【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板は基板と、該基板に形成され、相互に交差し、薄膜トランジスタと画素電極を有し、該薄膜トランジスタと該画素電極とは電気的に接続されたサブ画素領域を形成する少なくとも一本のゲートラインと少なくとも一本のデータラインと、第一の電極とゲートラインとは接続し、第二の電極と画素電極とは接続している補償寄生コンデンサ構造と、を備える。 （もっと読む）

【課題】１．５μｍのＤＲによるＴＦＴ製造において、電源電圧・しきい値電圧の要求仕様と一般的なＴＦＴに要求されるＧＩ耐圧を同時に達成し、また、３．０μｍのＤＲによるＴＦＴ製造においても、ＧＩ耐圧を低下させることなく電源電圧等を引き下げる半導体装置及びその製造方法、及び、低消費電力性の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁性基板と、絶縁性基板上に設けられたベースコート膜と、ベースコート膜上に設けられ、且つ、平坦面を有する半導体層と、半導体層の平坦面上に設けられた酸化シリコン膜と、酸化シリコン膜上に設けられた窒化シリコン膜と、により２層構造に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジベンゾ[ｆｇ,ｉｊ]ペンタフェン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】不良が生じにくい素子構造及び当該素子を有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の電極層と第２の電極層からなる一対の電極層間に有機化合物を含む層を有する素子構造とし、一対の電極層のうち、少なくとも一方の電極層のヤング率を７．５×１０^１０Ｎ／ｍ^２以下とする。作製される素子の用途に応じた有機化合物を用いて有機化合物を含む層を形成し、記憶素子、発光素子、圧電素子、有機トランジスタ素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジベンゾ［ｆｇ，ｏｐ］ナフタセン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造もしくはＳＯＩ構造を有する半導体装置の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上にＳｉＧｅ膜およびＳｉ膜を形成し、これらの膜を選択的に第１除去することにより、基板に到達する分離溝を形成し、その上に酸化シリコン膜を形成した後、さらにこれらの膜を第２除去することにより少なくともＳｉＧｅ膜の側壁を露出させ、この露出部からＳｉＧｅ膜をエッチングすることにより、Ｓｉ膜の下部に空洞部を形成する際、シリコン基板１をフッ酸を含有する溶液に浸漬し、ＳｉＧｅ膜に正電位を印加した状態でＳｉＧｅ膜をエッチングする。このように、Ｓｉ（又はＧｅ）の酸化工程を陽極酸化で行ったので、硝酸フリーのエッチング液でＳｉＧｅ膜の除去を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタを備え、電界効果トランジスタを微細化したときでもその電流駆動性能の変動を抑え易い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１と、該シリコン基板に形成された電界効果トランジスタ２０Ａとを備え、電界効果トランジスタは、シリコン基板上にゲート絶縁膜９を介して配置されたゲート電極１１と、ゲート電極の線幅方向の両側面に配置されたサイドウォールスペーサ１５と、平面視したときにゲート電極を挟んで互いに対向するようにシリコン基板に形成された２つの不純物拡散領域１７，１９とを有する半導体装置を構成するにあたり、２つの不純物拡散領域それぞれの表面およびその近傍に金属シリサイド層を形成し、かつ平面視したときにサイドウォールスペーサよりも外側に位置する箇所をシリコン基板の表面よりも窪ませる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板上に形成された半導体素子の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１と、埋め込み酸化膜３と、シリコン膜５とを有するＳＯＩ基板１０のシリコン膜５の素子形成領域Ａｃを取り囲む素子分離領域Ｉｓを熱酸化することにより熱酸化膜１５を形成し、素子形成領域Ａｃに形成された酸化膜を除去した後、堆積膜１７を堆積し、素子形成領域Ａｃに位置するシリコン膜５が露出するまで堆積膜１７をエッチバックし、露出したシリコン膜５上にＭＩＳＦＥＴを形成する。その結果、酸化膜の除去の際、熱酸化膜が侵食され素子形成領域と素子分離領域との境界に凹部１６が生じても、堆積膜１７で埋め込むことができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造プロセスにより、量産対象である大型のガラス基板に、信
頼性が高く、集積度の高い高性能半導体装置を得る。
【解決手段】結晶化を促進する微量の触媒元素であるニッケル１０５が導入さ
れたａ−Ｓｉ膜１０３を加熱処理して結晶化された結晶性のケイ素膜１０８の一
部の領域（高濃度不純物領域）１０８ｂに選択的に５族Ｂから選択された不純物
であるリン１１７を導入し、第２の加熱処理を行って、結晶性のケイ素膜１０８
のリン１１７が導入されていない領域（能動領域）１０８ａに含まれるニッケル
１０５を高濃度不純物領域に移動させる。この第２の加熱処理は、能動領域１０
８ａに含まれるニッケル１０５の濃度と高濃度不純物領域１０８ｂに含まれるニ
ッケル１０５の濃度とが少なくとも熱平衡状態の偏析状態に達しないように行う
。 （もっと読む）

