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電子機器
【課題】本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い2つの膜(ITO膜とアルミニウム膜)からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミニウム合金膜の組成を調節してITOとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、3層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、TiまたはMoからなる第1導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体(純アルミニウム)からなる第2導電層を設ける。さらに、その第2導電層の上に、ITOと反応しないアルミニウム合金からなる第3導電層を設け、配線又は電極を3層構造としてITOと接合させる。
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半導体装置
【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバICの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化を達成し、表示装置の大型化又は高精細化を達成することを目的とする。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極を、第1のスイッチングトランジスタを介して高電位が供給される配線、及び第2のスイッチングトランジスタを介して低電位が供給される配線に接続し、第1のスイッチングトランジスタのゲート電極にクロック信号を入力し、第2のスイッチングトランジスタのゲート電極に反転クロック信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのゲート電極に高電位、又は低電位を交互に供給する。
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半導体装置
【課題】コンタクトホールの位置合わせが容易で、コンタクト抵抗の低いフィン型の電界効果型トランジスタを有する半導体装置に提供する。
【解決手段】フィン型の電界効果型トランジスタであって、ソース/ドレイン領域503の少なくともその幅が最も大きい部分では半導体領域502の幅よりも大きく、かつソース/ドレイン領域503の最上部側から基体側に向かって連続的に幅が大きくなっている傾斜部510を有し、該傾斜部表面にシリサイド膜504が形成されていることを特徴とする半導体装置とする。
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半導体装置
【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された酸素過剰のSiOX膜と、SiOX膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有する半導体装置。
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半導体装置及び半導体装置の作製方法
【課題】現在、良質な膜を得るために、下地膜から非晶質シリコン膜までの形成プロセスは、各々の成膜室にて行われている。これらの成膜条件をそのまま用いて同一成膜室にて下地膜から非晶質シリコン膜までを連続形成すると、結晶化工程で十分に結晶化されない。
【解決手段】水素希釈したシランガスを用いて非晶質シリコン膜を形成することにより、下地膜から非晶質シリコン膜までを同一成膜室内で連続形成しても、結晶化工程で十分に結晶化可能となる。
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半導体装置の作製方法
【課題】必要十分なキャパシティをもつ保持容量を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】金属表面を有する基板11と、前記金属表面を有する基板上に形成された絶縁膜12と、前記絶縁膜上に形成された画素部とを有する半導体装置において、前記画素部は、TFTと、該TFTと接続する配線21とを有しており、保持容量は、前記金属表面を有する基板、前記絶縁膜および前記配線により構成されている。前記絶縁膜の膜厚が薄いほど、また、前記絶縁膜と前記配線の接する領域の面積が大きいほど、大きなキャパシティを得られるので有利である。
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EL表示装置及びその作製方法
【課題】さらなる低温プロセス(350℃以下、好ましくは300℃以下)を実現し、安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層103を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層103の一部にn型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域107(非晶質構造を有する領域)を形成した後、100〜300℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域108を形成し、非晶質な領域のままでTFTのソース領域またはドレイン領域とする。
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半導体装置及び表示装置
【課題】占有面積を増大せずにオン電流が低い酸化物半導体トランジスタを得ること、開口率を減少させずに、オン電流が低い酸化物半導体トランジスタを画素に用いた表示装置を得ること、同一基板上に画素にオン電流が低い酸化物半導体トランジスタ、かつ駆動回路にオン電流が高い酸化物半導体トランジスタを用いた表示装置を得る。
【解決手段】絶縁表面上に設けられ、互いに離れて配置された第1のゲート電極及び第2のゲート電極と、ゲート絶縁膜を介して、第1のゲート電極及び第2のゲート電極と重畳する領域、並びに第1のゲート電極及び第2のゲート電極と重畳しない領域を有する酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜、第1のゲート電極、第2のゲート電極、及び、酸化物半導体膜を覆い、酸化物半導体膜と直接接触している絶縁膜とを有する半導体装置、及び、当該半導体装置を有する表示装置に関する。
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発光装置
【課題】開口部をシンプルにしてシュリンクの問題を解決する。
【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチングトランジスタと、消去用トランジスタと
、を画素内に有する3トランジスタ型の発光装置の場合において、スイッチング用TFT
5505と消去用TFT5506の2つのTFTを、第1のゲート信号線5502と第2
のゲート信号線5503の間に配置する。このように配置することで開口率を上げ、開口
部もシンプルな形状にすることが出来る。
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電子機器
【課題】配線の凹凸差を緩和することが可能な構造の半導体装置を提供することを課題と
する。
【解決手段】第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層及び第2の導電層の間に形
成されると共に、接続孔を有する絶縁層と、第1の導電層及び第2の導電層に接続すると
共に、少なくとも端部の一部が接続孔の内側に形成される第3の導電層と、を有する半導
体装置である。第2の導電層及び第3の導電層が接続する接続孔付近において、第3の導
電層が第1の絶縁層を介して第2の導電層に重畳せず、第3の導電層の端部が第1の絶縁
層上に形成されない。このため、第3の導電層の凹凸を低減することが可能である。
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EL表示装置
【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものと
