配線基板、半導体装置、及びそれらの作製方法
【課題】集積化が進む配線基板、又は半導体装置において、導通不良を軽減する。信頼性の高い配線基板、又は半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】多層配線構造を有する配線基板、又は半導体装置において、該配線に用いる導電層の接続構造に曲面を有する導電層を用いる。周囲の絶縁層の除去によって露出された下層の導電層の先端部は曲面であり、下層の導電層上に積層する上層の導電層の被覆性を良好とすることができる。曲面な表面を有するレジストマスクを用いて導電層をエッチング加工することによって曲面な表面を有する導電層を形成する。
【解決手段】多層配線構造を有する配線基板、又は半導体装置において、該配線に用いる導電層の接続構造に曲面を有する導電層を用いる。周囲の絶縁層の除去によって露出された下層の導電層の先端部は曲面であり、下層の導電層上に積層する上層の導電層の被覆性を良好とすることができる。曲面な表面を有するレジストマスクを用いて導電層をエッチング加工することによって曲面な表面を有する導電層を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
配線基板、半導体装置、及びそれらの作製方法に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
半導体装置における多層配線および配線層間の接続には、金属材料を用い、ＣＭＰ技術により不要な配線材料を除去することで埋め込み配線構造を作製する方法が用いられている。
【０００４】
半導体装置においては、集積度の向上にともない配線やそのコンタクト寸法の微細化が要求されている。よって、高微細化であっても配線間の導通不良が生じないように、良好な配線間の接続構造が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１は、配線の形成領域に生じる凹凸をガスイオンの照射によって平滑化することによって、配線のカバレッジを向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−５４８７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような、集積化が進む配線基板、又は半導体装置において、導通不良を軽減することを目的の一とする。
【０００７】
信頼性の高い配線基板、又は半導体装置を歩留まり良く作製することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
多層配線構造を有する配線基板、又は半導体装置において、該配線に用いる導電層の接続構造に曲面を有する導電層を用いる。曲面な表面を有するレジストマスクを用いて導電層をエッチング加工することによって曲面な表面を有する導電層（表面が曲面である導電層、表面に曲面を有する導電層ともいえる）を形成する。
【０００９】
曲面な表面を有する導電層であると、表面に鋭角な段差を有さない。よって、導電層の断面は錐形の先端が丸いドーム状となっている。下層の導電層を露出させる絶縁層の除去工程の際、周囲の絶縁層の除去によって露出された下層の導電層の先端部は曲面であり、下層の導電層上に積層する上層の導電層の被覆性を良好とすることができる。
【００１０】
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、第１の導電層と、第１の導電層の側面を覆う絶縁層と、絶縁層上に設けられ、かつ第１の導電層の絶縁層から突出する部分と接する第２の導電層とを有し、第１の導電層において絶縁層から突出する部分の表面は曲面である配線基板である。
【００１１】
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、第１のトランジスタのゲート電極層と、ゲート電極層の側面を覆う絶縁層と、絶縁層上に設けられ、かつゲート電極層の絶縁層から突出する部分と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層とを有し、ゲート電極層において絶縁層から突出する部分の表面は曲面である半導体装置である。
【００１２】
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、絶縁表面上に導電膜を形成し、導電膜上に表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、表面に曲面を有するレジストマスクを用いて導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１の導電層を形成し、第１の導電層上に絶縁層を形成し、絶縁層をエッチングして第１の導電層の一部を露出し、絶縁層上に第１の導電層と接する第２の導電層を形成する配線基板の作製方法である。
【００１３】
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、絶縁表面上に導電膜を形成し、導電膜上にテーパーを有するレジストマスクを形成し、テーパーを有するレジストマスクを加熱処理して表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、表面に曲面を有するレジストマスクを用いて導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１の導電層を形成し、第１の導電層上に絶縁層を形成し、絶縁層をエッチングして第１の導電層の一部を露出し、絶縁層上に第１の導電層と接する第２の導電層を形成する配線基板の作製方法である。
【００１４】
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、導電膜を形成し、導電膜上に表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、表面に曲面を有するレジストマスクを用いて導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１のトランジスタのゲート電極層を形成し、ゲート電極層上に絶縁層を形成し、絶縁層をエッチングしてゲート電極層の一部を露出し、絶縁層上にゲート電極層と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法である。
【００１５】
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、導電膜を形成し、導電膜上にテーパーを有するレジストマスクを形成し、テーパーを有するレジストマスクを加熱処理して表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、表面に曲面を有するレジストマスクを用いて導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１のトランジスタのゲート電極層を形成し、ゲート電極層上に絶縁層を形成し、絶縁層をエッチングしてゲート電極層の一部を露出し、絶縁層上にゲート電極層と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法である。
【発明の効果】
【００１６】
導電層同士の積層構造において、上層の導電層が下層の導電層上に被覆性よく形成されることによって、導電層同士の電気的接続を確実に行うことができる。従って、生産時には膜の形状不良による特性不良を軽減することができるため歩留まりが向上し、配線基板、又は半導体装置としても信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】配線基板の一形態を説明する図。
【図２】配線基板の一形態を説明する図。
【図３】半導体装置の一形態を説明する図。
【図４】半導体装置の一形態を説明する図。
【図５】半導体装置の作製方法の一形態を説明する図。
【図６】半導体装置の一形態を説明する図。
【図７】半導体装置の作製方法の一形態を説明する図。
【図８】半導体装置の一形態を説明する図。
【図９】電子機器を示す図。
【図１０】実施例におけるＳＥＭ像及びＳＴＥＭ像を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下では、本明細書に開示する発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本明細書に開示する発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本明細書に開示する発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、第１、第２として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。
【００１９】
（実施の形態１）
本実施の形態では、配線基板、半導体装置、及びそれらの作製方法の一形態を、図１乃至図３を用いて説明する。
【００２０】
図１（Ａ）に、本実施の形態の積層する導電層同士の接続構造を有する配線基板を示す。絶縁層２００上に導電層２０１が設けられており、該導電層２０１の周囲は上部を除いて絶縁層２０３が形成されている。絶縁層２０３上には導電層２０２が絶縁層２０３から突出している導電層２０１と接して形成され、導電層２０１と導電層２０２とが電気的に接続している。
【００２１】
導電層２０１は、曲面な表面を有する導電層である。曲面な表面を有するレジストマスクを用いて導電膜をエッチング加工することによって、表面に鋭角な段差を有さない導電層２０１を形成することができる。
【００２２】
図１（Ａ）の積層する導電層同士の接続構造を有する配線基板の作製方法を図２（Ａ）乃至（Ｅ）に示す。
【００２３】
絶縁層２００上に導電膜２１１を形成し、導電膜２１１上にレジストマスク２１２を形成する（図２（Ａ）参照。）。レジストマスク２１２は、表面が曲面であり、図２（Ａ）に示すように断面ではほぼ半球に近い形状とする。
【００２４】
レジストマスク２１２の形状は、フォトリソグラフィ工程によりテーパーを有するレジストマスクを形成した後、加熱処理を行うことで制御することができる。加熱処理前のレジストマスクのテーパーの角度（導電膜２１１表面とレジストマスクの側面との角度）は９０度未満とすればよい。本実施の形態では７５度のテーパーの角度を有するレジストマスクを形成した後、１８０℃で２時間加熱処理を行う。
【００２５】
表面が曲面のレジストマスク２１２を用いて、導電膜２１１をエッチング加工することによって、曲面を有する導電層２０１を形成する（図２（Ｂ）参照。）。エッチングはドライエッチングを用いる。エッチングガスとしては、塩素を含むガス（塩素系ガス、例えば塩素（Ｃｌ２）、三塩化硼素（ＢＣｌ３）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）など）、または、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えばフッ化炭素（ＣＦ４）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）など）を用いることができる。さらに上記ガスに酸素や希ガス（例えばＡｒなど）を添加したエッチングガスを用いてもよい。
【００２６】
半導体装置の集積化にともない、導電層の線幅はより小さく微細になる。線幅が小さくなると、導電層にテーパーを付与することが難しくなり、導電層の側面は垂直形状になりやすい。側面が垂直形状となると絶縁層から突出する導電層の上方の端部は鋭角化し、上に形成される上層の導電層の被覆性が低下してしまう。
【００２７】
本明細書に開示するように、曲面を有するように形状を制御されたレジストを用いて導電層を形成すると、１μｍ以下の微細な線幅であっても表面に曲面を有する導電層とすることができる。従って、導電層の被覆形状の不良による導通不良は抑制され、高信頼性の配線基板、又は半導体装置を歩留まり良く作製することができる。
【００２８】
導電層２０１を覆うように絶縁層２１３を形成する（図２（Ｃ）参照。）。
【００２９】
次に絶縁層２１３をエッチングし、平坦化された絶縁層２０３を形成し、同時に導電層２０１の上部を突出するように露出させる（図２（Ｄ）参照。）。
【００３０】
絶縁層２１３の平坦化及び導電層２０１の露出を行う絶縁層２１３の部分的な除去方法（エッチング）は、特に限定しないが、化学的機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）法を好適に用いることができる。
【００３１】
例えば、絶縁層２１３として酸化シリコン膜を用いた場合、ＣＭＰ法の処理条件の一例としては、スラリー液と研磨布を用い、圧力０．０１ＭＰａ、スピンドル回転速度（回転数）２０ｒｐｍ、テーブル回転速度（回転数）を２０ｒｐｍとすればよい。
【００３２】
突出した導電層２０１と接して絶縁層２０３上に導電層２０２を形成し、導電層２０１と導電層２０２とを電気的に接続する（図２（Ｅ）参照。）。
【００３３】
本実施の形態の導電層２０１は、曲面な表面を有する導電層であり、表面に鋭角な段差を有さない。よって、導電層２０１の断面は錐形の先端が丸いドーム状となっている。よって、ＣＭＰ処理の際、周囲の絶縁層２１３の除去によって露出された導電層２０１の先端部は曲面であり、導電層２０１上に積層する導電層２０２の被覆性を良好とすることができる。
【００３４】
導電層２０２が導電層２０１上に被覆性よく形成されることによって、導電層２０１と導電層２０２との電気的接続を確実に行うことができる。従って、生産時には膜の形状不良による特性不良を軽減することができるため歩留まりが向上し、半導体装置としても信頼性を高めることができる。
【００３５】
図１（Ｂ）は絶縁層を積層構造とする例であり、絶縁層２０４と絶縁層２０３とが積層している。このように異なる絶縁層を積層する場合、特にエッチング条件の違いから図１（Ｂ）のように絶縁層が過剰にエッチング（所謂オーバーエッチング）される恐れがあるため、突出する導電層２０１の表面が曲面であり、鋭角な段差を有さないことは有益である。
【００３６】
また、図１（Ｂ）では導電層２０２が、絶縁層２０３から突出された導電層２０１の全領域を覆う構造となっている。導電層２０２により導電層２０１が覆われる構造であると、導電層２０１と導電層２０２とが同材料、又はエッチングによる選択比が低い材料同士である場合、導電層２０２のエッチング工程の際に導電層２０１がエッチングされるのを防止することができる。
【００３７】
本明細書に開示する配線基板を用いて半導体装置を提供することができる。図３に図１及び図２に示したような曲面を有する導電層を用いた多層配線構造を含む配線基板を有する半導体装置の例を示す。
【００３８】
図３において、絶縁層３００上に絶縁層３０３ａと、絶縁層３０３ａから上部を突出させた導電層３０１ａ、３０１ｂとが設けられ、導電層３０１ａに接して導電層３０２ａが、導電層３０１ｂに接して導電層３０２ｂがそれぞれ形成されている。
【００３９】
導電層３０２ａ、３０２ｂ上には絶縁層３０３ｂと、導電層３０２ａと接し、かつ絶縁層３０３ｂから上部を突出させた導電層３０１ｃが設けられ、導電層３０１ｃに接して導電層３０２ｃが形成されている。
【００４０】
導電層３０２ｃ上には絶縁層３０３ｃと、導電層３０２ｃと接し、かつ絶縁層３０３ｃから上部を突出させた導電層３０１ｄが設けられ、導電層３０１ｄに接して導電層３０２ｄが形成されている。
【００４１】
積層する導電層間の導通が良好であるため、図３のような多層の導電層による積層構造であっても電気的接続を確実に行うことができる。
【００４２】
導電層２０１、導電層２０２、導電層３０１ａ、３０１ｂ、３０１ｃ、３０１ｄ、導電層３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄの材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。導電層２０１、導電層２０２、導電層３０１ａ、３０１ｂ、３０１ｃ、３０１ｄ、導電層３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄの成膜方法は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法などを用いることができる。
【００４３】
絶縁層２０３、絶縁層２０４、絶縁層３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃは、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層２０３、絶縁層２０４、絶縁層３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃは、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて形成することができる。
【００４４】
また、ポリイミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。有機材料を用いる場合、スピンコート法、印刷法などの湿式法によって絶縁層２０３、絶縁層２０４、絶縁層３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃを形成してもよい。
【００４５】
なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層２０３、絶縁層２０４、絶縁層３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃを形成してもよい。
【００４６】
絶縁層２００、絶縁層３００としては、上記絶縁層２０３、絶縁層２０４、絶縁層３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃと同様な材料及び方法を用いて形成することができる。
【００４７】
また、絶縁層２００として基板を用いてもよい。絶縁層２００として用いることのできる基板としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種のガラス基板や、石英基板、セラミック基板、サファイア基板、プラスチック基板などの絶縁基板が挙げられる。また、単結晶半導体基板（例えば、単結晶シリコン基板）や多結晶半導体基板（例えば、多結晶シリコン基板）を用いることも可能である。
【００４８】
本実施の形態において示す多層配線構造を有する半導体装置において、該導電層の接続構造に曲面を有する導電層を用いることによって、集積度が十分に高められた信頼性の高い半導体装置が実現できる。
【００４９】
（実施の形態２）
実施の形態１で示した導電層の接続構造を含む配線基板を用いて半導体装置を提供することができる。本実施の形態では、実施の形態１で示した導電層の接続構造を含む配線基板を用いた半導体装置の一例として、記憶媒体（メモリ素子）を示す。
【００５０】
実施の形態１で示す導電層の接続構造は、複数のトランジスタを積層する集積回路に好適に用いることができる。本実施の形態では、単結晶半導体基板に作製された第１のトランジスタであるトランジスタ１４０と絶縁層を介してトランジスタ１４０の上方に半導体膜を用いて作製された第２のトランジスタであるトランジスタ１６２を含む半導体装置を作製する。
【００５１】
本明細書に開示する導電層の接続構造を適用できる半導体装置としては積層するトランジスタの半導体材料、及び構造は、同一でもよいし異なっていてもよい。本実施の形態では、記憶媒体（メモリ素子）の回路に好適な材料及び構造のトランジスタをそれぞれ用いる例である。
【００５２】
図４は、半導体装置の構成の一例である。図４（Ａ）には、半導体装置の断面を、図４（Ｂ）には、半導体装置の平面を、それぞれ示す。ここで、図４（Ａ）は、図４（Ｂ）のＣ１−Ｃ２およびＤ１−Ｄ２における断面に相当する。また、図４（Ｃ）には、上記半導体装置をメモリ素子として用いる場合の回路図の一例を示す。図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示される半導体装置は、下部に第１の半導体材料を用いたトランジスタ１４０を有し、上部に第２の半導体材料を用いたトランジスタ１６２を有する。本実施の形態では、第１の半導体材料を酸化物半導体以外の半導体材料とし、第２の半導体材料を酸化物半導体とする。酸化物半導体以外の半導体材料としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、またはガリウムヒ素等を用いることができ、単結晶半導体を用いるのが好ましい。他に、有機半導体材料などを用いてもよい。このような半導体材料を用いたトランジスタは、高速動作が容易である。一方で、酸化物半導体を用いたトランジスタは、その特性により長時間の電荷保持を可能とする。
【００５３】
図４における半導体装置の作製方法を図５（Ａ）乃至（Ｃ）を用いて説明する。
【００５４】
トランジスタ１４０は、半導体材料（例えば、シリコンなど）を含む基板１８５に設けられたチャネル形成領域１１６と、チャネル形成領域１１６を挟むように設けられた不純物領域１２０と、不純物領域１２０に接する金属化合物領域１２４と、チャネル形成領域１１６上に設けられたゲート絶縁層１０８と、ゲート絶縁層１０８上に設けられたゲート電極１１０とを有する。
【００５５】
本実施の形態のゲート電極１１０は、実施の形態１で示したように曲面な表面を有する導電層である。曲面な表面を有するレジストマスクを用いて導電層をエッチング加工することによって、表面に鋭角な段差を有さないゲート電極１１０を形成することができる。
【００５６】
半導体材料を含む基板１８５は、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などを適用することができる。なお、一般に「ＳＯＩ基板」は、絶縁表面上にシリコン半導体層が設けられた構成の基板をいうが、本明細書等においては、絶縁表面上にシリコン以外の材料からなる半導体層が設けられた構成の基板も含む。つまり、「ＳＯＩ基板」が有する半導体層は、シリコン半導体層に限定されない。また、ＳＯＩ基板には、ガラス基板などの絶縁基板上に絶縁層を介して半導体層が設けられた構成のものが含まれるものとする。
【００５７】
基板１８５上にはトランジスタ１４０を囲むように素子分離絶縁層１０６が設けられている。なお、高集積化を実現するためには、図４に示すようにトランジスタ１４０がサイドウォール絶縁層を有しない構成とすることが望ましい。一方で、トランジスタ１４０の特性を重視する場合には、ゲート電極１１０の側面にサイドウォール絶縁層を設け、不純物濃度が異なる領域を含む不純物領域１２０を設けても良い。
【００５８】
単結晶半導体基板を用いたトランジスタ１４０は、高速動作が可能である。このため、当該トランジスタを読み出し用のトランジスタとして用いることで、情報の読み出しを高速に行うことができる。
【００５９】
トランジスタ１４０を形成した後、トランジスタ１４０を覆うように絶縁層１７０及び絶縁層１７１を形成する（図５（Ａ）参照。）。
【００６０】
絶縁層１７０、及び絶縁層１７１は、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１７０、及び絶縁層１７１は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて形成することができる。
【００６１】
また、ポリイミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。有機材料を用いる場合、スピンコート法、印刷法などの湿式法によって絶縁層１７０、及び絶縁層１７１を形成してもよい。
【００６２】
なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層１７０、及び絶縁層１７１を形成してもよい。
【００６３】
本実施の形態では、絶縁層１７０としてスパッタリング法により膜厚５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成し、絶縁層１７１としてスパッタリング法により膜厚５５０ｎｍの酸化シリコン膜を形成する。
【００６４】
次に、トランジスタ１６２および容量素子１６４の形成前の処理として、絶縁層１７０及び絶縁層１７１にＣＭＰ処理を施して、平坦化した絶縁層１２８、絶縁層１３０を形成し、同時にゲート電極１１０の上面を露出させる（図５（Ｂ）参照。）。
【００６５】
ＣＭＰ処理により十分に平坦化した絶縁層１３０上に半導体膜を形成した後、当該半導体膜を選択的にエッチングして半導体層１４４を形成する。本実施の形態では、半導体層１４４として酸化物半導体膜を用い、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する。
【００６６】
その後、酸化物半導体膜に対して、加熱処理（第１の加熱処理）を行うことが望ましい。この第１の加熱処理によって酸化物半導体膜中の、過剰な水素（水や水酸基を含む）を除去し、酸化物半導体膜の構造を整え、エネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができる。第１の加熱処理の温度は、例えば、３００℃以上５５０℃未満、好ましくは４００℃以上５００℃以下とする。
