜することでトレンチ31内を酸化膜およびPoly−Si層からなる絶縁層32にて埋め込む。そして、シリコン基板30の表面に形成された酸化膜およびPoly−Si層を除去し、トレンチ31内にのみ絶縁層32を残す。
【0051】
〔図4(c)に示す工程〕
次に、シリコン基板30の表面にLOCOS酸化膜14を形成する。具体的には、シリコン基板30の表面に酸化膜や窒化膜(図示せず)を形成したのち、これらをパターニングしてLOCOS酸化膜14の形成予定領域を開口させ、LOCOS酸化を行う。これにより、酸化膜や窒化膜が開口させられた部分にLOCOS酸化膜14が形成され、素子分離が行われる。その後、酸化膜や窒化膜を除去する。
【0052】
〔図5(a)に示す工程〕
LOCOS酸化膜14を含むシリコン基板30の表面にp型チャネル領域10の形成予定位置が開口するマスクを配置したのち、p型不純物のイオン注入を行うことにより、p型チャネル領域10を形成する位置にp型不純物を注入する。また、マスクを除去した後、再びLOCOS酸化膜14を含むシリコン基板30の表面にnウェル領域20の形成予定位置が開口するマスクを配置し、n型不純物のイオン注入を行うことにより、nウェル領域20を形成する位置にn型不純物を注入する。そして、熱処理を行うことによりp型不純物やn型不純物を拡散させ、p型チャネル領域10やnウェル領域20を形成する。
【0053】
続いて、LOCOS酸化膜14を含むシリコン基板30の表面にn+型ソース領域11やn+型コンタクト領域21の形成予定領域が開口するマスクを配置した後、n型不純物のイオン注入を行うことにより、n+型ソース領域11やn+型コンタクト領域21を形成する位置にn型不純物を注入する。さらに、LOCOS酸化膜14を含むシリコン基板30の表面にp+型コンタクト領域12の形成予定領域が開口するマスクを配置した後、p型不純物のイオン注入を行うことにより、p+型コンタクト領域12を形成する位置にp型不純物を注入する。そして、そして、熱処理を行うことによりp型不純物やn型不純物を拡散させ、n+型ソース領域11やn+型コンタクト領域21およびp+型コンタクト領域12を形成する。
【0054】
〔図5(b)に示す工程〕
熱酸化等によりゲート絶縁膜15を形成したのち、このゲート絶縁膜15の表面に不純物がドーピングされたPoly−Si層を成膜する。そして、Poly−Si層をパターニングしてゲート電極16を形成する。
【0055】
〔図5(c)に示す工程〕
ゲート電極16上を含むシリコン基板30の上面全面を覆うように層間絶縁膜17を配置した後、これをパターニングし、n+型ソース領域11およびp+型コンタクト領域12に繋がるコンタクトホールやn+型コンタクト領域21に繋がるコンタクトホールを形成する。
【0056】
〔図6(a)に示す工程〕
コンタクトホール内を含め層間絶縁膜17を覆うようにAl等の配線層を成膜下のち、この配線層をパターニングしてソース配線18およびドレイン配線23を形成する。そして、必要に応じてさらに層間絶縁膜24を積んだり他の配線層等を成膜する。
【0057】
〔図6(b)に示す工程〕
シリコン基板30を裏面からCMPなどにより研磨し、所望の厚みにする。これにより、n-型ドリフト層4が構成されると共に、トレンチ分離部5〜7がn-型ドリフト層4を貫通した状態となり、完全な素子分離が為される。
【0058】
〔図6(c)に示す工程〕
n-型ドリフト層4の裏面にn+型ドレインコンタクト領域13およびn+型コンタクト領域22の形成予定領域が開口するマスクを配置したのち、n型不純物のイオン注入を行い、さらに熱処理を行って注入されたイオンを拡散させることでn+型ドレインコンタクト領域13およびn+型コンタクト領域22を形成する。その後、n+型ドレインコンタクト領域13およびn+型コンタクト領域22を含めたn-型ドリフト層4の裏面にアルミニウム等による電極層を成膜したのち、パターニングして裏面電極19を形成する。
【0059】
この後、層間絶縁膜17などの上面および裏面電極19を含めたn-型ドリフト層4の裏面に樹脂等で構成される保護膜25、26を成膜し、本実施形態の半導体装置が完成する。
【0060】
以上説明したように、本実施形態の半導体装置によれば、ドレイン配線23がソース配線18の上部を横切るような配置にならないため、ドレイン配線23とソース配線18の間に層間絶縁膜17が挟まれることはなく、ドレイン配線23とソース配線18との電位差によって層間絶縁膜17が絶縁破壊されることもない。さらに、電界集中によるLOCOS酸化膜14や層間絶縁膜17の絶縁破壊を防ぐことが可能となり、より高耐圧な半導体装置とすることが可能となる。
【0061】
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して裏面電極19の配置構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0062】
