【課題】回路全体の小型化を実現し、高温環境下で使用することができる窒化ガリウム半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１の表面には、絶縁層２、アンドープの第１ＧａＮ層３、ＡｌＧａＮ層４がこの順で積層されている。第１ＧａＮ層３とＡｌＧａＮ層４の界面には、２次元電子ガスで形成された表面障壁層５が形成されている。ＡｌＧａＮ層４の表面層には、第１ＧａＮ層３に達し、かつ貫通しない程度の凹部（第１凹部）が形成されている。このような半導体基板１に、第１高耐圧トランジスタ１１０および制御回路１２０が一体的に形成されている。第１高耐圧トランジスタ１１０は、第１凹部およびＡｌＧａＮ層４の表面に形成されている。また、制御回路１２０は、第１凹部の一部に形成されたｎチャネルＭＯＳＦＥＴと、ＡｌＧａＮ層４の表面に形成されたデプレッション型ｎチャネルＭＯＳＦＥＴとで構成されている。 （もっと読む）

【課題】高温特性を改善した高集積、高速且つ高性能なＭＩＳＦＥＴを得ること。
【解決手段】半導体基板に絶縁膜を埋め込んだトレンチ素子分離領域を選択的に設け、この絶縁分離された半導体基板上に、半導体基板と同じ第１の半導体を、筒状構造を有して縦方向にエピタキシャル成長させ、この第１の半導体層に自己整合して、格子定数がやや大きい第２の半導体を内側面の横方向にエピタキシャル成長させることにより、第１の半導体層に歪みを加える。この第２の半導体層の上部内側面を除く内側面に接して絶縁膜を設け、この絶縁膜の側面間を空孔となし、この空孔に栓をするように、第２の半導体層の上部内側面間に導電膜を設ける。歪み半導体層の外側面にはゲート絶縁膜を介してゲート電極を設ける。歪み半導体層及び第２の半導体層の上部にはドレイン領域を設け、歪み半導体層及び第２の半導体層の下部且つ半導体基板の表面にはソース領域を設けておき、配線体をそれぞれの領域に接続した縦型のＭＩＳＦＥＴを構成すること。 （もっと読む）

【課題】高集積、高速且つ高性能な歪みＳＯＩ構造の縦型ＭＩＳＦＥＴを得ること。
【解決手段】Si基板1上に酸化膜2を介して、横方向エピタキシャルSiGe層3が設けられ、SiGe層3は素子分離領域形成用の埋め込み絶縁膜4及び酸化膜2により島状に絶縁分離されている。SiGe層3上には選択的に縦方向エピタキシャルSiGe層7が設けられ、SiGe層7の側面には格子定数がやや小さい横方向エピタキシャル歪みSi層8が周設され、歪みSOI基板を形成しており、SiGe層7及び歪みSi層8の上部にはドレイン領域(10、11)が設けられ、SiGe層3全体、SiGe層7及び歪みSi層8の下部にはソース領域9が設けられ、歪みSi層8の側面にはゲート酸化膜12を介してゲート電極13が周設され、ドレイン領域11、ソース領域9及びゲート電極13には、それぞれ導電プラグ20を介してCu配線23が接続されている歪みＳＯＩ構造の縦型のＭＩＳＦＥＴを構成すること。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜におけるリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、基板上１０にＧａＮ系半導体層１５を形成する工程と、ＧａＮ系半導体層上１５に、ＴＭＡと、Ｏ_２またはＯ_３とを用い、酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜１８をＡＬＤ法により形成する工程と、ゲート絶縁膜１８の上にゲート電極２４を形成する工程と、を含む。本半導体装置の製造方法によれば、ゲート絶縁膜中のリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】有機トランジスタ用の有機半導体材料として有用な化合物、及び該化合物を用いる有機半導体薄膜等を提供すること。
【解決手段】式（１）


（式中、環構造Ａ及び環構造Ｂは、独立して、芳香族環又は複素環を表し；
環構造Ｃは、ベンゼン環、ヘテロ［３，２−ｂ］ヘテロール環、又はベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジヘテロール環を表し、
Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺのうち、少なくともいずれか１つは、Ｎ−（Ｒ^５）である。）
で表される化合物、当該化合物を含む有機トランジスタ、有機半導体薄膜等の提供。 （もっと読む）