して、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を
有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線
上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第2の絶縁層
と、前記第2の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前
記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを
特徴としている。
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半導体装置及びその駆動方法
【課題】半導体装置における電界の集中を緩和する。
【解決手段】ゲート電極とドレイン電極を重畳させずに設け、且つ上面において、ゲート電極とドレイン電極の間には電界制御電極が設けられている。そして、ゲート電極と半導体層の間、及び電界制御電極と半導体層の間には、それぞれ絶縁層が設けられており、電界制御電極と半導体層の間に設けられた絶縁層は、ゲート電極と半導体層の間に設けられた絶縁層よりも厚い。さらには、この半導体装置を駆動させるに際して、電界制御電極の電位は、ソース電位以上であってゲート電位より低ければよく、例えば、電界制御電極とソース電位を接続させることでこのような構成を実現することができる。
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半導体装置及び半導体装置の駆動方法
【課題】電流入力型画素において、信号書き込み速度を速め、トランジスタの隣接間ばらつきの影響を低減する半導体装置を提供する。
【解決手段】直列に接続された2つのトランジスタにおいて、設定動作(信号書き込み)の時には、そのうちの1つのトランジスタのソース・ドレイン間の電圧が非常に小さくなり、もう1つのトランジスタに対して、設定動作を行うようになる。そして、出力動作の時には、2つのトランジスタがマルチゲートのトランジスタとして動作するため、出力動作の時の電流値を小さくできる。逆にいうと、設定動作の時の電流を大きくすることが出来る。したがって、配線などに寄生する交差容量や配線抵抗の影響を受けにくくして、すばやく、設定動作が行うことが出来る。また、設定動作と出力動作とで、同一のトランジスタを1つ用いるため、隣接間ばらつきの影響も小さくなる。
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記憶装置、半導体装置
【課題】長い期間においてデータの保持が可能な記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶素子と、上記記憶素子における電荷の供給、保持、放出を制御するためのスイッチング素子として機能するトランジスタとを有する。上記トランジスタは、通常のゲート電極の他に、閾値電圧を制御するための第2のゲート電極が備えられており、また、活性層に酸化物半導体を含むためにオフ電流が極めて低い。上記記憶装置では、絶縁膜に囲まれたフローティングゲートに高電圧で電荷を注入するのではなく、オフ電流の極めて低いトランジスタを介して記憶素子の電荷量を制御することで、データの記憶を行う。
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半導体装置及び半導体装置の駆動方法
【課題】複数の基準電位を要する半導体装置、及び半導体装置の駆動において、より消費電力を軽減する。
【解決手段】電源線に直列に接続された複数の抵抗素子により、電源線に供給された電位を抵抗分割し、電源線と電気的に接続するスイッチトランジスタを介して所望の分割された電位を出力する電位分割回路を有する半導体装置であり、スイッチトランジスタのドレイン端子は出力側の回路に設けられたトランジスタのゲート端子(又は容量素子の一方の端子)と電気的に接続しノードを構成する。
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半導体装置の作製方法
【課題】薄膜トランジスタを作製する際、従来のCVD法により形成される膜よりも高品
質の膜を形成すること、熱酸化法で形成される膜と同等又はそれ以上の品質の膜を基板に
影響を及ぼさない温度で形成することを目的とする。
【解決手段】ガラス基板、所定のパターンに形成された非晶質シリコンを含む半導体膜、
ゲート電極及び該ゲート電極から延びた配線、ゲート絶縁膜となる絶縁膜、保護膜の少な
くとも一つに対し、ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より100℃以上低い温度と
し、低電子温度且つ高電子密度でプラズマ酸化又はプラズマ窒化をおこなう。
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表示装置及びその作製方法
【課題】デジタル階調と時間階調とを組み合わせた駆動方法において、アドレス期間よりも短いサステイン期間を有する場合にも正常に画像(映像)の表示が可能であり、EL駆動用トランジスタが、劣化によりノーマリーオンとなった場合にも、信号線の電位を変えて動作を補償することの出来る画素を提供することを課題とする。
【解決手段】消去用TFT105のソース領域とドレイン領域とは、一方は電流供給線108に接続され、残る一方はゲート信号線106に接続されている。この構造により、EL駆動用TFT102のしきい値のシフトにより、ノーマリーオンとなった場合にも、ゲート信号線106の電位を変えることで、EL駆動用TFT102が確実に非導通状態となるように、EL駆動用TFT102のゲート・ソース間電圧を変えることを可能とする。
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半導体装置の作製方法
【課題】金属元素を用いた結晶化法において、ゲッタリングのために必要な不純物元素の濃度が高く、その後のアニールによる再結晶化の妨げとなり問題となっている。
【解決手段】
本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理およびレーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。そして、半導体膜が形成された基板(半導体膜基板)の上方または下方からレーザ光を照射してゲート電極を加熱し、その熱によってゲート電極の一部と重なる不純物領域を加熱する。このようにして、ゲート電極の一部と重なる不純物領域の結晶性の回復および不純物元素の活性化を行なうことを可能とする。
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配線基板、半導体装置、及びそれらの作製方法
【課題】集積化が進む配線基板、又は半導体装置において、導通不良を軽減する。信頼性の高い配線基板、又は半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】多層配線構造を有する配線基板、又は半導体装置において、該配線に用いる導電層の接続構造に曲面を有する導電層を用いる。周囲の絶縁層の除去によって露出された下層の導電層の先端部は曲面であり、下層の導電層上に積層する上層の導電層の被覆性を良好とすることができる。曲面な表面を有するレジストマスクを用いて導電層をエッチング加工することによって曲面な表面を有する導電層を形成する。
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半導体装置の作製方法
【課題】基板裏面からの二次ビームを原因とする干渉の影響を抑え、被照射物を均一にレーザアニールすることができ、且つスループットが良好である半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜に、少なくとも1つのガルバノミラーとfθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、前記基板の屈折率をn、前記基板の厚さをd(メートル)、真空中の光速をc(メートル/秒)とした場合に、前記レーザビームのパルス幅であるt(秒)を、t<2nd/cという式により算出し、前記レーザビームのパルス幅を前記算出したtの範囲から選択して、前記レーザビームを照射する。
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