図7は、本実施形態にかかる高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。この図に示すように、n+型ドレインコンタクト領域13およびn+型コンタクト領域22と繋がるコンタクトホールが形成された層間絶縁膜40がn-型ドリフト層4の裏面に形成されており、この層間絶縁膜40のコンタクトホールを介して裏面電極19がn+型ドレインコンタクト領域13およびn+型コンタクト領域22と接続された構造とされている。
【0063】
このように、層間絶縁膜40を介して裏面電極19を形成すると、n-型ドリフト層4の表面に直接裏面電極19を形成する場合のように、裏面電極19以外の部分におて電極層の残渣が残ることによるLV回路島1とHV回路島2との短絡などを防止することが可能となる。
【0064】
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してトレンチ分離構造の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0065】
図8は、本実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFET3を有する半導体装置が形成されたチップの断面図であり、図9は、図8に示す半導体装置の上面レイアウトを示した模式図である。
【0066】
図8および図9に示すように、本実施形態の半導体装置では、HV回路島2を囲むトレンチ分離部6を複数本にして多重トレンチとしている。このような多重トレンチによってトレンチ分離部6を構成することにより、よりLV回路島1とHV回路島2との間の絶縁耐圧を高めることが可能となる。
【0067】
なお、このような構造の場合、多重とレンチによって構成されたトレンチ分離部6の各トレンチ間にも素子部8と配線引出し部9とを囲むトレンチ分離部7が形成されるようにしても良いが、図9に示すように特に形成する必要はない。
【0068】
(第4実施形態)
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してトレンチ分離構造の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0069】
図10は、本実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図であり、図11は、図10に示す半導体装置の上面レイアウトを示した模式図である。
【0070】
本実施形態では、上記各実施形態で使用していた裏面電極19の代わりにリードフレーム50を用いている。リードフレーム50は、n-型ドリフト層4の裏面側に配置されており、n+型ドレインコンタクト領域13やn-型ドリフト層4の裏面に備えられた絶縁膜51等に貼り付けられている。上記各実施形態のような配線引出し部9は備えられておらず、リードフレーム50をチップの端面(n-型ドリフト層4の端面)よりも突き出すように配置し、HV回路島2側の他の駆動回路に対して電圧印加を行う電源配線52の一部が層間絶縁膜24や保護膜25から露出させられてパッドとされており、このパッドとリードフレーム50のうちチップの端面から突き出された部分とがボンディングワイヤ53を介して電気的に接続してある。すなわち、リードフレーム50およびボンディングワイヤ53を引き出し配線としている。
【0071】
絶縁膜51は、リードフレーム50とLV回路島1やHV回路島2のn-型ドリフト層4との電気的接続を避けるべく設けられている。すなわち、n+型ドレインコンタクト領域13がリードフレーム50を通じてn-型ドリフト層4の他の部分と短絡することを防止できる。具体的には、LV回路島1やHV回路島2のn-型ドリフト層4の裏面を所定厚分除去したのち絶縁膜51を配置し、その後、絶縁膜51をCMPなどにより研磨することでn+型ドレインコンタクト領域13を露出させる。そして、リードフレーム50をチップ裏面に貼り付けることにより、n+型ドレインコンタクト領域13やn-型ドリフト層4の裏面に備えられた絶縁膜51等に貼り付けられる。
【0072】
このように、チップ裏面側にリードフレーム50を配置し、このリードフレーム50およびボンディングワイヤ53をドレイン配線としてチップ表面側にドレイン配線を引き回すようにしている。このようにしても、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。ただし、本実施形態の場合、リードフレーム50やボンディングワイヤ53などチップ以外の構成部品が必要になる。
【0073】
(第5実施形態)
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して配線引出し部9の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0074】
図12は、本実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【0075】
