【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層のバックチャネル部を半導体層成膜後の薄膜トランジスタ作製工程によるダメージから保護し、良好なトランジスタ特性を得ると共に、薄膜トランジスタ作製の工程数を削減することである。
【解決手段】基板１と、基板１上に設けられたゲート電極２と、基板１上に設けられ、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に設けられ、アモルファス酸化物からなる半導体層４と、半導体層４上に設けられた保護膜５と、ゲート絶縁膜３上に設けられたソース電極６、及びドレイン電極７と、を備え、保護膜５を、金属材料の化成処理、又は陽極酸化によって形成する。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する表示装置を作製する
ための技術を提供する。
【解決手段】固定基板上に、剥離層となる非晶質シリコン膜を介して樹脂基板を形成する
工程と、前記樹脂基板上に少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記非晶質シリコン
膜にレーザー光を照射することにより、前記非晶質シリコン膜において前記固定基板から
前記樹脂基板を剥離する工程とを行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を
作製する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜に直接ストライプ状に凹部を形成することで隔壁形成プロセスを省き、前記凹部をガイドとして塗布法により精度よく半導体溶液を所望の場所に形成し、トランジスタ素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタの構造を提供する。また、その構造を用いた薄膜トランジスタの製造方法、及びそれを用いたが画像表示装置を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記基板上及び前記ゲート電極上のゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層に形成された凹部と、前記絶縁体層の凹部内に形成される半導体層と、前記半導体層上の中央部に設けられる保護膜と、前記半導体層の両端部で接続されるソース電極とドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁体層の凹部がストライプ状に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】画質が明るく安価な発光装置およびそれを用いた電気器具を提供する。
【解決手段】同一の絶縁体上に画素部および駆動回路を含む発光装置において、画素部および駆動回路は全てｎチャネル型の半導体素子で形成され、製造工程が簡略化されている。また、画素部に設けられた発光素子は、絶縁体から遠ざかる方向に放射されるため、ほぼ画素電極（ＥＬ素子の陰極に相当する）全体が有効発光領域となる、従って、画素電極の面積を有効に活用した表示領域とすることができ、画質が明るく安価な発光装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】比較的低い温度で作製することができ、電荷の高い移動度を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体の微粒子を基板に吹き付けてチャネル用の半導体膜３を形成し、半導体膜３を間に挟むソース５ｓ及びドレイン５ｄを形成する。 （もっと読む）

【課題】多面取りで製造される画像表示装置の切断面からの水分や酸素等のＴＦＴ層への侵入を防止することが可能な画像表示装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】
湾曲可能な透明基板からなる第１基板と、前記第１基板に接着され、その上層に薄膜トランジスタが形成される樹脂フィルム層とを備える画像表示装置であって、前記樹脂フィルムの表面を被う無機膜からなるバリア層を備え、前記バリア層を介して、前記樹脂フィルムの上層及び下層に薄膜層が形成される画像表示装置である。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを含む集積回路であって、その製造プロセスにプラズマ環境下での工程が含まれていても、優れた特性のカーボンナノチューブ電界効果トランジスタを維持する手段を提供する。
【解決手段】１の半導体基板上に配置された、電界効果トランジスタと、ＭＯＳトランジスタと、前記電界効果トランジスタと前記ＭＯＳトランジスタとを接続するメタル配線と、を含む集積回路であって：前記電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたカーボンナノチューブを含むチャネルと、前記カーボンナノチューブを被覆する絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜上であって前記チャネルを覆う領域に配置された金属膜と、前記チャネルに接続されたソース電極およびドレイン電極と、前記チャネルを制御可能なゲート電極とを有し、ここで前記メタル配線は、プラズマエッチング法により形成された配線である、集積回路。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで形成可能であり、また比較的高い電界効果移動度を実現でき、かつ光、熱に対して安定な特性を有し、曲げ環境にも適用できる薄膜半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチック基板２と、バリア層３と、半導体層７と、半導体層７の上下いずれかの面に接して形成された絶縁層８ａと、半導体層７、ソース電極９ａ、ドレイン電極９ｂ、およびゲート電極９ｃ、ゲート絶縁膜８ａとを有し、半導体層７は、少なくとも一つの非金属元素、少なくとも一つの半金属元素、少なくとも一つの金属元素を含み、非金属元素が、少なくとも酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）の混合物で、酸素（Ｏ）に対する窒素（Ｎ）の比（Ｎ数密度／Ｏ数密度）が０乃至２である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも遙かに優れた感度を有する試料中の被検出物質の検出方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の上面に形成した第１の絶縁薄膜２上に、所定の間隔をおいて対向して設けたソース電極３およびドレイン電極４を有するチャネルを備えたセンサーで試料中の被検出物質を検出する方法であって、チャネルが超微細繊維で構成され、基板１のチャネルとは反対側の面に第２の絶縁薄膜が形成され、第２の絶縁薄膜の外側にバックゲート電極８を設けて、第２の絶縁薄膜がヘマグルチニンで修飾され、その修飾箇所とバックゲート電極８の間に試料溶液を介在して、バックゲート電極８にゲート電圧を印加し、ソース電極３とドレイン電極４の間に流れる電流値の変化により、試料中のヘマグルチニンと相互作用する物質を検出する。 （もっと読む）

