【課題】ＳＯＩ構造を有するＣＭＯＳトランジスタにおいて、ＣＭＯＳトランジスタのチャネル領域に応力を印加する構造の製造方法の提供。
【解決手段】単結晶のシリコン基板１１の表面に素子分離領域１３Ｉにより画成されたｎチャネルＭＯＳトランジスタ１０Ａが形成された第１の素子領域１３ＡとｐチャネルＭＯＳトランジスタ１０Ｂが形成された第２の素子領域１３Ｂとを含む単結晶シリコンの活性層１３を形成し、シリコン基板と活性層との間に形成されたシリコン酸化膜を有し、シリコン酸化膜は第１の素子領域の下および第２の素子領域の下に連続して延在し、ｎチャネルＭＯＳトランジスタのチャネル領域のシリコン酸化膜は最大の膜厚を有し、ゲート長方向に向かって膜厚を減少させ、ｐチャネルＭＯＳトランジスタのチャネル領域のシリコン酸化膜は最小またはゼロの膜厚を有し、チャネル領域から、ゲート長方向に向かって膜厚を増大させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた電気伝導特性を安定して示すカーボンナノチューブ電界効果トランジスタを再現性よく製造することができる方法を提供すること。
【解決手段】まず、ＬＯＣＯＳ法によりシリコン基板のコンタクト領域に酸化シリコン膜を形成する。次いで、シリコン基板のチャネル領域に、コンタクト領域の酸化シリコン膜よりも薄い絶縁膜を形成する。次いで、シリコン基板上にチャネルとなるカーボンナノチューブを配置した後、カーボンナノチューブを保護膜で被覆する。最後に、ソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成して、ソース電極およびドレイン電極をそれぞれカーボンナノチューブに電気的に接続させる。このようにして製造された電界効果トランジスタは、チャネルとなるカーボンナノチューブが汚染されていないため、優れた電気伝導特性を安定して示す。 （もっと読む）

【課題】
この種の有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）としては、各種の形態が存在するが、いずれも、それぞれに長短を有するものである。
本発明は、トップコンタクト構造（ＴＣ）とボトムコンタクト構造（ＢＣ）の両構造に固有の欠点を克服するため、そして、局所的に有機物半導体層の面内配向を制御するため上記課題を解決した構造を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の有機電界効果トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極が基板に埋め込まれてなることを特徴とし、有機電界効果トランジスタにおいて、前記基板には前記ソース電極及びドレイン電極のそれぞれの設置個所に凹所が形成され、当該凹所内に前記ソース電極及びドレイン電極が設置されてなり、前記凹所の両側壁が上部に向かうほど開くように傾斜させてあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導電層配線の形状が良好であるアクティブマトリクス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、金属ナノ粒子を含むインクを用いたインクジェット法により、複数の部位に低抵抗導電層２３を形成する工程を含んでおり、絶縁性基板１１上にインクの受容層１２を形成する受容層形成工程と、低抵抗導電層２３が形成される複数の部位のうち、互いに隣り合う第１導電層配線および第２導電層配線が形成される各部位の間において、受容層１２にスリット１４を形成するスリット形成工程と、スリット形成工程の後に、インクジェット法により上記各部位に低抵抗導電層２３を形成する導電層形成工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】既知のＴＦＴの性能を改良する。
【解決手段】半導体層が、式（Ｉ）または式（ＩＩ）：


（式中、Ｍは、三価の金属原子でり、ｍは、０〜６の整数であり、Ｒは、独立に、ハロゲン、アルキル、置換アルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、フェノキシ、フェニルチオ、アリール、置換アリール、ヘテロアリール、かつＸは、ハロゲン原子である。） （もっと読む）