この図に示されるように、本実施形態では、配線引出し部9の一部をボンディングワイヤ60にて構成している。ボンディングワイヤ60は、裏面電極19やn-型ドリフト層4まで達するように形成された貫通穴61a、61b内を通じて、裏面電極19やn-型ドリフト層4と電気的に接続されている。
【0076】
このように、チップに貫通穴61a、61bを開け、ボンディングワイヤ60にて配線引出し部9の一部を構成しても構わない。
【0077】
(第6実施形態)
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態も、第1実施形態に対して配線引出し部9の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0078】
図13は、本実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【0079】
この図に示されるように、配線引出し部9の一部をn-型ドリフト層4の表面から裏面まで達するように配置された伝導材料70にて構成している。伝導材料70は、n-型ドリフト層4の表面側においてドレイン配線23と電気的に接続されると共にn-型ドリフト層4の裏面側において裏面電極19と電気的に接続された構造とされている。このような伝導材料70は、n-型ドリフト層4内にビアホール71を開けたのち、そのビアホール71内を埋め込むように配置される。伝導材料70は、低抵抗材料であればどのような材料で構成されていても良いが、例えば不純物が高濃度に注入されたドープトPoly−Siや金属等で構成される。
【0080】
このように、n-型ドリフト層4の表面から裏面に至るように伝導材料70を配置することにより配線引出し部9の一部を構成しても構わない。
【0081】
(第7実施形態)
本発明の第7実施形態について説明する。本実施形態も、第1実施形態に対して配線引出し部9の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0082】
図14は、本実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【0083】
この図に示されるように、配線引出し部9の一部をn-型ドリフト層4にn型不純物(もしくはp型不純物)を高濃度にドーピングした高濃度シリコン層80によって構成している。この高濃度シリコン層80を介して、裏面電極19とドレイン配線23とが電気的に接続されている。
【0084】
このように、n-型ドリフト層4に不純物を高濃度にドーピングした高濃度シリコン層80を配置することにより配線引出し部9の一部を構成しても構わない。
【0085】
(第8実施形態)
本発明の第8実施形態について説明する。本実施形態も、第1実施形態に対して配線引出し部9の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【0086】
図15は、本実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【0087】
この図に示されるように、配線引出し部9の一部をn-型ドリフト層4を貫通するように備えられた絶縁膜90内に配置した伝導材料91によって構成している。伝導材料91は、n-型ドリフト層4の表面側においてドレイン配線23と電気的に接続されると共にn-型ドリフト層4の裏面側において裏面電極19と電気的に接続された構造とされている。このような構造は、n-型ドリフト層4内にビアホール92を開けたのち、そのビアホール92の内壁を例えば熱酸化することで絶縁膜90を形成し、その後、絶縁膜90内を埋め込むように導体材料91を配置することにより構成される。伝導材料91は、低抵抗材料であればどのような材料で構成されていても良いが、例えば不純物が高濃度に注入されたドープトPoly−Siや金属等で構成される。
【0088】
このように、n-型ドリフト層4に備えた絶縁膜90内に伝導材料91を配置することにより、配線引出し部9の一部を構成しても構わない。
【0089】
(他の実施形態)
上記各実施形態では、LV回路島1とHV回路島2とをトレンチ分離部5で囲むと共に、HV回路島2をトレンチ分離部6にて囲む構造としている。これにより、高電圧基準とされるHV回路島2を2つのトレンチ分離部5、6にて囲める構造にできるが、単に、LV回路島1とHV回路島2を1つずつ異なるトレンチ分離部にて囲むようにしても良い。
【0090】
また、HV回路島2を多重トレンチにした場合において、上記第3実施形態ではトレンチ数を4つ(図9参照)、第4実施形態では3つ(図11参照)としているが、これも単なる一例であり、要求される耐圧に応じてトレンチ数を変更しても構わない。
【0091】
また、上記第1〜第3実施形態では、n-型ドリフト層4の表層部にnウェル層20を形成したが、n-型ドリフト層4内の内部抵抗を減少させるためであり、nウェル層20を設けなくても構わない。
【0092】
また、上記各実施形態では第1導電型をn型、第2導電型をp型とするnチャネルタイプの高耐圧MOSFET3を例に挙げて説明しているが、第1導電型をp型、第2導電型をn型とするpチャネルタイプの高耐圧MOSFETとしても構わない。