【００６７】
熱処理は、例えば、抵抗発熱体などを用いた電気炉に被処理物を導入し、窒素雰囲気下、４５０℃、１時間の条件で行うことができる。この間、酸化物半導体膜は大気に触れさせず、水や水素の混入が生じないようにする。第１の加熱処理によって不純物を低減し、Ｉ型（真性）またはＩ型に限りなく近い酸化物半導体膜を形成することで、極めて優れた特性のトランジスタを実現することができる。
【００６８】
次に、ゲート電極１１０、絶縁層１２８、絶縁層１３０などの上に導電層を形成し、該導電層を選択的にエッチングして、ソース電極またはドレイン電極１４２ａ、ソース電極またはドレイン電極１４２ｂを形成する。
【００６９】
本実施の形態のゲート電極１１０は、実施の形態１で示したように曲面な表面を有する導電層であり、表面に鋭角な段差を有さない。よって、図４（Ａ）に示すようにゲート電極１１０の断面は錐形の先端が丸いドーム状となっている。よって、ＣＭＰ処理の際、周囲の絶縁層１２８、絶縁層１３０の除去によって露出されたゲート電極１１０の先端部は曲面であり、ゲート電極１１０上に積層するソース電極またはドレイン電極１４２ａの被覆性を良好とすることができる。
【００７０】
ソース電極またはドレイン電極１４２ａがゲート電極１１０上に被覆性よく形成されることによって、ソース電極またはドレイン電極１４２ａとゲート電極１１０との電気的接続を確実に行うことができる。従って、生産時には膜の形状不良による特性不良を軽減することができるため歩留まりが向上し、半導体装置としても信頼性を高めることができる。
【００７１】
導電層は、スパッタ法をはじめとするＰＶＤ法や、プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法を用いて形成することができる。また、導電層の材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素や、上述した元素を成分とする合金等を用いることができる。Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｂｅ、Ｎｄ、Ｓｃのいずれか、またはこれらを複数組み合わせた材料を用いてもよい。
【００７２】
導電層は、単層構造であっても良いし、２層以上の積層構造としてもよい。例えば、チタン膜や窒化チタン膜の単層構造、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜が積層された２層構造、窒化チタン膜上にチタン膜が積層された２層構造、チタン膜とアルミニウム膜とチタン膜とが積層された３層構造などが挙げられる。なお、導電層を、チタン膜や窒化チタン膜の単層構造とする場合には、テーパー形状を有するソース電極またはドレイン電極１４２ａ、およびソース電極またはドレイン電極１４２ｂへの加工が容易であるというメリットがある。
【００７３】
上部のトランジスタ１６２のチャネル長（Ｌ）は、ソース電極またはドレイン電極１４２ａ、およびソース電極またはドレイン電極１４２ｂの下端部の間隔によって決定される。なお、チャネル長（Ｌ）が２５ｎｍ未満のトランジスタを形成する場合に用いるマスク形成の露光を行う際には、数ｎｍ〜数１０ｎｍと波長の短い超紫外線を用いるのが望ましい。
【００７４】
次に、半導体層１４４に接するゲート絶縁層１４６を形成する。ゲート絶縁層１４６は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、酸化ハフニウム層、又は酸化ガリウム層を単層で又は積層して形成することができる。
【００７５】
次に、ゲート絶縁層１４６上において半導体層１４４と重畳する領域にゲート電極１４８ａを形成し、ソース電極またはドレイン電極１４２ａと重畳する領域に電極１４８ｂを形成する。
【００７６】
ゲート絶縁層１４６の形成後には、不活性ガス雰囲気下、または酸素雰囲気下で第２の加熱処理を行うのが望ましい。熱処理の温度は、２００℃以上４５０℃以下、望ましくは２５０℃以上３５０℃以下である。例えば、窒素雰囲気下で２５０℃、１時間の加熱処理を行えばよい。第２の加熱処理を行うことによって、トランジスタの電気的特性のばらつきを軽減することができる。また、ゲート絶縁層１４６が酸素を含む膜として、半導体層１４４に酸素を供給し、該半導体層１４４の酸素欠損を補償して、Ｉ型（真性）またはＩ型に限りなく近い酸化物半導体層を形成することもできる。
【００７７】
なお、第２の加熱処理のタイミングはこれに限定されない。例えば、ゲート電極の形成後に第２の加熱処理を行っても良い。また、第１の加熱処理に続けて第２の加熱処理を行っても良いし、第１の加熱処理に第２の加熱処理を兼ねさせても良いし、第２の加熱処理に第１の加熱処理を兼ねさせても良い。
【００７８】
上述のように、第１の加熱処理と第２の加熱処理の少なくとも一方を適用することで、半導体層１４４を、その主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することができる。
【００７９】
ゲート電極１４８ａおよび電極１４８ｂは、ゲート絶縁層１４６上に導電層を形成した後に、当該導電層を選択的にエッチングすることによって形成することができる。
【００８０】
次に、ゲート絶縁層１４６、ゲート電極１４８ａ、および電極１４８ｂ上に、絶縁層１５０および絶縁層１５２を形成する。絶縁層１５０および絶縁層１５２は、スパッタ法やＣＶＤ法などを用いて形成することができる。また、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム等の無機絶縁材料を含む材料を用いて形成することができる。
【００８１】
次に、ゲート絶縁層１４６、絶縁層１５０、及び絶縁層１５２に、ソース電極またはドレイン電極１４２ｂにまで達する開口を形成する。当該開口の形成は、マスクなどを用いた選択的なエッチングにより行われる。
【００８２】
その後、上記開口にソース電極またはドレイン電極１４２ｂに接する配線１５６を形成する。なお、図５にはソース電極またはドレイン電極１４２ｂと配線１５６との接続箇所は図示していない。
【００８３】
配線１５６は、スパッタ法をはじめとするＰＶＤ法や、プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法を用いて導電層を形成した後、当該導電層をエッチング加工することによって形成される。また、導電層の材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素や、上述した元素を成分とする合金等を用いることができる。Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｂｅ、Ｎｄ、Ｓｃのいずれか、またはこれらを複数組み合わせた材料を用いてもよい。詳細は、ソース電極またはドレイン電極１４２ａなどと同様である。
【００８４】
以上により、高純度化された半導体層１４４を用いたトランジスタ１６２、および容量素子１６４が完成する。容量素子１６４は、ソース電極またはドレイン電極１４２ａ、半導体層１４４、ゲート絶縁層１４６、および電極１４８ｂ、で構成される。
【００８５】
なお、図４の容量素子１６４では、半導体層１４４とゲート絶縁層１４６を積層させることにより、ソース電極またはドレイン電極１４２ａと、電極１４８ｂとの間の絶縁性を十分に確保することができる。もちろん、十分な容量を確保するために、半導体層１４４を有しない構成の容量素子１６４を採用しても良い。また、絶縁層を有する構成の容量素子１６４を採用しても良い。さらに、容量が不要の場合は、容量素子１６４を設けない構成とすることも可能である。
【００８６】
図４（Ｃ）には、上記半導体装置をメモリ素子として用いる場合の回路図の一例を示す。図４（Ｃ）において、トランジスタ１６２のソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子１６４の電極の一方と、トランジスタ１４０のゲート電極と、は電気的に接続されている。また、第１の配線（１ｓｔ Ｌｉｎｅ：ソース線とも呼ぶ）とトランジスタ１４０のソース電極とは、電気的に接続され、第２の配線（２ｎｄ Ｌｉｎｅ：ビット線とも呼ぶ）とトランジスタ１４０のドレイン電極とは、電気的に接続されている。また、第３の配線（３ｒｄ Ｌｉｎｅ：第１の信号線とも呼ぶ）とトランジスタ１６２のソース電極またはドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、第４の配線（４ｔｈ Ｌｉｎｅ：第２の信号線とも呼ぶ）と、トランジスタ１６２のゲート電極とは、電気的に接続されている。そして、第５の配線（５ｔｈ Ｌｉｎｅ：ワード線とも呼ぶ）と、容量素子１６４の電極の他方は電気的に接続されている。
【００８７】
酸化物半導体を用いたトランジスタ１６２は、オフ電流が極めて小さいという特徴を有しているため、トランジスタ１６２をオフ状態とすることで、トランジスタ１６２のソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子１６４の電極の一方と、トランジスタ１４０のゲート電極とが電気的に接続されたノード（以下、ノードＦＧ）の電位を極めて長時間にわたって保持することが可能である。そして、容量素子１６４を有することにより、ノードＦＧに与えられた電荷の保持が容易になり、また、保持された情報の読み出しが容易になる。
【００８８】
半導体装置に情報を記憶させる場合（書き込み）は、まず、第４の配線の電位を、トランジスタ１６２がオン状態となる電位にして、トランジスタ１６２をオン状態とする。これにより、第３の配線の電位が、ノードＦＧに供給され、ノードＦＧに所定量の電荷が蓄積される。ここでは、異なる二つの電位レベルを与える電荷（以下、ロー（Ｌｏｗ）レベル電荷、ハイ（Ｈｉｇｈ）レベル電荷という）のいずれかが与えられるものとする。その後、第４の配線の電位を、トランジスタ１６２がオフ状態となる電位にして、トランジスタ１６２をオフ状態とすることにより、ノードＦＧが浮遊状態となるため、ノードＦＧには所定の電荷が保持されたままの状態となる。以上のように、ノードＦＧに所定量の電荷を蓄積及び保持させることで、メモリセルに情報を記憶させることができる。
【００８９】
トランジスタ１６２のオフ電流は極めて小さいため、ノードＦＧに供給された電荷は長時間にわたって保持される。したがって、リフレッシュ動作が不要となるか、または、リフレッシュ動作の頻度を極めて低くすることが可能となり、消費電力を十分に低減することができる。また、電力の供給がない場合であっても、長期にわたって記憶内容を保持することが可能である。
【００９０】
記憶された情報を読み出す場合（読み出し）は、第１の配線に所定の電位（定電位）を与えた状態で、第５の配線に適切な電位（読み出し電位）を与えると、ノードＦＧに保持された電荷量に応じて、トランジスタ１４０は異なる状態をとる。一般に、トランジスタ１４０をｎチャネル型とすると、ノードＦＧにＨｉｇｈレベル電荷が保持されている場合のトランジスタ１４０の見かけのしきい値Ｖｔｈ＿Ｈは、ノードＦＧにＬｏｗレベル電荷が保持されている場合のトランジスタ１４０の見かけのしきい値Ｖｔｈ＿Ｌより低くなるためである。ここで、見かけのしきい値とは、トランジスタ１４０を「オン状態」とするために必要な第５の配線の電位をいうものとする。したがって、第５の配線の電位をＶｔｈ＿ＨとＶｔｈ＿Ｌの中間の電位Ｖ０とすることにより、ノードＦＧに保持された電荷を判別できる。例えば、書き込みにおいて、Ｈｉｇｈレベル電荷が与えられていた場合には、第５の配線の電位がＶ０（＞Ｖｔｈ＿Ｈ）となれば、トランジスタ１４０は「オン状態」となる。Ｌｏｗレベル電荷が与えられていた場合には、第５の配線の電位がＶ０（＜Ｖｔｈ＿Ｌ）となっても、トランジスタ１４０は「オフ状態」のままである。このため、第５の配線の電位を制御して、トランジスタ１４０のオン状態またはオフ状態を読み出す（第２の配線の電位を読み出す）ことで、記憶された情報を読み出すことができる。
【００９１】
また、記憶させた情報を書き換える場合においては、上記の書き込みによって所定量の電荷を保持したノードＦＧに、新たな電位を供給することで、ノードＦＧに新たな情報に係る電荷を保持させる。具体的には、第４の配線の電位を、トランジスタ１６２がオン状態となる電位にして、トランジスタ１６２をオン状態とする。これにより、第３の配線の電位（新たな情報に係る電位）が、ノードＦＧに供給され、ノードＦＧに所定量の電荷が蓄積される。その後、第４の配線の電位をトランジスタ１６２がオフ状態となる電位にして、トランジスタ１６２をオフ状態とすることにより、ノードＦＧには、新たな情報に係る電荷が保持された状態となる。すなわち、ノードＦＧに第１の書き込みによって所定量の電荷が保持された状態で、第１の書き込みと同様の動作（第２の書き込み）を行うことで、記憶させた情報を上書きすることが可能である。
【００９２】
本実施の形態で示すトランジスタ１６２は、高純度化され、真性化された酸化物半導体層を半導体層１４４に用いることで、トランジスタ１６２のオフ電流を十分に低減することができる。そして、このようなトランジスタを用いることで、極めて長期にわたり記憶内容を保持することが可能な半導体装置が得られる。
【００９３】
また、本実施の形態において示す半導体装置では、トランジスタ１４０とトランジスタ１６２を重畳させ、その接続構造を、曲面を有する導電層を用いて行うことによって、集積度が十分に高められた信頼性の高い半導体装置が実現される。
【００９４】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【００９５】
（実施の形態３）
実施の形態２で適用することのできる半導体基板の他の例を、図６及び図７を用いて示す。本実施の形態では、絶縁層を介して単結晶半導体層が設けられた半導体基板を用いる。
【００９６】
図６に示す半導体装置は、ベース基板１８０上に絶縁層１８３を介してトランジスタ１４０が設けられている。トランジスタ１４０は島状の半導体層１８４を有し、半導体層１８４はゲート電極１１０と重なるチャネル形成領域１８１、該チャネル形成領域１８１を挟むようにソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域１８２を含む。なお、半導体層１８４は独立した島状であるため、実施の形態２の図５の半導体装置の際に設けた素子分離絶縁層１０６は必要ない。図６ではゲート絶縁層１０８はゲート電極１１０の下に選択的に設けられる例であるが、ベース基板１８０全面に覆うように形成されてもよい。
【００９７】
図７（Ａ）乃至（Ｄ）に本実施の形態の半導体装置の作製方法を示す。
【００９８】
まず、単結晶半導体基板１９０を準備する。
【００９９】
単結晶半導体基板１９０としては、単結晶シリコン基板、単結晶ゲルマニウム基板、単結晶シリコンゲルマニウム基板等の第１４族元素でなる単結晶半導体基板、またはガリウムヒ素、インジウムリン等の化合物半導体基板を用いることができる。市販の単結晶シリコン基板としては、直径５インチ（約１２５ｍｍ）、直径６インチ（約１５０ｍｍ）、直径８インチ（約２００ｍｍ）、直径１２インチ（約３００ｍｍ）、直径１６インチ（約４００ｍｍ）サイズの円形のものが代表的であり、いずれのサイズの単結晶シリコン基板も用いることができる。なお、単結晶半導体基板１９０の形状は円形に限られず、矩形状等に加工して用いることも可能である。本実施の形態では、単結晶半導体基板１９０として、単結晶シリコン基板を用いた場合について説明する。
【０１００】
次に、単結晶半導体基板１９０の表面に絶縁層１９３を形成する。（図７（Ａ）参照。）
【０１０１】
絶縁層１９３を形成する前に希フッ酸を用いて単結晶半導体基板を洗浄するとよい。このとき、希フッ酸とオゾン水を交互に吐出して洗浄してもよい。必要に応じて、超音波洗浄や２流体ジェット洗浄を組み合わせることが好ましい。超音波洗浄は、メガヘルツ超音波洗浄（メガソニック洗浄）が好ましい。洗浄により、単結晶半導体基板表面の異物、有機汚染を低減し、絶縁層１９３を均一に形成することが可能となる。
【０１０２】
絶縁層１９３を形成する材料としては、酸化シリコン膜が挙げられる。
【０１０３】
絶縁層１９３の形成方法としては、熱酸化法、ＣＶＤ法、またはスパッタリング法が挙げられる。
【０１０４】
例えば、熱酸化法を用いて絶縁層１９３（本実施の形態では酸化シリコン膜）を形成する場合には、主成分のガスを酸素（Ｏ２）として、ハロゲンを含む酸化性雰囲気中で熱酸化することが好ましい。例えば、塩素（Ｃｌ）を含む酸化性雰囲気中で単結晶半導体基板１９０に熱酸化処理を行うことにより、塩素酸化された絶縁層１９３を形成する。この場合、絶縁層１９３は、塩素原子を含有する絶縁層となる。絶縁層１９３中に含有された塩素原子は、歪みを形成する。その結果、絶縁層１９３の水分に対する吸収割合が向上し、拡散速度が増大する。つまり、絶縁層１９３表面に水分が存在する場合に、当該表面に存在する水分を絶縁層１９３中に素早く吸収し、拡散させることができる。
【０１０５】
熱酸化処理の一例としては、酸素に対し塩化水素（ＨＣｌ）を０．５〜１０体積％（代表的には３体積％）の割合で含む酸化性雰囲気中で、９００℃〜１１５０℃の温度（代表的には１０００℃）で行うことができる。処理時間は０．１〜６時間、好ましくは０．５〜１時間とすればよい。熱酸化処理により形成される酸化膜の膜厚は、１０ｎｍ〜１０００ｎｍ（好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍ）、例えば１００ｎｍとすればよい。
【０１０６】
次に、単結晶半導体基板１９０に水素イオン１９１を照射し、脆化領域１９２を形成する（図７（Ｂ）参照。）。
【０１０７】
水素イオン照射前に、純水を用いて絶縁層１９３の表面を洗浄してもよい。このとき、純水の代わりにオゾン水を用いてもよい。あるいは超音波洗浄、２流体ジェット洗浄を組み合わせてもよい。超音波洗浄は、メガヘルツ超音波洗浄（メガソニック洗浄）が好ましい。ただし、希フッ酸洗浄を行うと、絶縁層１９３表面が疎水性となり、ベース基板との貼り合わせに不良が生じることがある。そのため、希フッ酸洗浄を用いない方が好ましい。洗浄により、絶縁層１９３表面の異物、有機汚染を低減できる。
【０１０８】
水素イオン照射工程は、イオンドーピング装置によるイオンドーピング法でも、イオン注入装置によるイオン注入法でも行うことができる。
【０１０９】
本実施の形態においては、イオンドーピング装置を用いることで、質量分離されていないイオンを単結晶半導体基板１９０に照射する例を示す。イオンドーピング装置の代表的なものは、プロセスガスをプラズマ励起して生成された全てのイオン種をチャンバー内に配置された被処理体に照射する非質量分離型の装置である。本明細書においては、イオンドーピング装置を用いて、ソースガス（原料ガス）から生成されるイオンを質量分離せず対象物に照射する方法を「イオンドーピング法」と呼ぶ。
【０１１０】
イオンドーピング装置の主要な構成は、被処理物を配置するチャンバーと、所望のイオンを発生させるイオン源と、イオンを加速し、照射するための加速機構である。イオン源は、所望のイオン種を生成するためのソースガスを供給するガス供給装置、ソースガスを励起して、プラズマを生成させるための電極等で構成される。プラズマを形成するための電極としては、フィラメント型の電極や容量結合高周波放電用の電極等が用いられる。加速機構は、引出電極、加速電極、減速電極、接地電極等の電極、及びこれらの電極に電力を供給するための電源等で構成される。加速機構を構成する電極には複数の開口やスリットが設けられており、イオン源で生成されたイオンは電極に設けられた開口やスリットを通過して加速される。なお、イオンドーピング装置の構成は上述したものに限定されず、必要に応じた機構が設けられる。
【０１１１】
なお、イオンを照射する装置として用いることのできるイオン注入装置は、プラズマ中のイオン種を質量分離し、ある特定の質量のイオン種を被処理体に照射する装置（質量分離型の装置）であり、この点でイオンドーピング装置とは大きく異なるものである。
【０１１２】
次に、単結晶半導体基板の単結晶半導体層を、ベース基板に転載する方法を説明する。
【０１１３】
まずは、ベース基板１８０を準備する。ベース基板１８０を用いるに際し、ベース基板１８０の表面を予め洗浄しておくことが好ましい。具体的には、ベース基板１８０の表面を、塩酸過水（ＨＰＭ）、硫酸過水（ＳＰＭ）、アンモニア過水（ＡＰＭ）、希フッ酸（ＤＨＦ）等を用いて超音波洗浄を行う。このような洗浄処理を行うことによって、ベース基板１８０表面の平坦化の実現や残存する研磨粒子を除去することができる。
【０１１４】
ベース基板１８０としては、絶縁基板を用いることが好ましい。絶縁基板の具体例としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種のガラス基板や、石英基板、セラミック基板、サファイア基板、プラスチック基板が挙げられる。また、ベース基板１８０として単結晶半導体基板（例えば、単結晶シリコン基板）や多結晶半導体基板（例えば、多結晶シリコン基板）を用いることも可能であるが、量産性やコストの面を考慮すると、大面積化が可能で安価な絶縁基板を用いることが好ましい。本実施の形態では、ベース基板１８０として絶縁基板の一つであるガラス基板を用いる場合について説明する。
【０１１５】
次に、絶縁層１９３を介して単結晶半導体基板１９０とベース基板１８０とを貼り合わせる（図７（Ｃ）参照。）。
【０１１６】
次に、熱処理を行い、脆化領域１９２において単結晶半導体基板１９０を分離することにより、ベース基板１８０上に単結晶半導体層１９４を設ける（図７（Ｄ）参照。）。熱処理を行うことにより、脆化領域１９２に微小な孔が形成され、この微小な孔の中にイオンの照射により添加された元素が析出し、内部の圧力が上昇する。圧力の上昇によって脆化領域１９２の微小な孔に体積変化が起こり、脆化領域１９２に亀裂が生じるため、脆化領域１９２に沿って単結晶半導体基板１９０が分離する。この結果、単結晶半導体基板１９０から分離された単結晶半導体層１９４が、絶縁層１９３を介してベース基板１８０上に形成される。分離後に形成される単結晶半導体層１９４の膜厚は、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすればよく、好ましくは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とする。なお、熱処理を行うための加熱手段としては、抵抗加熱炉等の加熱炉、ＲＴＡ（瞬間熱アニール、Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、マイクロ波加熱装置等を用いることができる。例えば、ＲＴＡ装置を用いる場合、加熱温度５５０℃以上７３０℃以下、処理時間０．５分以上６０分以内で加熱すればよい。
【０１１７】
ベース基板１８０上に絶縁層１８３を介して設けられた単結晶半導体層１９４を島状の形状にエッチング加工し、半導体層１８４を得る。単結晶半導体層１９４のエッチング加工にはフォトリソグラフィ工程を用いればよい。
【０１１８】
半導体層１８４に不純物領域１８２を形成し、トランジスタ１４０を作製することができる。不純物領域１８２は、導電性を付与する不純物元素（ｎ型を付与する不純物元素（リン（Ｐ）など）又はｐ型を付与する不純物元素（ボロン（Ｂ）など））を半導体層１８４に添加して形成すればよい。
【０１１９】
その後の工程は、実施の形態２と同様に行えばよく、図６に示す本実施の形態の半導体装置を作製することができる。
【０１２０】
本実施の形態では、ベース基板を選択することができるため、用途に合わせて透光性の基板などを適宜用いることができる。従って本発明を用いて、より多様な機能を有する半導体装置を提供することができる。
【０１２１】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１２２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本明細書に開示する半導体装置に適用できるトランジスタの例を示す。本明細書に開示する半導体装置に適用できるトランジスタの構造は特に限定されず、例えばトップゲート構造、又はボトムゲート構造のスタガ型及びプレーナ型などを用いることができる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、２つ形成されるダブルゲート構造もしくは３つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された２つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型でもよい。
【０１２３】
本明細書に開示する半導体装置（例えば、実施の形態２及び実施の形態３におけるトランジスタ１６２）に適用できるトランジスタの断面構造の例を図８（Ａ）乃至（Ｄ）に示す。図８（Ａ）乃至（Ｄ）に示すトランジスタは絶縁層４００上に設ける例を示すが、ガラス基板などの基板上に設けられもよい。なお、図８（Ａ）乃至（Ｄ）に示すトランジスタを実施の形態２及び実施の形態３におけるトランジスタ１６２に適用する場合、絶縁層４００は、絶縁層１３０に相当する。
【０１２４】
図８（Ａ）に示すトランジスタ４１０は、ボトムゲート構造の薄膜トランジスタの一つであり、逆スタガ型薄膜トランジスタともいう。
【０１２５】
