【課題】多結晶シリコンを（１１１）配向を選択的に形成する場合、結晶粒界の位置はランダムに形成されるため、トランジスタのチャネル部分に結晶粒が配置された場合、結晶粒界に存在するトラップ準位の影響により、電気的特性が低下する。また、多結晶領域を形成する単結晶群の大きさは０．５μｍ程度であり、トランジスタを形成した場合複数の結晶粒界がチャネルに配置されてしまい、同様に電気的特性が低下するという課題がある。
【解決手段】（１１１）配向を含む第１シリコン層２０４上に貫通孔２０６を含む絶縁層２０５を形成した後、第２シリコン層前駆体２０７ａを積層し、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて第１シリコン層２０４を種結晶として再結晶工程を行う。これにより、面方位が（１１１）に揃えられ、且つ１０μｍ程度の大粒径単結晶が得られる。この結晶上にトランジスタを形成することで、電気的特性に優れたトランジスタを提供できる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、半導体膜の側面に接して設けられた第１の絶縁膜と、半導体膜及び第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられた第３の絶縁膜と、第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜に設けられ、半導体膜の一部及び前記第１の絶縁膜の一部を露出させる開口と、開口を介して半導体膜に電気的に接続する配線又は電極と、を有し、第１の絶縁膜は、半導体膜の側面に接する部分が一部エッチングされ窪んでおり、配線又は電極は、第１の絶縁膜の窪んだ部分に入り込んでいることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の高い仮基板から耐熱性の低いフィルム基板に移載して形成薄膜トランジスタパネルにおいて、絶縁膜の貫通孔内に設けられた有底筒状の画素電極（薄膜）の底部周辺部が破損しにくいようにする製造方法の提供。
【解決手段】仮基板５１上に分離層５２、下地絶縁膜１およびゲート絶縁膜４を形成する。下地絶縁膜１およびゲート絶縁膜４に貫通孔１２を形成して、分離層５２の上面側に凹部１２ａが形成される。貫通孔１２および凹部１２ａの部分に有底筒状の画素電極１３を形成する。画素電極１３およびゲート絶縁膜４上に窒化シリコン等からなる補強膜４１を形成し、その上にフィルム基板４２を接着層４３を介して接着した後、仮基板５１および分離層５２を除去する。この状態では、画素電極１３の底部が下地絶縁膜１の下側に突出されるが、補強膜４１により、画素電極１３の底部周辺部が破損しにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】改善された性能を示す半導体層を有する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】改善された移動度及び/又は可撓性を有する薄膜トランジスタを提供する。半導体層が半導体ポリマーおよび絶縁ポリマーを含む。前記薄膜トランジスタを製造及び使用する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】表面粗さが低減された半導体結晶の構造体を形成する技術を提供する。
【解決手段】絶縁体基板を供給し、当該絶縁体基板上に半導体層を堆積する。上記半導体層は、当該半導体層を部分的に凝集するステップアンドスキャン方式のレーザアニール処理により露光される。そして、凝集された半導体物質の冷却により、配向されたストライプ状半導体結晶が、絶縁体基板上に形成される。上記ストライプ状半導体結晶は、上記絶縁体基板の上面上に存在する直線状のストライプの軸に概ね沿って整列される。上記ストライプ状半導体結晶のそれぞれの筋は、上記ストライプの軸を囲む連続した複数の輪の断片を含んでいる。上記輪の断片の幅は、上記レーザアニール処理のステップの距離とほぼ同じである。上記ストライプ状半導体結晶の上面は、典型的には、半円柱形状または放物線状形状を有する。 （もっと読む）

【課題】有機トランジスタが用いられた有機半導体素子であって、簡易な工程で製造可能であり、表示装置に用いられた場合に高精細な画像を優れた品質で表示することが可能な有機半導体素子を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】絶縁性材料からなり、貫通孔を有する絶縁性フィルムと、上記絶縁性フィルム上に形成された有機トランジスタと、上記絶縁性フィルムの上記有機トランジスタが形成された面とは反対側の面上に形成された表示電極とを有し、上記表示電極と、上記有機トランジスタとが上記絶縁性フィルムの貫通孔を通して通電するように接続されていることを特徴とする有機半導体素子を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】ビット線の容量を小さくし、高速動作が得られるダイナミックランダムアクセスメモリを得ること。