【0093】
また、上記各実施形態では、レベルシフト用のトランジスタとして高耐圧MOSFET3を例に挙げたが、電流が縦方向に、つまりn-型ドリフト層の表裏面を貫通するように流れる縦型MOSFETであれば何でも良く、プレーナ型MOSFET(例えば、特開平11−238742号公報参照)、トレンチゲート構造のMOSFET(例えば、特開2004−266140号公報参照)、コンケーブ構造のMOSFET(例えば、特開平09−293861号公報参照)であっても構わない。勿論、これらの場合にも、nチャネルタイプとpチャネルタイプいずれであっても構わない。
【0094】
さらに、ここでは高耐圧トランジスタの一例として、レベルシフト用の高耐圧MOSFETを例に挙げて説明したが、他の高耐圧トランジスタ、例えばIGBTやバイポーラトランジスタに関しても上記と同様の構造を採用することができる。また、レベルシフト用に限らず、高耐圧トランジスタに関しても、上記と同様の構造を採用することができる。なお、上記各実施形態では、第1配線がソース配線、第2配線がドレイン配線となるような場合について説明したが、IGBTやバイポーラトランジスタの場合には、第1配線がエミッタ配線、第2配線がコレクタ配線となる。
【図面の簡単な説明】
【0095】
【図1】本発明の第1実施形態にかかる高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【図2】図1に示す半導体装置の上面レイアウトを示した模式図である。
【図3】素子部8内での電位分布を示した図である。
【図4】図1に示す半導体装置の高耐圧MOSFET部分の製造工程を示した図である。
【図5】図4に続く半導体装置の高耐圧MOSFET部分の製造工程を示した図である。
【図6】図5に続く半導体装置の高耐圧MOSFET部分の製造工程を示した図である。
【図7】本発明の第2実施形態にかかる高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【図8】本発明の第3実施形態にかかる高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【図9】図8に示す半導体装置の上面レイアウトを示した模式図である。
【図10】本発明の第4実施形態にかかる高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【図11】図10に示す半導体装置の上面レイアウトを示した模式図である。
【図12】本発明の第5実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【図13】本発明の第6実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【図14】本発明の第7実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【図15】本発明の第8実施形態にかかるレベルシフト用の高耐圧MOSFETを有する半導体装置が形成されたチップの断面図である。
【図16】従来のHVICに備えられるレベルシフト用の高耐圧LDMOSの断面構成を示した図である。
【図17】図16に示した高耐圧LDMOS内の電位分布を示した図である。
【符号の説明】
【0096】
1…LV回路島、2…HV回路島、3…高耐圧MOSFET、4…n-型ドリフト層、5〜7…トレンチ分離部、8…素子部、9…配線引出し部、10…p型チャネル領域、11…n+型ソース領域、12…p+型コンタクト領域、13…n+型ドレインコンタクト領域、14…LOCOS酸化膜、15…ゲート絶縁膜、16…ゲート電極、17…層間絶縁膜、18…ソース配線、19…裏面電極、20…nウェル領域、21、22…n+型コンタクト領域、23…ドレイン配線、24…層間絶縁膜、25、26…保護膜、30…シリコン基板、31…トレンチ、32…絶縁層、40…層間絶縁膜、50…リードフレーム、51…絶縁膜、52…電源配線、53…ボンディングワイヤ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
高耐圧トランジスタ(3)を備えた半導体装置であって、
前記高耐圧トランジスタ(3)は、第1導電型層(4)を有し、該第1導電型層(4)に互いにトレンチ分離部(6)にて絶縁分離された素子部(8)と配線引出し部(9)とを備えた構成とされ、
前記素子部(8)は、前記第1導電型層(4)の表面側に第1配線(18)を備えていると共に、前記第1導電型層(4)の裏面側に裏面電極(19)を備え、前記第1導電型層(4)の表裏面を貫通するように電流を流す縦型のトランジスタにて構成され、
前記配線引出し部(9)は、前記素子部(8)から延設された前記裏面電極(19)と、前記第1導電型層(4)の表面側に形成された第2配線(23)とを有し、前記裏面電極(19)および前記第2配線(23)を前記素子部(8)に流す電流の引出し配線としていることを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