トランジスタ４１０は、絶縁層４００上に、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁層４０２、半導体層４０３、ソース電極層４０５ａ、及びドレイン電極層４０５ｂを含む。また、トランジスタ４１０を覆い、半導体層４０３に積層する絶縁層４０７が設けられている。絶縁層４０７上にはさらに絶縁層４０９が形成されている。
【０１２６】
図８（Ｂ）に示すトランジスタ４２０は、チャネル保護型（チャネルストップ型ともいう）と呼ばれるボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型薄膜トランジスタともいう。
【０１２７】
トランジスタ４２０は、絶縁層４００上に、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁層４０２、半導体層４０３、半導体層４０３のチャネル形成領域を覆うチャネル保護層として機能する絶縁層４２７、ソース電極層４０５ａ、及びドレイン電極層４０５ｂを含む。また、トランジスタ４２０を覆い、絶縁層４０９が形成されている。
【０１２８】
図８（Ｃ）示すトランジスタ４３０はボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、絶縁層４００上に、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁層４０２、ソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂ、及び半導体層４０３を含む。また、トランジスタ４３０を覆い、半導体層４０３に接する絶縁層４０７が設けられている。絶縁層４０７上にはさらに絶縁層４０９が形成されている。
【０１２９】
トランジスタ４３０においては、ゲート絶縁層４０２は絶縁層４００及びゲート電極層４０１上に接して設けられ、ゲート絶縁層４０２上にソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂが接して設けられている。そして、ゲート絶縁層４０２、及びソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂ上に半導体層４０３が設けられている。
【０１３０】
図８（Ｄ）に示すトランジスタ４４０は、トップゲート構造の薄膜トランジスタの一つである。トランジスタ４４０は、絶縁層４００上に、絶縁層４３７、半導体層４０３、ソース電極層４０５ａ、及びドレイン電極層４０５ｂ、ゲート絶縁層４０２、ゲート電極層４０１を含み、ソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂにそれぞれ配線層４３６ａ、配線層４３６ｂが接して設けられ電気的に接続している。
【０１３１】
ボトムゲート構造のトランジスタ４１０、４２０、４３０を基板上に設ける場合、下地膜となる絶縁膜を基板とゲート電極層の間に設けてもよい。下地膜は、基板からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。
【０１３２】
ゲート電極層４０１の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。
【０１３３】
ゲート絶縁層４０２は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハフニウム層を単層で又は積層して形成することができる。例えば、第１のゲート絶縁層としてプラズマＣＶＤ法により膜厚５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の窒化シリコン層（ＳｉＮｙ（ｙ＞０））を形成し、第１のゲート絶縁層上に第２のゲート絶縁層として膜厚５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の酸化シリコン層（ＳｉＯｘ（ｘ＞０））を積層して、合計膜厚２００ｎｍのゲート絶縁層とする。
【０１３４】
ソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂに用いる導電膜としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗからから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜等を用いることができる。また、Ａｌ、Ｃｕなどの金属層の下側又は上側の一方または双方にＴｉ、Ｍｏ、Ｗなどの高融点金属層を積層させた構成としても良い。また、Ａｌ膜に生ずるヒロックやウィスカーの発生を防止する元素（Ｓｉ、Ｎｄ、Ｓｃなど）が添加されているＡｌ材料を用いることで耐熱性を向上させることが可能となる。
【０１３５】
ソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂに接続する配線層４３６ａ、配線層４３６ｂのような導電膜も、ソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂと同様な材料を用いることができる。
【０１３６】
また、ソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂ（これと同じ層で形成される配線層を含む）となる導電膜としては導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化スズ酸化物（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２、ＩＴＯと略記する）、酸化インジウム酸化亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【０１３７】
絶縁層４０７、４２７、４３７は、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
【０１３８】
絶縁層４０９は、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
【０１３９】
また、絶縁層４０９上にトランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化絶縁膜を形成してもよい。平坦化絶縁膜としては、ポリイミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁膜を形成してもよい。
【０１４０】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１４１】
（実施の形態５）
上記実施の形態２乃至４において、トランジスタの半導体層に用いることのできる例として酸化物半導体を説明する。
【０１４２】
実施の形態４で示した図８（Ａ）乃至（Ｄ）のトランジスタ４１０、４２０、４３０、４４０において、半導体層４０３として酸化物半導体層を用いることができる。
【０１４３】
半導体層４０３に用いる酸化物半導体としては、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体や、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にＳｉＯ２を含んでもよい。ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体とは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）を有する酸化物膜、という意味であり、その組成比はとくに問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の元素を含んでもよい。
【０１４４】
また、酸化物半導体層は、化学式ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばＭとして、Ｇａ、Ｇａ及びＡｌ、Ｇａ及びＭｎ、またはＧａ及びＣｏなどがある。
【０１４５】
また、酸化物半導体としてＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、原子数比で、Ｉｎ／Ｚｎ＝０．５〜５０、好ましくはＩｎ／Ｚｎ＝１〜２０、さらに好ましくはＩｎ／Ｚｎ＝１．５〜１５とする。Ｚｎの原子数比を好ましい前記範囲とすることで、トランジスタの電界効果移動度を向上させることができる。ここで、化合物の原子数比がＩｎ：Ｚｎ：Ｏ＝Ｘ：Ｙ：Ｚのとき、Ｚ＞１．５Ｘ＋Ｙとする。
【０１４６】
半導体層４０３に用いる酸化物半導体としては、インジウムを含む酸化物半導体、インジウム及びガリウムを含む酸化物半導体などを好適に用いることができる。
【０１４７】
また、酸化物半導体を半導体層４０３として用いる場合、該半導体層４０３と接する膜に、金属酸化物膜を用いることが好ましい。酸化物半導体層を挟んで、酸化物半導体層と同種の成分でなる金属酸化物膜を設ける構成は、電気的特性の変動防止に効果的である。酸化物半導体層と同種の成分でなる金属酸化物膜として、具体的には、酸化物半導体層の構成元素から選択される一または複数の金属元素の酸化物を含む膜を用いるのが好ましい。このような材料は酸化物半導体層との相性が良く、酸化物半導体層を挟んで該金属酸化物膜を設けることで、酸化物半導体層との界面の状態を良好に保つことができる。つまり、上述の材料を用いた金属酸化物膜を、酸化物半導体層と接する絶縁膜として設けることで、該金属酸化物膜と酸化物半導体層との界面及びその近傍への水素イオンの蓄積を抑制または防止することができる。
【０１４８】
上記金属酸化膜を好適に用いることのできる半導体層４０３と接する膜とは、図４のトランジスタ１６２においては絶縁層１３０とゲート絶縁層１４６、図８のトランジスタ４１０及びトランジスタ４３０においてはゲート絶縁層４０２と絶縁層４０７、トランジスタ４２０においてはゲート絶縁層４０２と絶縁層４２７、トランジスタ４４０においては絶縁層４３７とゲート絶縁層４０２である。上記ゲート絶縁層４０２、絶縁層４０７、絶縁層４２７、絶縁層４３７は積層構造でもよいが、その場合少なくとも半導体層４０３と接する膜は金属酸化膜とすることが好ましい。
【０１４９】
金属酸化物膜は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどの材料を用いて形成する。また、１３族元素および酸素を含む材料を用いて形成することもできる。１３族元素および酸素を含む材料としては、例えば、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化アルミニウムガリウムおよび酸化ガリウムアルミニウムのいずれか一または複数を含む材料などがある。ここで、酸化アルミニウムガリウムとは、ガリウムの含有量（原子％）よりアルミニウムの含有量（原子％）が多いものを示し、酸化ガリウムアルミニウムとは、ガリウムの含有量（原子％）がアルミニウムの含有量（原子％）以上のものを示す。金属酸化物膜は、上述の材料を用いて、単層構造または積層構造で形成することができる。
【０１５０】
なお、酸化物半導体層に用いられる酸化物半導体材料には、１３族元素を含むものが多い。このため、１３族元素および酸素を含む材料を用いて、酸化物半導体層と接する膜を形成すると、酸化物半導体層との界面の状態を良好に保つことができる。これは、１３族元素および酸素を含む材料と、酸化物半導体材料との相性が良いことによる。
【０１５１】
例えば、ガリウムを含有する酸化物半導体層を形成する場合には、酸化ガリウムを含む材料を酸化物半導体層と接する膜に用いることで、酸化物半導体層と酸化物半導体層と接する膜の界面特性を良好に保つことができる。例えば、酸化物半導体層と酸化ガリウムを含む絶縁膜とを接して設けることにより、酸化物半導体層と該絶縁膜の界面における水素のパイルアップを低減することができる。なお、酸化物半導体の成分元素と同じ族の元素を用いる場合には、同様の効果を得ることが可能である。つまり、酸化アルミニウムなどを含む材料を用いて酸化物半導体層と接する膜を形成することも有効である。なお、酸化アルミニウムは、水を透過させにくいという特性を有しているため、当該材料を用いることは、酸化物半導体層への水の侵入防止という点においても好ましい。
【０１５２】
なお、酸化物半導体層と接する膜に含まれる１３族元素は、二種類以上であっても良い。例えば、上述のガリウムとアルミニウムを含有する酸化アルミニウムガリウム（または酸化ガリウムアルミニウム）などの材料を、酸化物半導体層と接する膜に用いても良い。この場合、ガリウムを含有することに起因する効果と、アルミニウムを含有することに起因する効果を合わせて得ることができるため、好適である。例えば、酸化物半導体層と酸化アルミニウムガリウムを含む絶縁膜とを接して設けることにより、酸化物半導体層への水の侵入を防ぎ、酸化物半導体層と絶縁膜の界面における水素のパイルアップを十分に低減することができる。
【０１５３】
また、酸化物半導体層と接する膜は、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むことが好ましい。これにより、酸化物半導体層に酸素を供給し、酸化物半導体層中、または酸化物半導体層と酸化物半導体層と接する膜の界面における酸素不足欠陥を低減することができる。
【０１５４】
なお、欠陥（酸素欠損）のない酸化物半導体を用いる場合であれば、酸化物半導体層と接する膜には、化学量論的組成に一致した量の酸素が含まれていれば良いが、トランジスタのしきい値電圧の変動を抑えるなどの信頼性を確保するためには、酸化物半導体層に酸素欠損の状態は生じ得ることを考慮して、酸化物半導体層と接する膜の酸素を化学量論的組成より多くしておくことが好ましい。
【０１５５】
酸化物半導体層と接する膜の構成の具体例を、トランジスタ４４０を用いて説明する。トランジスタ４４０において、酸化物半導体層である半導体層４０３と接する膜は、絶縁層４３７とゲート絶縁層４０２である。なお、半導体層４０３としてはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を用いる。
【０１５６】
第１例としては、絶縁層４３７とゲート絶縁層４０２として酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏｘ（ｘ＝３＋α、０＜α＜１））膜を用いる例である。絶縁層４３７とゲート絶縁層４０２とを積層構造として半導体層４０３と接して酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏｘ（ｘ＝３＋α、０＜α＜１））膜を設け、さらにその外側に酸化ガリウム膜に接して酸化ガリウムアルミニウム（ＧａｘＡｌ２−ｘＯ３＋α（０＜ｘ≦２、０＜α＜１））膜を設ける構成としてもよい。
【０１５７】
第２例としては、絶縁層４３７とゲート絶縁層４０２として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏｘ（ｘ＝３＋α、０＜α＜１））膜を用いる例である。絶縁層４３７とゲート絶縁層４０２とのどちらか一方を、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏｘ（ｘ＝３＋α、０＜α＜１））膜としてもよい。
【０１５８】
第３例としては、絶縁層４３７とゲート絶縁層４０２として酸化ガリウムアルミニウム又は酸化アルミニウムガリウム（ＧａｘＡｌ２−ｘＯ３＋α（０＜ｘ＜２、０＜α＜１））膜を用いる例である。絶縁層４３７とゲート絶縁層４０２とを積層構造として半導体層４０３と接して酸化ガリウムアルミニウム（ＧａｘＡｌ２−ｘＯ３＋α（１＜ｘ＜２、０＜α＜１））膜を設け、さらにその外側に酸化アルミニウムガリウム（ＧａｘＡｌ２−ｘＯ３＋α（０＜ｘ＜１、０＜α＜１））膜を設ける構成としてもよい。
【０１５９】
上記構成を用いることによって、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【０１６０】
酸化物半導体層を用いたトランジスタ４１０、４２０、４３０、４４０は、オフ状態における電流値（オフ電流値）を低くすることができる。
【０１６１】
また、半導体層４０３として酸化物半導体層を用いたトランジスタ４１０、４２０、４３０、４４０は、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。
【０１６２】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１６３】
（実施の形態６）
本実施の形態は、トランジスタの半導体層として用いることのできる酸化物半導体層の作製方法の一例を説明する。上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、上記実施の形態と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な説明は省略する。
【０１６４】
本実施の形態の半導体層に用いる酸化物半導体は、ｎ型不純物である水素を酸化物半導体から除去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することによりＩ型（真性）の酸化物半導体、又はＩ型（真性）に限りなく近い酸化物半導体としたものである。すなわち、不純物を添加してＩ型化するのでなく、水素や水等の不純物を極力除去したことにより、高純度化されたＩ型（真性半導体）又はそれに近づけることを特徴としている。そうすることにより、フェルミ準位（Ｅｆ）を真性フェルミ準位（Ｅｉ）と同じレベルにまですることができる。従って、トランジスタが有する酸化物半導体層は、高純度化及び電気的にＩ型（真性）化された酸化物半導体層である。
【０１６５】
また、高純度化された酸化物半導体中にはキャリアが極めて少なく（ゼロに近い）、キャリア濃度は１×１０１４／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１２／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１１／ｃｍ３未満である。
【０１６６】
酸化物半導体中にキャリアが極めて少ないため、トランジスタは、オフ電流を少なくすることができる。オフ電流は少なければ少ないほど好ましい。
【０１６７】
具体的には、上述の酸化物半導体層を具備するトランジスタは、オフ状態における電流値（オフ電流値）を、室温（２５℃）でのオフ状態における電流値（オフ電流値）（ここでは、単位チャネル幅（１μｍ）あたりの値）は１００ｚＡ（１ｚＡ（ゼプトアンペア）は１×１０−２１Ａ）以下、望ましくは１０ｚＡ以下にまで低くすることができる。
【０１６８】
また、上述の酸化物半導体層を具備するトランジスタはオン電流の温度依存性がほとんど見られず、オフ電流も非常に小さいままである。また、光劣化によるトランジスタ特性の変動も少ない。
【０１６９】
また、酸化物半導体膜に水素、水酸基及び水分がなるべく含まれないようにするために、酸化物半導体膜の成膜の前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室で基板を予備加熱し、基板に吸着した水素、水分などの不純物を脱離し排気することが好ましい。なお、予備加熱室に設ける排気手段はクライオポンプが好ましい。なお、この予備加熱の処理は省略することもできる。
【０１７０】
酸化物半導体膜は、膜厚２ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすればよい。
【０１７１】
なお、酸化物半導体膜をスパッタリング法により成膜する前に、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、被形成面の表面に付着している粉状物質（パーティクル、ごみともいう）を除去することが好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板側にＲＦ電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。
【０１７２】
酸化物半導体膜に用いる酸化物半導体は、実施の形態５に示した四元系金属酸化物や、三元系金属酸化物や、二元系金属酸化物や、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系などの酸化物半導体を用いることができる。また、上記酸化物半導体にＳｉＯ２を含んでもよい。本実施の形態では、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する。また、酸化物半導体膜は、希ガス（代表的にはアルゴン）雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲気下においてスパッタリング法により形成することができる。
【０１７３】
酸化物半導体膜をスパッタリング法で作製するためのターゲットとしては、例えば、組成比として、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ比］の酸化物ターゲットを用い、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する。また、このターゲットの材料及び組成に限定されず、例えば、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ比］の酸化物ターゲットを用いてもよい。酸化物ターゲットの充填率は９０％以上１００％以下、好ましくは９５％以上９９．９％以下である。充填率の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜は緻密な膜となる。
【０１７４】
酸化物半導体膜を、成膜する際に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
【０１７５】
減圧状態に保持された成膜室内に基板を保持し、基板温度を１００℃以上６００℃以下好ましくは２００℃以上４００℃以下とする。基板を加熱しながら成膜することにより、成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物濃度を低減することができる。また、スパッタリングによる損傷が軽減される。そして、成膜室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、上記ターゲットを用いて酸化物半導体膜を成膜する。成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプ、例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素原子、水（Ｈ２Ｏ）など水素原子を含む化合物（より好ましくは炭素原子を含む化合物も）等が排気されるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
【０１７６】
成膜条件の一例としては、基板とターゲットの間との距離を１００ｍｍ、圧力０．６Ｐａ、直流（ＤＣ）電源０．５ｋＷ、酸素（酸素流量比率１００％）雰囲気下の条件が適用される。なお、パルス直流電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質（パーティクル、ごみともいう）が軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。
【０１７７】
次いで、酸化物半導体膜をフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。また、島状の酸化物半導体層を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
【０１７８】
なお、ここでの酸化物半導体膜のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよく、両方を用いてもよい。例えば、酸化物半導体膜のウェットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液などを用いることができる。また、ＩＴＯ−０７Ｎ（関東化学社製）を用いてもよい。
【０１７９】
次いで、酸化物半導体層に脱水化または脱水素化のための加熱処理を行う。脱水化または脱水素化のための加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下、または４００℃以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下４５０℃において１時間の加熱処理を行った後、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぐため大気に触れないように保持して酸化物半導体層を得る。
【０１８０】
なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いてもよい。例えば、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する装置である。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温のガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。
【０１８１】