【課題】本発明は、ＳＯＩ基板を用い、１枚の基板上に実際の装置に独立して適用可能なドライバ機能を搭載した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】支持シリコン基板３１の上面に酸化膜３２が積層され、該酸化膜３２の上面に活性シリコン層３３が積層されたＳＯＩ基板３０、３０ａ、３０ｂに形成された半導体装置５０、５０ａ〜５０ｄであって、
前記ＳＯＩ基板３０、３０ａ、３０ｂの表面４０は、前記支持シリコン基板３１が露出した支持シリコン基板露出領域４１と、前記活性シリコン層３３が形成された活性シリコン層領域４２、４３とを有し、
前記支持シリコン基板露出領域４１又は前記活性シリコン層領域４２、４３の一方には出力回路１０、１０ａ〜１０ｅが形成され、他方には該出力回路１０、１０ａ〜１０ｅを駆動制御する制御回路２０、２０ａ〜２０ｄが形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】横方向固相エピタキシャル成長法において単結晶膜成膜工程に要する時間を短縮し、半導体装置の製造を短時間で行う。
【解決手段】単結晶シリコン部４０３及び絶縁膜４０１が表面において露出したウエハ２００を、構成元素としてＳｉを含むガスの雰囲気中に曝露し、単結晶シリコン部４０３及び絶縁膜４０１の上にアモルファスのシリコン膜４０２を成膜する成膜工程と、成膜工程後に、シリコン膜４０２を加熱して、単結晶シリコン部４０３を基にしてシリコン膜４０２を単結晶化させる加熱工程と、加熱工程後に、ウエハ２００を構成元素としてＳｉを含むガス及び構成元素としてＣｌを含むガスの混合雰囲気中に曝露し、単結晶化した部分を残留させつつ、単結晶化しなかった部分を除去する選択成長工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、ウエハ２００に対して、成膜工程、加熱工程及び選択成長工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】面方位が（１００）の単結晶シリコン膜および面方位が（１１０）の単結晶シリコン膜を有するＳＯＩ基板を、高い歩留まりで作製する方法を提供する。
【解決手段】面方位が（１００）の第１の単結晶シリコン基板１０００内に第１のイオンをドープして、第１の脆化層を形成する。面方位が（１１０）の第２の単結晶シリコン基板１００２内に第２のイオンをドープして選択的に第２の脆化層を形成する。第１の加熱処理では、第１の脆化層のみから第１の単結晶シリコン基板の一部をはく離し、第１の単結晶シリコン膜を形成する。第２の単結晶シリコン基板であって、第２の脆化層が形成されていない領域を除去し、第２の加熱処理では、第２の脆化層から第２の単結晶シリコン基板の一部をはく離し、第２の単結晶シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線層に新たな機能を有する素子を設けた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第１配線層１５０、及び半導体素子２００を備える。第１配線層１５０は、絶縁層１５６と、絶縁層１５６の表面に埋め込まれた第１配線１５４とを備える。半導体素子２００は、半導体層２２０、ゲート絶縁膜１６０、及びゲート電極２１０を備える。半導体層２２０は、第１配線層１５０上に位置する。ゲート絶縁膜１６０は、半導体層２２０の上又は下に位置する。ゲート電極２１０は、ゲート絶縁膜１６０を介して半導体層２２０の反対側に位置する。 （もっと読む）

【課題】隔壁パターンの段差によって半導体層をパターニングする方法を、印刷法を用いてソース電極およびドレイン電極を形成するボトムゲート・トップコンタクト型の有機ＴＦＴの作製に適用して作製可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】基板３上に形成された島パターン５、島パターン５の上部に延設されたゲート電極７、ゲート電極７を覆う状態で基板３上に設けられたゲート絶縁膜９、島パターン５を内包する形状の開口部１１ａを有してゲート絶縁膜７上に設けられた隔壁パターン１１、開口部１１ａの底面を覆う形状に分断して設けられた半導体層１３、島パターン５の上部における半導体層１３上に設けられたソース電極１５ｓおよびドレイン電極１５ｄを備えた半導体装置１である。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が少なく結晶性の高い単結晶シリコン層が絶縁膜上に形成されてなる半導体装置の製造方法及び半導体装置を得るという課題があった。
【解決手段】基板１の一面１ａに絶縁膜２を形成する工程と、絶縁膜２を開口して基板１を露出させる穴２ｃを形成する工程と、穴２ｃの内壁面を覆うように結晶成長補助膜３を形成する工程と、穴２ｃを充填するとともに、絶縁膜２の前記基板と反対側の面２ａを覆うように非結晶シリコン層を形成する工程と、前記非結晶シリコン層を、レーザーアニール法により単結晶シリコン層５とする工程と、を有する半導体装置１０１の製造方法を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流の発生を抑制しつつ、製造方法の簡素化を図る。
【課題を解決するための手段】薄膜トランジスタは、基板（１０）上に、第１の方向に延在する凸状の段差（１２ａ）を表面に有する下地膜（１２）と、下地膜上に第１の方向に交差する第２の方向に沿って長手状に形成され、凸状の段差に対応した段差を表面に有し、凸状の段差に重なる領域において、チャネル幅方向に沿った幅寸法が局所的に狭く形成された半導体層（３０ａ）と、半導体層にゲート絶縁膜（１３）を介して対向配置されたゲート電極（３０ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】移動度、電流オンオフ比が高く、閾値電圧は可能な限りゼロ（０）に近い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｓ、Ｓｅ、Ｏ等を含む特定の種類の有機半導体材料を含有する薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】移動度、電流オンオフ比が高く、閾値電圧が可能な限りゼロ（０）に近い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層を含む薄膜トランジスタであって、前記半導体層が、式（Ａ）で表される半導体材料を含有する、薄膜トランジスタ。


（Ｘは、Ｓ、Ｓｅ、Ｏ、ＮＲ_６から選択され；Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６は、水素、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、ヘテロアリール、ハロゲン、−ＣＮ、−ＮＯ_２から選択され；Ａｒ、Ａｒ’は、共役した２価の部分であり；ａ、ｂは、０〜１０の整数であり；ｍは、０または１であり；ｎは、２以上の整数である。） （もっと読む）