前記第1導電型層(4)と前記第2配線(23)とはボンディングワイヤ(60)を通じて電気的に接続されており、該ボンディングワイヤ(60)が前記配線引出し部(9)の一部を構成していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第1導電型層(4)にはビアホール(71)が形成されていると共に、該ビアホール(71)内には導体材料(70)が配置されており、該導体材料(70)が前記裏面電極(19)および前記第2配線(23)と電気的に接続されることで、該導体材料(70)にて前記配線引出し部(9)の一部を構成していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記素子部(8)に備えられた前記第1導電型層(4)よりも不純物濃度が高濃度とされた高濃度層(80)が備えられ、該高濃度層(80)が前記裏面電極(19)および前記第2配線(23)と電気的に接続されることで、該高濃度層(80)にて前記配線引出し部(9)の一部を構成していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第1導電型層(4)にはビアホール(92)が形成されていると共に、該ビアホール(92)内には絶縁膜(90)を介して導体材料(91)が配置されており、該導体材料(91)が前記裏面電極(19)および前記第2配線(23)と電気的に接続されることで、該導体材料(91)にて前記配線引出し部(9)の一部を構成していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記高耐圧トランジスタ(3)は、低電圧回路島(1)と高電圧回路島(2)との間での電力変換を行うための高耐圧MOSFET、IGBTもしくはバイポーラトランジスタのいずれかであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項7】
高耐圧トランジスタ(3)を備えた半導体装置であって、
前記高耐圧トランジスタ(3)は、第1導電型の第1導電型層(4)を有し、該第1導電型層(4)に互いにトレンチ分離部(6)にて絶縁分離された素子部(8)と配線引出し部(9)とを備えた構成とされ、
前記素子部(8)には、
前記第1導電型層(4)に形成された第2導電型のチャネル層(10)と、
前記チャネル層(10)内に形成され、前記第1導電型層(4)よりも高濃度とされた第1導電型の半導体領域(11)と、
前記チャネル層(10)のうち前記半導体領域(11)と前記第1導電型層(4)との間に挟まれた領域の表面に形成されたゲート絶縁膜(15)と、
前記ゲート絶縁膜(15)の表面に形成されたゲート電極(16)と、
前記半導体領域(11)および前記チャネル層(10)のコンタクト領域(11)に電気的に接続された第1配線(18)と、
前記第1導電型層(4)の裏面側に形成された前記第1導電型層(4)よりも高濃度とされた第1導電型のドレインコンタクト領域(13)とが備えられ、
前記配線引出し部(9)には、
前記第1導電型層(4)の表面側および裏面側に形成されたコンタクト領域(21、22)と、
前記第1導電型層(4)の表面側の前記コンタクト領域(21)と電気的に接続された第2配線(23)とが備えられ、
前記素子部(8)の前記ドレインコンタクト領域(13)と前記配線引出し部(9)における前記ドリフト領域(4)の裏面側のコンタクト領域(22)とを電気的に接続する裏面電極(19)が備えられていると共に、
前記素子部(8)および前記配線引出し部(9)における前記第1導電型層(4)の上部に層間絶縁膜(17)が形成され、該層間絶縁膜(17)に形成されたコンタクトホールを通じて、前記第1配線(18)が前記半導体領域(11)および前記チャネル層(10)のコンタクト領域(11)に電気的に接続され、前記第2配線(23)が前記第1導電型層(4)の表面側の前記コンタクト領域(21)と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項8】
前記第1配線(18)および前記第2配線(23)は、前記層間絶縁膜(17)の上に形成されており、互いに逆方向に引き出されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記高電圧回路島(2)を囲むトレンチ分離部(6)と前記高電圧回路島(2)および前記低電圧回路島(1)の双方を囲むトレンチ分離部(5)が備えられていることを特徴とする請求項6ないし8のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項10】
前記高電圧回路島(2)を囲む前記トレンチ分離部(6)が多重トレンチにて構成されていることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記素子部(8)と前記配線引出し部(9)は共にトレンチ分離部(7)にて囲まれており、該トレンチ分離部(7)内にのみ前記裏面電極(19)が形成されていることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項12】
