【課題】 極めて微細なＳＯＩ−ＭＯＳトランジスタおよびその製造方法を得る。
【解決手段】 支持基板１上に厚い酸化膜２、外部から絶縁された半導体膜３１、拡散阻止絶縁膜として作用する薄い酸化膜２１および薄いＳＯＩ層３を順次形成し、ＳＯＩ層３に、ＭＯＳトランジスタのドレイン拡散層９、１０およびソース拡散層８、１１を形成する。上記ＭＯＳトランジスタのチャネルの下方の上記薄い酸化膜２１には、チャネルと同じ導電型を有する高不純物濃度領域３８が形成される。ＭＯＳトランジスタの短チャネル効果が抑制され、ソース・ドレイン耐圧が向上し、さらにドレイン接合容量が低下するので、極めて微細なＭＯＳトランジスタをＳＯＩ層に形成できる。 （もっと読む）

ｈｉｇｈ−ｋスペーサエレメントから、下にある半導体領域へドーパント拡散することにより形成される拡張領域と併せて、電界効果トランジスタのゲート電極のｈｉｇｈ−ｋ誘電体スペーサエレメントは、拡張領域に電荷担体密度の増加を提供する。このようにして、電荷担体密度を、略拡張領域のドーパントの固溶度に限定することが克服され、これにより、トランジスタのパフォーマンスを過度に落とすことなく、極めて浅い拡張領域が可能になる。
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【課題】歪みシリコンをもつＰ型ＭＯＳＦＥＴの構造及びこれを製造する方法を提供する。
【解決手段】Ｐ型ＭＯＳＦＥＴは、ゲート１１０を絶縁体で封止し、ゲルマニウム含有層を側壁１０５の外側に成層させ、次いで、アニーリング又は酸化により、ゲルマニウムを絶縁体上シリコン層又はバルクシリコンの中に拡散させて、勾配付き組み込みシリコン−ゲルマニウムのソース−ドレイン４０及び／又は延長部（ｇｅＳｉＧｅ−ＳＤＥ）を形成する。ＳＯＩデバイスにおいては、ｇｅＳｉＧｅ−ＳＤＥは、水平方向の（ゲート誘電面に対して平行な）圧縮応力と、垂直方向の（該ゲート誘電面に対して直角の）引張り応力とをＰＭＯＳＦＥＴのチャネルに生成し、これによって、ＰＭＯＳＦＥＴ性能を向上させる構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】 短チャンネル効果を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる半導体装置は、絶縁層と、前記絶縁層の上方に形成された半導体層と、前記半導体層の上方に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上方に形成されたゲート電極と、前記半導体層に形成されたソース領域と、前記半導体層に形成されたドレイン領域と、を含み、前記ソース領域の下端は、前記絶縁層と隣接し、前記ドレイン領域の下端は、前記絶縁層と隣接しない。 （もっと読む）

本発明は、印刷可能半導体素子を製造するとともに、印刷可能半導体素子を基板表面上に組み立てるための方法及びデバイスを提供する。本発明の方法、デバイス、デバイス部品は、幅広いフレキシブル電子デバイス及び光電子デバイス並びにデバイスの配列を高分子材料を備える基板上に形成することができる。また、本発明は、伸張形態で良好な性能が得られる伸縮可能な半導体構造及び伸縮可能な電子デバイスも提供する。 （もっと読む）

アクティブマトリクス型液晶表示装置の薄膜トランジスタにおける下地電極上の絶縁膜上にフォトエンボッシング材料を用いて凹凸を有する有機膜を形成し、この有機膜にドライエッチングを施して有機膜の膜厚を減少させてコンタクトホール形成領域の絶縁膜を露出させる。その後、露出した絶縁膜にドライエッチングを施してコンタクトホールを形成すると共に下地電極を露出させ、得られた構造上に反射電極を形成して、露出した下地電極と反射電極とを接続する。
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【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板１上に、非晶質シリコン膜２ａを形成する。その非晶質シリコン膜２ａ上にＷシリサイド膜（導電膜）４ｂを形成する。そして、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂに対し、高周波やＹＡＧレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜２ａを多結晶シリコン膜２に変える。 （もっと読む）