【課題】本発明は、有機溶媒に対する溶解性に優れるジチオラン化合物を含む有機半導体薄膜形成材料を提供することを課題の一つとし、該材料から形成される、キャリア移動度が高い有機半導体薄膜、および該有機半導体薄膜を有する有機半導体素子または該有機半導体薄膜を有するトランジスタを提供することを課題の一つとする。
【解決手段】本発明の有機半導体薄膜形成用材料は、下記式（１）で示されるジチオラン化合物を含む。
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【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた半導体装置の提供を目的の一つとする。
【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積及び放出を制御するスイッチング素子とを設ける。上記スイッチング素子には、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。位相反転素子への電源電圧の印加を停止する場合、データを容量素子に記憶させることで、位相反転素子への電源電圧の供給を停止しても、容量素子においてデータを保持させる。 （もっと読む）

【課題】低いオン抵抗特性を有し、オフ状態において高電圧を維持する高電圧トランジスタいを提供する。
【解決手段】低いオン抵抗特性を有し、オフ状態において高電圧を維持する高電圧トランジスタは、多層拡張ドレイン構造の近傍に一又は二以上のソース領域が配置されており、この構造は、一又は二以上の誘電体層によってフィールドプレート部材から分離された拡張されたドリフト領域を含んでいる。フィールドプレート部材は最も低い回路ポテンシャルにおいて、トランジスタはオフ状態においてドレインに印加される高電圧を維持する。層状の構造は、種々の方法で製造することができる。ＭＯＳＦＥＴ構造は、ソース領域近傍のデバイスに組み込まれるか、あるいはＭＯＳＦＥＴ構造を省略して、スタンドアロンのドリフト領域を有する高電圧トランジスタ構造を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第１の加熱処理を行う。次いで、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び、酸化物半導体膜が露出した状態で第２の加熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、有機高分子等の半導体薄膜形成材料が単結晶でなく、多結晶であっても、印刷方法により金属電極上に安定で良好な有機半導体薄膜を簡便に形成することができ、性能の優れた有機半導体素子を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の金属電極は、下記式（１）で表される化合物を含有する溶液を用いて形成された表面処理層を有することを特徴とする。
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【課題】高い移動度を有し、安定に動作し、塗布成膜が可能な有機半導体化合物の提供。
【解決手段】下記式（１）で表される構成単位を有する、数平均分子量が１０^３〜１０^６である重合体による。


（式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に水素またはアルキルであり、ｍ１及びｍ２はそれぞれ独立に１〜４の整数であり、Ｔは下記式（２−１）、（２−２）及び（２−３）から選ばれるチオフェン縮合環を含む基である。
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【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第１の加熱処理を行う。次いで、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び、酸化物半導体膜が露出した状態で第２の加熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高耐圧かつ、電流駆動能力が高く、かつ電流集中による素子破壊の起こりにくい誘電体分離型半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体支持基板の上に、絶縁された第一導電型の半導体領域とを有する誘電分離基板に形成した誘電体分離型半導体装置において、第一導電型の半導体領域と絶縁分離領域の間と、前記第１導電型の半導体領域の基板表面側と、に形成されたドレイン領域と、第一導電型のソースと第二導電型の半導体領域のチャネルからなる複数個の単位ソース領域と、第一導電型の半導体領域の基板表面側に形成されたドレイン領域と前記複数個の単位ソース領域の間を制御する複数個のゲート電極とを、備え、隣接する前記単位ソース領域間に絶縁分離領域が、基板底面側から基板表面側に向けて突き出した形状とされ、この絶縁分離領域上の素子表面領域が前記第一導電型の半導体領域より抵抗値が高い。 （もっと読む）

【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供することを目的の一とする。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の結晶性を有する酸化物半導体膜及び第２の結晶性を有する酸化物半導体膜が積層された酸化物半導体積層体を有する縦型トランジスタ及び縦型ダイオードである。当該酸化物半導体積層体は、結晶成長の工程において、酸化物半導体積層体に含まれる電子供与体（ドナー）となる不純物が除去されるため、酸化物半導体積層体は、高純度化され、キャリア密度が低く、真性または実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもバンドギャップが大きい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子（例えば、ダイオード）を提供する。
【解決手段】水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を有するトランジスタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φｍｓと、酸化物半導体に接するドレイン電極の仕事関数φｍｄと、酸化物半導体の電子親和力χが、χはφｍｓ以上かつφｍｄ未満の関係になるように構成し、酸化物半導体とソース電極の接触面積よりも酸化物半導体とドレイン電極の接触面積を大きくし、トランジスタのゲート電極とドレイン電極を電気的に接続することで、整流特性の良い非線形素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供する。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体中で電子供与体（ドナー）となる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもバンドギャップが大きい酸化物半導体でチャネル形成領域が形成される縦型トランジスタであり、酸化物半導体の厚さが１μｍ以上、好ましくは３μｍより大、より好ましくは１０μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供する。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体中で電子供与体（ドナー）となりうる不純物を除去することで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもバンドギャップが大きい酸化物半導体でチャネル形成領域が形成される縦型トランジスタであり、酸化物半導体の厚さが１μｍ以上、好ましくは３μｍより大、より好ましくは１０μｍ以上であり、酸化物半導体に接する電極の一方の端部が、酸化物半導体の端部より内側にある。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の絶縁破壊を抑制または防止できる構造を有する窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタ１（窒化物半導体素子）は、窒化物半導体の積層構造部３と、ゲート絶縁膜１５と、ゲート電極１６と、ソース電極１８と、ドレイン電極１９と、ガードリング層１１とを含む。積層構造部３は、ｎ型ＧａＮ層４，５、ｐ型ＧａＮ層６およびｎ型ＧａＮ層７を積層して構成されている。ゲート絶縁膜１５は、ｎ型ＧａＮ層５、ｐ型ＧａＮ層６およびｎ型ＧａＮ層７に跨るように、積層構造部３の壁面９に形成されている。ゲート電極１６は、ゲート絶縁膜１５を挟んでｐ型ＧａＮ層６に対向している。ガードリング層１１は、ｐ型ＧａＮ層６における壁面９に間隔を開けて対向するようにｎ型ＧａＮ層５上に形成されたｐ型ＧａＮ層からなる。 （もっと読む）