前記素子部(8)と前記配線引出し部(9)において、前記第1導電型層(4)の裏面には絶縁膜(40)が形成され、
該絶縁膜(40)には、前記素子部(8)における前記ドレインコンタクト領域(13)に繋がるコンタクトホールと前記配線引出し部(9)における前記第1導電型層(4)の裏面側の前記コンタクト領域(22)に繋がるコンタクトホールが形成されており、
前記裏面電極(19)は、前記絶縁膜(40)の裏面に形成されたコンタクトホールを通じて、前記素子部(8)における前記ドレインコンタクト領域(13)と前記配線引出し部(9)における前記第1導電型層(4)の裏面側の前記コンタクト領域(22)とに電気的に接続されていることを特徴とする請求項9ないし11のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項13】
低電圧回路島(1)と高電圧回路島(2)との間での電力変換を行うための高耐圧トランジスタ(3)を備えた半導体装置であって、
前記高耐圧トランジスタ(3)は、第1導電型層(4)を有し、該第1導電型層(4)に互いにトレンチ分離部(6)にて絶縁分離された素子部(8)を備え、
前記素子部(8)は、前記第1導電型層(4)の表面側に第1配線(18)を備えていると共に、前記第1導電型層(4)の裏面側に裏面電極となるリードフレーム(50)を有し、前記第1導電型層(4)の表裏面を貫通するように電流を流す縦型のトランジスタにて構成され、
前記リードフレーム(50)は、前記第1導電型層(4)の端部よりも突き出すように配置され、該突き出した部分において、前記第1導電型層(4)の表面側に形成された前記高電圧回路島(2)に対して電圧印加を行う電源配線(52)とボンディングワイヤ(53)にて電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項14】
低電圧回路島(1)と高電圧回路島(2)との間での電力変換を行うための高耐圧トランジスタ(3)を備えた半導体装置であって、
前記高耐圧トランジスタ(3)は、第1導電型層(4)を有し、該第1導電型層(4)に互いにトレンチ分離部(6)にて絶縁分離された素子部(8)を備え、
前記素子部(8)には、
前記第1導電型層(4)に形成された第2導電型のチャネル層(10)と、
前記チャネル層(10)内に形成され、前記第1導電型層(4)よりも高濃度とされた第1導電型の半導体領域(11)と、
前記チャネル層(10)のうち前記半導体領域(11)と前記第1導電型層(4)との間に挟まれた領域の表面に形成されたゲート絶縁膜(15)と、
前記ゲート絶縁膜(15)の表面に形成されたゲート電極(16)と、
前記半導体領域(11)および前記チャネル層(10)のコンタクト領域(11)に電気的に接続された第1配線(18)と、
前記第1導電型層(4)の裏面側に形成された前記第1導電型層(4)よりも高濃度とされた第1導電型のドレインコンタクト領域(13)と、
前記第1導電型層(4)の裏面側に前記ドレインコンタクト領域(13)に接続される裏面電極となるリードフレーム(50)が備えられ、
前記第1導電型層(4)の表裏面を貫通するように電流を流す縦型のトランジスタにて構成され、
前記リードフレーム(50)は、前記第1導電型層(4)の端部よりも突き出すように配置され、該突き出した部分において、前記第1導電型層(4)の表面側に形成された前記高電圧回路島(2)に対して電圧印加を行う電源配線(52)とボンディングワイヤ(53)にて電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項15】
前記素子部(8)を除く前記第1導電型層(4)の裏面側には絶縁膜(51)が形成されており、該絶縁膜(51)に前記リードフレーム(50)が貼り付けられていることを特徴とする請求項13または14に記載の半導体装置。
【請求項1】
高耐圧トランジスタ(3)を備えた半導体装置であって、
前記高耐圧トランジスタ(3)は、第1導電型層(4)を有し、該第1導電型層(4)に互いにトレンチ分離部(6)にて絶縁分離された素子部(8)と配線引出し部(9)とを備えた構成とされ、
前記素子部(8)は、前記第1導電型層(4)の表面側に第1配線(18)を備えていると共に、前記第1導電型層(4)の裏面側に裏面電極(19)を備え、前記第1導電型層(4)の表裏面を貫通するように電流を流す縦型のトランジスタにて構成され、
前記配線引出し部(9)は、前記素子部(8)から延設された前記裏面電極(19)と、前記第1導電型層(4)の表面側に形成された第2配線(23)とを有し、前記裏面電極(19)および前記第2配線(23)を前記素子部(8)に流す電流の引出し配線としていることを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
