【課題】大画面に適用しうる配線の構造、特に液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の端部に設けられ、他の基板に設けた回路の配線と電気的に接続するための入力端子部における配線の構造について提案する。
【解決手段】液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の端子部において、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなる配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜と、を有し、前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、前記アクティブマトリクス基板とは異なる基板に設けられた回路に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大画面に適用しうる配線の構造、特に液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の画素ＴＦＴ、および、他の基板に設けた回路の配線と電気的に接続するための入力端子部における配線の構造について提案する。
【解決手段】液晶表示装置において、基板上に画素ＴＦＴと端子部を有し、前記画素ＴＦＴは、Ｃｒを含有する第１の層と、ＡｌおよびＮｄを含有する第２の層とを積層してなるゲート電極を有し、前記端子部には、前記ゲート電極と同一材料からなる配線と、前記配線に電気的に接続された透明導電膜が設けられ、前記透明導電膜は、異方性導電材を介して、前記基板とは異なる基板に設けられた回路に電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶滴下により、広視野角表示のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置を実現する。
【解決手段】第１の基板及び第２の基板間に滴下された液晶を保持するためのシール材と、シール材に囲まれ、第１の基板上に設けられた画素部と、シール材の外側において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置されるＩＣチップと、シール材の外側において、第２の基板とは重ならない領域の第１の基板上に配置される、画素部とＩＣチップとを電気的に接続する異方性導電膜と、シール材と交差するように画素部から異方性導電膜が配置される領域まで延び、第１の基板上に設けられた画素部とＩＣチップとを電気的に接続する配線とを有する液晶表示装置である。 （もっと読む）

低しきい電圧値、高キャリア移動度及び低リーク電流等の性能を簡単に実現できるＴＦＴ等を提供する。ＴＦＴは、小熱容量部と大熱容量部とを有する多結晶Ｓｉ膜からなり、小熱容量部が少なくともチャネル部として用いられものである。そして、多結晶Ｓｉ膜は、小熱容量部が完全溶融するとともに大熱容量部が完全溶融しないエネルギ密度のレーザアニールによる結晶粒膜によって形成されている。小熱容量部と大熱容量部との界面から成長した粗大結晶粒によってチャネル部が構成されるので、一般的なレーザアニール装置を用いて低しきい電圧値、高キャリア移動度及び低リーク電流等の性能を簡単に実現できる。
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【課題】 有効画素領域を広く確保すると共に、補助蓄積容量の電極間の短絡を防止することのできる薄膜トランジスタ基板及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ基板は、導電材料層のゲート電極２ｔとキャパシタ下部電極２ｃを覆って、基板上に形成された第１絶縁層３ｔ、３ｃと、第１絶縁層３を介して、上方に形成された高抵抗率半導体のチャネル層１１ｔ、１１ｃ、１３ｔ、１３ｃと、チャネル層上に形成された１対のソース／ドレイン電極４ｔと、キャパシタ上部電極下部層上に形成されたキャパシタ上部電極上部層４ｃと、これらを覆って，第１絶縁層上に形成された第２絶縁層１４と、第２絶縁層を貫通し、ソース電極を露出する第１接続孔８ｔとキャパシタ上部電極上部層の接続領域を露出する第２接続孔８ｃと、その上に形成された画素電極５とを有する。 （もっと読む）

本発明では液滴吐出装置から吐出された液滴が基板に着弾した後の位置制御を改善することが可能なパターンの作製方法を提供する。また着弾後の液滴位置精度を改善することが可能な液滴吐出装置を提供する。更には、本発明の液滴吐出装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
本発明は、吐出部から吐出された液滴、又は液滴を着弾する基板にレーザ光を照射して、液滴の着弾位置を制御することを特徴とする。本発明によりフォトリソグラフィー工程を用いることなくパターンを形成することが可能である。
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【課題】ゲート電極や配線を低抵抗な金属膜を用いて形成することにより、大面積なデバイスにも対応できる半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上にアルミニウムを主成分とする第１の導電層を形成し、前記第１の導電層上に当該第１の導電層と異なる材料からなる第２の導電層を形成し、前記第１の導電層及び前記第２の導電層をパターニングしてゲート電極を形成することを特徴とする。また、前記第１の導電層は、炭素と、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、シリコン、ニッケルのいずれか一又は複数を含有していることを特徴とする。前記第２の導電層は、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、ニッケルまたはこれらの窒化物のいずれか一又は複数からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 信頼性が高く、製作コストを抑制した半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、チャネル形成領域となる島状半導体膜と、前記島状半導体膜の側面に接し、ソース領域又はドレイン領域となる半導体膜を有する半導体装置及びその作製方法に関する。チャネル形成領域となる島状半導体膜とソース領域又はドレイン領域となる半導体膜をドーピング装置を用いないで形成することにより、製造コストを抑制することができる。かつチャネル形成領域である島状半導体膜の側面にソース領域又はドレイン領域が接することにより、空乏層が膜厚方向だけでなく横方向に広がり、ドレイン電圧による電界が緩和されるため信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

