【課題】空気中で安定な高い移動度を有するｎ型半導体材料あるいはｎ型およびｐ型両方の半導体材料である半導体ポリマーを含む電子デバイスを提供する。
【解決手段】半導体層を備え、該半導体層が下記式（Ｉ）の半導体ポリマーを含む電子デバイスである。


式（Ｉ）
（上記式（Ｉ）中、Ｘは、独立に、Ｓ、Ｓｅ、ＯおよびＮＲから選択され、Ｒは、独立に、水素、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、ヘテロアリールおよび−ＣＮから選択され、Ａｒは、独立に、共役二価部分であり、ａは、１〜約１０の整数であり、ｎは、２〜約５，０００の整数である。） （もっと読む）

【課題】分子量および分子量分布は制御が可能な連鎖重合をπ共役系高分子の合成に適用し、これまで困難であったπ共役高分子のブロック共重合体を得ること。該電荷輸送材料を用いた有機デバイスを提供すること。
【解決手段】下記式（１）で表わされるモノマーを、ニッケル触媒の存在下重合し、さらに下記式（２）で表わされるモノマーを重合する。



（上記式（１）中、Ｘ^１〜Ｘ^２は各々独立してハロゲン原子を表わし、Ｒはマグネシウム又は亜鉛を表わし、Ａは置換されてもよい二価の共役五員複素環基表わす。）



（上記式（２）中、Ｘ^３〜Ｘ^４は各々独立してハロゲン原子を表わし、Ｒはマグネシウム又は亜鉛を表わし、Ａｒは上記式（１）のＡとは異なる二価の芳香族基を表わす。） （もっと読む）

【課題】既知の薄膜トランジスタの性能を改良する。
【解決手段】半導体層を含む電子デバイスであって、該半導体層が、式（Ｉ）および（ＩＩ）：


式(I) 式(II)
（式中、Ｒ_１およびＲ_２は、独立して、水素、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、およびヘテロアリールから選択され、ＸおよびＹは、独立して、共役二価部分であり、ａおよびｂは、独立して、０から１０までの整数であり、ｎは、２から５，０００までの整数である）からなる群から選択される半導体ポリマを含む電子デバイスである。 （もっと読む）

【課題】活性層にアモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴで、閾値電圧の変動のない安定性に優れたＴＦＴ、及びその製造方法の提供。
【解決手段】基板１上に、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、アモルファス酸化物半導体層４と、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２がアモルファス酸化物半導体層４の厚みの３倍以上の厚みを有し、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２が互いに対向する各々の側端部に該厚みが傾斜したテーパー部を有す。 （もっと読む）

【課題】活性層にアモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴで、連続駆動しても閾値電圧の変動のない駆動安定性に優れたＴＦＴ及びその製造方法の提供。
【解決手段】基板１上に、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、アモルファス酸化物半導体層４と、ソース電極５−１及びドレイン電極５−２を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、ゲート電極２とソース電極５−１及びドレイン電極５−２の少なくとも一方とが平面上重なりを有せず、ゲート電極２側端部とソース電極５−１及びドレイン電極５−２の少なくとも一方の側端部との隙間が、０．２μｍ以上５μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】ピンホールの悪影響の軽減された新たな電子デバイスと新たな電子デバイス製造方法を提供する。
【解決手段】入口９２Ａと出口９４Ａのある複数のピンホール９０Ａを有する誘電領域１４と、下側導電領域１８とを備え、ピンホール９０Ａの少なくともいくつかは出口９４Ａ周辺において出口９４Ａより広い下側導電領域１８のアンダーカット部９６Ａに面する誘電領域１４の張り出し面９８Ａを持たせる （もっと読む）

【課題】既知の薄膜トランジスタの性能を改良する。
【解決手段】式（Ｉ）および（ＩＩ）：


式(I) 式(II)
（式中、Ｒ_１およびＲ_２は、独立して、水素、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、およびヘテロアリールから選択され、ＸおよびＹは、独立して、共役二価部分であり、ａおよびｂは、独立して、０から１０までの整数であり、ｎは、２から５，０００までの整数である）からなる群から選択される半導体ポリマである。 （もっと読む）

【課題】空気中で安定な高い移動度を有するｎ型半導体材料あるいはｎ型およびｐ型両方の半導体材料である半導体ポリマーを提供する。
【解決手段】下記式（Ｉ）の半導体ポリマーである。