【課題】溶剤や樹脂に対する溶解・相溶性に優れ、高いキャリア移動度を持つ電荷輸送性材料を用い動作速度が速く製造が容易な有機半導体トランジスタ素子を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ−１）又は（Ｉ−２）を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを含む有機半導体を備えた有機半導体トランジスタ素子。
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【課題】良好な電気的特性を備える薄膜半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜半導体装置１０は、半導体膜１３、ゲート絶縁膜１８、ゲート電極２１まではパターンなどを設けないで平坦なまま形成され、さらに半導体層１３、ゲート絶縁膜１８の下層には段差を生じさせる層が形成されていない。従って、ゲート絶縁膜１８に、亀裂等が生じず、ゲートリーク電流を抑制させることができ、良好な電気的特性を備える薄膜半導体装置１０を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン層とゲート絶縁膜の間の界面準位密度を低下させることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板２上にシリコン層４を形成する工程と、シリコン層４上にテトラエトキシシランを原料ガスとして用いた化学気相堆積法により酸化シリコン膜５ａを形成する工程と、酸化シリコン膜５ａの上層に窒化シリコン膜５ｂを形成する工程と、アニール処理を行なう工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】良好なトランジスタ特性を有し、さらにはトランジスタ素子間のバラツキの少ない有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極を有し、且つ、該ソース電極と該ドレイン電極との間に有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方が、有機半導体層の中心近傍の１点から３本以上の放射状分岐構造を有する電極であり、前記ソース電極または前記ドレイン電極の他方が、該放射状分岐構造を有する電極を、一定の距離を挟んで包囲するように形成されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】簡単なプロセスで製造され、特性が良好であり、酸素に対して安定で経時劣化が十分抑制された有機半導体材料、有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される有機半導体材料。
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【課題】電界効果型トランジスタ及び薄膜トランジスタにおける、閾値電圧の変動の要因となっている層を判別する。
【解決手段】電界効果型トランジスタ及び薄膜トランジスタにおいて、閾値電圧の変化は、回路の誤作動を招く。閾値電圧が変化する主な要因として、絶縁層中又は絶縁層と半導体層の界面における、電荷のトラップが考えられる。負荷前後の閾値電圧とフラットバンド電圧が一定の範囲内に存在するか否かにより、電荷が絶縁層にトラップされているか、半導体層と絶縁層の界面にトラップされているかを判別する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】無機半導体デバイスに比べて簡便なプロセスで素子を作製することが可能であり、かつ長時間安定したトランジスタ特性を示す有機トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び有機半導体層を有するトランジスタにおいて、前記有機半導体層が、金属フタロシアニンまたは無水フタロシアニンのベンゼン環の一部をＮで置き換えた化合物を含有する有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】窒化物化合物半導体層のチャネル領域のキャリア移動度を高くし、且つ大きな絶縁破壊電界強度のゲート絶縁膜を有する窒化物化合物半導体トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板１上に形成された窒化物化合物半導体層３と、窒化物化合物半導体層３上に形成されたシリコン窒化膜６よりなる第１のゲート絶縁膜と、シリコン窒化膜６上に形成され且つシリコン窒化膜７よりも絶縁破壊強度の大きな材料の膜７からなる第２のゲート絶縁膜と、第２のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極８ｇと、ゲート電極８ｇの側方で窒化物化合物半導体層５ｓ、５ｄにオーミック接触するオーミック電極１０ｓ，１０ｄを有する。 （もっと読む）

【課題】 光変調素子を交換することなく被照射材料の特性に応じた適切なディップ強度を可変的に実現して、所望の大きさの結晶粒を安定的に形成する結晶化装置。
【解決手段】 １８０度と実質的に異なる位相差の位相段差の段差線を有し、入射光を位相変調する光変調素子（１）と、位相段差の段差線とほぼ直交する方向に傾いた照明光で光変調素子を照明する照明光学系（２）と、光変調素子により位相変調された光に基づいて所定の光強度分布を結晶化する所定面に形成する結像光学系（３）とを備えている。照明光学系は、位相段差の位相進みの側から位相遅れの側へ向かう第１方向に沿って光変調素子を照明する第１照明光と、位相段差の位相遅れの側から位相進みの側へ向かう第２方向に沿って光変調素子を照明する第２照明光とで光変調素子を同時に照明し、第１照明光の光強度と第２照明光の光強度とを実質的に異なる値に設定するための光強度設定機構を有する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと蓄積容量素子とを形成する場合、ＴＦＴと蓄積容量素子とを構成する導電膜や絶縁膜を互いに兼用することは生産効率の向上に寄与するものの、ＴＦＴと独立して最適化された蓄積容量素子を得ることは困難となる。
【解決手段】本発明にかかるＴＦＴと蓄積容量素子とを備えたＴＦＴ基板においては、ＴＦＴで用いられる電極や絶縁膜とは異なる導電膜や絶縁膜を含む蓄積容量素子を得ることを特徴とする。さらに、このような構造を得るために写真製版工程の追加を必要とせず、設計の自由度と生産効率との両立をさせたＴＦＴ基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング工程で配線の腐食が防止できる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート配線、ゲート絶縁膜、アクティブ層、データ配線用の導電膜及び第１領域と第２領域からなるフォトレジストパターンを順次に形成し、レジストパターンをマスクとして、データ配線用の導電膜をエッチングしてソース／ドレイン導電膜パターンを形成し、レジストパターンをマスクとして、アクティブ層をエッチングしてアクティブ層パターンを形成し、レジストパターンの第２領域を除去し、レジストパターンをマスクとして、エッチングガスを用いて、第２領域下部のソース／ドレイン導電膜パターンをドライエッチングし、レジストパターンをマスクとしてアクティブ層パターンの一部をエッチングし、エッチングガスとソース／ドレイン導電膜パターンの反応副産物に外力が加わるように反応副産物を反応副産物除去剤で物理的に除去する。 （もっと読む）