【課題】安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及びそれを含むシフトレジスタを提供することを課題の一とする。
【解決手段】第１の出力端子に接続されるトランジスタの一にはクロック信号を与え、第２の出力端子に接続されるトランジスタの一には電源電位を与える。これにより、第２の出力端子を構成するトランジスタの充放電による消費電力を抑制することが可能である。また、第２の出力端子には電源からの電位が供給されることになるため、十分な充電能力を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】開示する発明の一態様は、安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及びそれを含むシフトレジスタを提供することを課題の一とする。
【解決手段】開示する発明の一態様のパルス信号出力回路は、第１乃至第１０のトランジスタを有し、第１のトランジスタおよび第３のトランジスタのチャネル長Ｌに対するチャネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌは、第６のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きく、第５のトランジスタのＷ／Ｌは、第６のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きく、第５のトランジスタのＷ／Ｌは、第７のトランジスタのＷ／Ｌと等しく、第３のトランジスタのＷ／Ｌは、第４のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きくする。これによって、安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及びそれを含むシフトレジスタを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつコストを抑えることができる液晶表示装置の提案を課題とする。
【解決手段】画素部に液晶素子と、液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとを有する画素が設けられており、駆動回路が有するＴＦＴと、液晶素子に印加される電圧を制御するＴＦＴとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている第１の半導体膜と、第１の半導体膜上に形成された一対の第２の半導体膜とを有し、一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつ
コストを抑えることができる発光装置の提案を課題とする。
【解決手段】画素部に発光素子と、発光素子への電流の供給を制御するＴＦＴとを有する
画素が設けられており、駆動回路が有するＴＦＴと、発光素子への電流の供給を制御する
ＴＦＴとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間
に挟んでゲート電極と重なっている第１の半導体膜と、第１の半導体膜上に形成された一
対の第２の半導体膜とを有し、一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添
加されており、第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴と
する発光装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体層に接して酸化物絶縁層を形成し、酸化物絶縁層を通過して酸素を導入（添加）し、加熱処理を行う。この酸素導入及び加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除し、酸化物半導体層を高純度化する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電
極とゲート配線を提供することを第１の課題とする。
【解決手段】同一基板上に表示領域と、表示領域の周辺に設けられた駆動回路と、を有し
、表示領域は、第１の薄膜トランジスタを有し、駆動回路は、第２の薄膜トランジスタを
有し、第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、リンがドープされたシリコ
ンでなるゲート電極を有し、ゲート電極は、チャネル形成領域の外側に設けられた接続部
でアルミニウムまたは銅を主成分とする層とタンタル、タングステン、チタン、モリブデ
ンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする層とを有する配線と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】表示された画像が良好に認識できる表示装置を提供することを課題の一とする。また、その表示装置を生産性良く作製する方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に液晶層を介して入射する光を反射する画素電極と、透光性を有する画素電極と、透光性を有する画素電極と重なる位置に側面が反射層で覆われた構造体を設ける。構造体は、透光性を有するエッチングストップ層上に形成され、エッチングストップ層は、構造体の下に透光層として残存する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタなどの半導体素子又は該半導体素子を用いる表示装置などにおいて、光照射効果の影響を低減することを目的の一とする。
【解決手段】バンドすそ準位とバンドギャップ内の欠陥を極力低減することにより、バンドギャップ近傍若しくはそれ以下のエネルギーの光吸収を低減させる。この場合において、単に酸化物半導体膜の製造条件を最適化するのではなく、酸化物半導体を実質的に真性若しくは真性に限りなく近づけることにより、照射光と作用する欠陥を低減し、本質的に光照射効果が低減されるようにしている。すなわち、３５０ｎｍの波長の光を１×１０^１３個／ｃｍ^２・ｓｅｃのフォトン数で照射された場合であっても、しきい値電圧の変動量が０．６５Ｖ以下、好ましくは０．５５Ｖ以下となる酸化物半導体でトランジスタのチャネル領域が形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】十分な復調能力を有する復調回路を提供することを課題の一とする。または、十分な復調能力を有する復調回路を用いたＲＦＩＤタグを提供することを課題の一とする。
【解決手段】復調回路に用いられるトランジスタの一部に、逆方向電流を十分に小さくすることができる材料、例えば、ワイドギャップ半導体である酸化物半導体材料を用いる。トランジスタの逆方向電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、振幅の大きな電磁波を受ける場合であっても、十分な復調能力を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】正確な表示を行う表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】オフ電流の低い酸化物半導体を有するトランジスタを用いて、回路を構成する。回路として、画素回路の他に、プリチャージ回路または検査回路を形成する。酸化物半導体を用いているため、オフ電流が低く、そのため、プリチャージ回路や検査回路において、信号や電圧が漏れて、表示に不具合を起こすという可能性が低い。その結果、正確な表示を行う表示装置を提供することが出来る。 （もっと読む）

