【課題】均質な膜を容易かつ低廉に作成できるフェナザシリン系重合体、フェナザシリン系重合体の製造方法および当該フェナザシリン系重合体を用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下記に示すフェナザシリン化合物を主鎖骨格とする重合体は有機溶媒への溶解性が高く、キャスト法による膜作成が可能である。本発明のフェナザシリン系重合体は、ハロゲン化炭化水素、有機酸、通常の有機溶剤にも容易に溶解するので、スピンコート法、ディップコート法等の通常の塗布法を用いて簡易に成膜化して薄膜を形成できる。よって、有機薄膜トランジスタの構成材料に用いることが可能である。
【化１】
（もっと読む）

式(I)または(II)で表されるポリマー鎖を含むポリマーを提供する。式(I)において、a、b、c、dおよびnは整数であり、aは0〜3であり、bは1〜5であり、cは1〜3であり、dは1〜5であり、かつnは2〜5000であり; R¹およびR²は側鎖であり; R³およびR⁴はそれぞれ独立してHまたは側鎖であり; かつaが0である場合、R³およびR⁴は側鎖である。式(II)において、a、b、c、d、eおよびnは整数であり、aは1〜3であり、bおよびcは独立して0または1であり、dおよびeは独立して1または2であり、かつnは2〜5000であり; R¹およびR²は-COOアルキルを除く側鎖であり; かつX¹、X²およびX³は独立してO、SまたはSeである。このポリマーを含む半導体およびデバイスも提供する。

（もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタガ型の薄膜トランジスタに水素を徹底的に排除した酸化物半導体膜を用い、電気特性のバラツキを低減する。
【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。また、酸化物半導体層の成膜は、酸素が流量比で５０％以上１００％以下含まれる雰囲気中で行う。また、酸化物半導体層のチャネル形成領域の上層及び下層が、窒素含有量が３原子％以上３０原子％以下の酸化窒化珪素膜であることを特徴的な構造とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際のシリコン層の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に貼り合わない領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】容易なプロセスにて製造可能であり、半導体プロセスにおける耐熱性を有し、耐電圧性に優れ、漏れ電流の小さい絶縁層付金属基板、及びそれを実現するＡｌ基材を提供する。
【解決手段】絶縁層付金属基板２は、Ａｌマトリックス中に、陽極酸化の際に陽極酸化される物質からなる析出粒子１５のみを含有するＡｌ基材１の少なくとも一方の面に陽極酸化を行うことによって形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】低いコンタクト抵抗を有し、かつ、オン抵抗の増大を回避できて高いチャネル移動度を維持できるノーマリオフ動作の電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果型トランジスタは、ＡｌＧａＮ障壁層６の薄層部６ａは、第２のＧａＮ層４のＶ欠陥１３およびＶ欠陥１３に連なる第３のＧａＮ層５の非成長領域Ｇ１上に形成されているので、エッチングを行うことなく平坦部６ｂよりも薄くできる。よって、エッチングダメージがチャネル移動度を低下させることがなく、オン抵抗の増大を回避できる。 （もっと読む）

いくつかの実施例は、半導体デバイスを提供する方法を含む。当該方法は、
（ａ）フレキシブル基板を提供する段階、（ｂ）フレキシブル基板上に少なくとも１つの材料層を堆積させる段階であって、そのフレキシブル基板上の少なくとも１つの材料層の堆積は、少なくとも１８０℃の温度で生じる、段階、および（ｃ）金属層とａ−Ｓｉ層との間に拡散バリアを提供する段階を含む。他の実施例も本願において開示される。
（もっと読む）

【課題】共役ポリマーおよび有機半導体としてのそれらの使用を提供する。
【解決手段】本発明は、フェナントレンおよび／またはインデノフルオレン単位を含み、アミンを含有する単位を含まない共役ポリマーと、それらを調製する方法と、有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置における該ポリマーの使用と、該ポリマーを含むＯＥ装置とに関する。 （もっと読む）