【課題】過剰なエッチングを生じることなく、同一のエッチング行程において、複数のコンタクトホールを同時に形成することができ、歩留まりおよび生産性に優れた半導体素子およびその製造方法並びに表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＴＦＴ１２は、ボトムゲート電極２０、ボトムゲート絶縁膜１７、半導体層１３、トップゲート絶縁膜１８、トップゲート電極１４及び層間絶縁膜１９がこの順に積層された構造を有する。また、トップゲート絶縁膜１８および層間絶縁膜１９には、コンタクトホール２５〜２８が形成されている。また、層間絶縁膜１９の表面には、ボトムゲート電極２０、半導体層１３、およびトップゲート電極１４の各々に接続される配線３０〜３２が形成されている。そして、ボトムゲート電極２０の、配線３１との接続領域３４に、ボトムゲート電極２０の下方に配置されるとともに、ボトムゲート電極２０を支持する段差部材３５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】複雑な加工技術を用いることなく、グラファイト薄膜をナノスケール幅に切断することができるグラファイト薄膜の切断方法を提供すること。
【解決手段】複数の段差部１ａを有する基板１の表面に、グラファイト薄膜２を設ける工程と、グラファイト薄膜２が設けられた基板１を、酸素含有雰囲気下で加熱して、グラファイト薄膜２を段差部１ａの位置で切断する工程とを含む、グラファイト薄膜の切断方法。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置の画像表示領域のうち非開口領域が占める割合を増大させることなく、画素スイッチング用素子等の半導体素子における光リーク電流を低減する。
【解決手段】第１層間膜（４１）は、第２遮光膜（１１）上に形成されている。第１層間膜（４１）は、第２遮光膜（１１）の形状に対応してＴＦＴアレイ基板１０の上方に向かって突出した第１突状部（４１ａ）を有している。このような第１層間膜（４１）は、半導体層（１ａ）の下地になる絶縁膜である。したがって、第２遮光膜（１１）上に第１層間膜（４１）が形成されるだけで、第１層間膜（４１）のうち第２遮光膜１１に重なる部分が第２遮光膜（１１）の形状に対応した形状を有する第１突状部４１ａになる。 （もっと読む）

【課題】高温特性を改善した高集積、高速且つ高性能なＭＩＳＦＥＴを得ること。
【解決手段】半導体基板に絶縁膜を埋め込んだトレンチ素子分離領域を選択的に設け、この絶縁分離された半導体基板上に、半導体基板と同じ第１の半導体を、筒状構造を有して縦方向にエピタキシャル成長させ、この第１の半導体層に自己整合して、格子定数がやや大きい第２の半導体を内側面の横方向にエピタキシャル成長させることにより、第１の半導体層に歪みを加える。この第２の半導体層の上部内側面を除く内側面に接して絶縁膜を設け、この絶縁膜の側面間を空孔となし、この空孔に栓をするように、第２の半導体層の上部内側面間に導電膜を設ける。歪み半導体層の外側面にはゲート絶縁膜を介してゲート電極を設ける。歪み半導体層及び第２の半導体層の上部にはドレイン領域を設け、歪み半導体層及び第２の半導体層の下部且つ半導体基板の表面にはソース領域を設けておき、配線体をそれぞれの領域に接続した縦型のＭＩＳＦＥＴを構成すること。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの製造において有用な半導体インク配合物を提供する。
【解決手段】半導体インク配合物は、構造式（Ａ）のチオフェン部分を含む半導体材料と、第１の溶媒と、第１の溶媒と混和性であり、第１の溶媒の表面張力に等しいかまたはそれより大きい表面張力を有する第２の溶媒とを含み、該半導体材料が室温にて０．１重量％未満の溶解度を有する。


（上記構造式（Ａ）中、Ｒ_１は、アルキルおよび置換アルキルから選択される。） （もっと読む）

【課題】大気雰囲気下での使用や、デバイスとして駆動するため電界が印加された際に、有機分子層同士を結合している共有結合が切断され、分子層積層構造が崩壊する恐れがない、耐久性に優れた分子層積層膜による有機薄膜を作製して用い、素子寿命が改善された有機デバイスを提供する。
【解決手段】基板１１と、該基板１１上第一の有機分子層１２と、該第一の有機分子層１２に積層された第二の有機分子層１４とを備え、該第一の有機分子層１２と第二の有機分子層１４が、第一の結合部１３によって接続され、前記第一の結合部１３の構成が、前記第一の有機分子層１２と前記第二の有機分子層１４との間を接続する第一の共有結合部１３１と、前記第一の有機分子層１２および／または前記第二の有機分子層１４と、前記第一の共有結合部１３１の構成原子との間を接続する第一の化学結合１３２からなる有機デバイス。 （もっと読む）