前記第1導電型層(4)と前記第2配線(23)とはボンディングワイヤ(60)を通じて電気的に接続されており、該ボンディングワイヤ(60)が前記配線引出し部(9)の一部を構成していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第1導電型層(4)にはビアホール(71)が形成されていると共に、該ビアホール(71)内には導体材料(70)が配置されており、該導体材料(70)が前記裏面電極(19)および前記第2配線(23)と電気的に接続されることで、該導体材料(70)にて前記配線引出し部(9)の一部を構成していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記素子部(8)に備えられた前記第1導電型層(4)よりも不純物濃度が高濃度とされた高濃度層(80)が備えられ、該高濃度層(80)が前記裏面電極(19)および前記第2配線(23)と電気的に接続されることで、該高濃度層(80)にて前記配線引出し部(9)の一部を構成していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第1導電型層(4)にはビアホール(92)が形成されていると共に、該ビアホール(92)内には絶縁膜(90)を介して導体材料(91)が配置されており、該導体材料(91)が前記裏面電極(19)および前記第2配線(23)と電気的に接続されることで、該導体材料(91)にて前記配線引出し部(9)の一部を構成していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記高耐圧トランジスタ(3)は、低電圧回路島(1)と高電圧回路島(2)との間での電力変換を行うための高耐圧MOSFET、IGBTもしくはバイポーラトランジスタのいずれかであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項7】
高耐圧トランジスタ(3)を備えた半導体装置であって、
前記高耐圧トランジスタ(3)は、第1導電型の第1導電型層(4)を有し、該第1導電型層(4)に互いにトレンチ分離部(6)にて絶縁分離された素子部(8)と配線引出し部(9)とを備えた構成とされ、
前記素子部(8)には、
前記第1導電型層(4)に形成された第2導電型のチャネル層(10)と、
前記チャネル層(10)内に形成され、前記第1導電型層(4)よりも高濃度とされた第1導電型の半導体領域(11)と、
前記チャネル層(10)のうち前記半導体領域(11)と前記第1導電型層(4)との間に挟まれた領域の表面に形成されたゲート絶縁膜(15)と、
前記ゲート絶縁膜(15)の表面に形成されたゲート電極(16)と、
前記半導体領域(11)および前記チャネル層(10)のコンタクト領域(11)に電気的に接続された第1配線(18)と、
前記第1導電型層(4)の裏面側に形成された前記第1導電型層(4)よりも高濃度とされた第1導電型のドレインコンタクト領域(13)とが備えられ、
前記配線引出し部(9)には、
前記第1導電型層(4)の表面側および裏面側に形成されたコンタクト領域(21、22)と、
前記第1導電型層(4)の表面側の前記コンタクト領域(21)と電気的に接続された第2配線(23)とが備えられ、
前記素子部(8)の前記ドレインコンタクト領域(13)と前記配線引出し部(9)における前記ドリフト領域(4)の裏面側のコンタクト領域(22)とを電気的に接続する裏面電極(19)が備えられていると共に、
前記素子部(8)および前記配線引出し部(9)における前記第1導電型層(4)の上部に層間絶縁膜(17)が形成され、該層間絶縁膜(17)に形成されたコンタクトホールを通じて、前記第1配線(18)が前記半導体領域(11)および前記チャネル層(10)のコンタクト領域(11)に電気的に接続され、前記第2配線(23)が前記第1導電型層(4)の表面側の前記コンタクト領域(21)と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項8】
前記第1配線(18)および前記第2配線(23)は、前記層間絶縁膜(17)の上に形成されており、互いに逆方向に引き出されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記高電圧回路島(2)を囲むトレンチ分離部(6)と前記高電圧回路島(2)および前記低電圧回路島(1)の双方を囲むトレンチ分離部(5)が備えられていることを特徴とする請求項6ないし8のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項10】
前記高電圧回路島(2)を囲む前記トレンチ分離部(6)が多重トレンチにて構成されていることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記素子部(8)と前記配線引出し部(9)は共にトレンチ分離部(7)にて囲まれており、該トレンチ分離部(7)内にのみ前記裏面電極(19)が形成されていることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項12】