【課題】溶液塗布法、特にボトムコンタクト型の有機トランジスタにおいて安定した薄膜形成が可能で、高い移動度および低い閾値電圧を有し、大気中で安定な動作を可能とする有機半導体膜を構成する化合物および該化合物を用いた有機トランジスタを提供すること。
【解決手段】下記式（Ｉ）で表される化合物による。
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【課題】フローティングボディ型のＮＭＯＳトランジスタを用い、そのボディに安定な電位を供給して正孔の蓄積に起因する特性劣化を防止可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体記憶装置において、メモリセルＭＣに含まれるＮＭＯＳトランジスタＱ０は、ゲート電極がワード線ＷＬに接続され、一方のソース・ドレイン領域がビット線ＢＬに接続されている。センスアンプ回路１０に含まれるＮＭＯＳトランジスタＱ１０は、ゲート電極がビット線ＢＬに接続され、一方のソース・ドレイン領域が所定の電位（グランド電位）に接続されている。ＮＭＯＳトランジスタＱ０、Ｑ１０は、フローティングボディ型のＮＭＯＳトランジスタであって、少なくともプリチャージ動作時に、ビット線ＢＬに所定の電位（グランド電位）が供給されるので、ボディへの電位が安定化し、正孔の蓄積に起因する特性劣化を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】縦型電界効果トランジスタを利用した半導体装置において、集積度を更に向上させること。
【解決手段】半導体装置１は、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０上に形成された第１導電型の第１半導体層２１と、第１半導体層２１上にソース及びドレインの一方が形成された第１導電型チャネルの第１縦型電界効果トランジスタＮＦＥＴと、絶縁性基板１０上に形成された第２導電型の第２半導体層２２と、第２半導体層２２上にソース及びドレインの一方が形成された第２導電型チャネルの第２縦型電界効果トランジスタＰＦＥＴと、を備える。第１半導体層２１と第２半導体層２２は、直接接触している。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ＩＧＢＴの導通損失を増加させることなく、低ノイズ特性を確保しスイッチ損失の低減が可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明では、上記目的を達成するために、トレンチゲート型であり、ドリフトｎ^-層１１０がフローティングｐ層１２６とトレンチゲートとの間の主表面に露出している、つまり、ドリフトｎ^-層１１０の間にフローティングｐ層を有し、このフローティングｐ層１２６がトレンチゲートから離れていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の縦型ＭＯＳＦＥＴは、埋め込み絶縁膜の上部に、ドレイン領域，チャネル領域，ソース領域の各領域となるための専用の半導体膜を３つ積層しなければならない。また、チャネル長は、チャネル領域となる半導体膜の膜厚で決まっていた。
【解決手段】本発明の縦型ＭＯＳＦＥＴは、埋め込み絶縁膜の上部には、ドレイン領域，チャネル領域，ソース領域の各領域となるための専用の半導体膜が必要ではなく、埋め込み絶縁膜の上部に半導体膜を少なくとも２つ積層すればよい。このため、これら半導体膜で生じる段差を少なくすることができる。また、チャネル領域を構成する半導体膜の膜厚に関係なく半導体膜に設ける拡散層の拡散深さでチャネル長を決めることができるため、チャネル長が異なるＭＯＳＦＥＴを容易に同一の半導体基板上に構成することができる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増加を抑制することができ、かつトランジスタのオンオフ特性を向上させることができる有機電界効果トランジスタを得る。
【解決手段】 絶縁性の基板９と、基板９上に凸部形状を形成する第１の電極１と、第１の電極１の上面１ａ及び側面１ｂ，１ｃを覆う絶縁膜７と、絶縁膜７を介して少なくとも第１の電極１の上面１ａ上に設けられる第２の電極２と、第１の電極１の側面１ｂ，１ｃ上の絶縁膜７に沿う領域が、第２の電極２との間で形成するチャネル領域となるように、基板９上に設けられる第３の電極３，４と、第２の電極と第３の電極の間を覆い、チャネル領域を形成するように設けられる有機半導体層８とを備える有機電界効果トランジスタ１０であって、第１の電極１の側面１ｂの上部１ｄと第２の電極２との間の絶縁膜６の厚みｔ_１が、第１の電極１の上面１ａ上の絶縁膜７の平均的厚みよりも薄くなるように形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】複雑な形状の面の上であっても、厚みが均一な有機半導体層を形成することができる有機薄膜デバイスの製造方法及び有機薄膜デバイスを得る。
【解決手段】有機半導体層２を有する有機薄膜デバイス４の製造方法であって、有機半導体膜２を貼り合わせることにより有機半導体層２を形成することを特徴としており、好ましくは、支持基板１上で化学反応により有機半導体膜２を形成する工程と、形成した有機半導体膜２を支持基板１から剥離する工程と、剥離した有機半導体膜２を貼り合わせて有機半導体層２を形成し、有機薄膜デバイス４を作製する工程とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 基体上で素子が占める素子面積を小型化することができ、かつ、オフ電流の小さい縦型電界効果トランジスタ、及びそれを用いた画像表示装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁性基板１の上に、ドレイン電極７に比べてわずかに厚いソース電極３と、ドレイン電極７に比べてわずかに薄い絶縁層５と、ドレイン電極７とを積層する。この積層体の一方の側方に、間隙部を挟んで、ドレイン電極７と同じ厚さの下部絶縁層２と、ソース電極３と同じ厚さのゲート電極４と、絶縁層５と同じ厚さの上部絶縁層６とを積層する。間隙部には、積層体の側面に接する半導体層８と、ゲート絶縁膜６ｇとを配置して、縦型電界効果トランジスタを形成する。半導体層８の材料として、成膜方向にｃ軸が配向し、ｃ軸方向に優れた移動度を示す酸化亜鉛を用いる。電極材料に不純物をドープした酸化亜鉛を用いれば、可視光に対して透明なトランジスタを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を低減でき、かつオンオフ特性の高い有機トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１上に形成された凸状の第１の電極２と、第１の電極２の上面２ａ及び側面２ｂ，２ｃを覆う絶縁層と、絶縁層を介して第１の電極２の上面２ａ上に設けられる第２の電極６と、第１の電極２の側面２ｂ，２ｃ上の絶縁層上及び基板１上に設けられる第３の電極７，８と、第２の電極６と第３の電極７，８の間を覆うように設けられる有機半導体層９とを備える有機トランジスタであって、絶縁層が、第１の電極２の上面２ａ及び側面２ｂ，２ｃを覆う第１の絶縁膜３及び第２の絶縁膜４と、第２の電極６と第３の電極７，８の間の第２の絶縁膜４上に設けられる第３の絶縁膜５とから構成され、第１の絶縁膜３が第１の電極２の陽極酸化膜であり、第２の絶縁膜４がポリパラキシリレン誘導体から形成された膜であり、第３の絶縁膜５がカップリング剤から形成された膜である。 （もっと読む）