拡散バリアが被覆された金属基板上の半導体デバイス、及びその製造方法を開示する。半導体デバイスは、金属基板と、金属基板上の拡散バリア層と、拡散バリア層上の絶縁層と、絶縁層上のデバイス層とを備える。方法は、金属基板上に拡散バリア層を形成する工程と、拡散バリア層上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層上にデバイス層を形成する工程とを備える。このような拡散バリアを被覆した基板は、金属基板から、そこに形成された半導体デバイスへと金属原子が拡散するのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】低温で塗布形成可能で高い絶縁性と誘電率を有し、かつ表面処理可能な絶縁性薄膜の形成用溶液、それを用いて形成した絶縁性薄膜、絶縁性薄膜をゲート絶縁層として用いることで優れた性能を有する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された高分子と、高分子と酸素原子を介して結合を有し第４族元素、第５族元素、第６族元素、第１３族元素、亜鉛、錫のうちから選ばれる金属原子と、金属原子と酸素原子または窒素原子を介して結合を有する有機分子とを含む絶縁性薄膜からなるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極間に形成された半導体と、を備えることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】低温化されたプロセス温度で製造でき、かつ、キャリア移動度や電流オン・オフ比の高い薄膜トランジスタを実現することができる金属酸化物半導体とその製造方法を提供し、当該金属酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体前駆体水溶液を基材上に塗布、乾燥し、金属酸化物半導体前駆体膜を形成し、該金属酸化物半導体前駆体膜を転化することにより金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法であって、前記金属酸化物半導体前駆体膜の形成から、転化行程までのあいだに加熱処理を施すことを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法、金属酸化物半導体及び薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】プロセス時間を増大させることなく、金属箔基板上に十分な絶縁性と平坦性が確保された絶縁膜を設けることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔基板５上に絶縁性のシート状樹脂１を貼り合わせ、貼り合わせたシート状樹脂１の上に半導体素子を形成する工程を行う。シート状樹脂１を貼り合わせた後、半導体素子を形成する前に、シート状樹脂１を硬化させる工程を行う。 （もっと読む）

【課題】高いオン電流、低いオフ電流を与えるｐ型半導体ナノワイヤ・デバイス、ｎ型半導体ナノワイヤ・デバイスを提供する。
【解決手段】各々が半導体リンク部３０Ｃ，５０Ｃと２つの隣接するパット部３０Ａ，３０Ｂ，５０Ａ，５０Ｂを含む半導体構造体で、半導体リンク部の側壁は、第１の半導体構造体の場合には正孔の移動度を最大化するように、第２の半導体構造体の場合には電子の移動度を最大化するように方位を定める。半導体構造体の酸化による薄化で、半導体リンク部の幅は、異なる結晶方位ごとに異なる速度で小さくされる。異なる量の薄化の結果、薄化後に得られる半導体ナノワイヤが目標とするサブリソグラフィ寸法となるように、予め決定される。異なる結晶面に対する異なる薄化速度を補償することによって、過剰な薄化又は不十分な薄化がなされることなく、最適なサブリソグラフィ幅を有する半導体ナノワイヤを形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層とチャネル層との密着性が良好な電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記ゲート絶縁層は酸化ガリウムを含み、前記チャネル層は有機半導体層である、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の消費電力を低減させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板（Ｓ１）を準備する工程と、テンプレート（Ｓ２）を準備する工程と、前記テンプレート表面にゲート電極（１０）を形成する工程と、前記基板およびテンプレートを貼り合わせる工程と、前記テンプレートから前記基板および前記ゲート電極を一体的に剥離して前記ゲート電極を前記テンプレートから前記基板に転写するする工程と、を有する。かかる方法によれば、ゲート電極の表面の平坦性が向上し、その上に形成されるゲート絶縁膜（１２）の表面の平坦性も向上する。その結果、ゲート絶縁膜の薄膜化が容易となり、半導体装置の消費電力の低減ができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、寄生トランジスタの発生に基づくトランジスタの特性劣化を改善する。
【解決手段】半導体装置は、基板（１０）上に、所定種類のイオンが注入されることにより、第１の濃度で不純物領域が形成された本体部（４１０ｃ１）、及び本体部の縁部のうち所定の方向に延びる部分に沿って設けられ、第１の濃度より第２の濃度で不純物領域が形成されたエッジ部（４１０ｃ２）を有する第１チャネル領域（４１０ｃ）を含み、所定の方向に沿って長手状に形成された第１半導体層（４１０）、並びに第１チャネル領域に対向配置された第１ゲート電極（４３０）を有する第１トランジスタ（４００）と、第１チャネル領域と同じ導電型を有し、第１の濃度より高い第３の濃度で不純物領域が形成された第２チャネル領域（１ａ´）を含む第２半導体層（１ａ）、並びに第２チャネル領域に対向配置された第２ゲート電極（３ａ）を有する第２トランジスタとを備える。 （もっと読む）