式（Ｉ）
（上記式（Ｉ）中、Ｘは、独立に、Ｓ、Ｓｅ、ＯおよびＮＲから選択され、Ｒは、独立に、水素、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、ヘテロアリールおよび−ＣＮから選択され、Ａｒは、独立に、共役二価部分であり、ａは、１〜約１０の整数であり、ｎは、２〜約５，０００の整数である。） （もっと読む）

【課題】ラダー型化合物を提供すること。
【解決手段】式（１）


（式中、環構造Ａ及びＢは、同一又は相異なり、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表し、それぞれ単環もしくは複数環が縮環していてもよい；Ｘ及びＹは、同一又は相異なり、硫黄、酸素、セレン、テルル原子、ＳＯ_２、（Ｒ^１）−Ｃ−（Ｒ^２）、（Ｒ^３）−Ｓｉ−（Ｒ^４）、又はＮ−（Ｒ^５）で表される基を表し、Ｚは、Ｎ−（Ｒ^６）で表される基を表す。但し、下記の式（２）


で表される化合物は除く。）で表されるラダー型化合物。 （もっと読む）

【課題】良好なトランジスタ特性を示し、酸素分圧等の周囲の雰囲気の影響を防止でき、安定した半導体特性を示す電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極に接しており、層厚方向で比抵抗が異なり、結晶酸化物を含む酸化物半導体膜と、ゲート電極と、ゲート電極と酸化物半導体膜の間にゲート絶縁膜を有し、酸化物半導体膜のゲート絶縁膜側の比抵抗が、ソース電極及びドレイン電極側の比抵抗に比べて低い薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】スイッチングトランジスタと駆動用トランジスタとの電気的接続を確実にするとともに、ビアホール形成とバンク（又はセパレータ）形成とによるゲート絶縁膜の劣化を防ぐ。
【解決手段】トップゲート型のスイッチングトランジスタ１１とボトムゲート型の駆動用トランジスタ１２とを備える有機半導体デバイス１０であって、スイッチングトランジスタ１１のソース電極１０３と、駆動用トランジスタ１２のゲート電極２０２とは同一の構造物を兼用し、スイッチングトランジスタ１１のバンク層１０５と駆動用トランジスタ１２のゲート絶縁膜２０３とは、同一の構造物を兼用し、駆動用トランジスタ１２のバンク層２０５とスイッチングトランジスタ１１のゲート絶縁膜１０７とは、同一の構造物を兼用する。 （もっと読む）

【課題】所望の色出力を得る有機電子デバイスを提供。
【解決手段】１以上の光透過性素子８、１２、光透過性素子に固定された複数の光透過性有機電子デバイス６、１４、及び光透過性素子に固定された１以上の光透過性制御器４を含むデバイス２。光透過性制御器は２以上の光透過性有機電子デバイスに接続されている。物品は２つ以上の前記デバイスを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】有機材料からなる下地の絶縁性層に対してダメージを与えることなく、かつ上部に設けられる有機半導体層に対して良好なオーミックコンタクトが得られるソース電極およびドレイン電極を低コストで得ることを可能にする。
【解決手段】有機絶縁層からなる基板１１と、基板１１上にめっき成膜された層からなるソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄの第１層１３-1と、第１層１３-1よりも有機半導体材料に対して低オーミック接合を形成する金属材料からなり第１層１３-1を覆う状態でめっき成膜されたソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄの第２層１３-2と、第１層１３-1および第２層１３-2で構成されたソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄ間にわたって設けられた有機半導体層１５とを備えた有機薄膜トランジスタ１ａである。 （もっと読む）