【解決手段】ソース／ドレイン領域の一方になる第１の導電層６の上に、第１の半導体層１１、チャネル半導体層１２、ソース／ドレイン領域の他方になり、かつストレージノード２６にもなる第２の導電層１３が設けられている。第２の導電層１３の上にキャパシタ絶縁膜２１が設けられる。キャパシタ絶縁膜２１を介在させて、ストレージノード２６の上にセルプレート２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体デバイスのスイッチング速度等の性能を向上できる半導体基板を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０２と、シリコン基板の上に形成された絶縁膜１０４であってアスペクト比が√３／３以上のシリコン基板に達する開口部を有する絶縁膜１０４と、開口部に形成された化合物半導体結晶１０８であって絶縁膜１０４の表面より凸に形成されたシード化合物半導体結晶１０８と、シード化合物半導体結晶１０８の特定面をシード面として、絶縁膜の上にラテラル成長されたラテラル成長化合物半導体層１１２と、を備えた半導体基板。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体デバイスのスイッチング速度等の性能を向上する。
【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板の上に形成された絶縁膜であってシリコン基板に達する開口部を有する絶縁膜と、開口部に形成されたＧｅ結晶と、Ｇｅ結晶を核として成長された化合物半導体結晶であって絶縁膜の表面より凸に形成されたシード化合物半導体結晶と、シード化合物半導体結晶の特定面をシード面として、絶縁膜の上にラテラル成長されたラテラル成長化合物半導体層と、を備えた半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】樹脂層などのフレキシブルな層上に形成された場合であっても信頼性に優れる半導体装置の構成を提供する。
【解決手段】本発明に係る樹脂層（Ｓ）上に形成された半導体装置は、複数の下ゲート型薄膜トランジスタを含み、該半導体装置は該下ゲート型薄膜トランジスタを構成する半導体層（１７）と、第一の配線（ＧＬ１、ＧＬ２）と、第二の配線（ＳＬ）と、第一絶縁層（１５）と、ゲート絶縁膜（１９）とを少なくとも有し、該半導体層と該第一の配線と第二の配線の下部には該第一絶縁層と該ゲート絶縁膜が存在し、該半導体層と該第一の配線と第二の配線とが形成されていない箇所では、該第一絶縁層と該ゲート絶縁膜の一部が取り除かれている。該第一絶縁層と該ゲート絶縁膜の一部を取り除いたので、半導体装置に、機械的、または熱的な応力が加えられた場合であっても、当該応力が緩和され、第一絶縁層等におけるクラックの発生を低減できる。 （もっと読む）

【課題】低コストでかつ高品質、高性能な素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極１２、ドレイン電極１７及びソース電極１８を備えるトランジスタのチャネル層１３として利用される非晶質酸化物膜において、約５Å以上２２Å未満の距離に渡って、構造に秩序性があることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の耐圧性を可及的に向上させる。
【解決手段】基板１０に設けられた絶縁性を有するベースコート層１３ａと、ベースコート層１３ａ上に設けられた半導体層１４と、半導体層１４、及び半導体層１４から露出するベースコート層１３ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上に設けられ、半導体層１４に重なるように配置されたゲート電極１６とを備えたＴＦＴ２０であって、ベースコート層１３ａは、半導体層１４から露出する表面がエッチングされて半導体層１４から露出しない表面よりも低くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】駆動回路を配置するために別途必要となる面積を確保して装置を小型化することが可能なマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置のアレイ基板１１におけるデータ線とゲート線とＴＦＴと画素電極とが配置されている第一主平面と反対側の面である第二主平面１１ｂに、データドライバ１４とゲートドライバ１５とを配置する。また、データ線とデータドライバ１４とは、アレイ基板の上縁部に設けられたスルーホール４０により接続され、ゲート線とゲートドライバ１５とは、アレイ基板の側縁部に設けられたスルーホール４１により接続されている。このことによって、アレイ基板１１における画像表示領域の外縁部分に設けられるデータドライバ１４及びゲートドライバ１５の配置領域が不要となり、表示装置を小型化することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基材（Ｓ１）上に形成された有機半導体膜（１５）と、前記有機半導体膜上にゲート絶縁膜（１７）を介して形成されたゲート電極（１９）と、前記ゲート電極の両側に位置する有機半導体膜と電気的に接続され、前記基材と前記有機半導体膜との間に形成された第１および第２電極（１３ｓ、１３ｄ）と、を有し、前記第１および第２電極（１３ｓ、１３ｄ）の少なくとも一部が前記基材（Ｓ１）中に埋め込まれている。かかる構成によれば、第１および第２電極が基材中に埋め込まれているため、その段差が軽減され、トランジスタ特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶パネルの表示品質を高める。