従来のフォトリソグラフィーを用いた配線作製工程では、レジストや配線材料、またプラズマ処理時に必要なプロセスガス等の多くが無駄になってしまう。また真空装置等の排気手段が必要であることから、装置全体が大型化するため、処理基板の大型化に伴い製造コストが増加することが問題になっていた。本発明では、レジストや配線材料を液滴として、基板上の必要な箇所に直接線状または点状に噴射して、パターンを描画するという手段を適用する。またアッシングやエッチング等の気相反応プロセスを大気圧又は大気圧近傍下で行う手段を適用する。
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【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型ＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒金属層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所望の形状を有する半導体領域の形成方法を提供する。また、バラツキの少ない半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体膜の一部を酸化して酸化物層を形成した後、該酸化物層をマスクとして半導体膜をエッチングして、所望の形状を有する半導体領域を形成した後、該半導体領域を用いる半導体装置を作製する。本発明では、公知のレジストを用いたフォトリソグラフィー工程を用いずとも、所定の場所に所望の形状を有する半導体領域を形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細な形状を有する半導体領域の形成方法を提供する。バラツキの少ない半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体膜の一部にレーザ光を照射し、絶縁層を形成した後、該絶縁層をマスクとして半導体膜をエッチングして、所望の形状を有する半導体領域を形成した後、該半導体領域を用いる半導体装置を作製する。本発明では、公知のレジストを用いたフォトリソグラフィー工程を用いずとも、所定の場所に微細な形状を有する半導体領域を形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型のＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜を成膜し、該非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜上にドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型のＴＦＴを形成して半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】 直接描画プロセスを用いて、オン電流や動作速度の高い半導体素子を備えた表示装置を得ることを目的とする。
【解決手段】 ゲート電極を覆うように絶縁膜を形成し、絶縁膜表面の少なくともゲート電極又は配線の一部と重なる領域に有機溶剤を塗布し、絶縁膜表面に、有機溶剤が塗布され且つ残存する領域から有機溶剤が塗布されない領域にわたり、導電性の微粒子が有機溶媒に分散した流動体を液滴吐出法により吐出させた後、流動体を焼成して硬化させることによってソース及びドレイン電極を形成し、ソース及びドレイン電極間に挟まれた湾曲部において絶縁膜と接すると共にソース及びドレイン電極と接するように半導体膜を形成する。有機溶剤は、絶縁膜表面における流動体のぬれ性を高めるために塗布され、湾曲部を介して隣り合う、ソース及びドレイン電極それぞれの端部は、一方は凹状に湾曲し他方は凸状に湾曲して形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜に５族元素（１５族元素）を有する半導体膜または希ガス元素
を有する半導体膜を形成し加熱して、触媒元素を結晶性半導体膜から除去した後、逆スタガ型ＴＦＴを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 環境温度が変化したり、経時変化が生じたりすると、輝度にバラツキが生じてしまう。本発明は、環境温度の変化と経時変化に起因した発光素子の電流値の変動による影響を抑制することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、環境温度の変化の補償機能と経時変化の補償機能を備えた表示装置である。本発明の表示装置は、発光素子と、発光素子に接続する駆動用トランジスタと、モニタ用発光素子とを備えている。このモニタ用発光素子を利用して、環境温度の変化と経時変化に起因した発光素子の電流値の変動による影響を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 より高精細なパターンの形成が可能な、液滴吐出法を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】 パターンが形成されたモールドを絶縁膜に押し付けた状態で絶縁膜の硬化を行なった後、モールドを取り外すことで、絶縁膜に凹部を形成し、導電材料を有する液滴を吐出することにより、凹部に導電膜を形成し、導電膜を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に島状の半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

本発明は、静止又は移動している基板のための窒化ケイ素薄膜形成装置と、このような薄膜を形成するための方法とを提供する。本発明に係る方法は、薄膜の厚さ及び薄膜の物性の均一性を高めるとともに、薄膜の堆積速度を高める。薄膜の物性は、太陽電池デバイスにおける反射防止層もしくは保護層、又は、薄膜トランジスタにおける誘電体層としての応用に適している。本発明に係る装置は多数の金属フィラメントを備えている。薄膜形成装置内の空間部において、フィラメントを基準にして基板とは反対側に、フィラメントとは予め設定された距離を隔ててガス供給システムが配設されている。静止している基板のための薄膜形成装置は、薄膜形成のための開始条件及び終了条件を制御するとともに、薄膜の厚さを制御するためのシャッターを備えている。
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【課題】 ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートＴＦＴ構造を採用し、ソース領域１１９及びドレイン領域１２０のパターニングとソース配線１２１及び画素電極１２２のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 （もっと読む）