【課題】照射面またはその近傍におけるレーザ光の端部は、レンズの収差などにより、エネルギー密度が徐々に減衰しているこのような領域（減衰領域）は被照射体のアニールにおけるエネルギー密度が十分でないので前記被照射体に対して均一なアニールを行うことを提供する。
【解決手段】複数のレーザ光のうちの１つのレーザ光のスポットを切断して２つに分割し、分割されたレーザ光のそれぞれの切断面が外側となるように入れ替える手段と、複数のレーザ光を１つに重ね合わせ線状に形成する手段とを有し、重ね合わせ線状に形成する手段により重ね合わされた線状のレーザー光の長尺方向において、減衰領域を除いたエネルギー密度の平均値は±１０％以内であり、重ね合わされた線状のレーザ光は、分割された
レーザ光の切断面を長尺方向の両端部とし、かつ分割されたレーザ光同士は重なり合わない。 （もっと読む）

拡散バリアが被覆された金属基板上の半導体デバイス、及びその製造方法を開示する。半導体デバイスは、金属基板と、金属基板上の拡散バリア層と、拡散バリア層上の絶縁層と、絶縁層上のデバイス層とを備える。方法は、金属基板上に拡散バリア層を形成する工程と、拡散バリア層上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層上にデバイス層を形成する工程とを備える。このような拡散バリアを被覆した基板は、金属基板から、そこに形成された半導体デバイスへと金属原子が拡散するのを防ぐ。 （もっと読む）

いくつかの実施例は、半導体デバイスを提供する方法を含む。当該方法は、
（ａ）フレキシブル基板を提供する段階、（ｂ）フレキシブル基板上に少なくとも１つの材料層を堆積させる段階であって、そのフレキシブル基板上の少なくとも１つの材料層の堆積は、少なくとも１８０℃の温度で生じる、段階、および（ｃ）金属層とａ−Ｓｉ層との間に拡散バリアを提供する段階を含む。他の実施例も本願において開示される。
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【課題】本発明は、ゲート電極とソース電極間の絶縁性を向上させ、ゲート電極とソース電極間のリーク電流を低減させることにより、確実に動作する薄膜トランジスタおよび画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層および前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体層の直上に離間して形成された第１の開口部および第２の開口部を有する保護膜と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第１の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたソース電極と、前記保護膜上に形成され、前記保護膜の第２の開口部で前記半導体層と電気的に接続されたドレイン電極を備える薄膜トランジスタにすることにより、ゲート電極とソース電極との間の絶縁膜の膜厚が実質的に増すこととなり、絶縁性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、オンオフ比の高いトランジスタを提供すること。
【解決手段】絶縁基板１０１上に少なくともゲート電極１０２と、ゲート絶縁層１０３が順次積層され、このゲート絶縁層上に酸化物を含む半導体層１０４とソース電極１０５およびドレイン電極１０６が設けられたボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、半導体層のゲート側の面の酸素密度が、反対の面の酸素密度よりも低いことを特徴とする薄膜トランジスタとする。このため半導体層１０４に酸素含有プラズマを照射する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層を介して基板同士を貼り合わせることで、一方の基板上に形成された半導体層を他方の基板に形成できると共に、半導体層の結晶構造を損傷させることなく高品質に維持できる半導体デバイス及びその製造方法を提案する。
【解決手段】ＥＣＲプラズマを用いてIII−Ｖ族化合物半導体層７及びＳｉ基板４上に酸化膜6a，6bを形成するようにしたことで、当該III−Ｖ族化合物半導体層７及び酸化膜6a，6bへのダメージが低減され、酸化膜6a，6bを平坦に形成できると共に、III−Ｖ族化合物半導体層７の結晶構造も損傷させることなく高品質に維持できる。これにより酸化膜6a，6bを介しＳｉ基板４及びＩｎＰ基板12同士を貼り合わせることで、一方のＩｎＰ基板12上に形成されたIII−Ｖ族化合物半導体層７を他方のＳｉ基板４に形成できると共に、III−Ｖ族化合物半導体層７の結晶構造を損傷させることなく高品質に維持できた半導体デバイス１を提案できる。 （もっと読む）