【課題】素子基板の基板本体として半導体基板を用いた場合でも、複雑なウエル構造や大掛かりな遮光構造を必要とせず、かつ、基板本体としてガラス基板などを用いた場合に比較して画素トランジスターの特性を大幅に向上することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０では、基板本体として、単結晶シリコン基板からなる半導体基板１１を用い、半導体基板１１の表面に不純物を導入することによって、バックゲート構造を備えた画素トランジスター３０の第１ゲート電極１１ａ、および保持容量６０の第１保持容量電極１１ｂを同時形成する。また、第１ゲート絶縁層７０の一部を保持容量用誘電体層７０ｃとして利用する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板上に酸化膜を形成し、酸化膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板中に脆化領域を形成し、酸化膜を間に挟んで単結晶半導体基板と向かい合うように支持基板を貼り合わせ、単結晶半導体基板を加熱することにより、脆化領域において、単結晶半導体層が貼り合わされた支持基板と単結晶半導体基板の一部とに分離し、支持基板に貼り合わされた単結晶半導体層の表面に対して、基板バイアスを印加して第１のエッチングを行い、単結晶半導体層に対してレーザビームを照射して、単結晶半導体層の少なくとも表面の一部を溶融した後、凝固させ、単結晶半導体層の表面に対して、基板バイアスを印加することなく第２のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】不要な領域へのインクの漏れ込みを抑えるとともに、インクの密着性を高めることで、優れた特性と高い信頼性を安定して得ることができる有機ＴＦＴアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】マトリクス状に配列された複数の有機ＴＦＴを有する有機ＴＦＴアレイの製造方法において、表面が撥液性を有する第１の基板を作成する工程と、下地層の上に複数のソース電極・ドレイン電極がマトリクス状に形成された第２の基板を作成する工程と、第２の基板に形成された複数のソース電極・ドレイン電極で形成される複数のチャネルの間隔と等しい間隔で、第１の基板の表面に有機半導体前駆体溶液を塗布し乾燥させる工程と、有機半導体前駆体溶液が塗布・乾燥された第１の基板と第２の基板とを重ね合わせて、有機半導体前駆体溶液を第２の基板の前記チャネルに転写する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物半導体の形成におけるプロセス温度の低温化を達成することにより、樹脂基板を用いた薄膜トランジスタの製造を可能とする。
【解決手段】金属酸化物半導体前駆体の溶液または分散液を、基板上に塗布することにより得られた金属酸化物半導体前駆体膜を変換することにより、金属酸化物半導体を形成する金属酸化物半導体の製造方法において、金属酸化物半導体前駆体塗布時の基板表面の２種の表面エネルギー成分γｈとγｄについて、１０≦γｈ≦８０（ｍＮ／ｍ）、２≦γｄ≦４０（ｍＮ／ｍ）であることを特徴とする金属酸化物半導体の製造方法。 （もっと読む）