表示装置、及び表示装置を有する電子機器
【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。また、暗所でも長時間の利用が可能な、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高純度化された酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで回路を構成し、画素が一定の状態(映像信号が書き込まれた状態)を保持することを可能とする。その結果、静止画を表示する場合にも安定した動作が容易になる。また、駆動回路の動作間隔を長くできるため、表示装置の消費電力を低減できる。また、自発光型の表示装置の画素部に蓄光材料を適用し、発光素子の光を蓄えれば、暗所でも長時間の利用が可能になる。
【解決手段】高純度化された酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで回路を構成し、画素が一定の状態(映像信号が書き込まれた状態)を保持することを可能とする。その結果、静止画を表示する場合にも安定した動作が容易になる。また、駆動回路の動作間隔を長くできるため、表示装置の消費電力を低減できる。また、自発光型の表示装置の画素部に蓄光材料を適用し、発光素子の光を蓄えれば、暗所でも長時間の利用が可能になる。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
パルス状の直流電力が供給される電源線と、
前記電源線から電力が供給される発光素子と、
前記電源線と前記発光素子を接続する回路の開閉を制御する第1の薄膜トランジスタと、
映像信号を供給する信号線と、
前記信号線と前記第1の薄膜トランジスタを接続する回路の開閉を制御する第2の薄膜トランジスタとを有し、
前記第2の薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、バンドギャップが2eV以上であり、水素濃度が5×1019/cm3以下である酸化物半導体で形成され、
チャネル幅1μmあたりのオフ電流が1×10−16A/μm以下に抑制された前記第2の薄膜トランジスタが第1の薄膜トランジスタのオン状態を保持し、前記電源線と前記発光素子を接続して静止画像を表示する表示装置。
【請求項2】
前記酸化物半導体層のキャリア濃度が1×1014/cm3未満である請求項1記載の表示装置。
【請求項3】
静止画像の表示期間中に、走査線信号の出力が停止する期間を有する請求項1または請求項2記載の表示装置。
【請求項4】
前記発光素子が一対の電極と、
前記一対の電極間に発光性の有機物質を含む層を有する請求項1乃至請求項3記載の表示装置。
【請求項5】
画素に蓄光層を有する請求項1乃至請求項4記載の表示装置。
【請求項6】
請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の表示装置を具備する電子機器。
【請求項1】
パルス状の直流電力が供給される電源線と、
前記電源線から電力が供給される発光素子と、
前記電源線と前記発光素子を接続する回路の開閉を制御する第1の薄膜トランジスタと、
映像信号を供給する信号線と、
前記信号線と前記第1の薄膜トランジスタを接続する回路の開閉を制御する第2の薄膜トランジスタとを有し、
前記第2の薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、バンドギャップが2eV以上であり、水素濃度が5×1019/cm3以下である酸化物半導体で形成され、
チャネル幅1μmあたりのオフ電流が1×10−16A/μm以下に抑制された前記第2の薄膜トランジスタが第1の薄膜トランジスタのオン状態を保持し、前記電源線と前記発光素子を接続して静止画像を表示する表示装置。
【請求項2】
前記酸化物半導体層のキャリア濃度が1×1014/cm3未満である請求項1記載の表示装置。
【請求項3】
静止画像の表示期間中に、走査線信号の出力が停止する期間を有する請求項1または請求項2記載の表示装置。
【請求項4】
前記発光素子が一対の電極と、
前記一対の電極間に発光性の有機物質を含む層を有する請求項1乃至請求項3記載の表示装置。
【請求項5】
画素に蓄光層を有する請求項1乃至請求項4記載の表示装置。
【請求項6】
請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の表示装置を具備する電子機器。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【公開番号】特開2011−141524(P2011−141524A)
【公開日】平成23年7月21日(2011.7.21)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−232988(P2010−232988)
【出願日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年7月21日(2011.7.21)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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