例えば、脱水化または脱水素化のための加熱処理として、６５０℃〜７００℃の高温に加熱した不活性ガス中に基板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中から出すＧＲＴＡを行ってもよい。
【０１８２】
なお、脱水化または脱水素化のための加熱処理においては、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、６Ｎ（９９．９９９９％）以上好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上（即ち不純物濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。
【０１８３】
また、脱水化または脱水素化のための加熱処理で酸化物半導体層を加熱した後、同じ炉に高純度の酸素ガス、高純度のＮ２Ｏガス、又は超乾燥エア（露点が−４０℃以下、好ましくは−６０℃以下）を導入してもよい。酸素ガスまたはＮ２Ｏガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する酸素ガスまたはＮ２Ｏガスの純度を、６Ｎ以上好ましくは７Ｎ以上（即ち、酸素ガスまたはＮ２Ｏガス中の不純物濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。酸素ガス又はＮ２Ｏガスの作用により、脱水化または脱水素化処理による不純物の排除工程によって同時に減少してしまった酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することによって、酸化物半導体層を高純度化及び電気的にＩ型（真性）化する。
【０１８４】
また、酸化物半導体層の脱水化または脱水素化のための加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物半導体膜に行うこともできる。その場合には、脱水化または脱水素化のための加熱処理後に、加熱装置から基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
【０１８５】
なお、図４に示すトランジスタ１６２の様なトップゲート型トランジスタの場合、脱水化または脱水素化のための加熱処理は、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成した後に行ってもよい。
【０１８６】
また、酸化物半導体層を２回に分けて成膜し、２回に分けて加熱処理を行うことで、下地部材の材料が、酸化物、窒化物、金属など材料を問わず、膜厚の厚い結晶領域（単結晶領域）、即ち、膜表面に垂直にｃ軸配向した結晶領域を有する酸化物半導体層を形成してもよい。例えば、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下の第１の酸化物半導体膜を成膜し、窒素、酸素、希ガス、または乾燥空気の雰囲気下で４５０℃以上８５０℃以下、好ましくは５５０℃以上７５０℃以下の第１の加熱処理を行い、表面を含む領域に結晶領域（板状結晶を含む）を有する第１の酸化物半導体膜を形成する。そして、第１の酸化物半導体膜よりも厚い第２の酸化物半導体膜を形成し、４５０℃以上８５０℃以下、好ましくは６００℃以上７００℃以下の第２の加熱処理を行い、第１の酸化物半導体膜を結晶成長の種として、上方に結晶成長させ、第２の酸化物半導体膜の全体を結晶化させ、結果として膜厚の厚い結晶領域を有する酸化物半導体層を形成してもよい。
【０１８７】
次いで、Ｎ２Ｏ、Ｎ２、またはＡｒなどのガスを用いたプラズマ処理を行い、露出している酸化物半導体層の表面に付着した吸着水などを除去してもよい。プラズマ処理を行った場合、大気に触れることなく、酸化物半導体層に接する酸素を含む絶縁層を形成する。
【０１８８】
酸化物半導体層に接する絶縁層は、実施の形態５で示したような金属酸化物膜を用いることが好ましい。
【０１８９】
酸化物半導体層に接する絶縁層はできるだけ水素を含まない膜になるように、成膜方法に水素を用いないことが重要である。よって、絶縁層を、成膜する際に用いる成膜ガスは水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
【０１９０】
酸化物半導体層に接して絶縁層を形成した後に、酸化物半導体層と絶縁層とが接した状態で、加熱処理を行う。該加熱処理は、不活性ガス雰囲気下、または酸素ガス雰囲気下で加熱処理（好ましくは２００℃以上４００℃以下、例えば２５０℃以上３５０℃以下）を行うことができる。例えば、窒素雰囲気下で２５０℃、１時間の加熱処理を行う。
【０１９１】
以上の工程を経ることによって、酸化物半導体膜に対して加熱処理を行って水素、水分、水酸基又は水素化物（水素化合物ともいう）などの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料の一つである酸素を供給することができる。よって、酸化物半導体層は高純度化及び電気的にＩ型（真性）化する。
【０１９２】
このように、本実施の形態を用いて作製した、高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることにより、オフ状態における電流値（オフ電流値）をより低くすることができる。
【０１９３】
また、高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタは、高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。
【０１９４】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１９５】
（実施の形態７）
上記実施の形態２乃至４において、トランジスタの半導体層に用いることのできる他の材料の例を説明する。
【０１９６】
半導体素子が有する半導体層を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いた気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質（アモルファス、以下「ＡＳ」ともいう。）半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶半導体などを用いることができる。半導体層はスパッタリング法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等により成膜することができる。
【０１９７】
微結晶半導体膜は、周波数が数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの高周波プラズマＣＶＤ法、または周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置により形成することができる。代表的には、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４などの水素化珪素を水素で希釈して形成することができる。また、水素化珪素及び水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して微結晶半導体膜を形成することができる。これらのときの水素化珪素に対して水素の流量比を５倍以上２００倍以下、好ましくは５０倍以上１５０倍以下、更に好ましくは１００倍とする。
【０１９８】
アモルファス半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）には、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シリコンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結晶半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。
【０１９９】
半導体層に、結晶性半導体膜を用いる場合、その結晶性半導体膜の作製方法は、種々の方法（レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた熱結晶化法等）を用いれば良い。また、ＳＡＳである微結晶半導体をレーザ照射して結晶化し、結晶性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質珪素膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下５００℃で１時間加熱することによって非晶質珪素膜の含有水素濃度を１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にまで放出させる。これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると非晶質珪素膜が破壊されてしまうからである。
【０２００】
非晶質半導体層への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質半導体膜の表面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、プラズマ処理法（プラズマＣＶＤ法も含む）、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体膜の表面の濡れ性を改善し、非晶質半導体膜の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのＵＶ光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を成膜することが望ましい。
【０２０１】
また、非晶質半導体膜を結晶化し、結晶性半導体膜を形成する結晶化工程で、非晶質半導体膜に結晶化を促進する元素（触媒元素、金属元素とも示す）を添加し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）により結晶化を行ってもよい。結晶化を助長（促進）する元素としては、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）及び金（Ａｕ）から選ばれた一種又は複数種類を用いることができる。
【０２０２】
結晶化を助長する元素を結晶性半導体膜から除去、又は軽減するため、結晶性半導体膜に接して、不純物元素を含む半導体膜を形成し、ゲッタリングシンクとして機能させる。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素、ｐ型を付与する不純物元素や希ガス元素などを用いることができ、例えばリン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、ボロン（Ｂ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、Ｋｒ（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン）から選ばれた一種または複数種を用いることができる。結晶化を促進する元素を含む結晶性半導体膜に、希ガス元素を含む半導体膜を形成し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）を行う。結晶性半導体膜中に含まれる結晶化を促進する元素は、希ガス元素を含む半導体膜中に移動し、結晶性半導体膜中の結晶化を促進する元素は除去、又は軽減される。その後、ゲッタリングシンクとなった希ガス元素を含む半導体膜を除去する。
【０２０３】
非晶質半導体膜の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく、熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。
【０２０４】
また、結晶性半導体膜を、直接基板にプラズマ法により形成しても良い。また、プラズマ法を用いて、結晶性半導体膜を選択的に基板に形成してもよい。
【０２０５】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０２０６】
（実施の形態８）
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０２０７】
本実施の形態では、上記実施の形態のいずれか一で得られる電気的特性が良好で、信頼性の高いトランジスタを搭載した電子機器の例について図９を用いて説明する。
【０２０８】
図９（Ａ）は、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体３００１、筐体３００２、表示部３００３、キーボード３００４などによって構成されている。なお、ノート型のパーソナルコンピュータは、上記実施の形態で示す導電層の接続構造を用いることで、良好な品質を有し、信頼性の高いノート型のパーソナルコンピュータが実現される。
【０２０９】
図９（Ｂ）は、携帯情報端末（ＰＤＡ）であり、本体３０２１には表示部３０２３と、外部インターフェイス３０２５と、操作ボタン３０２４等が設けられている。また操作用の付属品としてスタイラス３０２２がある。なお、携帯情報端末（ＰＤＡ）は、上記実施の形態で示す導電層の接続構造を用いることで、良好な品質を有し、信頼性の高い携帯情報端末（ＰＤＡ）が実現される。
【０２１０】
図９（Ｃ）は、本発明に係る半導体装置の一例である電子ペーパーを一部品として実装して作製した電子書籍である。図９（Ｃ）は、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍２７００は、筐体２７０１および筐体２７０３の２つの筐体で構成されている。筐体２７０１および筐体２７０３は、軸部２７１１により一体とされており、該軸部２７１１を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
【０２１１】
筐体２７０１には表示部２７０５が組み込まれ、筐体２７０３には表示部２７０７が組み込まれている。表示部２７０５および表示部２７０７は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部（図９（Ｃ）では表示部２７０５）に文章を表示し、左側の表示部（図９（Ｃ）では表示部２７０７）に画像を表示することができる。
【０２１２】
また、図９（Ｃ）では、筐体２７０１に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体２７０１において、電源２７２１、操作キー２７２３、スピーカー２７２５などを備えている。操作キー２７２３により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子、またはＡＣアダプタおよびＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍２７００は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。
【０２１３】
また、電子書籍２７００は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。
【０２１４】
図９（Ｄ）は、携帯電話であり、筐体２８００及び筐体２８０１の二つの筐体で構成されている。筐体２８０１には、表示パネル２８０２、スピーカー２８０３、マイクロフォン２８０４、ポインティングデバイス２８０６、カメラ用レンズ２８０７、外部接続端子２８０８などを備えている。また、筐体２８０１には、携帯型情報端末の充電を行う太陽電池セル２８１０、外部メモリスロット２８１１などを備えている。また、アンテナは筐体２８０１内部に内蔵されている。なお、携帯電話は、上記実施の形態で示す導電層の接続構造を用いることで高信頼性を付与することができる。
【０２１５】
また、表示パネル２８０２はタッチパネルを備えており、図９（Ｄ）には映像表示されている複数の操作キー２８０５を点線で示している。なお、太陽電池セル２８１０で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
【０２１６】
表示パネル２８０２は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル２８０２と同一面上にカメラ用レンズ２８０７を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー２８０３及びマイクロフォン２８０４は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体２８００と筐体２８０１は、スライドし、図９（Ｄ）のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。
【０２１７】
外部接続端子２８０８はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット２８１１に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。記録媒体として、実施の形態２又は実施の形態３に示す半導体装置を用いることができる。実施の形態２又は実施の形態３によれば、長期にわたり記憶内容を保持することが可能な高信頼性の半導体装置が得られる。
【０２１８】
また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。
【０２１９】
図９（Ｅ）は、デジタルカメラであり、本体３０５１、表示部（Ａ）３０５７、接眼部３０５３、操作スイッチ３０５４、表示部（Ｂ）３０５５、バッテリー３０５６などによって構成されている。なお、デジタルカメラは、上記実施の形態で示す導電層の接続構造を用いることで、良好な品質を有し、信頼性の高いデジタルカメラが実現される。
【０２２０】
以上のように、本実施の形態に示す電子機器には、先の実施の形態に係る半導体装置が搭載されている。このため、良好な品質を有する電子機器が実現される。
【実施例１】
【０２２１】
本実施例では、発明の一形態である半導体装置において用いることのできる導電層を作製し、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ；Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）による観察と、走査透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）による観察を行った。図１０（Ａ）にＳＥＭ像（倍率６万倍）と図１０（Ｂ）にＳＴＥＭ像（１０万倍）を示す。
【０２２２】
図１０（Ｂ）は本実施例の導電層であり、図１０（Ａ）は図１０（Ｂ）の導電層を形成する際に用いたレジストマスクである。
【０２２３】
レジストマスクはテーパー形状を有する形状に形成した後、１８０℃で２時間加熱処理することによって、図１０（Ａ）に示すような表面が曲面の、断面ＳＴＥＭ像ではほぼ半球のレジストマスクとすることができた。なお、レジスト材料は、ＴＳＭＲ−８９００ＭＤ２（東京応化工業株式会社製）を用いた。
【０２２４】
図１０（Ａ）に示すような表面が曲面のレジストマスクを用いて、窒化タンタル膜及びタングステン膜の積層構造からなる導電層をエッチング加工することによって、図１０（Ｂ）に示すような曲面を有する導電層を形成することができた。
【０２２５】
本実施例では、導電層を、スパッタリング法を用いた窒化タンタル膜（膜厚３０ｎｍ）とタングステン膜（膜厚３７０ｎｍ）の積層で形成し、第１のエッチング工程と第２のエッチング工程の２工程でエッチング工程を行った。第１のエッチング工程としては、エッチングガスとして四フッ化炭素（ＣＦ４）、塩素（Ｃｌ２）、及び酸素（Ｏ２）（ＣＦ４：Ｃｌ２：Ｏ２＝６０ｓｃｃｍ：５０ｓｃｃｍ：４５ｓｃｃｍ）を用い、電源電力３０００Ｗ、バイアス電力１００Ｗ、圧力０．６７Ｐａ、基板温度−１０℃、で行った。第２のエッチング工程としては、エッチングガスとして塩素（Ｃｌ２）（Ｃｌ２＝１００ｓｃｃｍ）を用い、電源電力２０００Ｗ、バイアス電力５０Ｗ、圧力０．６７Ｐａ、基板温度−１０℃で行った。
【０２２６】
図１０（Ｂ）の導電層は図１０（Ａ）のレジストマスクの形状を反映し、表面に鋭角な凹凸や段差を有さない曲面を有する導電層である。
【０２２７】
本実施例の図１０（Ｂ）のような導電層であると、先端部は曲面なので積層する他の導電層の被覆性を良好とすることができる。
【０２２８】
上層の導電層が下層の導電層上に被覆性よく形成されることによって、導電層同士の電気的接続を確実に行うことができる。従って、生産時には膜の形状不良による特性不良を軽減することができるため歩留まりが向上し、半導体装置としても信頼性を高めることができる。
【技術分野】
【０００１】
配線基板、半導体装置、及びそれらの作製方法に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
半導体装置における多層配線および配線層間の接続には、金属材料を用い、ＣＭＰ技術により不要な配線材料を除去することで埋め込み配線構造を作製する方法が用いられている。
【０００４】
半導体装置においては、集積度の向上にともない配線やそのコンタクト寸法の微細化が要求されている。よって、高微細化であっても配線間の導通不良が生じないように、良好な配線間の接続構造が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１は、配線の形成領域に生じる凹凸をガスイオンの照射によって平滑化することによって、配線のカバレッジを向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−５４８７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような、集積化が進む配線基板、又は半導体装置において、導通不良を軽減することを目的の一とする。
【０００７】
信頼性の高い配線基板、又は半導体装置を歩留まり良く作製することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
多層配線構造を有する配線基板、又は半導体装置において、該配線に用いる導電層の接続構造に曲面を有する導電層を用いる。曲面な表面を有するレジストマスクを用いて導電層をエッチング加工することによって曲面な表面を有する導電層（表面が曲面である導電層、表面に曲面を有する導電層ともいえる）を形成する。
【０００９】
曲面な表面を有する導電層であると、表面に鋭角な段差を有さない。よって、導電層の断面は錐形の先端が丸いドーム状となっている。下層の導電層を露出させる絶縁層の除去工程の際、周囲の絶縁層の除去によって露出された下層の導電層の先端部は曲面であり、下層の導電層上に積層する上層の導電層の被覆性を良好とすることができる。
【００１０】
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、第１の導電層と、第１の導電層の側面を覆う絶縁層と、絶縁層上に設けられ、かつ第１の導電層の絶縁層から突出する部分と接する第２の導電層とを有し、第１の導電層において絶縁層から突出する部分の表面は曲面である配線基板である。
【００１１】
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、第１のトランジスタのゲート電極層と、ゲート電極層の側面を覆う絶縁層と、絶縁層上に設けられ、かつゲート電極層の絶縁層から突出する部分と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層とを有し、ゲート電極層において絶縁層から突出する部分の表面は曲面である半導体装置である。
【００１２】
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、絶縁表面上に導電膜を形成し、導電膜上に表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、表面に曲面を有するレジストマスクを用いて導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１の導電層を形成し、第１の導電層上に絶縁層を形成し、絶縁層をエッチングして第１の導電層の一部を露出し、絶縁層上に第１の導電層と接する第２の導電層を形成する配線基板の作製方法である。
【００１３】
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、絶縁表面上に導電膜を形成し、導電膜上にテーパーを有するレジストマスクを形成し、テーパーを有するレジストマスクを加熱処理して表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、表面に曲面を有するレジストマスクを用いて導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１の導電層を形成し、第１の導電層上に絶縁層を形成し、絶縁層をエッチングして第１の導電層の一部を露出し、絶縁層上に第１の導電層と接する第２の導電層を形成する配線基板の作製方法である。
【００１４】
