電子親和力がＥＡ_{ｓｅｍｉｃｏｎｄ}である有機半導体層と、前記半導体層と界面を形成する有機ゲート誘電体層とを備えるｎ−チャネルまたは両極性の電界効果トランジスタであって、前記ゲート誘電体層中のトラッピング基のバルク濃度が１０^１８ｃｍ^−３未満であり、この場合、トラッピング基は（ｉ）ＥＡ_{ｓｅｍｉｃｏｎｄ}以上の電子親和力ＥＡ_ｘおよび／または（ｉｉ）（ＥＡ_{ｓｅｍｉｃｏｎｄ}−２ｅＶ）以上の反応性電子親和力ＥＡ_ｒｘｎを持つ基であることを特徴とする、ｎ−チャネルまたは両極性の電界効果トランジスタである。
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有機物を含有する半導体層（１５）と、少なくとも互いに電気的に非接触である第一電極（１６）、第二電極（１２）及び第三電極（１４）を含む電界効果トランジスタであって、半導体層（１５）の上方に第一電極（１６）が配置され、半導体層（１５）の下方に第二電極（１２）が配置され、半導体層（１５）の側方に第三電極（１４）が配置され、半導体層（１５）は第一電極（１６）、第二電極（１２）及び第三電極（１４）から選ばれるいずれか２つの電極と電気的に接合され、各電極（１２，１４，１６）間には電気的絶縁体層（１３，１７）を介在させ、第一電極（１６）は半導体層（１５）の上方を半導体層（１５）の外周部より外側にはみ出して覆っている。これにより、有機半導体を用いた電界効果トランジスタであっても、空気や水に強く、かつ長寿命な電界効果トランジスタ及びそれを用いた表示装置を提供する。 （もっと読む）

トランジスタのチャネル長を規定する長さＬによって分離される電子注入電極及び正孔注入電極と接触する有機半導体層を備え、発光元の有機半導体層の領域は、電子注入電極及び正孔注入電極の両方からＬ／１０より離れている両極性発光トランジスタ。
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本発明は、トランジスタ２２及びキャパシタ２３を含んでいる不揮発性強誘電体メモリ装置３０に関し、特に、不揮発性で、電気的に消去可能、かつプログラム可能な強誘電体メモリ素子及びそのような不揮発性強誘電体メモリ装置３０を生産する方法に関する。本発明による方法は、トランジスタ２２のゲート誘電体層及びキャパシタ２３の誘電体層は同一の有機又は無機強誘電体層から作られるので、限られた数のマスクステップを含む。
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ヘテロ接合を有する半導体デバイス。このデバイスは、基板と少なくとも１つのナノ構造とを備える。この基板とナノ構造とは、異なる材料から成る。この基板は、例えばＩＶ族半導体材料から成ることがあるのに対して、このナノ構造は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料から成ることもある。このナノ構造は、この基板によって支持され、この基板とエピタキシャルな関係にある。ナノ構造は、ゲートアラウンドトランジスタデバイスなどの電子デバイスの機能コンポーネントになる可能性がある。ゲートアラウンドトランジスタの一実施形態においては、ナノワイヤ（５１）が、基板（５０）によって支持され、この基板はドレインであり、このナノワイヤは電流チャネルであり、上部金属コンタクト（５９）はソースである。薄いゲート絶縁膜（５４）が、このナノワイヤとこのゲート電極（５５Ａ、５５Ｂ）とを絶縁している。
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電界効果トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、無機半導体の結晶または多結晶の層と、誘電体層とを含む。無機半導体の層は、物理的にソース電極からドレイン電極まで延びる活性チャネル部分を有する。無機半導体は、層内の結合力が共有結合および／またはイオン結合である２次元の層の積み重ねを有する。互いに隣接する層のそれぞれが、共有結合およびイオン結合の力よりかなり弱い力によって互いに結合される。誘電体層は、ゲート電極と無機半導体材料の層の間に介在する。ゲート電極は、無機半導体の層の活性チャネル部分の導電率を制御するように構成される。

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本発明は、薄膜トランジスタ表示板とこれを含む液晶表示装置及びその製造方法に関し、薄膜トランジスタ表示板は液晶表示装置や有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などで、各画素を独立的に駆動するための回路基板において、画素電極またはゲート線及びデータ線の拡張部を外部回路と接続させるコンタクト補助部材を、ＩＺＯ及びＩＴＯの２重層で形成することに対する発明であって、ＩＺＯで形成された下部層とＩＴＯで形成された上部層を有するように形成する。前記のように画素電極またはコンタクト補助部材を二重層で形成することによって、エッチング過程で下部配線が損傷されることを防止し、グロステストの際に探針とコンタクト補助部材とのコンタクト抵抗の均一性を良好に確保することができる。また、コンタクト補助部材のみをＩＺＯとＩＴＯ二重層で形成することによって、グロステストの際に探針とコンタクト補助部材とのコンタクト抵抗の均一性を確保することができ、ＩＴＯの使用を減らすことによって製造単価を下げることができる。
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共通のソース電極を共有するアクティブセルとキャパシタとを備える縦型有機電界効果トランジスタ。アクティブセルは、ドレイン電極と共通のソース電極との間に挟まれた半導体層を備える。キャパシタは、ゲート電極と共通のソース電極との間に挟まれた誘電体層を備える。共通のソース電極は、ゲート電極に印加される電位を制御することによってソース電極とドレイン電極との間を流れる電流を制御することを可能にする。

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【課題】本発明は、高解像度構造を有する有機電子部品、特に低ソースドレーン間の距離を有する有機電界効果トランジスタ（OFET）及びその生産方法に関する。
【解決手段】有機電子部品は、生産中レーザーを用いて作られた凹部及び／又は修正された区域を有し、その中には、例えば、金属の導体トラック／電極が配置される。 （もっと読む）