【課題】プロセスの複雑化を招くことなく、サイリスタとしての機能を実現することの出来る半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】リセット動作及び初期化動作により所定の電位が記憶されたメモリ回路を有する半導体装置において、トリガー信号の供給に応じて、メモリ回路の書き換えが行われる回路を設ける構成とする。そして、メモリ回路の書き換えにより、半導体装置に流れる電流を負荷に流す構成とすることで、サイリスタとしての機能を実現しうる半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子（例えば、ダイオード）を提供する。
【解決手段】水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を有するトランジスタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φｍｓと、酸化物半導体に接するドレイン電極の仕事関数φｍｄと、酸化物半導体の電子親和力χが、φｍｓ＞χ≧φｍｄの関係になるように構成し、トランジスタのゲートとドレインを電気的に接続することで、整流特性の良い非線形素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子（例えば、ダイオード）を提供する。
【解決手段】水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を有する薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φｍｓと、酸化物半導体に接するドレイン電極の仕事関数φｍｄと、酸化物半導体の電子親和力χが、φｍｓ≦χ＜φｍｄの関係になるように構成する。また、薄膜トランジスタのゲート電極とドレイン電極を電気的に接続することで、さらに整流特性の良い非線形素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】逆方向飽和電流の低い非線形素子（例えば、ダイオード）を提供する。
【解決手段】例えば、基板上に設けられた第１の電極と、前記第１の電極上に接して設けられ、二次イオン質量分析法で検出される水素濃度が５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に接して設けられた第２の電極と、前記第１の電極、前記酸化物半導体膜、及び前記第２の電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接して設けられ、前記第１の電極、前記酸化物半導体膜、及び前記第２の電極を介して対向する複数の第３の電極と、を有し、前記複数の第３の電極は、前記第１の電極または前記第２の電極と接続されている非線形素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】動作速度が速く、オン時には大電流を流すことができ、オフ時にはオフ電流がきわめて低減された電界効果型トランジスタ、例えば薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体に含まれる水素が５×１０^１９／ｃｍ^３以下、好ましくは５×１０^１８／ｃｍ^３以下、より好ましくは５×１０^１７／ｃｍ^３以下として、酸化物半導体に含まれる水素若しくはＯＨ基を除去し、キャリア濃度を５×１０^１４／ｃｍ^３以下、好ましくは５×１０^１２／ｃｍ^３以下とした酸化物半導体膜でチャネル形成領域が形成される縦型薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】逆方向飽和電流の低い非線形素子（例えば、ダイオード）によりパワーダイオードまたは整流器を提供する。
【解決手段】基板１０１上に設けられた第１の電極１０５と、前記第１の電極上に接して設けられ、二次イオン質量分析法で検出される水素濃度が５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である酸化物半導体膜１０７と、前記酸化物半導体膜上に接して設けられた第２の電極１０９と、前記第１の電極、前記酸化物半導体膜、及び前記第２の電極を覆うゲート絶縁膜１１１と、前記ゲート絶縁膜に接して設けられ、前記第１の電極、前記酸化物半導体膜、及び前記第２の電極を介して対向する複数の第３の電極１１３と、を有し、前記複数の第３の電極は、前記第１の電極または前記第２の電極と接続されている非線形素子によりパワーダイオードまたは整流器を構成する。 （もっと読む）

【課題】動作速度が速く、オン時には大電流を流すことができ、オフ時にはオフ電流がきわめて低減された電界効果型トランジスタ、例えば薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体に含まれる水素が５×１０^１９／ｃｍ^３以下、好ましくは５×１０^１８／ｃｍ^３以下、より好ましくは５×１０^１７／ｃｍ^３以下として、酸化物半導体に含まれる水素若しくはＯＨ基を除去し、キャリア濃度を５×１０^１４／ｃｍ^３以下、好ましくは５×１０^１２／ｃｍ^３以下とした酸化物半導体膜でチャネル形成領域が形成される縦型薄膜トランジスタである。 （もっと読む）