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、導電膜を形成し、導電膜上に表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、表面に曲面を有するレジストマスクを用いて導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１のトランジスタのゲート電極層を形成し、ゲート電極層上に絶縁層を形成し、絶縁層をエッチングしてゲート電極層の一部を露出し、絶縁層上にゲート電極層と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法である。
【００１５】
本明細書で開示する発明の構成の一形態は、導電膜を形成し、導電膜上にテーパーを有するレジストマスクを形成し、テーパーを有するレジストマスクを加熱処理して表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、表面に曲面を有するレジストマスクを用いて導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１のトランジスタのゲート電極層を形成し、ゲート電極層上に絶縁層を形成し、絶縁層をエッチングしてゲート電極層の一部を露出し、絶縁層上にゲート電極層と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法である。
【発明の効果】
【００１６】
導電層同士の積層構造において、上層の導電層が下層の導電層上に被覆性よく形成されることによって、導電層同士の電気的接続を確実に行うことができる。従って、生産時には膜の形状不良による特性不良を軽減することができるため歩留まりが向上し、配線基板、又は半導体装置としても信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】配線基板の一形態を説明する図。
【図２】配線基板の一形態を説明する図。
【図３】半導体装置の一形態を説明する図。
【図４】半導体装置の一形態を説明する図。
【図５】半導体装置の作製方法の一形態を説明する図。
【図６】半導体装置の一形態を説明する図。
【図７】半導体装置の作製方法の一形態を説明する図。
【図８】半導体装置の一形態を説明する図。
【図９】電子機器を示す図。
【図１０】実施例におけるＳＥＭ像及びＳＴＥＭ像を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下では、本明細書に開示する発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本明細書に開示する発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本明細書に開示する発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、第１、第２として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。
【００１９】
（実施の形態１）
本実施の形態では、配線基板、半導体装置、及びそれらの作製方法の一形態を、図１乃至図３を用いて説明する。
【００２０】
図１（Ａ）に、本実施の形態の積層する導電層同士の接続構造を有する配線基板を示す。絶縁層２００上に導電層２０１が設けられており、該導電層２０１の周囲は上部を除いて絶縁層２０３が形成されている。絶縁層２０３上には導電層２０２が絶縁層２０３から突出している導電層２０１と接して形成され、導電層２０１と導電層２０２とが電気的に接続している。
【００２１】
導電層２０１は、曲面な表面を有する導電層である。曲面な表面を有するレジストマスクを用いて導電膜をエッチング加工することによって、表面に鋭角な段差を有さない導電層２０１を形成することができる。
【００２２】
図１（Ａ）の積層する導電層同士の接続構造を有する配線基板の作製方法を図２（Ａ）乃至（Ｅ）に示す。
【００２３】
絶縁層２００上に導電膜２１１を形成し、導電膜２１１上にレジストマスク２１２を形成する（図２（Ａ）参照。）。レジストマスク２１２は、表面が曲面であり、図２（Ａ）に示すように断面ではほぼ半球に近い形状とする。
【００２４】
レジストマスク２１２の形状は、フォトリソグラフィ工程によりテーパーを有するレジストマスクを形成した後、加熱処理を行うことで制御することができる。加熱処理前のレジストマスクのテーパーの角度（導電膜２１１表面とレジストマスクの側面との角度）は９０度未満とすればよい。本実施の形態では７５度のテーパーの角度を有するレジストマスクを形成した後、１８０℃で２時間加熱処理を行う。
【００２５】
表面が曲面のレジストマスク２１２を用いて、導電膜２１１をエッチング加工することによって、曲面を有する導電層２０１を形成する（図２（Ｂ）参照。）。エッチングはドライエッチングを用いる。エッチングガスとしては、塩素を含むガス（塩素系ガス、例えば塩素（Ｃｌ２）、三塩化硼素（ＢＣｌ３）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）など）、または、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えばフッ化炭素（ＣＦ４）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）など）を用いることができる。さらに上記ガスに酸素や希ガス（例えばＡｒなど）を添加したエッチングガスを用いてもよい。
【００２６】
半導体装置の集積化にともない、導電層の線幅はより小さく微細になる。線幅が小さくなると、導電層にテーパーを付与することが難しくなり、導電層の側面は垂直形状になりやすい。側面が垂直形状となると絶縁層から突出する導電層の上方の端部は鋭角化し、上に形成される上層の導電層の被覆性が低下してしまう。
【００２７】
本明細書に開示するように、曲面を有するように形状を制御されたレジストを用いて導電層を形成すると、１μｍ以下の微細な線幅であっても表面に曲面を有する導電層とすることができる。従って、導電層の被覆形状の不良による導通不良は抑制され、高信頼性の配線基板、又は半導体装置を歩留まり良く作製することができる。
【００２８】
導電層２０１を覆うように絶縁層２１３を形成する（図２（Ｃ）参照。）。
【００２９】
次に絶縁層２１３をエッチングし、平坦化された絶縁層２０３を形成し、同時に導電層２０１の上部を突出するように露出させる（図２（Ｄ）参照。）。
【００３０】
絶縁層２１３の平坦化及び導電層２０１の露出を行う絶縁層２１３の部分的な除去方法（エッチング）は、特に限定しないが、化学的機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）法を好適に用いることができる。
【００３１】
例えば、絶縁層２１３として酸化シリコン膜を用いた場合、ＣＭＰ法の処理条件の一例としては、スラリー液と研磨布を用い、圧力０．０１ＭＰａ、スピンドル回転速度（回転数）２０ｒｐｍ、テーブル回転速度（回転数）を２０ｒｐｍとすればよい。
【００３２】
突出した導電層２０１と接して絶縁層２０３上に導電層２０２を形成し、導電層２０１と導電層２０２とを電気的に接続する（図２（Ｅ）参照。）。
【００３３】
本実施の形態の導電層２０１は、曲面な表面を有する導電層であり、表面に鋭角な段差を有さない。よって、導電層２０１の断面は錐形の先端が丸いドーム状となっている。よって、ＣＭＰ処理の際、周囲の絶縁層２１３の除去によって露出された導電層２０１の先端部は曲面であり、導電層２０１上に積層する導電層２０２の被覆性を良好とすることができる。
【００３４】
導電層２０２が導電層２０１上に被覆性よく形成されることによって、導電層２０１と導電層２０２との電気的接続を確実に行うことができる。従って、生産時には膜の形状不良による特性不良を軽減することができるため歩留まりが向上し、半導体装置としても信頼性を高めることができる。
【００３５】
図１（Ｂ）は絶縁層を積層構造とする例であり、絶縁層２０４と絶縁層２０３とが積層している。このように異なる絶縁層を積層する場合、特にエッチング条件の違いから図１（Ｂ）のように絶縁層が過剰にエッチング（所謂オーバーエッチング）される恐れがあるため、突出する導電層２０１の表面が曲面であり、鋭角な段差を有さないことは有益である。
【００３６】
また、図１（Ｂ）では導電層２０２が、絶縁層２０３から突出された導電層２０１の全領域を覆う構造となっている。導電層２０２により導電層２０１が覆われる構造であると、導電層２０１と導電層２０２とが同材料、又はエッチングによる選択比が低い材料同士である場合、導電層２０２のエッチング工程の際に導電層２０１がエッチングされるのを防止することができる。
【００３７】
本明細書に開示する配線基板を用いて半導体装置を提供することができる。図３に図１及び図２に示したような曲面を有する導電層を用いた多層配線構造を含む配線基板を有する半導体装置の例を示す。
【００３８】
図３において、絶縁層３００上に絶縁層３０３ａと、絶縁層３０３ａから上部を突出させた導電層３０１ａ、３０１ｂとが設けられ、導電層３０１ａに接して導電層３０２ａが、導電層３０１ｂに接して導電層３０２ｂがそれぞれ形成されている。
【００３９】
導電層３０２ａ、３０２ｂ上には絶縁層３０３ｂと、導電層３０２ａと接し、かつ絶縁層３０３ｂから上部を突出させた導電層３０１ｃが設けられ、導電層３０１ｃに接して導電層３０２ｃが形成されている。
【００４０】
導電層３０２ｃ上には絶縁層３０３ｃと、導電層３０２ｃと接し、かつ絶縁層３０３ｃから上部を突出させた導電層３０１ｄが設けられ、導電層３０１ｄに接して導電層３０２ｄが形成されている。
【００４１】
積層する導電層間の導通が良好であるため、図３のような多層の導電層による積層構造であっても電気的接続を確実に行うことができる。
【００４２】
導電層２０１、導電層２０２、導電層３０１ａ、３０１ｂ、３０１ｃ、３０１ｄ、導電層３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄの材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。導電層２０１、導電層２０２、導電層３０１ａ、３０１ｂ、３０１ｃ、３０１ｄ、導電層３０２ａ、３０２ｂ、３０２ｃ、３０２ｄの成膜方法は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法などを用いることができる。
【００４３】
絶縁層２０３、絶縁層２０４、絶縁層３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃは、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層２０３、絶縁層２０４、絶縁層３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃは、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて形成することができる。
【００４４】
また、ポリイミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。有機材料を用いる場合、スピンコート法、印刷法などの湿式法によって絶縁層２０３、絶縁層２０４、絶縁層３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃを形成してもよい。
【００４５】
なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層２０３、絶縁層２０４、絶縁層３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃを形成してもよい。
【００４６】
絶縁層２００、絶縁層３００としては、上記絶縁層２０３、絶縁層２０４、絶縁層３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃと同様な材料及び方法を用いて形成することができる。
【００４７】
また、絶縁層２００として基板を用いてもよい。絶縁層２００として用いることのできる基板としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種のガラス基板や、石英基板、セラミック基板、サファイア基板、プラスチック基板などの絶縁基板が挙げられる。また、単結晶半導体基板（例えば、単結晶シリコン基板）や多結晶半導体基板（例えば、多結晶シリコン基板）を用いることも可能である。
【００４８】
本実施の形態において示す多層配線構造を有する半導体装置において、該導電層の接続構造に曲面を有する導電層を用いることによって、集積度が十分に高められた信頼性の高い半導体装置が実現できる。
【００４９】
（実施の形態２）
実施の形態１で示した導電層の接続構造を含む配線基板を用いて半導体装置を提供することができる。本実施の形態では、実施の形態１で示した導電層の接続構造を含む配線基板を用いた半導体装置の一例として、記憶媒体（メモリ素子）を示す。
【００５０】
実施の形態１で示す導電層の接続構造は、複数のトランジスタを積層する集積回路に好適に用いることができる。本実施の形態では、単結晶半導体基板に作製された第１のトランジスタであるトランジスタ１４０と絶縁層を介してトランジスタ１４０の上方に半導体膜を用いて作製された第２のトランジスタであるトランジスタ１６２を含む半導体装置を作製する。
【００５１】
本明細書に開示する導電層の接続構造を適用できる半導体装置としては積層するトランジスタの半導体材料、及び構造は、同一でもよいし異なっていてもよい。本実施の形態では、記憶媒体（メモリ素子）の回路に好適な材料及び構造のトランジスタをそれぞれ用いる例である。
【００５２】
図４は、半導体装置の構成の一例である。図４（Ａ）には、半導体装置の断面を、図４（Ｂ）には、半導体装置の平面を、それぞれ示す。ここで、図４（Ａ）は、図４（Ｂ）のＣ１−Ｃ２およびＤ１−Ｄ２における断面に相当する。また、図４（Ｃ）には、上記半導体装置をメモリ素子として用いる場合の回路図の一例を示す。図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示される半導体装置は、下部に第１の半導体材料を用いたトランジスタ１４０を有し、上部に第２の半導体材料を用いたトランジスタ１６２を有する。本実施の形態では、第１の半導体材料を酸化物半導体以外の半導体材料とし、第２の半導体材料を酸化物半導体とする。酸化物半導体以外の半導体材料としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、またはガリウムヒ素等を用いることができ、単結晶半導体を用いるのが好ましい。他に、有機半導体材料などを用いてもよい。このような半導体材料を用いたトランジスタは、高速動作が容易である。一方で、酸化物半導体を用いたトランジスタは、その特性により長時間の電荷保持を可能とする。
【００５３】
図４における半導体装置の作製方法を図５（Ａ）乃至（Ｃ）を用いて説明する。
【００５４】
トランジスタ１４０は、半導体材料（例えば、シリコンなど）を含む基板１８５に設けられたチャネル形成領域１１６と、チャネル形成領域１１６を挟むように設けられた不純物領域１２０と、不純物領域１２０に接する金属化合物領域１２４と、チャネル形成領域１１６上に設けられたゲート絶縁層１０８と、ゲート絶縁層１０８上に設けられたゲート電極１１０とを有する。
【００５５】
本実施の形態のゲート電極１１０は、実施の形態１で示したように曲面な表面を有する導電層である。曲面な表面を有するレジストマスクを用いて導電層をエッチング加工することによって、表面に鋭角な段差を有さないゲート電極１１０を形成することができる。
【００５６】
半導体材料を含む基板１８５は、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などを適用することができる。なお、一般に「ＳＯＩ基板」は、絶縁表面上にシリコン半導体層が設けられた構成の基板をいうが、本明細書等においては、絶縁表面上にシリコン以外の材料からなる半導体層が設けられた構成の基板も含む。つまり、「ＳＯＩ基板」が有する半導体層は、シリコン半導体層に限定されない。また、ＳＯＩ基板には、ガラス基板などの絶縁基板上に絶縁層を介して半導体層が設けられた構成のものが含まれるものとする。
【００５７】
基板１８５上にはトランジスタ１４０を囲むように素子分離絶縁層１０６が設けられている。なお、高集積化を実現するためには、図４に示すようにトランジスタ１４０がサイドウォール絶縁層を有しない構成とすることが望ましい。一方で、トランジスタ１４０の特性を重視する場合には、ゲート電極１１０の側面にサイドウォール絶縁層を設け、不純物濃度が異なる領域を含む不純物領域１２０を設けても良い。
【００５８】
単結晶半導体基板を用いたトランジスタ１４０は、高速動作が可能である。このため、当該トランジスタを読み出し用のトランジスタとして用いることで、情報の読み出しを高速に行うことができる。
【００５９】
トランジスタ１４０を形成した後、トランジスタ１４０を覆うように絶縁層１７０及び絶縁層１７１を形成する（図５（Ａ）参照。）。
【００６０】
絶縁層１７０、及び絶縁層１７１は、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１７０、及び絶縁層１７１は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて形成することができる。
【００６１】
また、ポリイミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。有機材料を用いる場合、スピンコート法、印刷法などの湿式法によって絶縁層１７０、及び絶縁層１７１を形成してもよい。
【００６２】
なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層１７０、及び絶縁層１７１を形成してもよい。
【００６３】
本実施の形態では、絶縁層１７０としてスパッタリング法により膜厚５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成し、絶縁層１７１としてスパッタリング法により膜厚５５０ｎｍの酸化シリコン膜を形成する。
【００６４】
次に、トランジスタ１６２および容量素子１６４の形成前の処理として、絶縁層１７０及び絶縁層１７１にＣＭＰ処理を施して、平坦化した絶縁層１２８、絶縁層１３０を形成し、同時にゲート電極１１０の上面を露出させる（図５（Ｂ）参照。）。
【００６５】
ＣＭＰ処理により十分に平坦化した絶縁層１３０上に半導体膜を形成した後、当該半導体膜を選択的にエッチングして半導体層１４４を形成する。本実施の形態では、半導体層１４４として酸化物半導体膜を用い、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する。
【００６６】
その後、酸化物半導体膜に対して、加熱処理（第１の加熱処理）を行うことが望ましい。この第１の加熱処理によって酸化物半導体膜中の、過剰な水素（水や水酸基を含む）を除去し、酸化物半導体膜の構造を整え、エネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができる。第１の加熱処理の温度は、例えば、３００℃以上５５０℃未満、好ましくは４００℃以上５００℃以下とする。
【００６７】
熱処理は、例えば、抵抗発熱体などを用いた電気炉に被処理物を導入し、窒素雰囲気下、４５０℃、１時間の条件で行うことができる。この間、酸化物半導体膜は大気に触れさせず、水や水素の混入が生じないようにする。第１の加熱処理によって不純物を低減し、Ｉ型（真性）またはＩ型に限りなく近い酸化物半導体膜を形成することで、極めて優れた特性のトランジスタを実現することができる。
【００６８】
次に、ゲート電極１１０、絶縁層１２８、絶縁層１３０などの上に導電層を形成し、該導電層を選択的にエッチングして、ソース電極またはドレイン電極１４２ａ、ソース電極またはドレイン電極１４２ｂを形成する。
【００６９】
本実施の形態のゲート電極１１０は、実施の形態１で示したように曲面な表面を有する導電層であり、表面に鋭角な段差を有さない。よって、図４（Ａ）に示すようにゲート電極１１０の断面は錐形の先端が丸いドーム状となっている。よって、ＣＭＰ処理の際、周囲の絶縁層１２８、絶縁層１３０の除去によって露出されたゲート電極１１０の先端部は曲面であり、ゲート電極１１０上に積層するソース電極またはドレイン電極１４２ａの被覆性を良好とすることができる。
【００７０】
ソース電極またはドレイン電極１４２ａがゲート電極１１０上に被覆性よく形成されることによって、ソース電極またはドレイン電極１４２ａとゲート電極１１０との電気的接続を確実に行うことができる。従って、生産時には膜の形状不良による特性不良を軽減することができるため歩留まりが向上し、半導体装置としても信頼性を高めることができる。
【００７１】
導電層は、スパッタ法をはじめとするＰＶＤ法や、プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法を用いて形成することができる。また、導電層の材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素や、上述した元素を成分とする合金等を用いることができる。Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｂｅ、Ｎｄ、Ｓｃのいずれか、またはこれらを複数組み合わせた材料を用いてもよい。
【００７２】
導電層は、単層構造であっても良いし、２層以上の積層構造としてもよい。例えば、チタン膜や窒化チタン膜の単層構造、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜が積層された２層構造、窒化チタン膜上にチタン膜が積層された２層構造、チタン膜とアルミニウム膜とチタン膜とが積層された３層構造などが挙げられる。なお、導電層を、チタン膜や窒化チタン膜の単層構造とする場合には、テーパー形状を有するソース電極またはドレイン電極１４２ａ、およびソース電極またはドレイン電極１４２ｂへの加工が容易であるというメリットがある。
【００７３】
上部のトランジスタ１６２のチャネル長（Ｌ）は、ソース電極またはドレイン電極１４２ａ、およびソース電極またはドレイン電極１４２ｂの下端部の間隔によって決定される。なお、チャネル長（Ｌ）が２５ｎｍ未満のトランジスタを形成する場合に用いるマスク形成の露光を行う際には、数ｎｍ〜数１０ｎｍと波長の短い超紫外線を用いるのが望ましい。
【００７４】
次に、半導体層１４４に接するゲート絶縁層１４６を形成する。ゲート絶縁層１４６は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、酸化ハフニウム層、又は酸化ガリウム層を単層で又は積層して形成することができる。
【００７５】
次に、ゲート絶縁層１４６上において半導体層１４４と重畳する領域にゲート電極１４８ａを形成し、ソース電極またはドレイン電極１４２ａと重畳する領域に電極１４８ｂを形成する。
【００７６】
ゲート絶縁層１４６の形成後には、不活性ガス雰囲気下、または酸素雰囲気下で第２の加熱処理を行うのが望ましい。熱処理の温度は、２００℃以上４５０℃以下、望ましくは２５０℃以上３５０℃以下である。例えば、窒素雰囲気下で２５０℃、１時間の加熱処理を行えばよい。第２の加熱処理を行うことによって、トランジスタの電気的特性のばらつきを軽減することができる。また、ゲート絶縁層１４６が酸素を含む膜として、半導体層１４４に酸素を供給し、該半導体層１４４の酸素欠損を補償して、Ｉ型（真性）またはＩ型に限りなく近い酸化物半導体層を形成することもできる。
【００７７】
なお、第２の加熱処理のタイミングはこれに限定されない。例えば、ゲート電極の形成後に第２の加熱処理を行っても良い。また、第１の加熱処理に続けて第２の加熱処理を行っても良いし、第１の加熱処理に第２の加熱処理を兼ねさせても良いし、第２の加熱処理に第１の加熱処理を兼ねさせても良い。
【００７８】
上述のように、第１の加熱処理と第２の加熱処理の少なくとも一方を適用することで、半導体層１４４を、その主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することができる。
【００７９】
ゲート電極１４８ａおよび電極１４８ｂは、ゲート絶縁層１４６上に導電層を形成した後に、当該導電層を選択的にエッチングすることによって形成することができる。
【００８０】
次に、ゲート絶縁層１４６、ゲート電極１４８ａ、および電極１４８ｂ上に、絶縁層１５０および絶縁層１５２を形成する。絶縁層１５０および絶縁層１５２は、スパッタ法やＣＶＤ法などを用いて形成することができる。また、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム等の無機絶縁材料を含む材料を用いて形成することができる。
【００８１】
次に、ゲート絶縁層１４６、絶縁層１５０、及び絶縁層１５２に、ソース電極またはドレイン電極１４２ｂにまで達する開口を形成する。当該開口の形成は、マスクなどを用いた選択的なエッチングにより行われる。
【００８２】
その後、上記開口にソース電極またはドレイン電極１４２ｂに接する配線１５６を形成する。なお、図５にはソース電極またはドレイン電極１４２ｂと配線１５６との接続箇所は図示していない。