前記素子部(8)と前記配線引出し部(9)において、前記第1導電型層(4)の裏面には絶縁膜(40)が形成され、
該絶縁膜(40)には、前記素子部(8)における前記ドレインコンタクト領域(13)に繋がるコンタクトホールと前記配線引出し部(9)における前記第1導電型層(4)の裏面側の前記コンタクト領域(22)に繋がるコンタクトホールが形成されており、
前記裏面電極(19)は、前記絶縁膜(40)の裏面に形成されたコンタクトホールを通じて、前記素子部(8)における前記ドレインコンタクト領域(13)と前記配線引出し部(9)における前記第1導電型層(4)の裏面側の前記コンタクト領域(22)とに電気的に接続されていることを特徴とする請求項9ないし11のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項13】
低電圧回路島(1)と高電圧回路島(2)との間での電力変換を行うための高耐圧トランジスタ(3)を備えた半導体装置であって、
前記高耐圧トランジスタ(3)は、第1導電型層(4)を有し、該第1導電型層(4)に互いにトレンチ分離部(6)にて絶縁分離された素子部(8)を備え、
前記素子部(8)は、前記第1導電型層(4)の表面側に第1配線(18)を備えていると共に、前記第1導電型層(4)の裏面側に裏面電極となるリードフレーム(50)を有し、前記第1導電型層(4)の表裏面を貫通するように電流を流す縦型のトランジスタにて構成され、
前記リードフレーム(50)は、前記第1導電型層(4)の端部よりも突き出すように配置され、該突き出した部分において、前記第1導電型層(4)の表面側に形成された前記高電圧回路島(2)に対して電圧印加を行う電源配線(52)とボンディングワイヤ(53)にて電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項14】
低電圧回路島(1)と高電圧回路島(2)との間での電力変換を行うための高耐圧トランジスタ(3)を備えた半導体装置であって、
前記高耐圧トランジスタ(3)は、第1導電型層(4)を有し、該第1導電型層(4)に互いにトレンチ分離部(6)にて絶縁分離された素子部(8)を備え、
前記素子部(8)には、
前記第1導電型層(4)に形成された第2導電型のチャネル層(10)と、
前記チャネル層(10)内に形成され、前記第1導電型層(4)よりも高濃度とされた第1導電型の半導体領域(11)と、
前記チャネル層(10)のうち前記半導体領域(11)と前記第1導電型層(4)との間に挟まれた領域の表面に形成されたゲート絶縁膜(15)と、
前記ゲート絶縁膜(15)の表面に形成されたゲート電極(16)と、
前記半導体領域(11)および前記チャネル層(10)のコンタクト領域(11)に電気的に接続された第1配線(18)と、
前記第1導電型層(4)の裏面側に形成された前記第1導電型層(4)よりも高濃度とされた第1導電型のドレインコンタクト領域(13)と、
前記第1導電型層(4)の裏面側に前記ドレインコンタクト領域(13)に接続される裏面電極となるリードフレーム(50)が備えられ、
前記第1導電型層(4)の表裏面を貫通するように電流を流す縦型のトランジスタにて構成され、
前記リードフレーム(50)は、前記第1導電型層(4)の端部よりも突き出すように配置され、該突き出した部分において、前記第1導電型層(4)の表面側に形成された前記高電圧回路島(2)に対して電圧印加を行う電源配線(52)とボンディングワイヤ(53)にて電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項15】
前記素子部(8)を除く前記第1導電型層(4)の裏面側には絶縁膜(51)が形成されており、該絶縁膜(51)に前記リードフレーム(50)が貼り付けられていることを特徴とする請求項13または14に記載の半導体装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【公開番号】特開2009−135423(P2009−135423A)
【公開日】平成21年6月18日(2009.6.18)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−231833(P2008−231833)
【出願日】平成20年9月10日(2008.9.10)
【出願人】(000004260)株式会社デンソー (27,639)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成21年6月18日(2009.6.18)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年9月10日(2008.9.10)
【出願人】(000004260)株式会社デンソー (27,639)
【Fターム(参考)】
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