本発明の課題は、機械的応力に対し良好な耐性をもち、その製造が公知の従来技術よりも煩雑でない縦型ナノトランジスタを提供することである。本発明によればこの課題は、以下の特徴を備えた縦型ナノトランジスタによって解決される。すなわちソースコンタクトと、ドレインコンタクトと、ゲート領域と、ソースコンタクトとドレインコンタクトの間に配置され半導体特性をもつ円筒状のチャネル領域が設けられており、この円筒状チャネル領域は絶縁性フレキシブル基板に埋め込まれており、この領域は、ゲート領域とチャネル領域上部が同軸構造を成すよう、フレキシブル基板上およびチャネル領域上部の金属層により形成されたゲート領域により取り囲まれている。さらにソースコンタクトと半導体特性をもつチャネル領域とドレインコンタクトは縦方向に配置されていて、ソースコンタクトとドレインコンタクトと半導体特性をもつチャネル領域に対向するゲート領域と、基板の上側および下側は電気的に絶縁性の部材を有している。メモリ装置は多数のこの種の縦型ナノトランジスタから成る。本発明はこの種のトランジスタの製造方法にも関する。
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有機半導体として有用であるアセン−チオフェン化合物が開示されている。有機薄膜トランジスタ中の半導体層として本化合物を用いた時、本化合物は、ペンタセンに匹敵する電荷キャリア移動度および電流オン／オフ比のようなデバイス特性を示す。本発明の少なくとも１種の化合物を含む半導体デバイスならびに薄膜トランジスタまたはトランジスタアレーおよびエレクトロルミネセントランプなどの半導体デバイスを含む物品も記載されている。
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ゲート電極と、ゲート誘電体と、ソースおよびドレイン電極と、半導体層とを含む薄膜トランジスタを提供する工程と、封止材料をアパーチャマスクのパターンを通して前記半導体層の少なくとも一部の上に蒸着する工程とを含む、薄膜トランジスタの封止方法。
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本発明は、薄膜電子部品の製造方法およびこの方法を実施する装置に関する。また、本発明は、この方法に従って製造された薄膜電子部品に関する。まず、実質的に誘電性を有する基板上に、導電性材料から成るガルヴァニックに均一な最下段の導電層が形成され、この最下段の導電層から導電領域がガルヴァニックに相互に分離して、電極パターンが形成される。この電極パターン上には、薄膜部品に必要とされる上部の不活性層または活性層を１層または数層形成することが可能である。本発明によれば、この最下段の導電層が分離することによる電極パターンの形成は、ダイカットエンボス加工に基づく切断作業を最下段の導電層に行うことによる。すなわち、切断作業に使用する切断部材の浮彫りが、基板上に永久変形が生じさせ、同時に、導電層から、ガルヴァニックに相互に分離した導電領域に至る領域をエンボス加工する。本発明は、ロールツーロール方式における薄膜部品の製造に適している。

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コンデンサーなどのラミネートに使用するための有機ポリマー。このポリマーは、式：
【化１】


で示される反復単位を含む。上記式中、各Ｒ１は、独立して、Ｈ、アリール基、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、または架橋性基を含む有機基であり；各Ｒ２は、独立して、Ｈ、アリール基、またはＲ４であり；各Ｒ３は、独立して、Ｈまたはメチルであり；各Ｒ５は、独立して、アルキル基、ハロゲン、またはＲ４であり；各Ｒ４は、独立して、少なくとも１つのＣＮ基を含みかつＣＮ基１つあたり約３０〜約２００の分子量を有する有機基であり；そしてｎは０〜３に等しく；ただし、ポリマー中の少なくとも１つの反復単位は、Ｒ４を含む。

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電子デバイスに使用する有機高分子であって、この高分子は、式（ａ）および（ｂ）の反復単位を含む。式中、高分子内の少なくとも１個の反復単位がＲ⁴を含むことを条件として、各Ｒ¹が、独立してＨ、アリール基、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、または架橋可能な基を含む有機基であり、各Ｒ²が、独立してＨ、アリール基、またはＲ⁴であり、各Ｒ³が、独立してＨまたはメチルであり、各Ｒ⁵が、独立してアルキル基、ハロゲン、またはＲ⁴であり、各Ｒ⁴が、独立して、少なくとも１個のＣＮ基を含み、ＣＮ基あたり約３０〜約２００の分子量を有する有機基であり、ｎ＝０〜３である。これらの高分子は、有機薄膜トランジスタなどの電子デバイスに有用である。

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【課題】特殊な技術を要せず、簡単な製造方法でキャリア移動度が高い有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層に重量平均分子量２０００以上のπ共役系ポリマー及び分子量２０００以下のπ共役系オリゴマーを含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 画素電極近傍の光り抜けを防止できるアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 アレイ基板に対して略平行な電界を発生させることにより、液晶分子の配列を変化させる、アクティブマトリックス型液晶表示装置において、アレイ基板１０上に、配線を形成した後透明な絶縁膜２０を成膜する工程と、該配線側面に、該配線の膜厚に対する比が０．５以上１．０以下の膜厚の前記絶縁膜を残すように、該絶縁膜をドライエッチングする工程と、前記配線の膜厚に対する比が０．２以下の膜厚の前記配線のみ、ウェットエッチングする工程とを含むようにした。 （もっと読む）

【課題】 ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートＴＦＴ構造を採用し、ソース領域１１９及びドレイン領域１２０のパターニングとソース配線１２１及び画素電極１２２のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 （もっと読む）