【００８３】
配線１５６は、スパッタ法をはじめとするＰＶＤ法や、プラズマＣＶＤ法などのＣＶＤ法を用いて導電層を形成した後、当該導電層をエッチング加工することによって形成される。また、導電層の材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素や、上述した元素を成分とする合金等を用いることができる。Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｂｅ、Ｎｄ、Ｓｃのいずれか、またはこれらを複数組み合わせた材料を用いてもよい。詳細は、ソース電極またはドレイン電極１４２ａなどと同様である。
【００８４】
以上により、高純度化された半導体層１４４を用いたトランジスタ１６２、および容量素子１６４が完成する。容量素子１６４は、ソース電極またはドレイン電極１４２ａ、半導体層１４４、ゲート絶縁層１４６、および電極１４８ｂ、で構成される。
【００８５】
なお、図４の容量素子１６４では、半導体層１４４とゲート絶縁層１４６を積層させることにより、ソース電極またはドレイン電極１４２ａと、電極１４８ｂとの間の絶縁性を十分に確保することができる。もちろん、十分な容量を確保するために、半導体層１４４を有しない構成の容量素子１６４を採用しても良い。また、絶縁層を有する構成の容量素子１６４を採用しても良い。さらに、容量が不要の場合は、容量素子１６４を設けない構成とすることも可能である。
【００８６】
図４（Ｃ）には、上記半導体装置をメモリ素子として用いる場合の回路図の一例を示す。図４（Ｃ）において、トランジスタ１６２のソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子１６４の電極の一方と、トランジスタ１４０のゲート電極と、は電気的に接続されている。また、第１の配線（１ｓｔ Ｌｉｎｅ：ソース線とも呼ぶ）とトランジスタ１４０のソース電極とは、電気的に接続され、第２の配線（２ｎｄ Ｌｉｎｅ：ビット線とも呼ぶ）とトランジスタ１４０のドレイン電極とは、電気的に接続されている。また、第３の配線（３ｒｄ Ｌｉｎｅ：第１の信号線とも呼ぶ）とトランジスタ１６２のソース電極またはドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、第４の配線（４ｔｈ Ｌｉｎｅ：第２の信号線とも呼ぶ）と、トランジスタ１６２のゲート電極とは、電気的に接続されている。そして、第５の配線（５ｔｈ Ｌｉｎｅ：ワード線とも呼ぶ）と、容量素子１６４の電極の他方は電気的に接続されている。
【００８７】
酸化物半導体を用いたトランジスタ１６２は、オフ電流が極めて小さいという特徴を有しているため、トランジスタ１６２をオフ状態とすることで、トランジスタ１６２のソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子１６４の電極の一方と、トランジスタ１４０のゲート電極とが電気的に接続されたノード（以下、ノードＦＧ）の電位を極めて長時間にわたって保持することが可能である。そして、容量素子１６４を有することにより、ノードＦＧに与えられた電荷の保持が容易になり、また、保持された情報の読み出しが容易になる。
【００８８】
半導体装置に情報を記憶させる場合（書き込み）は、まず、第４の配線の電位を、トランジスタ１６２がオン状態となる電位にして、トランジスタ１６２をオン状態とする。これにより、第３の配線の電位が、ノードＦＧに供給され、ノードＦＧに所定量の電荷が蓄積される。ここでは、異なる二つの電位レベルを与える電荷（以下、ロー（Ｌｏｗ）レベル電荷、ハイ（Ｈｉｇｈ）レベル電荷という）のいずれかが与えられるものとする。その後、第４の配線の電位を、トランジスタ１６２がオフ状態となる電位にして、トランジスタ１６２をオフ状態とすることにより、ノードＦＧが浮遊状態となるため、ノードＦＧには所定の電荷が保持されたままの状態となる。以上のように、ノードＦＧに所定量の電荷を蓄積及び保持させることで、メモリセルに情報を記憶させることができる。
【００８９】
トランジスタ１６２のオフ電流は極めて小さいため、ノードＦＧに供給された電荷は長時間にわたって保持される。したがって、リフレッシュ動作が不要となるか、または、リフレッシュ動作の頻度を極めて低くすることが可能となり、消費電力を十分に低減することができる。また、電力の供給がない場合であっても、長期にわたって記憶内容を保持することが可能である。
【００９０】
記憶された情報を読み出す場合（読み出し）は、第１の配線に所定の電位（定電位）を与えた状態で、第５の配線に適切な電位（読み出し電位）を与えると、ノードＦＧに保持された電荷量に応じて、トランジスタ１４０は異なる状態をとる。一般に、トランジスタ１４０をｎチャネル型とすると、ノードＦＧにＨｉｇｈレベル電荷が保持されている場合のトランジスタ１４０の見かけのしきい値Ｖｔｈ＿Ｈは、ノードＦＧにＬｏｗレベル電荷が保持されている場合のトランジスタ１４０の見かけのしきい値Ｖｔｈ＿Ｌより低くなるためである。ここで、見かけのしきい値とは、トランジスタ１４０を「オン状態」とするために必要な第５の配線の電位をいうものとする。したがって、第５の配線の電位をＶｔｈ＿ＨとＶｔｈ＿Ｌの中間の電位Ｖ０とすることにより、ノードＦＧに保持された電荷を判別できる。例えば、書き込みにおいて、Ｈｉｇｈレベル電荷が与えられていた場合には、第５の配線の電位がＶ０（＞Ｖｔｈ＿Ｈ）となれば、トランジスタ１４０は「オン状態」となる。Ｌｏｗレベル電荷が与えられていた場合には、第５の配線の電位がＶ０（＜Ｖｔｈ＿Ｌ）となっても、トランジスタ１４０は「オフ状態」のままである。このため、第５の配線の電位を制御して、トランジスタ１４０のオン状態またはオフ状態を読み出す（第２の配線の電位を読み出す）ことで、記憶された情報を読み出すことができる。
【００９１】
また、記憶させた情報を書き換える場合においては、上記の書き込みによって所定量の電荷を保持したノードＦＧに、新たな電位を供給することで、ノードＦＧに新たな情報に係る電荷を保持させる。具体的には、第４の配線の電位を、トランジスタ１６２がオン状態となる電位にして、トランジスタ１６２をオン状態とする。これにより、第３の配線の電位（新たな情報に係る電位）が、ノードＦＧに供給され、ノードＦＧに所定量の電荷が蓄積される。その後、第４の配線の電位をトランジスタ１６２がオフ状態となる電位にして、トランジスタ１６２をオフ状態とすることにより、ノードＦＧには、新たな情報に係る電荷が保持された状態となる。すなわち、ノードＦＧに第１の書き込みによって所定量の電荷が保持された状態で、第１の書き込みと同様の動作（第２の書き込み）を行うことで、記憶させた情報を上書きすることが可能である。
【００９２】
本実施の形態で示すトランジスタ１６２は、高純度化され、真性化された酸化物半導体層を半導体層１４４に用いることで、トランジスタ１６２のオフ電流を十分に低減することができる。そして、このようなトランジスタを用いることで、極めて長期にわたり記憶内容を保持することが可能な半導体装置が得られる。
【００９３】
また、本実施の形態において示す半導体装置では、トランジスタ１４０とトランジスタ１６２を重畳させ、その接続構造を、曲面を有する導電層を用いて行うことによって、集積度が十分に高められた信頼性の高い半導体装置が実現される。
【００９４】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【００９５】
（実施の形態３）
実施の形態２で適用することのできる半導体基板の他の例を、図６及び図７を用いて示す。本実施の形態では、絶縁層を介して単結晶半導体層が設けられた半導体基板を用いる。
【００９６】
図６に示す半導体装置は、ベース基板１８０上に絶縁層１８３を介してトランジスタ１４０が設けられている。トランジスタ１４０は島状の半導体層１８４を有し、半導体層１８４はゲート電極１１０と重なるチャネル形成領域１８１、該チャネル形成領域１８１を挟むようにソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域１８２を含む。なお、半導体層１８４は独立した島状であるため、実施の形態２の図５の半導体装置の際に設けた素子分離絶縁層１０６は必要ない。図６ではゲート絶縁層１０８はゲート電極１１０の下に選択的に設けられる例であるが、ベース基板１８０全面に覆うように形成されてもよい。
【００９７】
図７（Ａ）乃至（Ｄ）に本実施の形態の半導体装置の作製方法を示す。
【００９８】
まず、単結晶半導体基板１９０を準備する。
【００９９】
単結晶半導体基板１９０としては、単結晶シリコン基板、単結晶ゲルマニウム基板、単結晶シリコンゲルマニウム基板等の第１４族元素でなる単結晶半導体基板、またはガリウムヒ素、インジウムリン等の化合物半導体基板を用いることができる。市販の単結晶シリコン基板としては、直径５インチ（約１２５ｍｍ）、直径６インチ（約１５０ｍｍ）、直径８インチ（約２００ｍｍ）、直径１２インチ（約３００ｍｍ）、直径１６インチ（約４００ｍｍ）サイズの円形のものが代表的であり、いずれのサイズの単結晶シリコン基板も用いることができる。なお、単結晶半導体基板１９０の形状は円形に限られず、矩形状等に加工して用いることも可能である。本実施の形態では、単結晶半導体基板１９０として、単結晶シリコン基板を用いた場合について説明する。
【０１００】
次に、単結晶半導体基板１９０の表面に絶縁層１９３を形成する。（図７（Ａ）参照。）
【０１０１】
絶縁層１９３を形成する前に希フッ酸を用いて単結晶半導体基板を洗浄するとよい。このとき、希フッ酸とオゾン水を交互に吐出して洗浄してもよい。必要に応じて、超音波洗浄や２流体ジェット洗浄を組み合わせることが好ましい。超音波洗浄は、メガヘルツ超音波洗浄（メガソニック洗浄）が好ましい。洗浄により、単結晶半導体基板表面の異物、有機汚染を低減し、絶縁層１９３を均一に形成することが可能となる。
【０１０２】
絶縁層１９３を形成する材料としては、酸化シリコン膜が挙げられる。
【０１０３】
絶縁層１９３の形成方法としては、熱酸化法、ＣＶＤ法、またはスパッタリング法が挙げられる。
【０１０４】
例えば、熱酸化法を用いて絶縁層１９３（本実施の形態では酸化シリコン膜）を形成する場合には、主成分のガスを酸素（Ｏ２）として、ハロゲンを含む酸化性雰囲気中で熱酸化することが好ましい。例えば、塩素（Ｃｌ）を含む酸化性雰囲気中で単結晶半導体基板１９０に熱酸化処理を行うことにより、塩素酸化された絶縁層１９３を形成する。この場合、絶縁層１９３は、塩素原子を含有する絶縁層となる。絶縁層１９３中に含有された塩素原子は、歪みを形成する。その結果、絶縁層１９３の水分に対する吸収割合が向上し、拡散速度が増大する。つまり、絶縁層１９３表面に水分が存在する場合に、当該表面に存在する水分を絶縁層１９３中に素早く吸収し、拡散させることができる。
【０１０５】
熱酸化処理の一例としては、酸素に対し塩化水素（ＨＣｌ）を０．５〜１０体積％（代表的には３体積％）の割合で含む酸化性雰囲気中で、９００℃〜１１５０℃の温度（代表的には１０００℃）で行うことができる。処理時間は０．１〜６時間、好ましくは０．５〜１時間とすればよい。熱酸化処理により形成される酸化膜の膜厚は、１０ｎｍ〜１０００ｎｍ（好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍ）、例えば１００ｎｍとすればよい。
【０１０６】
次に、単結晶半導体基板１９０に水素イオン１９１を照射し、脆化領域１９２を形成する（図７（Ｂ）参照。）。
【０１０７】
水素イオン照射前に、純水を用いて絶縁層１９３の表面を洗浄してもよい。このとき、純水の代わりにオゾン水を用いてもよい。あるいは超音波洗浄、２流体ジェット洗浄を組み合わせてもよい。超音波洗浄は、メガヘルツ超音波洗浄（メガソニック洗浄）が好ましい。ただし、希フッ酸洗浄を行うと、絶縁層１９３表面が疎水性となり、ベース基板との貼り合わせに不良が生じることがある。そのため、希フッ酸洗浄を用いない方が好ましい。洗浄により、絶縁層１９３表面の異物、有機汚染を低減できる。
【０１０８】
水素イオン照射工程は、イオンドーピング装置によるイオンドーピング法でも、イオン注入装置によるイオン注入法でも行うことができる。
【０１０９】
本実施の形態においては、イオンドーピング装置を用いることで、質量分離されていないイオンを単結晶半導体基板１９０に照射する例を示す。イオンドーピング装置の代表的なものは、プロセスガスをプラズマ励起して生成された全てのイオン種をチャンバー内に配置された被処理体に照射する非質量分離型の装置である。本明細書においては、イオンドーピング装置を用いて、ソースガス（原料ガス）から生成されるイオンを質量分離せず対象物に照射する方法を「イオンドーピング法」と呼ぶ。
【０１１０】
イオンドーピング装置の主要な構成は、被処理物を配置するチャンバーと、所望のイオンを発生させるイオン源と、イオンを加速し、照射するための加速機構である。イオン源は、所望のイオン種を生成するためのソースガスを供給するガス供給装置、ソースガスを励起して、プラズマを生成させるための電極等で構成される。プラズマを形成するための電極としては、フィラメント型の電極や容量結合高周波放電用の電極等が用いられる。加速機構は、引出電極、加速電極、減速電極、接地電極等の電極、及びこれらの電極に電力を供給するための電源等で構成される。加速機構を構成する電極には複数の開口やスリットが設けられており、イオン源で生成されたイオンは電極に設けられた開口やスリットを通過して加速される。なお、イオンドーピング装置の構成は上述したものに限定されず、必要に応じた機構が設けられる。
【０１１１】
なお、イオンを照射する装置として用いることのできるイオン注入装置は、プラズマ中のイオン種を質量分離し、ある特定の質量のイオン種を被処理体に照射する装置（質量分離型の装置）であり、この点でイオンドーピング装置とは大きく異なるものである。
【０１１２】
次に、単結晶半導体基板の単結晶半導体層を、ベース基板に転載する方法を説明する。
【０１１３】
まずは、ベース基板１８０を準備する。ベース基板１８０を用いるに際し、ベース基板１８０の表面を予め洗浄しておくことが好ましい。具体的には、ベース基板１８０の表面を、塩酸過水（ＨＰＭ）、硫酸過水（ＳＰＭ）、アンモニア過水（ＡＰＭ）、希フッ酸（ＤＨＦ）等を用いて超音波洗浄を行う。このような洗浄処理を行うことによって、ベース基板１８０表面の平坦化の実現や残存する研磨粒子を除去することができる。
【０１１４】
ベース基板１８０としては、絶縁基板を用いることが好ましい。絶縁基板の具体例としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種のガラス基板や、石英基板、セラミック基板、サファイア基板、プラスチック基板が挙げられる。また、ベース基板１８０として単結晶半導体基板（例えば、単結晶シリコン基板）や多結晶半導体基板（例えば、多結晶シリコン基板）を用いることも可能であるが、量産性やコストの面を考慮すると、大面積化が可能で安価な絶縁基板を用いることが好ましい。本実施の形態では、ベース基板１８０として絶縁基板の一つであるガラス基板を用いる場合について説明する。
【０１１５】
次に、絶縁層１９３を介して単結晶半導体基板１９０とベース基板１８０とを貼り合わせる（図７（Ｃ）参照。）。
【０１１６】
次に、熱処理を行い、脆化領域１９２において単結晶半導体基板１９０を分離することにより、ベース基板１８０上に単結晶半導体層１９４を設ける（図７（Ｄ）参照。）。熱処理を行うことにより、脆化領域１９２に微小な孔が形成され、この微小な孔の中にイオンの照射により添加された元素が析出し、内部の圧力が上昇する。圧力の上昇によって脆化領域１９２の微小な孔に体積変化が起こり、脆化領域１９２に亀裂が生じるため、脆化領域１９２に沿って単結晶半導体基板１９０が分離する。この結果、単結晶半導体基板１９０から分離された単結晶半導体層１９４が、絶縁層１９３を介してベース基板１８０上に形成される。分離後に形成される単結晶半導体層１９４の膜厚は、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすればよく、好ましくは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とする。なお、熱処理を行うための加熱手段としては、抵抗加熱炉等の加熱炉、ＲＴＡ（瞬間熱アニール、Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、マイクロ波加熱装置等を用いることができる。例えば、ＲＴＡ装置を用いる場合、加熱温度５５０℃以上７３０℃以下、処理時間０．５分以上６０分以内で加熱すればよい。
【０１１７】
ベース基板１８０上に絶縁層１８３を介して設けられた単結晶半導体層１９４を島状の形状にエッチング加工し、半導体層１８４を得る。単結晶半導体層１９４のエッチング加工にはフォトリソグラフィ工程を用いればよい。
【０１１８】
半導体層１８４に不純物領域１８２を形成し、トランジスタ１４０を作製することができる。不純物領域１８２は、導電性を付与する不純物元素（ｎ型を付与する不純物元素（リン（Ｐ）など）又はｐ型を付与する不純物元素（ボロン（Ｂ）など））を半導体層１８４に添加して形成すればよい。
【０１１９】
その後の工程は、実施の形態２と同様に行えばよく、図６に示す本実施の形態の半導体装置を作製することができる。
【０１２０】
本実施の形態では、ベース基板を選択することができるため、用途に合わせて透光性の基板などを適宜用いることができる。従って本発明を用いて、より多様な機能を有する半導体装置を提供することができる。
【０１２１】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１２２】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本明細書に開示する半導体装置に適用できるトランジスタの例を示す。本明細書に開示する半導体装置に適用できるトランジスタの構造は特に限定されず、例えばトップゲート構造、又はボトムゲート構造のスタガ型及びプレーナ型などを用いることができる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、２つ形成されるダブルゲート構造もしくは３つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された２つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型でもよい。
【０１２３】
本明細書に開示する半導体装置（例えば、実施の形態２及び実施の形態３におけるトランジスタ１６２）に適用できるトランジスタの断面構造の例を図８（Ａ）乃至（Ｄ）に示す。図８（Ａ）乃至（Ｄ）に示すトランジスタは絶縁層４００上に設ける例を示すが、ガラス基板などの基板上に設けられもよい。なお、図８（Ａ）乃至（Ｄ）に示すトランジスタを実施の形態２及び実施の形態３におけるトランジスタ１６２に適用する場合、絶縁層４００は、絶縁層１３０に相当する。
【０１２４】
図８（Ａ）に示すトランジスタ４１０は、ボトムゲート構造の薄膜トランジスタの一つであり、逆スタガ型薄膜トランジスタともいう。
【０１２５】
トランジスタ４１０は、絶縁層４００上に、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁層４０２、半導体層４０３、ソース電極層４０５ａ、及びドレイン電極層４０５ｂを含む。また、トランジスタ４１０を覆い、半導体層４０３に積層する絶縁層４０７が設けられている。絶縁層４０７上にはさらに絶縁層４０９が形成されている。
【０１２６】
図８（Ｂ）に示すトランジスタ４２０は、チャネル保護型（チャネルストップ型ともいう）と呼ばれるボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型薄膜トランジスタともいう。
【０１２７】
トランジスタ４２０は、絶縁層４００上に、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁層４０２、半導体層４０３、半導体層４０３のチャネル形成領域を覆うチャネル保護層として機能する絶縁層４２７、ソース電極層４０５ａ、及びドレイン電極層４０５ｂを含む。また、トランジスタ４２０を覆い、絶縁層４０９が形成されている。
【０１２８】
図８（Ｃ）示すトランジスタ４３０はボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、絶縁層４００上に、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁層４０２、ソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂ、及び半導体層４０３を含む。また、トランジスタ４３０を覆い、半導体層４０３に接する絶縁層４０７が設けられている。絶縁層４０７上にはさらに絶縁層４０９が形成されている。
【０１２９】
トランジスタ４３０においては、ゲート絶縁層４０２は絶縁層４００及びゲート電極層４０１上に接して設けられ、ゲート絶縁層４０２上にソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂが接して設けられている。そして、ゲート絶縁層４０２、及びソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂ上に半導体層４０３が設けられている。
【０１３０】
図８（Ｄ）に示すトランジスタ４４０は、トップゲート構造の薄膜トランジスタの一つである。トランジスタ４４０は、絶縁層４００上に、絶縁層４３７、半導体層４０３、ソース電極層４０５ａ、及びドレイン電極層４０５ｂ、ゲート絶縁層４０２、ゲート電極層４０１を含み、ソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂにそれぞれ配線層４３６ａ、配線層４３６ｂが接して設けられ電気的に接続している。
【０１３１】
ボトムゲート構造のトランジスタ４１０、４２０、４３０を基板上に設ける場合、下地膜となる絶縁膜を基板とゲート電極層の間に設けてもよい。下地膜は、基板からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。
【０１３２】
ゲート電極層４０１の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。
【０１３３】
ゲート絶縁層４０２は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハフニウム層を単層で又は積層して形成することができる。例えば、第１のゲート絶縁層としてプラズマＣＶＤ法により膜厚５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の窒化シリコン層（ＳｉＮｙ（ｙ＞０））を形成し、第１のゲート絶縁層上に第２のゲート絶縁層として膜厚５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の酸化シリコン層（ＳｉＯｘ（ｘ＞０））を積層して、合計膜厚２００ｎｍのゲート絶縁層とする。
【０１３４】
ソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂに用いる導電膜としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗからから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜等を用いることができる。また、Ａｌ、Ｃｕなどの金属層の下側又は上側の一方または双方にＴｉ、Ｍｏ、Ｗなどの高融点金属層を積層させた構成としても良い。また、Ａｌ膜に生ずるヒロックやウィスカーの発生を防止する元素（Ｓｉ、Ｎｄ、Ｓｃなど）が添加されているＡｌ材料を用いることで耐熱性を向上させることが可能となる。
【０１３５】
ソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂに接続する配線層４３６ａ、配線層４３６ｂのような導電膜も、ソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂと同様な材料を用いることができる。
【０１３６】
また、ソース電極層４０５ａ、ドレイン電極層４０５ｂ（これと同じ層で形成される配線層を含む）となる導電膜としては導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム酸化スズ酸化物（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２、ＩＴＯと略記する）、酸化インジウム酸化亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【０１３７】
絶縁層４０７、４２７、４３７は、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
【０１３８】
絶縁層４０９は、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
【０１３９】