【課題】特定方向の基板反りを抑制できる半導体装置基板の製造方法を実現する。
【解決手段】ガラス基板１１の裏面に、ストライプ形状にパターニングされた応力制御層５１を形成する。応力制御層５１の形成後に、ガラス基板１１のおもて面にＣＬＣ技術を用いて多結晶シリコン膜を形成する。応力制御層５１のストライプの長手方向は、ＣＬＣ技術において使用される連続波レーザの走査方向と垂直な方向に一致させる。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタ表面の凹凸に起因する、ゲートリーク電流や素子の絶縁破壊を抑制することができる薄膜トランジスタおよび画像表示装置を提供すること。
【解決手段】透明な基板上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線に離間して形成されたキャパシタ配線と、前記ゲート配線およびキャパシタ配線上に形成された透明なゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体活性層と、前記ゲート絶縁膜上及び前記半導体活性層上に一部重なって形成されたソース配線と、前記ゲート絶縁膜上及び前記半導体活性層上に一部重なり、前記ソース配線と離間して形成されたドレイン電極とを備え、前記オーバーコート層がくぼみを有し、前記ゲート配線がくぼみ部分に配置されていることを特徴とする薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】優れた電気伝導特性を安定して示すカーボンナノチューブ電界効果トランジスタを再現性よく製造することができる方法を提供すること。
【解決手段】まず、ＬＯＣＯＳ法によりシリコン基板のコンタクト領域に酸化シリコン膜を形成する。次いで、シリコン基板のチャネル領域に、コンタクト領域の酸化シリコン膜よりも薄い絶縁膜を形成する。次いで、シリコン基板上にチャネルとなるカーボンナノチューブを配置した後、カーボンナノチューブを保護膜で被覆する。最後に、ソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成して、ソース電極およびドレイン電極をそれぞれカーボンナノチューブに電気的に接続させる。このようにして製造された電界効果トランジスタは、チャネルとなるカーボンナノチューブが汚染されていないため、優れた電気伝導特性を安定して示す。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタを薄膜トランジスタの基板側ではなく上層、もしくは薄膜トランジスタ内部にカラーフィルタを形成する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決方法】実質的に透明な基板と、基板上に形成された実質的に透明なゲート電極と、ゲート電極の同一層に隔離して形成された実質的に透明なキャパシタ電極と、ゲート電極及びキャパシタ電極を覆うように形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体層と、半導体層に跨って形成された実質的に透明なソース電極及び実質的に透明なドレイン電極と、ソース電極またはドレイン電極上に貫通孔を設けて形成された実質的に透明な層間絶縁層と、ソース電極またはドレイン電極のいずれかにより延在された電極領域に電気的に接続され、導電性着色材料により形成された画素電極と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）