【課題】低いオン抵抗特性を有し、オフ状態において高電圧を維持する高電圧トランジスタを提供する。
【解決手段】低いオン抵抗特性を有し、オフ状態において高電圧を維持する高電圧トランジスタは、多層拡張ドレイン構造の近傍に一又は二以上のソース領域が配置されており、この構造は、一又は二以上の誘電体層によってフィールドプレート部材から分離された拡張されたドリフト領域を含んでいる。フィールドプレート部材は最も低い回路ポテンシャルにおいて、トランジスタはオフ状態においてドレインに印加される高電圧を維持する。層状の構造は、種々の方法で製造することができる。ＭＯＳＦＥＴ構造は、ソース領域近傍のデバイスに組み込まれるか、あるいはＭＯＳＦＥＴ構造を省略して、スタンドアロンのドリフト領域を有する高電圧トランジスタ構造を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】デバイスのオン状態及びオフ状態の両方の破壊電圧を同時に最適化する高電圧トランジスタ構造。
【解決手段】高電圧トランジスタは、半導体基板のメサを定める第一及び第二の溝を含む。第一及び第二のフィールドプレート部材は、それぞれ、第一及び第二の溝に配置され、第一及び第二のフィールドプレート部材の各々は、誘電体層でメサから分離されている。メサは複数の部分を含み、各部分は、実質的に一定のドーピング濃度勾配を持ち、一の部分の勾配は、他の部分の勾配よりも少なくとも10％大きい。 （もっと読む）

【課題】量産に適した半導体基板、及び当該半導体基板を用いた半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】支持基板上に絶縁層、第１の電極、第１の不純物半導体層を少なくとも有する積層体を形成し、第１の不純物半導体層上に一導電型を付与する不純物元素が添加された第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上に、一導電型を付与する不純物元素が添加された第２の半導体層を、第１の半導体層とは異なる条件により形成し、固相成長法により、第１の半導体層及び第２の半導体層の結晶性を向上させて、第２の不純物半導体層を形成し、第２の不純物半導体層に、一導電型を付与する不純物元素を添加し、一導電型とは異なる導電型を付与する不純物元素を添加し、ゲート絶縁層を介してゲート電極層を形成し、ソース電極層又はドレイン電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】一成分で両キャリア（ホールおよび電子）輸送性や光電変換特性を示す新規な液晶性有機半導体材料を提供する。さらに、該液晶性有機半導体材料を用いた各種の有機電子デバイス（特に有機薄膜トランジスタ、有機薄膜光電変換素子）を提供する。
【解決手段】ｐ型有機半導体化合物残基−ｎ型有機半導体化合物残基−ｐ型有機半導体化合物残基の結合形態もしくはｎ型有機半導体化合物残基−ｐ型有機半導体化合物残基−ｎ型有機半導体化合物残基の結合形態を少なくとも１つ有する液晶性有機半導体材料、及びこれを用いた有機電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア移動度と安定性を有し、容易なプロセスで作製可能な有機半導体材料及び有機デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式で表されるポルフィリン２量体を含む有機半導体材料、及び、ビシクロ構造を有する前駆体としてのポルフィリン２量体を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布し、加熱することにより、上記ポルフィリン２量体に変換する有機半導体材料の製造方法、並びに、半導体層と２以上の電極とを有する有機電子デバイスにおいて、該半導体層が上記有機半導体材料を含む有機電子デバイス。
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【課題】ゲート長が膜厚で規定された縦型の半導体装置であって、良好な信頼性のゲート絶縁膜を備え、微細化が容易な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０の基板１１上の、チャネル領域３２に対応する領域を
除いた領域を種結晶領域として用い、チャネル領域３２を迂回する形で、
基板１１上に選択エピタキシャル成長又は固相エピタキシャル成長によってゲートとなる単結晶膜を結晶成長させる。この単結晶膜をＣＭＰで窒化膜１９の膜厚に規定し、この単結晶膜と絶縁膜からなる積層膜に、チャネルとなる任意の大きさの開口を形成する。この開口形成時にできた、単結晶膜の端面を酸化させることによりゲート酸化膜を形成する。 （もっと読む）