また、絶縁層４０９上にトランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化絶縁膜を形成してもよい。平坦化絶縁膜としては、ポリイミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁膜を形成してもよい。
【０１４０】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１４１】
（実施の形態５）
上記実施の形態２乃至４において、トランジスタの半導体層に用いることのできる例として酸化物半導体を説明する。
【０１４２】
実施の形態４で示した図８（Ａ）乃至（Ｄ）のトランジスタ４１０、４２０、４３０、４４０において、半導体層４０３として酸化物半導体層を用いることができる。
【０１４３】
半導体層４０３に用いる酸化物半導体としては、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体や、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系の材料、Ｉｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体などを用いることができる。また、上記酸化物半導体にＳｉＯ２を含んでもよい。ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体とは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）を有する酸化物膜、という意味であり、その組成比はとくに問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の元素を含んでもよい。
【０１４４】
また、酸化物半導体層は、化学式ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、ＭｎおよびＣｏから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばＭとして、Ｇａ、Ｇａ及びＡｌ、Ｇａ及びＭｎ、またはＧａ及びＣｏなどがある。
【０１４５】
また、酸化物半導体としてＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、原子数比で、Ｉｎ／Ｚｎ＝０．５〜５０、好ましくはＩｎ／Ｚｎ＝１〜２０、さらに好ましくはＩｎ／Ｚｎ＝１．５〜１５とする。Ｚｎの原子数比を好ましい前記範囲とすることで、トランジスタの電界効果移動度を向上させることができる。ここで、化合物の原子数比がＩｎ：Ｚｎ：Ｏ＝Ｘ：Ｙ：Ｚのとき、Ｚ＞１．５Ｘ＋Ｙとする。
【０１４６】
半導体層４０３に用いる酸化物半導体としては、インジウムを含む酸化物半導体、インジウム及びガリウムを含む酸化物半導体などを好適に用いることができる。
【０１４７】
また、酸化物半導体を半導体層４０３として用いる場合、該半導体層４０３と接する膜に、金属酸化物膜を用いることが好ましい。酸化物半導体層を挟んで、酸化物半導体層と同種の成分でなる金属酸化物膜を設ける構成は、電気的特性の変動防止に効果的である。酸化物半導体層と同種の成分でなる金属酸化物膜として、具体的には、酸化物半導体層の構成元素から選択される一または複数の金属元素の酸化物を含む膜を用いるのが好ましい。このような材料は酸化物半導体層との相性が良く、酸化物半導体層を挟んで該金属酸化物膜を設けることで、酸化物半導体層との界面の状態を良好に保つことができる。つまり、上述の材料を用いた金属酸化物膜を、酸化物半導体層と接する絶縁膜として設けることで、該金属酸化物膜と酸化物半導体層との界面及びその近傍への水素イオンの蓄積を抑制または防止することができる。
【０１４８】
上記金属酸化膜を好適に用いることのできる半導体層４０３と接する膜とは、図４のトランジスタ１６２においては絶縁層１３０とゲート絶縁層１４６、図８のトランジスタ４１０及びトランジスタ４３０においてはゲート絶縁層４０２と絶縁層４０７、トランジスタ４２０においてはゲート絶縁層４０２と絶縁層４２７、トランジスタ４４０においては絶縁層４３７とゲート絶縁層４０２である。上記ゲート絶縁層４０２、絶縁層４０７、絶縁層４２７、絶縁層４３７は積層構造でもよいが、その場合少なくとも半導体層４０３と接する膜は金属酸化膜とすることが好ましい。
【０１４９】
金属酸化物膜は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどの材料を用いて形成する。また、１３族元素および酸素を含む材料を用いて形成することもできる。１３族元素および酸素を含む材料としては、例えば、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化アルミニウムガリウムおよび酸化ガリウムアルミニウムのいずれか一または複数を含む材料などがある。ここで、酸化アルミニウムガリウムとは、ガリウムの含有量（原子％）よりアルミニウムの含有量（原子％）が多いものを示し、酸化ガリウムアルミニウムとは、ガリウムの含有量（原子％）がアルミニウムの含有量（原子％）以上のものを示す。金属酸化物膜は、上述の材料を用いて、単層構造または積層構造で形成することができる。
【０１５０】
なお、酸化物半導体層に用いられる酸化物半導体材料には、１３族元素を含むものが多い。このため、１３族元素および酸素を含む材料を用いて、酸化物半導体層と接する膜を形成すると、酸化物半導体層との界面の状態を良好に保つことができる。これは、１３族元素および酸素を含む材料と、酸化物半導体材料との相性が良いことによる。
【０１５１】
例えば、ガリウムを含有する酸化物半導体層を形成する場合には、酸化ガリウムを含む材料を酸化物半導体層と接する膜に用いることで、酸化物半導体層と酸化物半導体層と接する膜の界面特性を良好に保つことができる。例えば、酸化物半導体層と酸化ガリウムを含む絶縁膜とを接して設けることにより、酸化物半導体層と該絶縁膜の界面における水素のパイルアップを低減することができる。なお、酸化物半導体の成分元素と同じ族の元素を用いる場合には、同様の効果を得ることが可能である。つまり、酸化アルミニウムなどを含む材料を用いて酸化物半導体層と接する膜を形成することも有効である。なお、酸化アルミニウムは、水を透過させにくいという特性を有しているため、当該材料を用いることは、酸化物半導体層への水の侵入防止という点においても好ましい。
【０１５２】
なお、酸化物半導体層と接する膜に含まれる１３族元素は、二種類以上であっても良い。例えば、上述のガリウムとアルミニウムを含有する酸化アルミニウムガリウム（または酸化ガリウムアルミニウム）などの材料を、酸化物半導体層と接する膜に用いても良い。この場合、ガリウムを含有することに起因する効果と、アルミニウムを含有することに起因する効果を合わせて得ることができるため、好適である。例えば、酸化物半導体層と酸化アルミニウムガリウムを含む絶縁膜とを接して設けることにより、酸化物半導体層への水の侵入を防ぎ、酸化物半導体層と絶縁膜の界面における水素のパイルアップを十分に低減することができる。
【０１５３】
また、酸化物半導体層と接する膜は、化学量論的組成比より酸素が多い領域を含むことが好ましい。これにより、酸化物半導体層に酸素を供給し、酸化物半導体層中、または酸化物半導体層と酸化物半導体層と接する膜の界面における酸素不足欠陥を低減することができる。
【０１５４】
なお、欠陥（酸素欠損）のない酸化物半導体を用いる場合であれば、酸化物半導体層と接する膜には、化学量論的組成に一致した量の酸素が含まれていれば良いが、トランジスタのしきい値電圧の変動を抑えるなどの信頼性を確保するためには、酸化物半導体層に酸素欠損の状態は生じ得ることを考慮して、酸化物半導体層と接する膜の酸素を化学量論的組成より多くしておくことが好ましい。
【０１５５】
酸化物半導体層と接する膜の構成の具体例を、トランジスタ４４０を用いて説明する。トランジスタ４４０において、酸化物半導体層である半導体層４０３と接する膜は、絶縁層４３７とゲート絶縁層４０２である。なお、半導体層４０３としてはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を用いる。
【０１５６】
第１例としては、絶縁層４３７とゲート絶縁層４０２として酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏｘ（ｘ＝３＋α、０＜α＜１））膜を用いる例である。絶縁層４３７とゲート絶縁層４０２とを積層構造として半導体層４０３と接して酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏｘ（ｘ＝３＋α、０＜α＜１））膜を設け、さらにその外側に酸化ガリウム膜に接して酸化ガリウムアルミニウム（ＧａｘＡｌ２−ｘＯ３＋α（０＜ｘ≦２、０＜α＜１））膜を設ける構成としてもよい。
【０１５７】
第２例としては、絶縁層４３７とゲート絶縁層４０２として酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏｘ（ｘ＝３＋α、０＜α＜１））膜を用いる例である。絶縁層４３７とゲート絶縁層４０２とのどちらか一方を、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏｘ（ｘ＝３＋α、０＜α＜１））膜としてもよい。
【０１５８】
第３例としては、絶縁層４３７とゲート絶縁層４０２として酸化ガリウムアルミニウム又は酸化アルミニウムガリウム（ＧａｘＡｌ２−ｘＯ３＋α（０＜ｘ＜２、０＜α＜１））膜を用いる例である。絶縁層４３７とゲート絶縁層４０２とを積層構造として半導体層４０３と接して酸化ガリウムアルミニウム（ＧａｘＡｌ２−ｘＯ３＋α（１＜ｘ＜２、０＜α＜１））膜を設け、さらにその外側に酸化アルミニウムガリウム（ＧａｘＡｌ２−ｘＯ３＋α（０＜ｘ＜１、０＜α＜１））膜を設ける構成としてもよい。
【０１５９】
上記構成を用いることによって、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【０１６０】
酸化物半導体層を用いたトランジスタ４１０、４２０、４３０、４４０は、オフ状態における電流値（オフ電流値）を低くすることができる。
【０１６１】
また、半導体層４０３として酸化物半導体層を用いたトランジスタ４１０、４２０、４３０、４４０は、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。
【０１６２】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１６３】
（実施の形態６）
本実施の形態は、トランジスタの半導体層として用いることのできる酸化物半導体層の作製方法の一例を説明する。上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、上記実施の形態と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な説明は省略する。
【０１６４】
本実施の形態の半導体層に用いる酸化物半導体は、ｎ型不純物である水素を酸化物半導体から除去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することによりＩ型（真性）の酸化物半導体、又はＩ型（真性）に限りなく近い酸化物半導体としたものである。すなわち、不純物を添加してＩ型化するのでなく、水素や水等の不純物を極力除去したことにより、高純度化されたＩ型（真性半導体）又はそれに近づけることを特徴としている。そうすることにより、フェルミ準位（Ｅｆ）を真性フェルミ準位（Ｅｉ）と同じレベルにまですることができる。従って、トランジスタが有する酸化物半導体層は、高純度化及び電気的にＩ型（真性）化された酸化物半導体層である。
【０１６５】
また、高純度化された酸化物半導体中にはキャリアが極めて少なく（ゼロに近い）、キャリア濃度は１×１０１４／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１２／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１１／ｃｍ３未満である。
【０１６６】
酸化物半導体中にキャリアが極めて少ないため、トランジスタは、オフ電流を少なくすることができる。オフ電流は少なければ少ないほど好ましい。
【０１６７】
具体的には、上述の酸化物半導体層を具備するトランジスタは、オフ状態における電流値（オフ電流値）を、室温（２５℃）でのオフ状態における電流値（オフ電流値）（ここでは、単位チャネル幅（１μｍ）あたりの値）は１００ｚＡ（１ｚＡ（ゼプトアンペア）は１×１０−２１Ａ）以下、望ましくは１０ｚＡ以下にまで低くすることができる。
【０１６８】
また、上述の酸化物半導体層を具備するトランジスタはオン電流の温度依存性がほとんど見られず、オフ電流も非常に小さいままである。また、光劣化によるトランジスタ特性の変動も少ない。
【０１６９】
また、酸化物半導体膜に水素、水酸基及び水分がなるべく含まれないようにするために、酸化物半導体膜の成膜の前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室で基板を予備加熱し、基板に吸着した水素、水分などの不純物を脱離し排気することが好ましい。なお、予備加熱室に設ける排気手段はクライオポンプが好ましい。なお、この予備加熱の処理は省略することもできる。
【０１７０】
酸化物半導体膜は、膜厚２ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすればよい。
【０１７１】
なお、酸化物半導体膜をスパッタリング法により成膜する前に、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、被形成面の表面に付着している粉状物質（パーティクル、ごみともいう）を除去することが好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板側にＲＦ電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。
【０１７２】
酸化物半導体膜に用いる酸化物半導体は、実施の形態５に示した四元系金属酸化物や、三元系金属酸化物や、二元系金属酸化物や、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系などの酸化物半導体を用いることができる。また、上記酸化物半導体にＳｉＯ２を含んでもよい。本実施の形態では、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する。また、酸化物半導体膜は、希ガス（代表的にはアルゴン）雰囲気下、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲気下においてスパッタリング法により形成することができる。
【０１７３】
酸化物半導体膜をスパッタリング法で作製するためのターゲットとしては、例えば、組成比として、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ比］の酸化物ターゲットを用い、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する。また、このターゲットの材料及び組成に限定されず、例えば、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ比］の酸化物ターゲットを用いてもよい。酸化物ターゲットの充填率は９０％以上１００％以下、好ましくは９５％以上９９．９％以下である。充填率の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜は緻密な膜となる。
【０１７４】
酸化物半導体膜を、成膜する際に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
【０１７５】
減圧状態に保持された成膜室内に基板を保持し、基板温度を１００℃以上６００℃以下好ましくは２００℃以上４００℃以下とする。基板を加熱しながら成膜することにより、成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物濃度を低減することができる。また、スパッタリングによる損傷が軽減される。そして、成膜室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、上記ターゲットを用いて酸化物半導体膜を成膜する。成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプ、例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素原子、水（Ｈ２Ｏ）など水素原子を含む化合物（より好ましくは炭素原子を含む化合物も）等が排気されるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
【０１７６】
成膜条件の一例としては、基板とターゲットの間との距離を１００ｍｍ、圧力０．６Ｐａ、直流（ＤＣ）電源０．５ｋＷ、酸素（酸素流量比率１００％）雰囲気下の条件が適用される。なお、パルス直流電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質（パーティクル、ごみともいう）が軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。
【０１７７】
次いで、酸化物半導体膜をフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。また、島状の酸化物半導体層を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
【０１７８】
なお、ここでの酸化物半導体膜のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよく、両方を用いてもよい。例えば、酸化物半導体膜のウェットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液などを用いることができる。また、ＩＴＯ−０７Ｎ（関東化学社製）を用いてもよい。
【０１７９】
次いで、酸化物半導体層に脱水化または脱水素化のための加熱処理を行う。脱水化または脱水素化のための加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下、または４００℃以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下４５０℃において１時間の加熱処理を行った後、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぐため大気に触れないように保持して酸化物半導体層を得る。
【０１８０】
なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いてもよい。例えば、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置等のＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する装置である。ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温のガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。
【０１８１】
例えば、脱水化または脱水素化のための加熱処理として、６５０℃〜７００℃の高温に加熱した不活性ガス中に基板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中から出すＧＲＴＡを行ってもよい。
【０１８２】
なお、脱水化または脱水素化のための加熱処理においては、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、６Ｎ（９９．９９９９％）以上好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上（即ち不純物濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。
【０１８３】
また、脱水化または脱水素化のための加熱処理で酸化物半導体層を加熱した後、同じ炉に高純度の酸素ガス、高純度のＮ２Ｏガス、又は超乾燥エア（露点が−４０℃以下、好ましくは−６０℃以下）を導入してもよい。酸素ガスまたはＮ２Ｏガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する酸素ガスまたはＮ２Ｏガスの純度を、６Ｎ以上好ましくは７Ｎ以上（即ち、酸素ガスまたはＮ２Ｏガス中の不純物濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。酸素ガス又はＮ２Ｏガスの作用により、脱水化または脱水素化処理による不純物の排除工程によって同時に減少してしまった酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することによって、酸化物半導体層を高純度化及び電気的にＩ型（真性）化する。
【０１８４】
また、酸化物半導体層の脱水化または脱水素化のための加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物半導体膜に行うこともできる。その場合には、脱水化または脱水素化のための加熱処理後に、加熱装置から基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
【０１８５】
なお、図４に示すトランジスタ１６２の様なトップゲート型トランジスタの場合、脱水化または脱水素化のための加熱処理は、酸化物半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成した後に行ってもよい。
【０１８６】
また、酸化物半導体層を２回に分けて成膜し、２回に分けて加熱処理を行うことで、下地部材の材料が、酸化物、窒化物、金属など材料を問わず、膜厚の厚い結晶領域（単結晶領域）、即ち、膜表面に垂直にｃ軸配向した結晶領域を有する酸化物半導体層を形成してもよい。例えば、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下の第１の酸化物半導体膜を成膜し、窒素、酸素、希ガス、または乾燥空気の雰囲気下で４５０℃以上８５０℃以下、好ましくは５５０℃以上７５０℃以下の第１の加熱処理を行い、表面を含む領域に結晶領域（板状結晶を含む）を有する第１の酸化物半導体膜を形成する。そして、第１の酸化物半導体膜よりも厚い第２の酸化物半導体膜を形成し、４５０℃以上８５０℃以下、好ましくは６００℃以上７００℃以下の第２の加熱処理を行い、第１の酸化物半導体膜を結晶成長の種として、上方に結晶成長させ、第２の酸化物半導体膜の全体を結晶化させ、結果として膜厚の厚い結晶領域を有する酸化物半導体層を形成してもよい。
【０１８７】
次いで、Ｎ２Ｏ、Ｎ２、またはＡｒなどのガスを用いたプラズマ処理を行い、露出している酸化物半導体層の表面に付着した吸着水などを除去してもよい。プラズマ処理を行った場合、大気に触れることなく、酸化物半導体層に接する酸素を含む絶縁層を形成する。
【０１８８】
酸化物半導体層に接する絶縁層は、実施の形態５で示したような金属酸化物膜を用いることが好ましい。
【０１８９】
酸化物半導体層に接する絶縁層はできるだけ水素を含まない膜になるように、成膜方法に水素を用いないことが重要である。よって、絶縁層を、成膜する際に用いる成膜ガスは水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
【０１９０】
酸化物半導体層に接して絶縁層を形成した後に、酸化物半導体層と絶縁層とが接した状態で、加熱処理を行う。該加熱処理は、不活性ガス雰囲気下、または酸素ガス雰囲気下で加熱処理（好ましくは２００℃以上４００℃以下、例えば２５０℃以上３５０℃以下）を行うことができる。例えば、窒素雰囲気下で２５０℃、１時間の加熱処理を行う。
【０１９１】
以上の工程を経ることによって、酸化物半導体膜に対して加熱処理を行って水素、水分、水酸基又は水素化物（水素化合物ともいう）などの不純物を酸化物半導体層より意図的に排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料の一つである酸素を供給することができる。よって、酸化物半導体層は高純度化及び電気的にＩ型（真性）化する。
【０１９２】
このように、本実施の形態を用いて作製した、高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタを用いることにより、オフ状態における電流値（オフ電流値）をより低くすることができる。
【０１９３】
また、高純度化された酸化物半導体層を含むトランジスタは、高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。
【０１９４】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０１９５】
（実施の形態７）
上記実施の形態２乃至４において、トランジスタの半導体層に用いることのできる他の材料の例を説明する。