【解決手段】ＴＦＴ基板を、絶縁性基板１に形成した凹部１ａを含む領域にＴＦＴのゲート電極２ａを形成し、その上に絶縁膜層５を形成して、その凹部１ａの直上の領域にソース電極３ｂが配置されるようにする。これにより、ゲート電極２ａとソース電極３ｂとの間の距離が広がって寄生容量Ｃｇｓが小さく抑えられ、露光時にズレが生じた場合でも画素間の寄生容量Ｃｇｓの差が小さく、ショットムラの程度を軽減することが可能になる。さらに、フィードスルー電圧Ｖを低減して液晶パネル面内での輝度分布を目立たなくすることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】加熱による移動度の低下とこれによる特性劣化を抑制可能で、耐熱性の向上が図られた半導体薄膜をより簡便な手順によって得ることが可能な半導体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】有機半導体材料を含む複数種類の有機材料を混合した溶液を基板上に塗布または印刷して薄膜を形成し、薄膜を乾燥させる過程で複数種類の有機材料を相分離させる。これにより、２層の半導体層ａ，ａ’間に有機絶縁性材料からなる中間層ｂが挟持された積層構造の半導体薄膜１を得る。 （もっと読む）

【課題】電荷移動度を向上させる歪みをチャネル領域に発生させる結晶層をチャネル領域下に有し、かつリーク電流経路が形成されることを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】一態様に係る半導体装置は、半導体基板１と、前記半導体基板上に形成された第１の半導体結晶層１４と、前記第１の半導体結晶層上にゲート絶縁膜１１を介して形成されたゲート電極１３と、前記第１の半導体結晶層内の前記ゲート絶縁膜下の領域に形成されたチャネル領域１５と、前記第１の半導体結晶層内の前記チャネル領域を挟んだ領域に形成されたソース・ドレイン領域１６と、前記半導体基板と前記チャネル領域との間に形成され、前記第１の半導体結晶層を構成する結晶よりも格子定数の大きい結晶からなり、前記半導体基板と前記第１の半導体層の間に、前記第２の半導体結晶層１７を挟んで形成された埋込絶縁体層１８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ダブルＬＤＤ構造を改善し、リーク電流のばらつきの少ない薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１には、第１平面１１と、これより高い第２平面１２と、第１平面１１と第２平面１２を接続する段差１３とが形成されている。半導体薄膜２は、第１平面１１に沿った第１領域から、段差１３に沿った中間領域を経て、第２平面１２に沿った第２領域まで連続している。第１領域には、チャネル領域ＣＨとこれに連続する第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１とが形成され、第２領域には、ソースＳ又はドレインＤとなる導電性領域が形成され、中間領域には第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１と導電性領域とを接続する第２の低濃度不純物領域ＬＤＤ２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶性や形状、作製場所を制御する。
【解決手段】階段状に加工されたオフ基板１１が加熱され、オフ基板１１上に層状炭素構造体１３が作製される。このようにして作製された層状炭素構造体１３は、移動度および熱伝導性が高く、そして、結晶性、形状および作製場所を制御することができる。したがって、このような性質を有する層状炭素構造体１３を、半導体装置のチャネルなどの電気伝導体または熱伝導体として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の向上、特に、遮光性の向上による光リーク電流の低減を図る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基材（１０Ａ，１０Ｂ）と、基材上に形成され、第１方向に延在する半導体膜（１３）と、半導体膜上にゲート絶縁膜（１５）を介して形成され、第１方向と交差する第２方向に延在するゲート電極（Ｇ）と、半導体膜の両側に前記第１方向に延在するよう形成された一対の凹部（１２）と、凹部内に配置された充填材料と、を有し、凹部の底面と半導体膜の底部の第１方向に延在する中心線（ＣＰ）との距離をＬｃと、凹部の底面間の距離をｔｃと、ｎを基材の屈折率とした場合、ｎｔｃ²＜４８８Ｌｃを満たす。本構成によれば、上記凹部（１２）により、基板側からの光の入射が制限され、光リーク電流を低減できる。さらに、凹部の深さの関数であるＬｃ等を上記式を満たすよう設定することで、光リーク電流を効果的に低減できる。 （もっと読む）