【課題】 基体上で素子が占める素子面積を小型化することができ、かつ、オフ電流の小さい縦型電界効果トランジスタ、及びそれを用いた画像表示装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁性基板１の上に、ドレイン電極７に比べてわずかに厚いソース電極３と、ドレイン電極７に比べてわずかに薄い絶縁層５と、ドレイン電極７とを積層する。この積層体の一方の側方に、間隙部を挟んで、ドレイン電極７と同じ厚さの下部絶縁層２と、ソース電極３と同じ厚さのゲート電極４と、絶縁層５と同じ厚さの上部絶縁層６とを積層する。間隙部には、積層体の側面に接する半導体層８と、ゲート絶縁膜６ｇとを配置して、縦型電界効果トランジスタを形成する。半導体層８の材料として、成膜方向にｃ軸が配向し、ｃ軸方向に優れた移動度を示す酸化亜鉛を用いる。電極材料に不純物をドープした酸化亜鉛を用いれば、可視光に対して透明なトランジスタを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、且つ動作安定性に優れた酸化物半導体を用いた薄膜電界効果型トランジスタの製造方法を提供することにある
【解決手段】ゲート電極２を形成する工程、ゲート絶縁膜３を形成する工程、酸化物半導体よりなる活性層を形成する工程、該活性層に接して該活性層より電気伝導度の低い酸化物半導体よりなる抵抗層６を形成する工程、該抵抗層の一部を低抵抗化処理することにより所定の間隔を離して少なくとも２つの低抵抗領域を形成する低抵抗化処理工程であって、該２つの低抵抗領域に挟まれた低抵抗化処理が施されなかった領域（未低抵抗化領域）が、平面上、前記ゲート電極の内側に形成され、及び前記２つの低抵抗領域のそれぞれと接してソース電極及びドレイン電極を形成する工程を有する薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】工程効率が向上し、かつ、信頼性が向上した酸化物半導体薄膜トランジスタ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成され、ゲート電極を含むゲート線と、ゲート線と交差しドレイン電極接続部を含むデータ線と、ゲート電極の周辺に形成される酸化物半導体活性層パターンと、データ線と酸化物半導体活性層パターンの上に形成されドレイン電極接続部を露出する第１開口部、及び酸化物半導体活性層パターンを露出する第２開口部を有するパシベーション層と、第１開口部及び第２開口部によって酸化物半導体活性層パターンとドレイン電極接続部とを電気的に接続するドレイン電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】パターン形成対象層へのパターン形成において、形成された凹部または孔部内にパターン形成工程における残渣が残ることが抑制されるパターニング方法を提供する。
【解決手段】有機半導体トランジスタ素子４０においては、製造工程において、図８に示すように、ソース電極４４及びドレイン電極４５の形成された基板４２上に、隔壁４９を構成する上記絶縁性材料を一様に塗布して絶縁層４７を形成し、この絶縁層４７に、形成対象のパターンに応じた凸部６０Ａを有すると共に該凸部６０Ａに絶縁層を溶解する溶解液６２の塗布された鋳型６０を接触させることで、絶縁層４７を溶解して該凸部６０Ａに応じた孔部４９Ａを形成した後に該鋳型６０を基板４２から剥離することで孔部４９Ａをパターニングする。 （もっと読む）

【課題】オン電流とオフ電流の適正化を図った薄膜トランジスタを備えた表示装置及びその製造方法を提案することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極ＧＴと、チャネル領域と、チャネル領域を挟む領域に形成される２つの不純物領域とを含んで、ソース電極ＳＴ及びドレイン電極ＤＴ間の電流を制御する半導体膜Ｓと、ソース電極ＳＴ等と２つの不純物領域との間に介在する２つのオーミックコンタクト層ＤＳと、半導体膜Ｓの略中心となる位置を中心とする一部の領域に積層される絶縁膜ＥＳと、を含み、半導体膜Ｓは、微結晶シリコン又は多結晶シリコンを含んで形成され、２つの不純物領域は、絶縁膜ＥＳが形成されない領域に形成され、２つのオーミックコンタクト層ＤＳは、２つの不純物領域を覆うように形成され、ソース電極ＳＴ等は、オーミックコンタクト層ＤＳを覆うように形成される、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層を形成する材料を改良することにより有機電界効果トランジスタのヒステリシスを小さくする有機薄膜トランジスタゲート絶縁層用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される基を含有する高分子化合物と、（Ｂ）架橋剤とを含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタゲート絶縁層用樹脂組成物。
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【課題】ｐｏｌｙ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層が積層されたボトムゲートのＴＦＴにおいて、リーク電流の増大を防止する。
【解決手段】最下層には、ゲート電極１０３が縦方向に細長く形成されている。このゲート電極１０３の上に、図示しないゲート絶縁膜１０４を挟んでｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７およびａ−Ｓｉ層１０８からなる半導体層が形成されている。半導体層の上に、ソース電極１１０あるいはドレイン電極１１１が形成されている。ソース電極１１０あるいはドレイン電極１１１と半導体層の間にはｎ＋Ｓｉ層が形成されている。ソース電極１１０あるいはドレイン電極１１１の端部ＥＤは、半導体層の端部ＥＳよりも内側に形成されているので、半導体層の端部ＥＳにおけるリーク電流を無くすことが出来る。 （もっと読む）