【０１９６】
半導体素子が有する半導体層を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いた気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質（アモルファス、以下「ＡＳ」ともいう。）半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶半導体などを用いることができる。半導体層はスパッタリング法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等により成膜することができる。
【０１９７】
微結晶半導体膜は、周波数が数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの高周波プラズマＣＶＤ法、または周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置により形成することができる。代表的には、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４などの水素化珪素を水素で希釈して形成することができる。また、水素化珪素及び水素に加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して微結晶半導体膜を形成することができる。これらのときの水素化珪素に対して水素の流量比を５倍以上２００倍以下、好ましくは５０倍以上１５０倍以下、更に好ましくは１００倍とする。
【０１９８】
アモルファス半導体としては、代表的には水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体としては代表的にはポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）には、８００℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリシリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シリコンを結晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結晶半導体又は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。
【０１９９】
半導体層に、結晶性半導体膜を用いる場合、その結晶性半導体膜の作製方法は、種々の方法（レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた熱結晶化法等）を用いれば良い。また、ＳＡＳである微結晶半導体をレーザ照射して結晶化し、結晶性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質珪素膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下５００℃で１時間加熱することによって非晶質珪素膜の含有水素濃度を１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にまで放出させる。これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると非晶質珪素膜が破壊されてしまうからである。
【０２００】
非晶質半導体層への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質半導体膜の表面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、プラズマ処理法（プラズマＣＶＤ法も含む）、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体膜の表面の濡れ性を改善し、非晶質半導体膜の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのＵＶ光の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等により、酸化膜を成膜することが望ましい。
【０２０１】
また、非晶質半導体膜を結晶化し、結晶性半導体膜を形成する結晶化工程で、非晶質半導体膜に結晶化を促進する元素（触媒元素、金属元素とも示す）を添加し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）により結晶化を行ってもよい。結晶化を助長（促進）する元素としては、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）及び金（Ａｕ）から選ばれた一種又は複数種類を用いることができる。
【０２０２】
結晶化を助長する元素を結晶性半導体膜から除去、又は軽減するため、結晶性半導体膜に接して、不純物元素を含む半導体膜を形成し、ゲッタリングシンクとして機能させる。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素、ｐ型を付与する不純物元素や希ガス元素などを用いることができ、例えばリン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、ボロン（Ｂ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、Ｋｒ（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン）から選ばれた一種または複数種を用いることができる。結晶化を促進する元素を含む結晶性半導体膜に、希ガス元素を含む半導体膜を形成し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）を行う。結晶性半導体膜中に含まれる結晶化を促進する元素は、希ガス元素を含む半導体膜中に移動し、結晶性半導体膜中の結晶化を促進する元素は除去、又は軽減される。その後、ゲッタリングシンクとなった希ガス元素を含む半導体膜を除去する。
【０２０３】
非晶質半導体膜の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく、熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。
【０２０４】
また、結晶性半導体膜を、直接基板にプラズマ法により形成しても良い。また、プラズマ法を用いて、結晶性半導体膜を選択的に基板に形成してもよい。
【０２０５】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０２０６】
（実施の形態８）
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器（遊技機も含む）に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０２０７】
本実施の形態では、上記実施の形態のいずれか一で得られる電気的特性が良好で、信頼性の高いトランジスタを搭載した電子機器の例について図９を用いて説明する。
【０２０８】
図９（Ａ）は、ノート型のパーソナルコンピュータであり、本体３００１、筐体３００２、表示部３００３、キーボード３００４などによって構成されている。なお、ノート型のパーソナルコンピュータは、上記実施の形態で示す導電層の接続構造を用いることで、良好な品質を有し、信頼性の高いノート型のパーソナルコンピュータが実現される。
【０２０９】
図９（Ｂ）は、携帯情報端末（ＰＤＡ）であり、本体３０２１には表示部３０２３と、外部インターフェイス３０２５と、操作ボタン３０２４等が設けられている。また操作用の付属品としてスタイラス３０２２がある。なお、携帯情報端末（ＰＤＡ）は、上記実施の形態で示す導電層の接続構造を用いることで、良好な品質を有し、信頼性の高い携帯情報端末（ＰＤＡ）が実現される。
【０２１０】
図９（Ｃ）は、本発明に係る半導体装置の一例である電子ペーパーを一部品として実装して作製した電子書籍である。図９（Ｃ）は、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍２７００は、筐体２７０１および筐体２７０３の２つの筐体で構成されている。筐体２７０１および筐体２７０３は、軸部２７１１により一体とされており、該軸部２７１１を軸として開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
【０２１１】
筐体２７０１には表示部２７０５が組み込まれ、筐体２７０３には表示部２７０７が組み込まれている。表示部２７０５および表示部２７０７は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部（図９（Ｃ）では表示部２７０５）に文章を表示し、左側の表示部（図９（Ｃ）では表示部２７０７）に画像を表示することができる。
【０２１２】
また、図９（Ｃ）では、筐体２７０１に操作部などを備えた例を示している。例えば、筐体２７０１において、電源２７２１、操作キー２７２３、スピーカー２７２５などを備えている。操作キー２７２３により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子、またはＡＣアダプタおよびＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。さらに、電子書籍２７００は、電子辞書としての機能を持たせた構成としてもよい。
【０２１３】
また、電子書籍２７００は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。
【０２１４】
図９（Ｄ）は、携帯電話であり、筐体２８００及び筐体２８０１の二つの筐体で構成されている。筐体２８０１には、表示パネル２８０２、スピーカー２８０３、マイクロフォン２８０４、ポインティングデバイス２８０６、カメラ用レンズ２８０７、外部接続端子２８０８などを備えている。また、筐体２８０１には、携帯型情報端末の充電を行う太陽電池セル２８１０、外部メモリスロット２８１１などを備えている。また、アンテナは筐体２８０１内部に内蔵されている。なお、携帯電話は、上記実施の形態で示す導電層の接続構造を用いることで高信頼性を付与することができる。
【０２１５】
また、表示パネル２８０２はタッチパネルを備えており、図９（Ｄ）には映像表示されている複数の操作キー２８０５を点線で示している。なお、太陽電池セル２８１０で出力される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
【０２１６】
表示パネル２８０２は、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。また、表示パネル２８０２と同一面上にカメラ用レンズ２８０７を備えているため、テレビ電話が可能である。スピーカー２８０３及びマイクロフォン２８０４は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生などが可能である。さらに、筐体２８００と筐体２８０１は、スライドし、図９（Ｄ）のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適した小型化が可能である。
【０２１７】
外部接続端子２８０８はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット２８１１に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応できる。記録媒体として、実施の形態２又は実施の形態３に示す半導体装置を用いることができる。実施の形態２又は実施の形態３によれば、長期にわたり記憶内容を保持することが可能な高信頼性の半導体装置が得られる。
【０２１８】
また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能などを備えたものであってもよい。
【０２１９】
図９（Ｅ）は、デジタルカメラであり、本体３０５１、表示部（Ａ）３０５７、接眼部３０５３、操作スイッチ３０５４、表示部（Ｂ）３０５５、バッテリー３０５６などによって構成されている。なお、デジタルカメラは、上記実施の形態で示す導電層の接続構造を用いることで、良好な品質を有し、信頼性の高いデジタルカメラが実現される。
【０２２０】
以上のように、本実施の形態に示す電子機器には、先の実施の形態に係る半導体装置が搭載されている。このため、良好な品質を有する電子機器が実現される。
【実施例１】
【０２２１】
本実施例では、発明の一形態である半導体装置において用いることのできる導電層を作製し、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ；Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）による観察と、走査透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）による観察を行った。図１０（Ａ）にＳＥＭ像（倍率６万倍）と図１０（Ｂ）にＳＴＥＭ像（１０万倍）を示す。
【０２２２】
図１０（Ｂ）は本実施例の導電層であり、図１０（Ａ）は図１０（Ｂ）の導電層を形成する際に用いたレジストマスクである。
【０２２３】
レジストマスクはテーパー形状を有する形状に形成した後、１８０℃で２時間加熱処理することによって、図１０（Ａ）に示すような表面が曲面の、断面ＳＴＥＭ像ではほぼ半球のレジストマスクとすることができた。なお、レジスト材料は、ＴＳＭＲ−８９００ＭＤ２（東京応化工業株式会社製）を用いた。
【０２２４】
図１０（Ａ）に示すような表面が曲面のレジストマスクを用いて、窒化タンタル膜及びタングステン膜の積層構造からなる導電層をエッチング加工することによって、図１０（Ｂ）に示すような曲面を有する導電層を形成することができた。
【０２２５】
本実施例では、導電層を、スパッタリング法を用いた窒化タンタル膜（膜厚３０ｎｍ）とタングステン膜（膜厚３７０ｎｍ）の積層で形成し、第１のエッチング工程と第２のエッチング工程の２工程でエッチング工程を行った。第１のエッチング工程としては、エッチングガスとして四フッ化炭素（ＣＦ４）、塩素（Ｃｌ２）、及び酸素（Ｏ２）（ＣＦ４：Ｃｌ２：Ｏ２＝６０ｓｃｃｍ：５０ｓｃｃｍ：４５ｓｃｃｍ）を用い、電源電力３０００Ｗ、バイアス電力１００Ｗ、圧力０．６７Ｐａ、基板温度−１０℃、で行った。第２のエッチング工程としては、エッチングガスとして塩素（Ｃｌ２）（Ｃｌ２＝１００ｓｃｃｍ）を用い、電源電力２０００Ｗ、バイアス電力５０Ｗ、圧力０．６７Ｐａ、基板温度−１０℃で行った。
【０２２６】
図１０（Ｂ）の導電層は図１０（Ａ）のレジストマスクの形状を反映し、表面に鋭角な凹凸や段差を有さない曲面を有する導電層である。
【０２２７】
本実施例の図１０（Ｂ）のような導電層であると、先端部は曲面なので積層する他の導電層の被覆性を良好とすることができる。
【０２２８】
上層の導電層が下層の導電層上に被覆性よく形成されることによって、導電層同士の電気的接続を確実に行うことができる。従って、生産時には膜の形状不良による特性不良を軽減することができるため歩留まりが向上し、半導体装置としても信頼性を高めることができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、前記第１の導電層の側面を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、かつ前記第１の導電層の前記絶縁層から突出する部分と接する第２の導電層とを有し、
前記第１の導電層において前記絶縁層から突出する部分の表面は曲面であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の導電層の線幅は１μｍ以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
第１のトランジスタのゲート電極層と、前記ゲート電極層の側面を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、かつ前記ゲート電極層の前記絶縁層から突出する部分と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層とを有し、
前記ゲート電極層において前記絶縁層から突出する部分の表面は曲面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記ゲート電極層の線幅は１μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、
前記表面に曲面を有するレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層をエッチングして前記第１の導電層の一部を露出し、
前記絶縁層上に前記第１の導電層と接する第２の導電層を形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上に導電膜を形成し、
前記導電膜上にテーパーを有するレジストマスクを形成し、
前記テーパーを有するレジストマスクを加熱処理して表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、
前記表面に曲面を有するレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層をエッチングして前記第１の導電層の一部を露出し、
前記絶縁層上に前記第１の導電層と接する第２の導電層を形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記レジストマスクのテーパーの角度は９０度未満とすることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一項において、前記絶縁層のエッチングは、化学的機械研磨法を用いることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項９】
導電膜を形成し、
前記導電膜上に表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、
前記表面に曲面を有するレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１のトランジスタのゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層をエッチングして前記ゲート電極層の一部を露出し、
前記絶縁層上に前記ゲート電極層と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
導電膜を形成し、
前記導電膜上にテーパーを有するレジストマスクを形成し、
前記テーパーを有するレジストマスクを加熱処理して表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、
前記表面に曲面を有するレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１のトランジスタのゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層をエッチングして前記ゲート電極層の一部を露出し、
前記絶縁層上に前記ゲート電極層と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記レジストマスクのテーパーの角度は９０度未満とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一項において、前記絶縁層のエッチングは、化学的機械研磨法を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１】
第１の導電層と、前記第１の導電層の側面を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、かつ前記第１の導電層の前記絶縁層から突出する部分と接する第２の導電層とを有し、
前記第１の導電層において前記絶縁層から突出する部分の表面は曲面であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の導電層の線幅は１μｍ以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
第１のトランジスタのゲート電極層と、前記ゲート電極層の側面を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、かつ前記ゲート電極層の前記絶縁層から突出する部分と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層とを有し、
前記ゲート電極層において前記絶縁層から突出する部分の表面は曲面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記ゲート電極層の線幅は１μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、
前記表面に曲面を有するレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層をエッチングして前記第１の導電層の一部を露出し、
前記絶縁層上に前記第１の導電層と接する第２の導電層を形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上に導電膜を形成し、
前記導電膜上にテーパーを有するレジストマスクを形成し、
前記テーパーを有するレジストマスクを加熱処理して表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、
前記表面に曲面を有するレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層をエッチングして前記第１の導電層の一部を露出し、
前記絶縁層上に前記第１の導電層と接する第２の導電層を形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記レジストマスクのテーパーの角度は９０度未満とすることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一項において、前記絶縁層のエッチングは、化学的機械研磨法を用いることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項９】
導電膜を形成し、
前記導電膜上に表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、
前記表面に曲面を有するレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１のトランジスタのゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層をエッチングして前記ゲート電極層の一部を露出し、
前記絶縁層上に前記ゲート電極層と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
導電膜を形成し、
前記導電膜上にテーパーを有するレジストマスクを形成し、
前記テーパーを有するレジストマスクを加熱処理して表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、
前記表面に曲面を有するレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１のトランジスタのゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層をエッチングして前記ゲート電極層の一部を露出し、
前記絶縁層上に前記ゲート電極層と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記レジストマスクのテーパーの角度は９０度未満とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一項において、前記絶縁層のエッチングは、化学的機械研磨法を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１２−３３８９６（Ｐ２０１２−３３８９６Ａ）
【公開日】平成２４年２月１６日（２０１２．２．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３９４４５（Ｐ２０１１−１３９４４５）
【出願日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月１６日（２０１２．２．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月２３日（２０１１．６．２３）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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