【課題】製造コストが少なく、光リーク電流が抑制された薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】透明基板上に作製される薄膜トランジスタであって、透明基板上に、少なくともチャネル領域と重畳しないように配置された遮光膜、下地層、結晶性シリコン膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極膜を順次形成してなるトップゲート型結晶性シリコン薄膜トランジスタの構造を具え；結晶性シリコン膜には、チャネル長Ｌのチャネル領域、それを挟むＬＤＤ長ｄのＬＤＤ領域、ソース領域、ドレイン領域が形成されており；遮光膜はチャネル領域を挟んで分割されており；分割された遮光膜の間隔ｘは、チャネル長Ｌ以上、チャネル長ＬとＬＤＤ長ｄの２倍の和（Ｌ＋２ｄ）以下に選択されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微小化されたトランジスタはゲート絶縁層の薄膜化を要求されるが、トンネル電流、つまりゲートリーク電流の増加により、ゲート絶縁層が酸化珪素膜の単層である場合はゲート絶縁層の薄膜化には物理的限界が生じつつある。
【解決手段】ゲート絶縁層に比誘電率が１０以上のｈｉｇｈ−ｋ膜を用いることで、微小化したトランジスタのゲートリーク電流を低減させる。酸化物半導体層と接する第２の絶縁層よりも比誘電率が高い第１の絶縁層としてｈｉｇｈ−ｋ膜を用いることによって、酸化珪素膜で換算した場合のゲート絶縁層よりもゲート絶縁層の薄膜化ができる。 （もっと読む）

【課題】各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】薄膜トランジスタのＬＤＤ領域を、テーパー部を有するゲート電極及びテーパー部を有するゲート絶縁膜に対応させて設ける。具体的には、第１のＬＤＤ領域はゲート電極のテーパー部の下に設けられ、第２のＬＤＤ領域はゲート絶縁膜のテーパー部の下に設けられる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタにおけるオフ電流を低減し、電圧調整回路における出力電圧の変換効率を向上させる。
【解決手段】ゲート、ソース、及びドレインを有し、ソース及びドレインの一方に第１の信号が入力され、ゲートにクロック信号である第２の信号が入力され、チャネル形成層として酸化物半導体層を有し、オフ電流が１０ａＡ／μｍ以下であるトランジスタと、第１の電極及び第２の電極を有し、第１の電極がトランジスタのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、第２の電極に高電源電圧及び低電源電圧が交互に与えられる容量素子と、を有し、第１の信号の電圧を昇圧又は降圧し、昇圧又は降圧した電圧である第３の信号を出力信号としてトランジスタのソース及びドレインの他方を介して出力する構成とする。 （もっと読む）

【課題】結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域に用いることにより高速動作を可能にする。
【解決手段】基板１上に、島状で且つ端部にテーパーを有する膜２を設け、無機絶縁膜３、非晶質半導体膜を形成する。そして、レーザーアニールにより非晶質半導体膜を結晶化させる。島状で且つ端部にテーパーを有する膜２または無機絶縁膜３の材料及び膜厚を適宜調節することによって半導体膜の冷却速度を遅くして結晶粒径の大きな第１領域４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で生産性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層に接する半導体層と、半導体層の一部に接し、ソース領域及びドレイン領域を形成する不純物半導体層と、不純物半導体層に接する配線とを有し、半導体層において、ゲート絶縁層側に形成される凹凸状の微結晶半導体領域と、当該微結晶半導体領域に接する非晶質半導体領域とを有し、半導体層及び配線の間に障壁領域を有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】画素駆動用のスイッチング回路に用いる電界効果トランジスタのＯＦＦ電流特性の抑制およびＯＮ電流特性の向上を同時に図ることができ、スイッチング回路の高性能化により画質の向上を図ることができる表示装置を提供する。
【解決手段】一つまたは電気的に直列接続された複数の電界効果トランジスタを有するスイッチング回路において、少なくとも一つの電界効果トランジスタのチャネルとなる半導体層１５の少なくとも一部の幅をチャネル長方向に連続的に変化させる。例えば、チャネル部における半導体層１５のソース側の部分の幅をＷ₅₀からＷ₅₁に直線的に減少させ、他の部分は一定の幅Ｗ₅₁とする。 （もっと読む）

量子井戸トランジスタは、ゲルマニウムの量子井戸チャネル領域を有する。シリコンを含有したエッチング停止領域が、チャネル近くへのゲート誘電体の配置を容易にする。ＩＩＩ−Ｖ族材料のバリア層がチャネルに歪みを付与する。チャネル領域の上及び下の傾斜シリコンゲルマニウム層によって性能が向上される。複数のゲート誘電体材料によって、ｈｉｇｈ−ｋ値のゲート誘電体の使用が可能になる。
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【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。また、暗所でも長時間の利用が可能な、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高純度化された酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで回路を構成し、画素が一定の状態（映像信号が書き込まれた状態）を保持することを可能とする。その結果、静止画を表示する場合にも安定した動作が容易になる。また、駆動回路の動作間隔を長くできるため、表示装置の消費電力を低減できる。また、自発光型の表示装置の画素部に蓄光材料を適用し、発光素子の光を蓄えれば、暗所でも長時間の利用が可能になる。 （もっと読む）